一種電器殼體和底座裝配結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種電器外殼，特別是指電器外殼的殼體與底座之間的裝配結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]對于電磁式接觸器和繼電器等電器產(chǎn)品，殼體主要用于靜觸頭固定、動觸頭支架與銜鐵組件運動導(dǎo)向等；底座主要用于固定線圈、磁軛等零部件，這些零部件相對位置精度對產(chǎn)品性能影響較大，而殼體和底座的裝配定位精度則是其中的重要方面，現(xiàn)有產(chǎn)品由于殼體和底座之間的定位精度都不高，所以影響產(chǎn)品的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用型新克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡單，很好解決傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)裝配定位精度受配合間隙影響較大的問題的新型的電器殼體和底座裝配結(jié)構(gòu)。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案:一種電器殼體和底座裝配結(jié)構(gòu)，包括有殼體和底座，所述殼體的下端面與底座的上端面抵觸配合，其特征在于:所述殼體下端面的長度方向端面上至少設(shè)置有兩段成間隔設(shè)置的抵壓斜面，所述底座上端面上設(shè)置有與抵壓斜面抵觸配合的抵觸斜面，抵壓斜面與抵觸斜面抵觸配合構(gòu)成殼體與底座在寬度方向位置固定設(shè)置，至少有兩個相鄰抵壓斜面的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置形成倒梯形插接臺或插接口，所述底座上相鄰抵觸斜面的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置形成與倒梯形插接臺或插接口配合的倒梯形插接口或插接臺，插接臺與插接口抵觸配合構(gòu)成殼體與底座在長度方向位置固定設(shè)置。
[0005]通過采用上述方案，由于是對稱斜面的過盈配合，裝配后殼體抵壓斜面和底座抵觸斜面重合，因此殼體與底座寬度方向?qū)ΨQ中心可靠地重合，另外裝配后殼體插接臺和底座插接口重合，因此殼體與底座長度方向?qū)ΨQ中心可靠地重合。這樣就保證了殼體和底座的裝配基準的對齊，沒有偏差。
[0006]由于是斜面的抵觸配合也稱為過盈配合，這保證了裝配間隙的形成，從而提高了裝配生產(chǎn)效率。通常抵觸斜面和抵壓斜面特征斜角Θ是一個重要參數(shù)，既不宜設(shè)計得太大也不宜設(shè)計得太小。設(shè)計得太大，可能會導(dǎo)致殼體底座裝配緊固后產(chǎn)生不希望的變形；設(shè)計得太小又會導(dǎo)致裝配間隙S I較小，進而影響效率。同樣，過盈配合的過盈量也不能設(shè)計得太大，否則也可能會導(dǎo)致殼體底座裝配緊固后產(chǎn)生不希望的變形。
[0007]本實用新型的進一步設(shè)置是:所述殼體上的抵壓斜面位于端面的內(nèi)側(cè)，抵壓斜面設(shè)置有兩個，兩個抵壓斜面朝殼體內(nèi)腔傾斜設(shè)置，所述底座上的抵觸斜面在底座端面上成凸起設(shè)置，抵觸斜面也設(shè)置有兩個，兩個抵壓斜面之間的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置成倒梯形插接臺，兩個抵觸斜面的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置成倒梯形插接口 ；所述殼體上位于倒梯形插接臺部設(shè)置有凸筋，凸筋的外側(cè)面上設(shè)置有供倒梯形插接口配合的斜面，該斜面與抵壓斜面的側(cè)邊相連構(gòu)成倒梯形插接臺。
[0008]下面結(jié)合附圖對本實用型新作進一步詳細說明。
【附圖說明】
[0009]圖1是本實用新型實施例反映殼體與底座寬度方向配合的結(jié)構(gòu)圖；
[0010]圖2是圖1中的A部放大圖；
[0011]圖3是本實用新型實施例反映殼體與底座長度方向配合的結(jié)構(gòu)圖；
[0012]圖4是圖3中的B部放大圖；
[0013]圖5是殼體的立體圖；
[0014]圖6是底座的立體圖。
【具體實施方式】
[0015]如圖1一圖6所不，一種電器殼體和底座裝配結(jié)構(gòu)，包括有殼體I和底座2，殼體I和底座2不限定特定的形狀，所述殼體I的下端面與底座2的上端面抵觸配合，在本實施例中，所述殼體I下端面的長度方向端面上至少設(shè)置有兩段成間隔設(shè)置的抵壓斜面11，所述底座2上端面上設(shè)置有與抵壓斜面11抵觸配合的抵觸斜面21，抵壓斜面11與抵觸斜面21抵觸配合構(gòu)成殼體I與底座2在寬度方向位置固定設(shè)置，至少有兩個相鄰抵壓斜面11的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置形成倒梯形插接臺或插接口 12，所述底座2上相鄰抵觸斜面21的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置形成與倒梯形插接臺或插接口 12配合的倒梯形插接口或插接臺22，插接臺12或22與插接口 22或12抵觸配合構(gòu)成殼體I與底座2在長度方向位置固定設(shè)置；通過采用上述方案，由于是對稱斜面的過盈配合，裝配后殼體抵壓斜面11和底座抵觸斜面21重合，因此殼體I與底座2寬度方向?qū)ΨQ中心可靠地重合，另外裝配后殼體插接臺12和底座插接口22重合，因此殼體I與底座2長度方向?qū)ΨQ中心可靠地重合。這樣就保證了殼體I和底座2的裝配基準的對齊，沒有偏差。
