半導體激光器冷卻系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導體激光器領(lǐng)域，尤其是一種半導體激光器冷卻系統(tǒng)
【背景技術(shù)】
[0002]半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質(zhì)的激光器。它體積小、壽命長，并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。并且還可以用高達GHz的頻率直接進行電流調(diào)制以獲得高速調(diào)制的激光輸出。由于這些優(yōu)點其被廣泛的應用。但是半導體激光器在工作時，半導體激光芯片會產(chǎn)生大量的熱量，如不對其進行降溫處理，很快就會燒壞?，F(xiàn)有技術(shù)用設(shè)置熱沉來降低半導體激光芯片的溫度，但是還遠遠不夠；而且半導體激光器的發(fā)熱部件不僅是半導體激光芯片，還有導光晶體，它在工作時的溫度也很高，但是現(xiàn)有技術(shù)中，并沒有很好的給出一個能夠有效降低導光晶體溫度的裝置或設(shè)備。
[0003]有鑒于此，特提出本實用新型。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的在于提出一種可以對半導體激光芯片及導光晶體進行有效冷卻的系統(tǒng)。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，提供如下技術(shù)方案:
[0006]半導體激光器冷卻系統(tǒng)，包括宏通道熱沉，制冷液從宏通道熱沉的制冷液通道一端進入，另一端流出，其特征在于，從宏通道熱沉的制冷液通道流出的冷卻液通過環(huán)繞導光晶體外殼的通水塊與冷卻液水箱連接。半導體激光器在工作過程中，半導體激光芯片和導光晶體會產(chǎn)生很高的溫度，如不對他們進行降溫處理就會把設(shè)備燒壞，本冷卻系統(tǒng)可以有效的將半導體激光芯片和導光晶體產(chǎn)生的熱量帶走，降低其溫度，使設(shè)備能夠穩(wěn)定的運行。
[0007]進一步的，還包括熱電半導體制冷器，所述熱電半導體制冷器的制冷端靠近導光晶體外殼，所述熱電半導體制冷器的熱端靠近所述通水塊的外壁。
[0008]優(yōu)選的，所述通水塊由兩塊結(jié)構(gòu)相同的通水板組成，所述通水板為矩形板，在其一面的中部設(shè)置有凹槽，所述凹槽的兩端通過與凹槽長度方向垂直的兩個通孔與矩形板遠離設(shè)置有凹槽的一面連通；兩塊通水板設(shè)置有凹槽的一面相對，并通過固定銷將兩塊通水板固定連接，兩塊通水板上的凹槽形成一個通水道。
[0009]進一步的，還包括進水支架，所述進水支架中部設(shè)置有第一通孔，所述進水支架下部設(shè)置有第二通孔，所述第一通孔的軸線與第二通孔的軸線垂直；所述進水支架下部設(shè)置有第三孔，所述第三孔的軸線與第一通孔的軸線平行；所述第三孔將第二通孔與進水支架外側(cè)連通，所述第一通孔與宏通道熱沉的制冷液通道進液口連通，所述第二通孔與通水塊上的通水通道連通，所述第三孔與冷卻液水箱連接。
[0010]進一步的，還包括回水支架，所述回水支架中部設(shè)置有第四孔，所述回水支架下部設(shè)置有第五孔，所述第四孔的軸線與第五孔的軸線垂直；所述回水支架中部設(shè)置有第六孔，所述第六孔的軸線與第四孔的軸線和第五孔的軸線垂直；所述第六孔將第四孔與第五孔連通，所述第四孔與宏通道熱沉的制冷液通道出液口連通，所述第五孔與通水塊上的通水通道連通。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型半導體激光器冷卻系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為桶水板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3為進水支架結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖4為回水支架結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]其中:1、通水塊，2、進水支架，3、回水支架，4、導光晶體外殼；
[0016]11、凹槽，21、第一通孔，22、第二通孔，23、第三孔，31、第四孔，32、第五孔。
【具體實施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖對本實用新型的一個最佳實施例作進一步說明，以助于理解本實用新型的內(nèi)容。
[0018]如圖1和4所示，半導體激光器冷卻系統(tǒng)，包括進水支架2，所述進水支架2中部設(shè)置有第一通孔21，所述進水支架2下部設(shè)置有第二通孔22，所述第一通孔21的軸線與第二通孔22的軸線垂直；所述進水支架2下部設(shè)置有第三孔23，所述第三孔23的軸線與第一通孔21的軸線平行；所述第三孔23將第二通孔22與進水支架2外側(cè)連通，所述第一通孔21與宏通道熱沉的制冷液通道進液口連通，所述第三孔23與冷卻液水箱連接。
