一種雙芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于芯片封裝領(lǐng)域，具體涉及一種雙芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。對于芯片而言，封裝十分重要，一方面因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電性能下降；另一方面，封裝后的芯片更便于安裝和運(yùn)輸。封裝技術(shù)的好壞直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的PCB (印制電路板)的設(shè)計和制造，因此它是至關(guān)重要的。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，有一種雙芯片封裝體，包括一引線框架，所述引線框架表面并列設(shè)置MOS晶體管芯片和集成電路控制芯片，所述MOS晶體管芯片與所述引線框架之間通過焊料層粘接在一起，所述焊料層靠近所述MOS晶體管芯片一側(cè)的表面為一預(yù)制的平面，以防止MOS晶體管芯片發(fā)生傾斜，所述集成電路控制芯片與所述引線框架之間通過導(dǎo)電銀漿層粘接在一起。其不足之處在于，該裝置中的MOS晶體管芯片的厚度要大于集成電路控制芯片的厚度，而封裝完成后的塑封體上表面要求高出芯片上表面一定的高度，才能對芯片起到安放、固定、密封保護(hù)的作用，因此以MOS晶體管的厚度計算，導(dǎo)致塑封體的厚度較厚，從散熱性能考慮，不利于引線框架上芯片的散熱，容易導(dǎo)致芯片故障，電路短路，最終影響集成電路的使用壽命。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的是提供一種雙芯片封裝結(jié)構(gòu)，使得封裝完成后塑封體的厚度更薄，更加利于芯片的散熱。
[0005]本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的:一種雙芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架，所述引線框架的表面并列設(shè)置有晶體管芯片和集成電路控制芯片，所述集成電路控制芯片通過導(dǎo)電銀漿層與所述引線框架粘接固定，所述引線框架的表面安裝晶體管芯片的位置設(shè)有一凹槽，凹槽內(nèi)填充有用于固定粘接所述晶體管芯片的焊料，所述晶體管芯片的下側(cè)與凹槽內(nèi)的焊料固定粘接，所述晶體管芯片的上表面與所述集成電路控制芯片的上表面位于同一平面內(nèi)。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果在于:通過在引線框架上設(shè)置凹槽，將粘接晶體管芯片用的焊料焊進(jìn)凹槽中，降低了晶體管芯片在豎直方向的高度，使得晶體管芯片的上表面與集成電路控制芯片的上表面位于同一平面內(nèi)，以集成電路控制芯片的上表面高度計算，加上塑封體上表面要求高出芯片上表面的高度，得到的塑封體的厚度更薄，更加利于芯片散熱，避免局部過熱影響電路工作；保證晶體管芯片和集成電路控制芯片的上表面位于同一平面，使得塑封體更好地保護(hù)晶體管芯片和集成電路控制芯片，更好地緩沖外界對芯片的沖擊。
[0007]作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述引線框架的晶體管表面分布有用于保護(hù)晶體管芯片的焊料，引線框架表面上的焊料厚度小于晶體管芯片的高度，并將晶體管芯片的下半部分包裹在其中。引線框架表面上的焊料包裹住晶體管芯片的下半部分，增大了晶體管芯片的強(qiáng)度，緩沖由于塑封體內(nèi)引線框架、芯片和包封材料的熱膨脹系數(shù)不同產(chǎn)生的擠壓應(yīng)力對晶體管芯片的擠壓，晶體管芯片的上半部分不與焊料接觸，其發(fā)熱產(chǎn)生的熱量更加容易傳遞出去。
[0008]作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述集成電路控制芯片部分嵌入導(dǎo)電銀漿層中。該技術(shù)方案增大了集成電路控制芯片的抗擠壓強(qiáng)度，緩沖由于塑封體內(nèi)引線框架、芯片和包封材料的熱膨脹系數(shù)不同產(chǎn)生的擠壓應(yīng)力對集成電路控制芯片的擠壓。
[0009]作為本實用新型的優(yōu)選，所述焊料成分采用鉛錫合金。鉛和錫的導(dǎo)熱性均較好，晶體管芯片發(fā)熱產(chǎn)生的熱量更加容易經(jīng)焊料傳遞出去，進(jìn)一步提高了散熱性能。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011 ] 其中，I引線框架，2晶體管芯片，3集成電路控制芯片，4導(dǎo)電銀漿層，5焊料，6塑封體。
