一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及高壓開關(guān)設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒。
【背景技術(shù)】
[0002]屏蔽筒是真空滅弧室的一個(gè)部件，其作用是阻擋觸頭間產(chǎn)生電弧時(shí)大量金屬蒸汽和液滴的電弧生成物噴濺到陶瓷或玻璃絕緣管殼的內(nèi)壁上。電弧生成物在屏蔽筒內(nèi)表面冷凝后就不容易重新返回到觸頭表面，有助于電弧熄滅后，殘余等離子體的迅速衰減，利于弧后介質(zhì)強(qiáng)度恢復(fù)速度和開端能力的提高。
[0003]現(xiàn)有真空滅弧室中屏蔽筒主要采用無氧銅、不銹鋼材料制作，其缺點(diǎn)是其材料價(jià)格高。另外由于無氧銅和不銹鋼磁導(dǎo)率低，所以磁場(chǎng)屏蔽效果差。在開斷特別是短路開斷時(shí)，由于短路電流高達(dá)幾十KA，會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)和很大的電動(dòng)力(A、B、C三相之間)，引起電弧對(duì)觸頭偏燒，A、B、C三相的電動(dòng)力還影響三個(gè)真空滅弧室之間的機(jī)械穩(wěn)定性，降低了設(shè)備的開斷能力和穩(wěn)定性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型目的在于提供一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒，以解決現(xiàn)有技術(shù)不足導(dǎo)致的諸多缺陷。
[0005]一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒，所述屏蔽筒為圓筒形結(jié)構(gòu)，所述屏蔽筒設(shè)于陶瓷管殼內(nèi)部，所述屏蔽筒的制作材料為電磁純鐵材料，所述屏蔽筒的筒壁在屏蔽筒的腰部向外凸出有環(huán)形的固定凸臺(tái)，所述固定凸臺(tái)為錐形凸臺(tái)，所述固定凸臺(tái)具有釬焊平面，所述屏蔽筒兩端設(shè)有折彎角。
[0006]優(yōu)選的，所述屏蔽筒材料為DT4E冷軋薄板，厚度為0.5?4mm。
[0007]優(yōu)選的，所述屏蔽筒為一體沖壓成型。
[0008]優(yōu)選的，所述屏蔽筒為多段薄板焊接成型。
[0009]優(yōu)選的，所述屏蔽筒表面電鍍有銅或镲。
[0010]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，該種屏蔽筒，所用材料為電磁純鐵材料，尤其是一種DT4E冷軋薄板，其厚度為0.5?4mm，加工性能較好，可以采用直接沖壓成型，或者多段薄板焊接成型，價(jià)格低于無氧銅板，且具有較高磁導(dǎo)率與磁場(chǎng)屏蔽效果，所述屏蔽筒具有固定凸臺(tái)，方便焊接固定于陶瓷管殼內(nèi)，純鐵屏蔽筒清洗后易于氧化，一般采用酸性拋光、鈍化工藝可以大大延長(zhǎng)氧化時(shí)間。
【附圖說明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型所述的一種電磁純鐵屏蔽筒結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2是本實(shí)用新型所述的一種電磁純鐵屏蔽筒與陶瓷絕緣管殼的裝配結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3為圖2中固定凸臺(tái)部分的局部放大圖；
[0014]其中，I一屏蔽筒，2—陶瓷管殼，3—固定凸臺(tái)，4一釬焊平面，5—折彎角。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的以及功效易于明白了解，下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0016]一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒，所述屏蔽筒I為圓筒形結(jié)構(gòu)，所述屏蔽筒I設(shè)于陶瓷管殼2內(nèi)部，所述屏蔽筒I的制作材料為電磁純鐵材料，所述屏蔽筒I的筒壁在屏蔽筒I的腰部向外凸出有環(huán)形的固定凸臺(tái)3，所述固定凸臺(tái)3為錐形凸臺(tái)，所述固定凸臺(tái)3具有釬焊平面4，所述屏蔽筒I兩端設(shè)有折彎角5。
