高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜的制作方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于射頻通訊測試技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜。
【【背景技術(shù)】】
[0002]同軸測試電纜是測試器件產(chǎn)品的一種電纜，主要用于連接射頻微波測試儀器與被測器件產(chǎn)品的電纜?，F(xiàn)有的溫度穩(wěn)相測試電纜一般包括中心導(dǎo)體、絕緣介質(zhì)、內(nèi)屏蔽、外屏蔽、外護(hù)套、鎧甲。此結(jié)構(gòu)的測試電纜，絕大多數(shù)采用的是溫度穩(wěn)相電纜外加鎧甲模式，其內(nèi)部的溫度穩(wěn)相電纜最多可以保證在_45°C?85°C溫度范圍內(nèi)溫度穩(wěn)相性低至550PPM，但在連接測試時測試電纜不可伸入到高溫的環(huán)境箱內(nèi)，這樣就使得被測電纜必須有一部分不能完全處在環(huán)境箱內(nèi)，造成測試數(shù)據(jù)的誤差較大。
[0003]因此，有必要提供一種新的高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜來解決上述問題。
【【實用新型內(nèi)容】】
[0004]本實用新型的主要目的在于提供一種耐高溫、測試精度高的高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜。
[0005]本實用新型通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)上述目的:一種高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜，其包括位于中心的中心導(dǎo)體、包裹在所述中心導(dǎo)體外圍的介質(zhì)層、包裹在所述介質(zhì)層外圍的內(nèi)屏蔽層、包裹在所述內(nèi)屏蔽層外圍的外屏蔽層、包裹在所述外屏蔽層外圍的外護(hù)套層以及包裹在所述外屏蔽層的鎧甲裝置，所述鎧甲裝置與所述外護(hù)套層之間留有縫隙，所述縫隙中填充有冷卻液體。
[0006]具體的，所述鎧甲裝置包括套在所述外護(hù)套層上的彈性件、完全包裹住所述彈性件的鎧甲層。
[0007]具體的，所述鎧甲層在生產(chǎn)時采用高溫擠出工藝，其內(nèi)徑為9.0?9.8_。
[0008]具體的，所述介質(zhì)層采用新型低密度聚四氟乙烯繞包工藝制成。
[0009]具體的，所述內(nèi)屏蔽層是采用鍍銀銅繞包工藝制成的，其鍍銀厚度為0.2?0.5um0
[0010]具體的，所述外護(hù)套層采用的是聚全氟乙丙烯高溫擠出工藝，其外徑為3.6_。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜的有益效果在于:在鎧甲裝置與外護(hù)套層之間留有縫隙，并在縫隙中填充有冷卻液體，可使的內(nèi)部的溫度穩(wěn)相電纜受溫度變化而引起相位的變化減小，這樣可使得整個測試電纜在-450C?85°C溫度范圍內(nèi)溫度穩(wěn)相性低至120PPM，極大的提高了電纜的溫度穩(wěn)相性，在測試時使得測試的數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確。
【【附圖說明】】
[0012]圖1為本實用新型一種高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖中數(shù)字表示:
[0014]100高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜；
[0015]I中心導(dǎo)體；2介質(zhì)層；3內(nèi)屏蔽層；4外屏蔽層；5外護(hù)套層；6銷甲裝置，61彈性件，62鎧甲層；7縫隙。
【【具體實施方式】】
[0016]請參照圖1，本實用新型為高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜100(以下簡稱為電纜)，其包括位于中心的中心導(dǎo)體1、包裹在中心導(dǎo)體I外圍的介質(zhì)層2、包裹在介質(zhì)層2外圍的內(nèi)屏蔽層3、包裹在內(nèi)屏蔽層3外圍的外屏蔽層4、包裹在外屏蔽層4外圍的外護(hù)套層5以及包裹在外屏蔽層5的鎧甲裝置6。
[0017]中心導(dǎo)體I采用的是鍍銀銅導(dǎo)電材質(zhì)。介質(zhì)層2采用新型LD-PTFE(低密度聚四氟乙烯)繞包工藝制成。聚四氟乙烯(Teflon或PTFE)，俗稱“塑料王”，是由四氟乙烯經(jīng)聚合而成的高分子化合物，其耐高低溫性能好一一可在200°C?260°C環(huán)境中長期使用，在低溫-100°C時，仍能保持柔軟；高潤滑一一其摩擦系數(shù)為0.04，是塑料中摩擦系數(shù)最小的；不粘性一一具有固體材料中最小的表面張力而不粘附任何物質(zhì)。因此使得電纜在通訊傳輸中具有非常低的損耗，且具有較高的溫度穩(wěn)定性，在_45°C?85°C溫度范圍內(nèi)，其溫度穩(wěn)相性能達(dá)到550PPM。
