一種低殘壓氣體放電管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用涉及一種安防類元器件，具體涉及一種低殘壓氣體放電管。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在通信安防領(lǐng)域，氣體放電管由于低電容，具有大的抗浪涌能力，在各類基站，路由器，機頂盒等通信設(shè)備上得到大量運用，但氣體放電管的一個缺點就是反應(yīng)速度過慢，殘壓較高，因此對其保護的設(shè)備存在一定的隱患。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對現(xiàn)有的氣體放電管殘壓較高的問題，本實用新型提供了一種低殘壓氣體放電管。
[0004]本實用新型采取的技術(shù)方案是:一種低殘壓氣體放電管，包括上電極、陶瓷管和下電極，所述上電極和下電極封裝在陶瓷管兩端，所述陶瓷管的內(nèi)壁上設(shè)有T型導(dǎo)電帶。
[0005]進一步的，所述T型導(dǎo)電帶由碳粉組成。
[0006]進一步的，所述T型導(dǎo)電帶由鉛芯在陶瓷管內(nèi)壁上所劃形成。
[0007]進一步的，所述上電極、和下電極的外端面中部設(shè)有凹槽，并且位于陶瓷管內(nèi)的內(nèi)端面向外凸出。
[0008]進一步的，所述上電極、陶瓷管和下電極封裝形成的封裝腔內(nèi)充有惰性氣體，所述惰性氣體包括氬氣，氖氣。
[0009]本實用新型的有益效果是:上電極與陶瓷管以及下電極通過高溫封裝，在封裝腔內(nèi)，充一定壓強的惰性氣體，并且引入了陶瓷管內(nèi)壁所劃的“T”型導(dǎo)電帶(使用鉛芯(2H)所劃)，在氣體放電管受到浪涌電壓或雷擊時，由于“T”型導(dǎo)電帶是使用鉛芯(2H)所劃，會產(chǎn)生比普通“I”型導(dǎo)電帶更多的放電尖端，使氣體放電管放電更快，同時大大降低了殘壓。
【附圖說明】
[0010]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)拆分示意圖。
【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明。
[0012]如圖1所示，一種低殘壓氣體放電管，包括上電極1、陶瓷管2和下電極3，所述上電極I和下電極3封裝在陶瓷管2兩端，所述陶瓷管2的內(nèi)壁上設(shè)有T型導(dǎo)電帶4。
[0013]本實用新型中，上電極1、陶瓷管2以及下電極3通過高溫(830度30秒)封裝。在封裝腔內(nèi)，充一定壓強的惰性氣體(Ar，Ne等)。陶瓷管2內(nèi)壁上的T型導(dǎo)電帶4使用鉛芯(2H)所劃形成。在氣體放電管受到浪涌電壓或雷擊時，由于T型導(dǎo)電帶4是使用鉛芯(2H)所劃、由碳粉組成，因此會產(chǎn)生更多的放電尖端，使氣體放電管放電更快，大大降低了殘壓。
[0014]本實用新型未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實現(xiàn)。
【主權(quán)項】
1.一種低殘壓氣體放電管，包括上電極(I)、陶瓷管(2)和下電極(3)，其特征在于:所述上電極(I)和下電極(3)封裝在陶瓷管(2)兩端，所述陶瓷管(2)的內(nèi)壁上設(shè)有T型導(dǎo)電帶⑷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低殘壓氣體放電管，其特征在于:所述T型導(dǎo)電帶(4)由碳粉組成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低殘壓氣體放電管，其特征在于:所述T型導(dǎo)電帶(4)由鉛芯在陶瓷管(2)內(nèi)壁上所劃形成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低殘壓氣體放電管，其特征在于:所述上電極(1)、和下電極(3)的外端面中部設(shè)有凹槽，并且位于陶瓷管(2)內(nèi)的內(nèi)端面向外凸出。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低殘壓氣體放電管，其特征在于:所述上電極(1)、陶瓷管(2 )和下電極(3 )封裝形成的封裝腔內(nèi)充有惰性氣體，所述惰性氣體包括氬氣，氖氣。
【專利摘要】本實用新型公開了一種低殘壓氣體放電管，包括上電極、陶瓷管和下電極，所述上電極和下電極封裝在陶瓷管兩端，所述陶瓷管的內(nèi)壁上設(shè)有T型導(dǎo)電帶，所述T型導(dǎo)電帶由碳粉組成；上電極、和下電極的外端面中部設(shè)有凹槽，并且位于陶瓷管內(nèi)的內(nèi)端面向外凸出；在所述上電極、陶瓷管和下電極封裝形成的封裝腔內(nèi)充有惰性氣體。本實用新型的T型導(dǎo)電帶能提供更多放電尖端，使氣體放電管里面的氣體會更容易電離，因此在浪涌或者雷擊電流出現(xiàn)時，能大大降低殘壓，也就能更快起到保護作用。
【IPC分類】H01J61/36, H01J61/02
【公開號】CN204720417
【申請?zhí)枴緾N201520437148
【發(fā)明人】何才云
【申請人】江蘇東光電子有限公司
【公開日】2015年10月21日
【申請日】2015年6月24日