[0017]值得注意的是，所述屏蔽筒I材料為DT4E冷軋薄板，厚度為0.5?4mm。
[0018]在本實(shí)例中，所述屏蔽筒I為一體沖壓成型。
[0019]在本實(shí)例中，所述屏蔽筒I為多段薄板焊接成型。
[0020]此外，所述屏蔽筒I表面電鍍有銅或鎳。
[0021]基于上述，該種屏蔽筒1，所用材料為電磁純鐵材料，尤其是一種DT4E冷軋薄板，其厚度為0.5?4_，加工性能較好，可以采用直接沖壓成型，或者多段薄板焊接成型，價(jià)格低于無氧銅板，且具有較高磁導(dǎo)率與磁場(chǎng)屏蔽效果，所述屏蔽筒I具有固定凸臺(tái)3，方便焊接固定于陶瓷管殼2內(nèi)，純鐵屏蔽筒I清洗后易于氧化，一般采用酸性拋光、鈍化工藝可以大大延長(zhǎng)氧化時(shí)間。
[0022]由技術(shù)常識(shí)可知，本實(shí)用新型可以通過其他的不脫離其精神實(shí)質(zhì)或必要特征的實(shí)施方案來實(shí)現(xiàn)。因此，上述公開的實(shí)施方案，就各方面而言，都只是舉例說明，并不是僅有的。所有在本實(shí)用新型范圍內(nèi)或在等同于本實(shí)用新型的范圍內(nèi)的改變均被本實(shí)用新型所包含ο
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒，所述屏蔽筒為圓筒形結(jié)構(gòu)，所述屏蔽筒設(shè)于陶瓷管殼內(nèi)部，其特征在于，所述屏蔽筒的制作材料為電磁純鐵材料，所述屏蔽筒的筒壁在屏蔽筒的腰部向外凸出有環(huán)形的固定凸臺(tái)，所述固定凸臺(tái)為錐形凸臺(tái)，所述固定凸臺(tái)具有釬焊平面，所述屏蔽筒兩端設(shè)有折彎角。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒，其特征在于，所述屏蔽筒材料為DT4E冷乳薄板，厚度為0.5?4mm。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒，其特征在于，所述屏蔽筒為一體沖壓成型。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒，其特征在于，所述屏蔽筒為多段薄板焊接成型。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒，其特征在于，所述屏蔽筒表面電鍍有銅或鎳。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種電氣設(shè)備中陶瓷真空滅弧室用的電磁純鐵屏蔽筒，所述屏蔽筒為圓筒形結(jié)構(gòu)，所述屏蔽筒設(shè)于陶瓷管殼內(nèi)部，所述屏蔽筒的制作材料為電磁純鐵材料，所述屏蔽筒的筒壁在屏蔽筒的腰部向外凸出有環(huán)形的固定凸臺(tái)，所述固定凸臺(tái)為錐形凸臺(tái)，所述固定凸臺(tái)具有釬焊平面，所述屏蔽筒兩端設(shè)有折彎角，該種屏蔽筒，所用材料為電磁純鐵材料，尤其是一種DT4E冷軋薄板，其厚度為0.5～4mm，加工性能較好，可以采用直接沖壓成型，或者多段薄板焊接成型，價(jià)格低于無氧銅板，且具有較高磁導(dǎo)率與磁場(chǎng)屏蔽效果，所述屏蔽筒具有固定凸臺(tái)，方便焊接固定于陶瓷管殼內(nèi)，純鐵屏蔽筒清洗后易于氧化，一般采用酸性拋光、鈍化工藝可以大大延長(zhǎng)氧化時(shí)間。
【IPC分類】H01H33/664
【公開號(hào)】CN204668236
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520347320
【發(fā)明人】陳揚(yáng), 陳約南
【申請(qǐng)人】溫州浙光電子有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請(qǐng)日】2015年5月26日