[0018]內(nèi)屏蔽層3是采用鍍銀銅繞包工藝制成的，其鍍銀厚度為0.2?0.5um，由于銀具有豐富的延展性，因此，可提高電纜的彎曲性。
[0019]外屏蔽層4采用的是鍍銀銅絲編織工藝，通過編織工藝不僅增加了電纜的屏蔽效率，同時也增加了電纜的抗拉強(qiáng)度，且使得外屏蔽層4能夠緊緊的包裹在電纜的內(nèi)屏蔽層3上。
[0020]FEP的耐高低溫性能好，可在_250°C?200°C溫度下長期使用；耐磨性好，自潤滑性能優(yōu)良，電絕緣性優(yōu)異，并且不受工作環(huán)境的濕度、溫度和頻率的影響，具有良好的耐電弧性；耐化學(xué)腐蝕性優(yōu)良，廣泛的應(yīng)用于各個領(lǐng)域，如機(jī)械工業(yè)用作密封圈、儀器儀表零部件等；電氣工業(yè)用作電纜絕緣層、電纜護(hù)套等。外護(hù)套層5采用的是FEP (聚全氟乙丙烯)高溫擠出工藝，其外徑為3.6，可使電纜溫度承受能力達(dá)到-75V?200°C，同時具有防腐蝕、耐鹽霧等特點，這樣便使電纜能夠適應(yīng)各種外部環(huán)境，提高電纜的壽命，擴(kuò)大其適用范圍。
[0021]鎧甲裝置6包括套在外護(hù)套層5上的彈性件61、完全包裹住彈性件61的鎧甲層62。鎧甲層62在生產(chǎn)時采用高溫擠出FEP工藝，其內(nèi)徑為9.0?9.8mm將彈性件61完全包裹于內(nèi)部，起到防止彈性件61氧化的作用。
[0022]外護(hù)套層5與鎧甲層62之間形成有縫隙7，在縫隙7中填充有冷卻液體。作為優(yōu)選方案，本【具體實施方式】中，冷卻液體是水，由于水的比熱容為4200J/Kg.°C，外界溫度變化時，水的溫度變化最小，這樣可使的內(nèi)部的溫度穩(wěn)相電纜受溫度變化而引起相位的變化減小。這樣可使得整個測試電纜在_45°C?85°C溫度范圍內(nèi)溫度穩(wěn)相性達(dá)到120PPM，由于對于電纜而言，其溫度穩(wěn)相性越小越好，因此極大的提高了電纜的溫度穩(wěn)相性，在測試時使得測試的數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確。
[0023]以上所述的僅是本實用新型的一些實施方式。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜，其特征在于:其包括位于中心的中心導(dǎo)體、包裹在所述中心導(dǎo)體外圍的介質(zhì)層、包裹在所述介質(zhì)層外圍的內(nèi)屏蔽層、包裹在所述內(nèi)屏蔽層外圍的外屏蔽層、包裹在所述外屏蔽層外圍的外護(hù)套層以及包裹在所述外屏蔽層的鎧甲裝置，所述鎧甲裝置與所述外護(hù)套層之間留有縫隙，所述縫隙中填充有冷卻液體。
2.如權(quán)利要求1所述的高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜，其特征在于:所述鎧甲裝置包括套在所述外護(hù)套層上的彈性件、完全包裹住所述彈性件的鎧甲層。
3.如權(quán)利要求2所述的高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜，其特征在于:所述鎧甲層在生產(chǎn)時采用高溫擠出工藝，其內(nèi)徑為9.0?9.8mm。
4.如權(quán)利要求1所述的高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜，其特征在于:所述介質(zhì)層采用新型低密度聚四氟乙烯繞包工藝制成。
5.如權(quán)利要求1所述的高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜，其特征在于:所述內(nèi)屏蔽層是采用鍍銀銅繞包工藝制成的，其鍍銀厚度為0.2?0.5um。
6.如權(quán)利要求1所述的高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜，其特征在于:所述外護(hù)套層采用的是聚全氟乙丙烯高溫擠出工藝，其外徑為3.6mm。
【專利摘要】本實用新型為一種高溫度穩(wěn)相射頻同軸測試電纜，其包括位于中心的中心導(dǎo)體、包裹在所述中心導(dǎo)體外圍的介質(zhì)層、包裹在所述介質(zhì)層外圍的內(nèi)屏蔽層、包裹在所述內(nèi)屏蔽層外圍的外屏蔽層、包裹在所述外屏蔽層外圍的外護(hù)套層以及包裹在所述外屏蔽層的鎧甲裝置，所述鎧甲裝置與所述外護(hù)套層之間留有縫隙，所述縫隙中填充有冷卻液體。本實用新型在鎧甲裝置與外護(hù)套層之間留有縫隙，并在縫隙中填充有冷卻液體，可使的內(nèi)部的溫度穩(wěn)相電纜受溫度變化而引起相位的變化減小，這樣可使得整個測試電纜在-45℃～85℃溫度范圍內(nèi)溫度穩(wěn)相性低至120PPM，極大的提高了電纜的溫度穩(wěn)相性，在測試時使得測試的數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確。
【IPC分類】H01B7-17, H01B11-18, H01B7-42
【公開號】CN204516403
【申請?zhí)枴緾N201520136405
【發(fā)明人】李同福
【申請人】昆山安勝達(dá)微波科技有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年3月11日