【具體實施方式】
[0012]如圖1所示，為本實用新型的一種雙芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架1，引線框架I的表面并列設(shè)置有晶體管芯片2和集成電路控制芯片3，集成電路控制芯片3通過導(dǎo)電銀漿層4與引線框架I粘接固定，引線框架I的表面安裝晶體管芯片2的位置設(shè)有一凹槽，凹槽內(nèi)填充有用于固定粘接晶體管芯片2的焊料5，晶體管芯片2的下側(cè)與凹槽內(nèi)的焊料5固定粘接，晶體管芯片2的上表面與集成電路控制芯片3的上表面位于同一平面內(nèi)。為了緩沖塑封體6內(nèi)引線框架1、芯片和包封材料的熱膨脹系數(shù)不同產(chǎn)生的擠壓應(yīng)力對晶體管芯片2和集成電路控制芯片3的擠壓，引線框架I的表面分布有用于保護(hù)晶體管芯片2的焊料5，引線框架I表面上的焊料5厚度小于晶體管芯片2的高度，并將晶體管芯片2的下半部分包裹在其中；集成電路控制芯片3部分嵌入導(dǎo)電銀漿層4中；焊料5成分采用鉛錫合金。
[0013]本裝置通過在引線框架I上設(shè)置凹槽，將粘接晶體管芯片2用的焊料5焊進(jìn)凹槽中，降低了晶體管芯片2在豎直方向的高度，使得晶體管芯片2的上表面與集成電路控制芯片3的上表面位于同一平面內(nèi)，以集成電路控制芯片3的上表面高度計算，加上塑封體6上表面要求高出芯片上表面的高度，得到的塑封體6的厚度更薄，更加利于芯片散熱，避免局部過熱影響電路工作；保證晶體管芯片2和集成電路控制芯片3的上表面位于同一平面，使得塑封體6更好地保護(hù)晶體管芯片2和集成電路控制芯片3，更好地緩沖外界對芯片的沖擊。
[0014]本實用新型并不局限于上述實施例，在本實用新型公開的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)所公開的技術(shù)內(nèi)容，不需要創(chuàng)造性的勞動就可以對其中的一些技術(shù)特征作出一些替換和變形，這些替換和變形均在本實用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種雙芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架，所述引線框架的表面并列設(shè)置有晶體管芯片和集成電路控制芯片，所述集成電路控制芯片通過導(dǎo)電銀漿層與所述引線框架粘接固定，其特征在于，所述引線框架的表面安裝晶體管芯片的位置設(shè)有一凹槽，凹槽內(nèi)填充有用于固定粘接所述晶體管芯片的焊料，所述晶體管芯片的下側(cè)與凹槽內(nèi)的焊料固定粘接，所述晶體管芯片的上表面與所述集成電路控制芯片的上表面位于同一平面內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線框架的表面分布有用于保護(hù)晶體管芯片的焊料，引線框架表面上的焊料厚度小于晶體管芯片的高度，并將晶體管芯片的下半部分包裹在其中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種雙芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述集成電路控制芯片部分嵌入導(dǎo)電銀漿層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種雙芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊料成分采用鉛錫合金。
【專利摘要】本實用新型公開了封片封裝領(lǐng)域內(nèi)的一種雙芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架，所述引線框架的表面并列設(shè)置有晶體管芯片和集成電路控制芯片，所述集成電路控制芯片通過導(dǎo)電銀漿層與所述引線框架粘接固定，所述引線框架的表面安裝晶體管芯片的位置設(shè)有一凹槽，凹槽內(nèi)填充有用于固定粘接所述晶體管芯片的焊料，所述晶體管芯片的下側(cè)與凹槽內(nèi)的焊料固定粘接，所述晶體管芯片的上表面與所述集成電路控制芯片的上表面位于同一平面內(nèi)。所述引線框架的表面分布有用于保護(hù)晶體管芯片的焊料，引線框架表面上的焊料厚度小于晶體管芯片的高度，并將晶體管芯片的下半部分包裹在其中。本實用新型通過在引線框架上設(shè)置凹槽，減小了塑封體的厚度，提高了散熱性能。
【IPC分類】H01L23-367, H01L25-16, H01L23-31, H01L23-495
【公開號】CN204538022
【申請?zhí)枴緾N201520236059
【發(fā)明人】高潮, 黃素娟
【申請人】揚(yáng)州江新電子有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年4月20日