[0019]回水支架3中部設(shè)置有第四孔31，所述回水支架3下部設(shè)置有第五孔32，所述第四孔31的軸線與第五孔32的軸線垂直；所述回水支架3中部設(shè)置有第六孔，所述第六孔的軸線與第四孔31的軸線和第五孔32的軸線垂直；所述第六孔將第四孔31與第五孔32連通，宏通道熱沉的制冷液通道出液口與第四孔31連通。
[0020]通水塊I由兩塊結(jié)構(gòu)相同的通水板組成，所述通水板為矩形板，在其一面的中部設(shè)置有凹槽11，所述凹槽11的兩端通過與凹槽11長度方向垂直的兩個通孔與矩形板遠離設(shè)置有凹槽11的一面連通；兩塊通水板設(shè)置有凹槽11的一面相對，并通過固定銷將兩塊通水板固定連接，兩塊通水板上的凹槽11形成一個通水道。所述第五孔32與通水塊I上的通水通道的一端連通，通水通道的另一端與第二通孔22連通。
[0021]兩組通水塊I前后對稱平行設(shè)置，導光晶體外殼設(shè)置在他們之間。熱電半導體制冷器的制冷端靠近導光晶體外殼，熱電半導體制冷器的熱端靠近所述通水塊的外壁。
[0022]具體工作方式
[0023]冷去液從進水支架2上的第一通孔21進入宏通道熱沉的制冷液通道，從宏通道熱沉的制冷液通道另一端出來的冷卻液進入回水支架3的第四孔，進而通過第五孔32和第六孔組成的三通結(jié)構(gòu)分別進入兩個通水塊I內(nèi)，再從通水塊I的另一端流入進水支架2上的第二通孔22和第三孔組成的三通結(jié)構(gòu)，最后進入冷卻液水箱。在這個過程中，可以對半導體激光芯片及設(shè)置在兩個通水塊I之間的導光晶體外殼4進行有效的冷卻(對導光晶體外殼4進行冷卻，也就等于給導光晶體進行冷卻)。
【主權(quán)項】
1.半導體激光器冷卻系統(tǒng)，包括宏通道熱沉，制冷液從宏通道熱沉的制冷液通道一端進入，另一端流出，其特征在于，從宏通道熱沉的制冷液通道流出的冷卻液通過環(huán)繞導光晶體外殼的通水塊與冷卻液水箱連接。2.如權(quán)利要求1所述的半導體激光器冷卻系統(tǒng)，其特征在于，還包括熱電半導體制冷器，所述熱電半導體制冷器的制冷端靠近導光晶體外殼，所述熱電半導體制冷器的熱端靠近所述通水塊的外壁。3.如權(quán)利要求1所述的半導體激光器冷卻系統(tǒng)，其特征在于，所述通水塊(I)由兩塊結(jié)構(gòu)相同的通水板組成，所述通水板為矩形板，在其一面的中部設(shè)置有凹槽(11)，所述凹槽(11)的兩端通過與凹槽(11)長度方向垂直的兩個通孔與矩形板遠離設(shè)置有凹槽(11)的一面連通；兩塊通水板設(shè)置有凹槽(11)的一面相對，并通過固定銷將兩塊通水板固定連接，兩塊通水板上的凹槽(11)形成一個通水道。4.如權(quán)利要求1所述的半導體激光器冷卻系統(tǒng)，其特征在于，還包括進水支架(2)，所述進水支架(2)中部設(shè)置有第一通孔(21)，所述進水支架(2)下部設(shè)置有第二通孔(22)，所述第一通孔(21)的軸線與第二通孔(22)的軸線垂直；所述進水支架(2)下部設(shè)置有第三孔(23)，所述第三孔(23)的軸線與第一通孔(21)的軸線平行；所述第三孔(23)將第二通孔(22)與進水支架(2)外側(cè)連通，所述第一通孔(21)與宏通道熱沉的制冷液通道進液口連通，所述第二通孔(22)與通水塊(I)上的通水通道連通，所述第三孔(23)與冷卻液水箱連接。5.如權(quán)利要求1所述的半導體激光器冷卻系統(tǒng)，其特征在于，還包括回水支架(3)，所述回水支架(3)中部設(shè)置有第四孔(31)，所述回水支架(3)下部設(shè)置有第五孔(32)，所述第四孔(31)的軸線與第五孔(32)的軸線垂直；所述回水支架(3)中部設(shè)置有第六孔，所述第六孔的軸線與第四孔(31)的軸線和第五孔(32)的軸線垂直；所述第六孔將第四孔(31)與第五孔(32)連通，所述第四孔(31)與宏通道熱沉的制冷液通道出液口連通，所述第五孔(32)與通水塊(I)上的通水通道連通。
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導體激光器冷卻系統(tǒng)，涉及半導體激光器領(lǐng)域。包括宏通道熱沉，制冷液從宏通道熱沉的制冷液通道一端進入，另一端流出，其特征在于，從宏通道熱沉的制冷液通道流出的冷卻液通過環(huán)繞導光晶體外殼的通水塊與冷卻液水箱連接。半導體激光器在工作過程中，半導體激光芯片和導光晶體會產(chǎn)生很高的溫度，如不對他們進行降溫處理就會把設(shè)備燒壞，本冷卻系統(tǒng)可以有效的將半導體激光芯片和導光晶體產(chǎn)生的熱量帶走，降低其溫度，使設(shè)備能夠穩(wěn)定的運行。
【IPC分類】H01S5/024
【公開號】CN204706765
【申請?zhí)枴緾N201520347035
【發(fā)明人】崔衛(wèi)軍
【申請人】北京弘光浩宇科技有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年5月26日