一種引線框架結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種引線框架結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]倒裝芯片封裝技術(shù)與傳統(tǒng)的正裝芯片技術(shù)相比，具有優(yōu)越的電學(xué)及熱學(xué)性能等優(yōu)點(diǎn)，正逐漸成為主流封裝技術(shù)。
[0003]在焊接時(shí)，通常正裝芯片的漏極與引線框架連接，而倒裝芯片剛好相反，其源極和柵極與引線框架連接。圖1為一種倒裝芯片的仰視示意圖，圖2為圖1中倒裝芯片的正視圖。如圖1和圖2所示，通常倒裝芯片的源極2和柵極I表面外的其他五個(gè)面均為漏極3，在倒裝芯片焊接過(guò)程中，結(jié)合材往往容易溢出到芯片側(cè)面的漏極3表面。圖3為現(xiàn)有引線框架結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，圖4為圖3對(duì)應(yīng)的剖視示意圖，圖5為在現(xiàn)有引線框架上印刷結(jié)合材并放置芯片后的俯視示意圖，圖6為圖5對(duì)應(yīng)的剖視示意圖，圖7為在圖5基礎(chǔ)上進(jìn)行烘烤后的俯視示意圖，圖8為圖7對(duì)應(yīng)的剖視示意圖。如圖3至圖8所示，結(jié)合材6被印刷在現(xiàn)有引線框架4表面的倒裝芯片5盛放區(qū)域，經(jīng)過(guò)烘烤后，結(jié)合材6熔化并流動(dòng)，容易溢出到倒裝芯片5側(cè)面的漏極表面，使得源極與漏極在導(dǎo)通位置7處導(dǎo)通，造成短路，因此產(chǎn)品可靠性較差且良率較低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施例的目的是提出一種引線框架結(jié)構(gòu)，以優(yōu)化現(xiàn)有的引線框架結(jié)構(gòu)，解決結(jié)合材在焊接過(guò)程中容易爬流到芯片側(cè)面而造成短路的問(wèn)題。
[0005]本實(shí)用新型提供的一種引線框架結(jié)構(gòu)，包括:
[0006]引線框架本體，用于盛放倒裝芯片；
[0007]所述引線框架本體的表面設(shè)置有凹槽，所述凹槽位于倒裝芯片盛放區(qū)域的邊緣。
[0008]進(jìn)一步的，所述凹槽被設(shè)置為環(huán)繞所述倒裝芯片盛放區(qū)域。
[0009]進(jìn)一步的，所述凹槽為半刻蝕槽。
[0010]進(jìn)一步的，所述凹槽的深度為所述引線框架厚度的二分之一。
[0011]進(jìn)一步的，所述凹槽的寬度與深度相等。
[0012]進(jìn)一步的，所述凹槽的寬度與所述凹槽的深度的二分之一。
[0013]本實(shí)用新型提供的引線框架結(jié)構(gòu)，包括用于盛放倒裝芯片的引線框架本體，引線框架本體的表面設(shè)置有凹槽，凹槽位于倒裝芯片的邊緣。通過(guò)采用上述技術(shù)方案，在倒裝芯片焊接過(guò)程中，結(jié)合材經(jīng)過(guò)烘烤后，不會(huì)跨過(guò)凹槽而爬流到芯片側(cè)面的漏極表面，進(jìn)而避免源極與漏極短路，增強(qiáng)產(chǎn)品可靠性，提高產(chǎn)品良率。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為一種倒裝芯片的仰視不意圖；
[0015]圖2為圖1中倒裝芯片的正視圖；
[0016]圖3為現(xiàn)有引線框架結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；
[0017]圖4為圖3對(duì)應(yīng)的剖視示意圖；
[0018]圖5為在現(xiàn)有引線框架上印刷結(jié)合材并放置芯片后的俯視示意圖；
[0019]圖6為圖5對(duì)應(yīng)的剖視示意圖；
[0020]圖7為在圖5基礎(chǔ)上進(jìn)行烘烤后的俯視示意圖；
[0021]圖8為圖7對(duì)應(yīng)的剖視示意圖；
[0022]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的引線框架結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；
[0023]圖10為圖9對(duì)應(yīng)的剖視示意圖；
[0024]圖11為在本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的引線框架上印刷結(jié)合材并放置芯片后的俯視不意圖；
[0025]圖12為圖11對(duì)應(yīng)的剖視示意圖；
[0026]圖13為在圖11基礎(chǔ)上進(jìn)行烘烤后的俯視示意圖；
[0027]圖14為圖13對(duì)應(yīng)的剖視示意圖；
[0028]其中:1、柵極；2、源極；3、漏極；4、現(xiàn)有引線框架；5、倒裝芯片；6、結(jié)合材；7、導(dǎo)通位置；8、引線框架本體；9、凹槽。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更加詳細(xì)與完整的說(shuō)明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，而非對(duì)本實(shí)用新型的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0030]實(shí)施例一
