一種新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型一種新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯。
【背景技術(shù)】
[0002]磁芯是由各種氧化鐵混合物組成的一種燒結(jié)磁性金屬氧化物，用在電路中能夠加大電磁線圈磁路的磁通密度，降低銅損耗，以增加電磁感應(yīng)強(qiáng)度，提高電壓轉(zhuǎn)化效率。一直以來(lái)，磁芯作為磁性元件的重要組成部分，一直備受關(guān)注。特別是近幾年，伴隨著電子元件的不斷發(fā)展，對(duì)磁芯的要求也越來(lái)越高。然而在滿足要求的前提下，降低成本、自動(dòng)化、環(huán)保、開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品、探索新工藝成為了當(dāng)今磁芯制造行業(yè)的發(fā)展主題。
[0003]傳統(tǒng)的軟磁磁芯結(jié)構(gòu)較多，如圖1所示，磁芯為E E型結(jié)構(gòu)；如圖2所示，磁芯為EP型結(jié)構(gòu)，還有其他EER、UF、RM、PQ、PM、Q、T和LP等結(jié)構(gòu)的磁芯。雖然現(xiàn)有的磁芯品種足夠多，而且制造工藝簡(jiǎn)單成熟，成本較低。但尺寸較大，且較多磁芯中柱界面為方形，繞線柱均設(shè)在內(nèi)部，給線圈繞制帶來(lái)麻煩，導(dǎo)致磁通密度分布不均勻，磁芯的有效利用面積小，且不利于散熱。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N磁通分布均勻、磁芯有效利用面積大、以及散熱效果好的軟磁磁芯。
[0005]一種實(shí)施例中提供一種新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，包括:
[0006]底座；
[0007]以及若干個(gè)繞線柱，繞線柱為圓柱型結(jié)構(gòu)，若干個(gè)繞線柱間隔開(kāi)垂直設(shè)置在底座的一個(gè)面上，且排列在一條直線上。
[0008]進(jìn)一步地，包括8個(gè)繞線柱，位于中間的兩個(gè)繞線柱之間的間距大于其余相鄰的繞線柱之間的間距，且其余相鄰的繞線柱之間的間距均相等。
[0009]進(jìn)一步地，位于中間的兩個(gè)繞線柱之間的間距為1.3±0.1mm，其余相鄰的繞線柱之間的間距為1.0±0.I臟。
[0010]進(jìn)一步地，底座為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)。
[0011]進(jìn)一步地，繞線柱的高度為底座厚度的0.8?0.9倍。
[0012]進(jìn)一步地，繞線柱的高度為1.5±0.1mm，半徑為0.7±0.05mm。
[0013]進(jìn)一步地，兩端的繞線柱分別距離底座兩端的間距相等。
[0014]進(jìn)一步地，底座和繞線柱由NiZn鐵氧體粉壓一體成型。
[0015]依據(jù)上述實(shí)施例的新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，由于若干個(gè)圓柱型繞線柱間隔開(kāi)垂直設(shè)置在底座上，且排列在一條直線上，使得繞線柱繞線分布均勻，即使得磁通分布均勻，增加了磁芯的有效利用面積。又由于繞線柱裸露在外面，增加了磁芯的散熱面積，即提高了散熱效果。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中EE型磁芯的結(jié)構(gòu)示意；
[0017]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中EP型磁芯的結(jié)構(gòu)示意；
[0018]圖3為本實(shí)用新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4為本實(shí)用新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面通過(guò)【具體實(shí)施方式】結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0021]如圖3所示，在本實(shí)用新型實(shí)施例中提供一種新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，磁芯包括底座I和8個(gè)繞線柱2。底座I和繞線柱2由磁導(dǎo)率較高的NiZn鐵氧體粉壓一體成型。
[0022]底座I為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，具體尺寸為19.8mm*3.3mm*2mm。
