一種熔絲以及存儲裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種熔絲以及存儲裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]模擬集成電路芯片的性能是由一系列生產(chǎn)流程的工藝步驟決定的，繼而導(dǎo)致成品芯片與芯片之間的性能會存在一定的偏差。為了減小該偏差對芯片的性能及一致性產(chǎn)生影響，在電路設(shè)計中通常引入單次燒寫存儲裝置與可調(diào)整冗余設(shè)計以應(yīng)對生產(chǎn)工藝中的偏差。通過性能測試可得到配置可調(diào)整冗余設(shè)計的控制字，該值可能會隨芯片的不同而變化。之后通過對單次燒寫存儲裝置的燒寫以實現(xiàn)保存該控制字。
[0003]單次燒寫存儲裝置的核心之一就是熔絲，熔絲的燒寫與狀態(tài)保持的可靠性直接影響著整顆芯片的可靠性與穩(wěn)定性。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型整體涉及包括熔絲元件的半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，特別涉及熔絲元件的物理結(jié)構(gòu)及形狀的設(shè)計。具體而言在于基于多晶硅作為熔絲材料，通過內(nèi)凹弧形實現(xiàn)熔絲兩端較寬端接部分至熔絲中部較窄熔斷通路之間的過渡，進而實現(xiàn)高燒寫可靠性的熔絲設(shè)
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[0005]本實用新型為了解決現(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)用熔絲的存儲裝置所存在的一些不足:熔絲的燒寫與狀態(tài)保持的可靠性直接影響整個芯片的可靠性和穩(wěn)定性，從而采用一種用熔絲以及存儲裝置，其中熔絲采用的材料為單質(zhì)硅或者金屬，熔絲結(jié)構(gòu)為內(nèi)凹形的結(jié)構(gòu)設(shè)計。進而實現(xiàn)高燒寫可靠性的熔絲設(shè)計。
[0006]為了達到上述目的，本實用新型提供了一種熔絲，該熔絲包括:第一端接部分、第二端接部分和中部熔斷通路部分，第一端接部分和第二端接部分分別連接外部電路，其中，第一端接部分、第二端接部分和中部熔斷通路部分采用單質(zhì)硅材料或金屬材料制成，外部電路通過短時間內(nèi)產(chǎn)生導(dǎo)通電流在中部熔斷通路上產(chǎn)生大量熱量以熔斷中部熔斷通路，以實現(xiàn)熔絲的熔斷。
[0007]優(yōu)選地，第一端接部分和第二端接部分采用低導(dǎo)通阻抗設(shè)計。
[0008]優(yōu)選地，熔斷通路部分采用高導(dǎo)通阻抗設(shè)計。
[0009]優(yōu)選地，第一端接部分和第二端接部分的寬度大于中部熔斷通路部分的寬度。
[0010]優(yōu)選地，中部熔斷通路部分采用內(nèi)凹弧形物理結(jié)構(gòu)設(shè)計，第一端接部分和第二端接部分通過內(nèi)凹弧形過渡的中部熔斷通路，在其中間形成高阻熔斷點。
[0011]另一方面，本實用新型提供了一種存儲裝置，該存儲裝置包括上述熔絲和外部電路，所述電路通過短時間內(nèi)產(chǎn)生導(dǎo)通電流在中部熔斷通路上產(chǎn)生大量熱量以熔斷中部熔斷通路，以實現(xiàn)熔絲的熔斷。
[0012]本實用新型通過采用單質(zhì)硅或者金屬為材料，結(jié)構(gòu)為內(nèi)凹形的結(jié)構(gòu)設(shè)計的熔絲，進而實現(xiàn)高燒寫可靠性的熔絲設(shè)計和芯片的可靠性和穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0013]通過以下參照附圖對優(yōu)選實施例進行描述，本實用新型的優(yōu)點將會變得更加明顯和易于理解。
[0014]圖1是本實用新型實施例提供的一種熔絲以及存儲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2是本實用新型實施例提供的一種熔絲的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0016]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加明顯，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本實用新型進一步詳細(xì)說明。
[0017]圖1為本實用新型實施例提供的一種熔絲以及存儲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該存儲裝置包括熔絲和外部電路，外部電路通過短時間內(nèi)產(chǎn)生導(dǎo)通電流在熔絲上產(chǎn)生大量熱量以熔斷熔絲。
