一種三基色白光led光源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種三基色的白光LED光源。
【背景技術(shù)】
[0002]利用紅、綠、藍(lán)三種顏色混合得到白光的方案是實(shí)現(xiàn)白光LED的三種方案之一，該方法可以分開控制紅、綠、藍(lán)光LED的發(fā)光強(qiáng)度，達(dá)成全彩的變色效果（可變色溫）。
[0003]但是該技術(shù)一直受限于綠光LED技術(shù)的瓶頸，目前實(shí)現(xiàn)綠光LED采用InGaN體系材料，但是由于高In組分的GaN材料的晶格畸變，使得材料缺陷遠(yuǎn)高于普通藍(lán)光LED的InGaN材料。這就造成綠光LED芯片光電轉(zhuǎn)換效率低，熱量高同時(shí)光衰明顯。同時(shí)綠光LED芯片隨溫度變化其峰值波長(zhǎng)漂移明顯，這將造成三基色白光LED的色溫漂移，從而需要復(fù)雜的控制電路對(duì)芯片的電流進(jìn)行補(bǔ)償控制實(shí)現(xiàn)色溫穩(wěn)定。目前OSRAM在三基色白光LED中引入一顆涂覆熒光粉的白光芯片，以實(shí)現(xiàn)三基色白光LED的色溫穩(wěn)定，但這樣既增加了封裝的工藝難度，同時(shí)也增加了白光LED光源的成本。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的前述問(wèn)題，而提供一種光效高，色溫穩(wěn)定且控制簡(jiǎn)單的一種新型三基色白光LED光源。
[0005]一種三基色白光LED光源，其包括基板，所述基板上電連接有若干紅光LED芯片和藍(lán)光LED芯片，在所述藍(lán)光LED芯片的表面覆蓋有綠光發(fā)光材料層，所述紅光LED芯片和藍(lán)光LED芯片上封裝有密封膠層。
[0006]作為優(yōu)選方案，所述紅光LED芯片和藍(lán)光LED芯片均通過(guò)金線與基板電連接。
[0007]作為優(yōu)選方案，所述綠光發(fā)光材料層由LuAG陶瓷材料、綠光玻璃材料或綠色熒光粉構(gòu)成。
[0008]作為優(yōu)選方案，所述基板的的尺寸為（5?10)mmX (5?10)mm。
[0009]作為優(yōu)選方案，所述基板呈多孔結(jié)構(gòu)。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下的有益效果：
[0011]該三基色白光LED光源，避免了傳統(tǒng)光源中綠光LED芯片的使用，使得光源的色溫穩(wěn)定性得到增強(qiáng)，同時(shí)也保證了高的光效與寬色域的色溫可調(diào)性。
【附圖說(shuō)明】
[0012]通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：
[0013]圖I為本實(shí)用新型中實(shí)施例I的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為本實(shí)用新型中實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖中：1、基板；21、藍(lán)光芯片；22、紅光芯片；3、陶瓷材料層；4、硅膠層。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步理解本實(shí)用新型，但不以任何形式限制本實(shí)用新型。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)。這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0017]實(shí)施例1
[0018]本實(shí)施例的一種三基色白光LED光源的結(jié)構(gòu)如圖1所示:在5 X 5mm的陶瓷基板I上固定有三顆LED芯片，分別為兩顆峰值波長(zhǎng)為455nm的藍(lán)光芯片21與一顆峰值波長(zhǎng)為620nm的紅光芯片22，藍(lán)光芯片21和紅光芯片22的尺寸都為I X 1mm。應(yīng)用金線實(shí)現(xiàn)芯片正負(fù)電極與基板I間的電連接，在一顆藍(lán)光芯片的表面覆蓋發(fā)射光譜的峰值波長(zhǎng)為530nm的LuAG陶瓷材料層3，最后應(yīng)用透明硅膠將三顆芯片密封起來(lái)，形成透明硅膠層4，完成該三基色LED白光光源的制備。
[0019]實(shí)施例2