[0023]8個(gè)繞線柱2均為圓柱型結(jié)構(gòu)且大小相等。8個(gè)繞線柱2間隔開(kāi)設(shè)置在底座I的19.8mm*3.3mm面上，8個(gè)繞線柱2排列在一條直線上。如圖4所示，位于中間的兩個(gè)繞線柱2之間的間距LI大于其余相鄰的繞線柱2之間的間距L2，具體的，位于中間的兩個(gè)繞線柱2之間的間距LI為1.3±0.1mm，其余相鄰的繞線柱2之間的間距LI為1.0±0.1mm。繞線柱2的高度為底座I厚度的0.8?0.9倍，具體的，繞線柱2的高度為1.5 ±0.1mm。兩端的繞線柱2分別距離底座I兩端的間距L3相等，間距L3均為0.65mm。
[0024]本實(shí)施例提供的新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，由于8個(gè)圓柱型繞線柱2間隔開(kāi)垂直設(shè)置在底座I上，且排列在一條直線上，使得繞線柱2繞線分布均勻，即使得磁通分布均勻，增加了磁芯的有效利用面積，即本實(shí)用新型的磁芯整體結(jié)構(gòu)可小于相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的磁芯，而磁芯的有效利用面積與現(xiàn)有磁芯保存一致或更大，實(shí)現(xiàn)了磁芯的小型化。又由于繞線柱2裸露在外面，增加了磁芯的散熱面積，即提高了散熱效果，降低了磁芯溫度，從而使磁芯損耗更低，減少了器件的功率損耗。
[0025]以上應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行闡述，只是用于幫助理解本實(shí)用新型，并不用以限制本實(shí)用新型。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型的思想，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演、變形或替換。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，其特征在于，包括: 底座； 以及若干個(gè)繞線柱，所述繞線柱為圓柱型結(jié)構(gòu)，若干個(gè)所述繞線柱間隔開(kāi)垂直設(shè)置在所述底座的一個(gè)面上，且排列在一條直線上。2.如權(quán)利要求1所述的新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，其特征在于，包括8個(gè)所述繞線柱，位于中間的兩個(gè)所述繞線柱之間的間距大于其余相鄰的所述繞線柱之間的間距，且其余相鄰的所述繞線柱之間的間距均相等。3.如權(quán)利要求2所述的新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，其特征在于，位于中間的兩個(gè)所述繞線柱之間的間距為1.3±0.1臟，其余相鄰的所述繞線柱之間的間距為1.0±0.1mm。4.如權(quán)利要求3所述的新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，其特征在于，所述底座為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)。5.如權(quán)利要求4所述的新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，其特征在于，所述繞線柱的高度為所述底座厚度的0.8?0.9倍。6.如權(quán)利要求5所述的新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，其特征在于，所述繞線柱的高度為1.5±0.1mm,半徑為 0.7±0.05mm。7.如權(quán)利要求6所述的新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，其特征在于，兩端的所述繞線柱分別距離所述底座兩端的間距相等。8.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，其特征在于，所述底座和繞線柱由NiZn鐵氧體粉壓一體成型。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型磁路結(jié)構(gòu)的軟磁磁芯，包括：底座；以及若干個(gè)繞線柱，繞線柱為圓柱型結(jié)構(gòu)，若干個(gè)繞線柱間隔開(kāi)垂直設(shè)置在底座的一個(gè)面上，且排列在一條直線上。由于若干個(gè)圓柱型繞線柱間隔開(kāi)垂直設(shè)置在底座上，且排列在一條直線上，使得繞線柱繞線分布均勻，即使得磁通分布均勻，增加了磁芯的有效利用面積。又由于繞線柱裸露在外面，增加了磁芯的散熱面積，即提高了散熱效果。
【IPC分類】H01F1/36, H01F27/24, H01F27/26
【公開(kāi)號(hào)】CN204668095
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520390487
【發(fā)明人】朱勇, 張沖
【申請(qǐng)人】深圳市高斯博電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月23日
【申請(qǐng)日】2015年6月8日