一種中小功率變頻器用igbt功率組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到一種中小功率變頻器用IGBT功率組 件。
【背景技術(shù)】
[0002] 中小功率（0. 4KW-5. 5KW)變頻器領(lǐng)域目前使用的IGBT中，IGBT器件背面為鍍錫 銅基板，在IGBT器件安裝于變頻器上時(shí)存在大電流經(jīng)過后產(chǎn)生的背面基板高壓放電破壞 器件及變頻器的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)散熱方面由于存在較多的接觸空洞極易導(dǎo)致IGBT器件散熱性 能不佳。
[0003] 中國專利（公開號CN203774320U，公開日2014年8月13日）公開了一種多場效 晶體管集成模塊，在散熱器和陶瓷板之間涂導(dǎo)熱硅脂層，加強(qiáng)散熱效果。
[0004] 增加的導(dǎo)熱硅脂層可以加強(qiáng)陶瓷板和散熱器之間的熱量交換，但場效應(yīng)管和陶瓷 板之間的熱量交換未得到改善。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005] 本實(shí)用新型為克服上述缺陷，提供一種中小功率變頻器用IGBT功率組件，進(jìn)一步 改善散熱效果，解決安裝后的高壓放電和散熱性能不佳的問題。
[0006] 本實(shí)用新型的中小功率變頻器用IGBT功率組件，在IGBT器件背焊接陶瓷片，在陶 瓷片兩面涂導(dǎo)熱硅脂，形成導(dǎo)熱硅脂層。
[0007] 導(dǎo)熱硅脂層厚度50微米，導(dǎo)熱系數(shù)2W。
[0008] 組件外形與現(xiàn)有IGBT器件的外形基本相同，主要改變?yōu)樵谠蠭GBT背面鍍錫銅 基本后面焊接陶瓷片+兩面硅脂。
[0009] 和目前常規(guī)無陶瓷片封裝形式的性能比較：
[0010] 陶瓷片+兩面硅脂的熱阻分析：
[0011] 陶瓷片0.635mm厚度熱阻值0.31°C/W，兩面導(dǎo)熱硅脂（導(dǎo)熱系數(shù)3瓦，涂層厚度 30微米）熱阻值1. 6*2 = 3. 0°C /W，整個(gè)絕緣層熱阻值為彡3. 0°C /W。
[0012]

【附圖說明】
[0013] 圖1為本實(shí)用新型的中小功率變頻器用IGBT功率組件結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014] 圖中：1. IGBT器件；2.陶瓷片；3.導(dǎo)熱硅脂層。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0016] 實(shí)施例1
[0017] 參見圖1，本實(shí)用新型的中小功率變頻器用IGBT功率組件，在IGBT器件1背焊接 陶瓷片2,在陶瓷片兩面涂導(dǎo)熱硅脂，形成導(dǎo)熱硅脂層3。
[0018] 導(dǎo)熱硅脂層厚度50微米，導(dǎo)熱系數(shù)2W。
[0019] 組件外形與現(xiàn)有IGBT器件的外形基本相同，主要改變?yōu)樵谠蠭GBT背面鍍錫銅 基本后面焊接陶瓷片+兩面硅脂。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種中小功率變頻器用IGBT功率組件，其特征在于：在IGBT器件背焊接陶瓷片，在 陶瓷片兩面涂導(dǎo)熱硅脂，形成導(dǎo)熱硅脂層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的中小功率變頻器用IGBT功率組件，其特征在于：導(dǎo)熱硅脂層 厚度50微米，導(dǎo)熱系數(shù)2W。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種中小功率變頻器用IGBT功率組件，在IGBT器件背焊接陶瓷片，在陶瓷片兩面涂導(dǎo)熱硅脂，形成導(dǎo)熱硅脂層；進(jìn)一步改善散熱效果，解決安裝后的高壓放電和散熱性能不佳的問題。
【IPC分類】H01L23/373, H01L23/367, H01L29/739
【公開號】CN204946906
【申請?zhí)枴緾N201520528494
【發(fā)明人】王丕龍, 王新強(qiáng), 李向坤
【申請人】青島佳恩半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年7月20日