[0018]具體地，熔絲包括第一端接部分、第二端接部分和中部熔斷通路部分，第一端接部分和第二端接部分分別連接外部電路；外部電路通過短時間內(nèi)產(chǎn)生導(dǎo)通電流在中部熔斷通路上產(chǎn)生大量熱量以熔斷中部熔斷通路，以實現(xiàn)熔絲的熔斷。
[0019]圖2為本實用新型實施例提供的一種熔絲的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所述，該熔絲包括第一端接部分、第二端接部分和中部熔斷通路部分。
[0020]具體地，第一端接部分、第二端接部分和中部熔斷通路部分采用單質(zhì)硅材料制成，也可以是金屬材料制成；第一端接部分和第二端接部分采用低導(dǎo)通阻抗設(shè)計；熔斷通路部分采用高導(dǎo)通阻抗設(shè)計；第一端接部分和第二端接部分的寬度大于中部熔斷通路部分的寬度；中部熔斷通路部分采用內(nèi)凹弧形物理結(jié)構(gòu)設(shè)計，第一端接部分和第二端接部分通過內(nèi)凹弧形過渡的中部熔斷通路，在其中間形成高阻熔斷點。
[0021]本實用新型實施例通過采用單質(zhì)硅或者金屬為材料，結(jié)構(gòu)為內(nèi)凹形的結(jié)構(gòu)設(shè)計的熔絲，進而實現(xiàn)高燒寫可靠性的熔絲設(shè)計和芯片的可靠性和穩(wěn)定性。
[0022]最后所以說明的是，以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案而非限制。盡管參照實施例對本實用新型進行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對本實用新型的技術(shù)方案進行修改或者等同替換都不脫離辦實用新型技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本實用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【主權(quán)項】
1.一種熔絲，包括第一端接部分、第二端接部分和中部熔斷通路部分，所述第一端接部分和所述第二端接部分分別連接外部電路，其特征在于，所述第一端接部分、所述第二端接部分和所述中部熔斷通路部分采用單質(zhì)硅材料或金屬材料制成，所述外部電路通過短時間內(nèi)產(chǎn)生導(dǎo)通電流在所述中部熔斷通路上產(chǎn)生大量熱量以熔斷所述中部熔斷通路，以實現(xiàn)所述熔絲的熔斷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲，其特征在于，所述第一端接部分和所述第二端接部分采用低導(dǎo)通阻抗設(shè)計。3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項權(quán)利要求所述的熔絲，其特征在于，所述熔斷通路部分采用高導(dǎo)通阻抗設(shè)計。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲，其特征在于，所述第一端接部分和所述第二端接部分的寬度大于所述中部熔斷通路部分的寬度。5.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的熔絲，其特征在于，所述中部熔斷通路部分采用內(nèi)凹弧形物理結(jié)構(gòu)設(shè)計，所述第一端接部分和所述第二端接部分通過所述內(nèi)凹弧形過渡的中部熔斷通路，在其中間形成高阻熔斷點。6.一種存儲裝置，其特征在于，包括:如權(quán)利要求1-5任一項權(quán)利要求所述的熔絲和外部電路，所述外部電路通過短時間內(nèi)產(chǎn)生導(dǎo)通電流在所述中部熔斷通路上產(chǎn)生大量熱量以熔斷所述中部熔斷通路，以實現(xiàn)所述熔絲的熔斷。
【專利摘要】本實用新型涉及一種熔絲以及存儲裝置，該熔絲包括第一端接部分、第二端接部分和中部熔斷通路部分，第一端接部分和第二端接部分分別連接外部電路，其中，第一端接部分、第二端接部分和中部熔斷通路部分采用單質(zhì)硅材料或金屬材料制成，外部電路通過短時間內(nèi)產(chǎn)生導(dǎo)通電流在所述中部熔斷通路上產(chǎn)生大量熱量以熔斷所述中部熔斷通路，以實現(xiàn)所述熔絲的熔斷。具體而言在于基于單質(zhì)硅作為熔絲材料，通過內(nèi)凹弧形實現(xiàn)熔絲第一端接部分和第二端接部分至熔絲中部熔斷通路之間的過渡，進而實現(xiàn)高燒寫可靠性的熔絲設(shè)計。
【IPC分類】G11C17/16, H01L23/525
【公開號】CN204946891
【申請?zhí)枴緾N201520772963
【發(fā)明人】陳曉龍
【申請人】英特格靈芯片(天津)有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年9月30日