[0031]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的引線框架結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，圖10為圖9對(duì)應(yīng)的剖視示意圖。如圖9和圖10所示，該引線框架結(jié)構(gòu)包括:引線框架本體8，用于盛放倒裝芯片；引線框架本體8的表面設(shè)置有凹槽9，凹槽9位于倒裝芯片盛放區(qū)域的邊緣。示例性的，凹槽9可為半刻蝕槽。
[0032]優(yōu)選的，凹槽可被設(shè)置為環(huán)繞倒裝芯片盛放區(qū)域。這樣設(shè)置的好處是，能夠全方位的防止結(jié)合材熔化后爬流到芯片側(cè)面。
[0033]在設(shè)計(jì)凹槽尺寸時(shí)可充分考慮引線框架的強(qiáng)度，使其不易發(fā)生斷裂；還可充分考慮凹槽的容積，一般情況下，由于液體的表面張力作用，熔化后的結(jié)合材會(huì)停留在凹槽邊緣，但如果結(jié)合材余量較大，也有可能會(huì)流向凹槽內(nèi)部，所以設(shè)計(jì)時(shí)需防止結(jié)合材充滿凹槽后繼續(xù)爬流到芯片側(cè)面。優(yōu)選的，凹槽的深度可設(shè)置為引線框架厚度的二分之一；凹槽的寬度可與凹槽的深度相等或者為深度的二分之一。
[0034]圖11為在本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的引線框架上印刷結(jié)合材并放置芯片后的俯視示意圖，圖12為圖11對(duì)應(yīng)的剖視示意圖，圖13為在圖11基礎(chǔ)上進(jìn)行烘烤后的俯視示意圖，圖14為圖13對(duì)應(yīng)的剖視示意圖。如圖11至14所示，結(jié)合材6被印刷在引線框架本體8表面的倒裝芯片5盛放區(qū)域，經(jīng)過(guò)回流焊過(guò)程中的烘烤后，結(jié)合材6熔化并流動(dòng)，當(dāng)流到凹槽9邊緣時(shí)，由于液體的表面張力作用會(huì)停止流動(dòng)，從而阻止了結(jié)合材6爬流到倒裝芯片5側(cè)面的漏極表面，進(jìn)而防止源極與漏極導(dǎo)通。
[0035]本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的引線框架結(jié)構(gòu)，包括用于盛放倒裝芯片的引線框架本體，引線框架本體的表面設(shè)置有凹槽，凹槽位于倒裝芯片的邊緣。通過(guò)采用上述技術(shù)方案，在倒裝芯片焊接過(guò)程中，結(jié)合材經(jīng)過(guò)烘烤后，不會(huì)跨過(guò)凹槽而爬流到芯片側(cè)面的漏極表面，進(jìn)而避免源極與漏極短路，增強(qiáng)產(chǎn)品可靠性，提高產(chǎn)品良率。
[0036]上所述僅為本實(shí)用新型實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本實(shí)用新型實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本實(shí)用新型實(shí)施例可以有各種改動(dòng)和變化。凡在本實(shí)用新型實(shí)施例的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型實(shí)施例的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:引線框架本體，用于盛放倒裝芯片；所述引線框架本體的表面設(shè)置有凹槽，所述凹槽位于倒裝芯片盛放區(qū)域的邊緣。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽被設(shè)置為環(huán)繞所述倒裝芯片盛放區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽為半刻蝕槽。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的深度為所述引線框架厚度的二分之一。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的寬度與深度相等。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的寬度與所述凹槽的深度的二分之一。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種引線框架結(jié)構(gòu)，包括用于盛放倒裝芯片的引線框架本體，引線框架本體的表面設(shè)置有凹槽，凹槽位于倒裝芯片的邊緣。本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)采用上述技術(shù)方案，在倒裝芯片焊接過(guò)程中，結(jié)合材經(jīng)過(guò)烘烤后，不會(huì)跨過(guò)凹槽而爬流到芯片側(cè)面的漏極表面，進(jìn)而避免源極與漏極短路，增強(qiáng)產(chǎn)品可靠性，提高產(chǎn)品良率。
【IPC分類】H01L23/495
【公開(kāi)號(hào)】CN204732402
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520459533
【發(fā)明人】敖利波, 曹周
【申請(qǐng)人】杰群電子科技（東莞）有限公司
【公開(kāi)日】2015年10月28日
【申請(qǐng)日】2015年6月29日