芯片晶粒吸取裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種芯片晶粒吸取裝置，屬于LED芯片剔除設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]由于芯片制造過(guò)程工序較多，周期較長(zhǎng)，因此成品避免不了有外觀不良品的存在。剔除這些外觀不良品的方法，業(yè)界通用自動(dòng)目檢技術(shù)，但自動(dòng)目檢機(jī)通常使用灰度識(shí)別技術(shù)，無(wú)法完全將不良晶粒剔除，因此人工目檢作為一種最原始的不良品剔除方法和自動(dòng)目檢的補(bǔ)充依然占有很重要的部分，但人工目檢存在速率和準(zhǔn)確率低的問題。傳統(tǒng)的作業(yè)治具是使用尖口鑷子將不良晶粒夾出，此方法對(duì)人員使用鑷子的熟練度要求較高，且速率較慢。
[0003]目前，主要利用真空回收芯片上的晶粒，但是由于現(xiàn)有的吸筆結(jié)構(gòu)不合理，將晶粒從粘性膠膜上剝離，容易刮傷周圍晶粒和將已排列整齊的晶粒碰散亂，造成更多的不良。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的結(jié)構(gòu)不合理，容易刮傷周圍晶粒的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、合理，容易挑選不良晶粒，不易刮傷周圍晶粒的芯片晶粒吸取裝置。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為芯片晶粒吸取裝置，包括中空管、中空針頭和軟管接頭，所述中空管的后端連接有軟管接頭，中空管的前端連接有中空針頭，所述中空針頭的前端設(shè)置有鉤針，所述鉤針的寬度為6-9mi I。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下技術(shù)效果:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，采用在中空針頭的前端設(shè)置有鉤針，通過(guò)鉤針先勾起不良晶粒，在通過(guò)真空收集，有利于人員作業(yè)，提尚檢驗(yàn)速率，減少針頭對(duì)晶粒的刮傷等不良影響。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0009]如圖1所示，芯片晶粒吸取裝置，包括中空管1、中空針頭2和軟管接頭3，所述中空管I的后端連接有軟管接頭3，中空管I的前端連接有中空針頭2，所述中空針頭2的前端設(shè)置有鉤針4，所述鉤針4的寬度為6-9mil。
[0010]在使用時(shí)，軟管接頭3與真空泵連接軟管相連接，拿起中空管1，利用鉤針4勾起芯片上的不良晶粒，在通過(guò)中空針頭2、中空管I吸入回收瓶中，其中鉤針4的寬度一般為6-9mil，通過(guò)鉤針勾起晶粒，能夠有效提高人工目檢的檢驗(yàn)速率，并減少對(duì)晶粒表面的刮傷，提升檢驗(yàn)良率。
[0011]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包在本實(shí)用新型范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.芯片晶粒吸取裝置，其特征在于:包括中空管(1)、中空針頭(2)和軟管接頭(3)，所述中空管(I)的后端連接有軟管接頭(3)，中空管(I)的前端連接有中空針頭(2)，所述中空針頭(2)的前端設(shè)置有鉤針(4)，所述鉤針(4)的寬度為6-9mil。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種芯片晶粒吸取裝置，屬于LED芯片剔除設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，為解決結(jié)構(gòu)不合理，容易刮傷周圍晶粒的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、合理，容易挑選不良晶粒，不易刮傷周圍晶粒的芯片晶粒吸取裝置，所采用的技術(shù)方案為所述中空管的后端連接有軟管接頭，中空管的前端連接有中空針頭，所述中空針頭的前端設(shè)置有鉤針，所述鉤針的寬度為6-9mil；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，檢驗(yàn)效率高，廣泛用于芯片上不良晶粒的挑選。
【IPC分類】H01L21/687
【公開號(hào)】CN204632743
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520187841
【發(fā)明人】沈日曉, 李曉波
【申請(qǐng)人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年3月31日