[0020]本實(shí)施例的一種三基色白光LED光源的結(jié)構(gòu)如圖2所示:在1X1mm的陶瓷基板I上分別固定5顆紅光LED芯片22與10顆藍(lán)光LED芯片21，構(gòu)成一個(gè)3并5串的LED芯片陣列，其中紅光LED芯片22的峰值波長(zhǎng)為620nm，藍(lán)光LED芯片21的峰值波長(zhǎng)為455nm，芯片的尺寸都為I X 1mm。應(yīng)用金線實(shí)現(xiàn)芯片正負(fù)電極與基板電極5之間的電連接，在其中5顆藍(lán)光芯片21的表面覆蓋發(fā)射光譜的峰值波長(zhǎng)為530nm的LuAG陶瓷2，最后應(yīng)用透明硅膠將全部芯片密封起來(lái)，完成該三基色LED白光模組的制備。
[0021]實(shí)施例3
[0022]在5 X 5mm的陶瓷基板上固定三顆LED芯片，分別為兩顆峰值波長(zhǎng)為455nm的藍(lán)光芯片與一顆峰值波長(zhǎng)為620nm的紅光芯片，芯片的尺寸都為I X 1mm。應(yīng)用金線實(shí)現(xiàn)芯片正負(fù)電極與基板間的電連接，在一顆藍(lán)光芯片的表面覆蓋發(fā)射光譜的峰值波長(zhǎng)為530nm的綠光玻璃材料，最后應(yīng)用透明硅膠將三顆芯片密封起來(lái)，完成該三基色LED白光光源的制備。其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同，故不贅述。
[0023]實(shí)施例4
[0024]在5 X 5mm的陶瓷基板上固定三顆LED芯片，分別為兩顆峰值波長(zhǎng)為455nm的藍(lán)光芯片與一顆峰值波長(zhǎng)為620nm的紅光芯片，芯片的尺寸都為I X 1mm。應(yīng)用金線實(shí)現(xiàn)芯片正負(fù)電極與基板間的電連接，在一顆藍(lán)光芯片的表面覆蓋發(fā)射光譜的峰值波長(zhǎng)為525nm的綠色熒光粉，為了使熒光粉更好的附著在芯片表面，同時(shí)為了保證制備的一致性，此處采用了產(chǎn)業(yè)上成熟的熒光粉噴粉工藝，最后應(yīng)用透明硅膠將三顆芯片密封起來(lái)，完成該三基色LED白光光源的制備。其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同，故不贅述。
[0025]以上對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本實(shí)用新型并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種三基色白光LED光源，其特征在于，包括基板，所述基板上電連接有若干紅光LED芯片和藍(lán)光LED芯片，且在部分所述藍(lán)光LED芯片的表面覆蓋有綠光發(fā)光材料層。2.如權(quán)利要求1所述的三基色白光LED光源，其特征在于，所述紅光LED芯片和藍(lán)光LED芯片均通過(guò)金線與基板電連接。3.如權(quán)利要求1所述的三基色白光LED光源，其特征在于，所述綠光發(fā)光材料層為L(zhǎng)uAG陶瓷材料層、綠光玻璃材料層或綠色熒光粉層。4.如權(quán)利要求1、2或3所述的三基色白光LED光源，其特征在于，所述基板的的尺寸為(5 ?10)mmX (5 ?10)mmo5.如權(quán)利要求4所述的三基色白光LED光源，其特征在于，所述基板呈多孔結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種三基色白光LED光源，其包括基板，所述基板上電連接有若干紅光LED芯片和藍(lán)光LED芯片，在所述藍(lán)光LED芯片的表面覆蓋有綠光發(fā)光材料層，所述紅光LED芯片和藍(lán)光LED芯片上封裝有密封膠層。本實(shí)用新型的三基色白光LED光源，避免了傳統(tǒng)光源中綠光LED芯片的使用，使得光源的色溫穩(wěn)定性得到增強(qiáng)，同時(shí)也保證了高的光效與寬色域的色溫可調(diào)性。
【IPC分類】H01L25/075, H01L33/48, H01L33/50
【公開號(hào)】CN204696115
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520236119
【發(fā)明人】胡寧寧, 馮輝輝, 何其昌, 陳寶容
【申請(qǐng)人】蘇州工業(yè)園區(qū)晶冠瓷材料科技有限公司
【公開日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年4月17日