[0016]由于是斜面的抵觸配合也稱為過盈配合，這保證了裝配間隙的形成，從而提高了裝配生產(chǎn)效率。通常抵觸斜面21和抵壓斜面11特征斜角Θ是一個重要參數(shù)，既不宜設(shè)計得太大也不宜設(shè)計得太小。設(shè)計得太大，可能會導(dǎo)致殼體I底座2裝配緊固后產(chǎn)生不希望的變形；設(shè)計得太小又會導(dǎo)致裝配間隙S I較小，進而影響效率。同樣，過盈配合的過盈量也不能設(shè)計得太大，否則也可能會導(dǎo)致殼體I底座2裝配緊固后產(chǎn)生不希望的變形。
[0017]在本實用新型實施例中，所述殼體I上的抵壓斜面11位于端面的內(nèi)側(cè)，抵壓斜面11設(shè)置有兩個，兩個抵壓斜面11朝殼體I內(nèi)腔傾斜設(shè)置，所述底座2上的抵觸斜面21在底座端面上成凸起設(shè)置，抵觸斜面21也設(shè)置有兩個，兩個抵壓斜面11之間的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置成倒梯形插接臺12，這里的倒梯形插接臺12并不是真正意義的梯形，而是具有兩個斜邊類似梯形的斜邊即可；兩個抵觸斜面21的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置成倒梯形插接口 22，所述殼體I上位于倒梯形插接臺12部設(shè)置有凸筋13，凸筋13的外側(cè)面上設(shè)置有供倒梯形插接口 22配合的斜面131，該斜面131與抵壓斜面11的側(cè)邊相連構(gòu)成倒梯形插接臺12。
[0018]本實用新型所揭示，乃較佳實施例的一種，舉凡局部的變更或是修飾而源于本實用新型的技術(shù)思想而為熟習(xí)該技術(shù)的人所易于推知者，倶不脫本實用新型的專利范疇。
【主權(quán)項】
1.一種電器殼體和底座裝配結(jié)構(gòu)，包括有殼體和底座，所述殼體的下端面與底座的上端面抵觸配合，其特征在于:所述殼體下端面的長度方向端面上至少設(shè)置有兩段成間隔設(shè)置的抵壓斜面，所述底座上端面上設(shè)置有與抵壓斜面抵觸配合的抵觸斜面，抵壓斜面與抵觸斜面抵觸配合構(gòu)成殼體與底座在寬度方向位置固定設(shè)置，至少有兩個相鄰抵壓斜面的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置形成倒梯形插接臺或插接口，所述底座上相鄰抵觸斜面的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置形成與倒梯形插接臺或插接口抵觸配合的倒梯形插接口或插接臺，插接臺與插接口抵觸配合構(gòu)成殼體與底座在長度方向位置固定設(shè)置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電器殼體和底座裝配結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述殼體上的抵壓斜面位于端面的內(nèi)側(cè)，抵壓斜面設(shè)置有兩個，兩個抵壓斜面朝殼體內(nèi)腔傾斜設(shè)置，所述底座上的抵觸斜面在底座端面上成凸起設(shè)置，抵觸斜面也設(shè)置有兩個，兩個抵壓斜面之間的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置成倒梯形插接臺，兩個抵觸斜面的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置成倒梯形插接口。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電器殼體和底座裝配結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述殼體上位于倒梯形插接臺部設(shè)置有凸筋，凸筋的外側(cè)面上設(shè)置有供倒梯形插接口配合的斜面，該斜面與抵壓斜面的側(cè)邊相連構(gòu)成倒梯形插接臺。
【專利摘要】本實用新型涉及一種電器殼體和底座裝配結(jié)構(gòu)。本實用新型采用以下技術(shù)方案：一種電器殼體和底座裝配結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述殼體下端面的長度方向端面上至少設(shè)置有兩段成間隔設(shè)置的抵壓斜面，所述底座上端面上設(shè)置有與抵壓斜面抵觸配合的抵觸斜面，至少有兩個相鄰抵壓斜面的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置形成倒梯形插接臺或插接口，所述底座上相鄰抵觸斜面的相鄰側(cè)邊斜向設(shè)置形成與倒梯形插接臺或插接口配合的倒梯形插接口或插接臺，通過采用上述方案，本實用型新提供一種很好解決傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)裝配定位精度受配合間隙影響較大的問題的電器殼體和底座裝配結(jié)構(gòu)。
【IPC分類】H01H50/02
【公開號】CN204885030
【申請?zhí)枴緾N201520688466
【發(fā)明人】蔡洪洲, 李新葉, 林川
【申請人】德力西電氣有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年9月8日