一種微型sd卡的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種SD卡，尤其涉及一種微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]SD卡作為一種基于半導(dǎo)體快閃記憶器的新一代記憶設(shè)備，它被廣泛應(yīng)用于便攜式裝置上，隨著電子器件集成化程度不斷加深且電子產(chǎn)品趨于小型化發(fā)展，這也意味著存儲(chǔ)器件的小型化是發(fā)展趨勢(shì)，這不僅要求單個(gè)產(chǎn)品的小型化也對(duì)電子器件的封裝技術(shù)提出了更高的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型提供一種微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，利用Nand Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)，對(duì)傳統(tǒng)的SD卡封裝進(jìn)行空間壓縮，滿足了單元尺寸小，成本低，功耗低，容量大的需求。
[0004]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，主要包括一基板，存儲(chǔ)芯片，控制芯片，多根導(dǎo)線和塑膠體。所述基板，中間設(shè)置有裸露的金屬散熱盤，兩邊各設(shè)置四個(gè)電位引腳；所述存儲(chǔ)芯片置于基板散熱盤上；所述控制芯片堆疊在存儲(chǔ)芯片上；所述導(dǎo)線電性連接于基板和存儲(chǔ)芯片之間，存儲(chǔ)芯片和控制芯片之間，控制芯片和基板之間；所述基板連同存儲(chǔ)芯片，控制芯片和導(dǎo)線被環(huán)氧樹脂包裹，形成塑膠體；
[0005]所述基板為QFN導(dǎo)線框架和Substrate印刷電路板；
[0006]所述存儲(chǔ)芯片為Nand flash memory ；
[0007]所述基板一邊上金屬焊盤SDD2、SDD3、CLK、VSS與存儲(chǔ)芯片上對(duì)應(yīng)的Nb…..通過導(dǎo)線電連接，存儲(chǔ)芯片上與基板另一邊上金屬焊盤CMD、SDDO、SDDUVCC對(duì)應(yīng)的腳位先與控制芯片上的焊盤通過導(dǎo)線電連接，控制芯片再通過導(dǎo)線與基板上的金屬焊盤CMD、SDD0、SDDUVCC電連接；
[0008]所述基板與存儲(chǔ)芯片之間，存儲(chǔ)芯片與控制芯片之間，控制芯片與基板之間的電性連接均為直線連接，導(dǎo)線不相交；
[0009]所述SD卡為微型體積，本體的長(zhǎng)、寬、厚度分別為8~20mm、7~20mm、0.8~lmm。
【附圖說明】
[0010]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0011]圖1是本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2是本實(shí)用新型封裝俯視圖；
[0013]圖3是本實(shí)用新型存儲(chǔ)卡腳位連接定義圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖所示之優(yōu)選實(shí)施例作進(jìn)一步詳述。
[0015]本實(shí)用新型提供一種微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，主要包括一基板1，存儲(chǔ)芯片2，控制芯片3，多根導(dǎo)線4和塑膠體5。如圖2，所述基板1，中間設(shè)置有裸露的金屬散熱盤6，兩邊各設(shè)置四個(gè)電位引腳7 (SSD2、SDD3、CLK、VSS、CMD、SDDO、SDD1、VCC )；所述存儲(chǔ)芯片2置于基板1散熱盤6上；所述控制芯片3堆疊在存儲(chǔ)芯片2上；如圖3，所述導(dǎo)線4電性連接于基板1和存儲(chǔ)芯片2之間，存儲(chǔ)芯片2和控制芯片3之間，控制芯片3和基板1之間；如圖1，所述基板1連同存儲(chǔ)芯片2，控制芯片3和導(dǎo)線4被環(huán)氧樹脂包裹，形成塑膠體5 ;
[0016]所述基板1為QFN導(dǎo)線框架和Substrate印刷電路板；
[0017]所述存儲(chǔ)芯片2 為 Nand flash memory ；
[0018]所述基板1 一邊上金屬焊盤SDD2、SDD3、CLK、VSS與存儲(chǔ)芯片2上對(duì)應(yīng)的Nb…..通過導(dǎo)線4電連接，存儲(chǔ)芯片2上與基板1另一邊上金屬焊盤01?、3000、3001、￥0:對(duì)應(yīng)的腳位先與控制芯片3上的焊盤通過導(dǎo)線4電連接，控制芯片3再通過導(dǎo)線4與基板1上的金屬焊盤CMD、SDDO、SDDUVCC電連接；
[0019]所述基板1與存儲(chǔ)芯片2之間，存儲(chǔ)芯片2與控制芯片3之間，控制芯片3與基板1之間的電性連接均為直線連接，導(dǎo)線4不相交；
[0020]所述SD卡為微型體積，本體的長(zhǎng)、寬、厚度分別為8~20mm、7~20mm、0.8~lmm。
[0021]上述實(shí)現(xiàn)過程為本實(shí)用新型的優(yōu)先實(shí)現(xiàn)過程，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用型的基礎(chǔ)上進(jìn)行的通常變化和替換包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是主要包括一基板，存儲(chǔ)芯片，控制芯片，多根導(dǎo)線和塑膠體，存儲(chǔ)芯片置于基板上，控制芯片堆疊在存儲(chǔ)芯片上，多根導(dǎo)線電性連接于基板和存儲(chǔ)芯片之間，存儲(chǔ)芯片和控制芯片之間，控制芯片和基板之間，基板連同存儲(chǔ)芯片，導(dǎo)線和控制芯片被環(huán)氧樹脂包裹，形成塑膠體。。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板，中間設(shè)置有裸露的金屬散熱盤，兩邊各設(shè)置四個(gè)金屬焊盤即電位引腳。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述存儲(chǔ)芯片置于基板散熱盤上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述控制芯片堆疊在存儲(chǔ)芯片上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線電性連接于基板和存儲(chǔ)芯片之間，存儲(chǔ)芯片和控制芯片之間，控制芯片和基板之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板連同存儲(chǔ)芯片，導(dǎo)線和控制芯片被環(huán)氧樹脂包裹，形成塑膠體。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述SD卡為微型體積，本體的長(zhǎng)、寬、厚度分別為8~20mm、7~20mm、0.8~lmm08.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型SD卡封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板為QFN導(dǎo)線框架和Substrate印刷電路板。9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型SD卡封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述存儲(chǔ)芯片為Nandflash memory。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板一邊上金屬焊盤SDD2、SDD3、CLK、VSS與存儲(chǔ)芯片上對(duì)應(yīng)的Nb….通過導(dǎo)線電連接，存儲(chǔ)芯片上與基板另一邊上金屬焊盤CMD、SDDO、SDD1、VCC對(duì)應(yīng)的腳位先與控制芯片上的焊盤通過導(dǎo)線電連接，控制芯片再通過導(dǎo)線與基板上的金屬焊盤CMD、SDDO、SDDUVCC電連接。11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板與存儲(chǔ)芯片之間，存儲(chǔ)芯片與控制芯片之間，控制芯片與基板之間的電性連接均為直線連接，導(dǎo)線不相交。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種微型SD卡的封裝結(jié)構(gòu)，主要包括一基板，中間設(shè)置有裸露的金屬散熱盤，兩邊各設(shè)置四個(gè)電位引腳，存儲(chǔ)芯片置于基板散熱盤上，控制芯片堆疊在存儲(chǔ)芯片上，多根導(dǎo)線電性連接于基板和存儲(chǔ)芯片之間，存儲(chǔ)芯片和控制芯片之間，控制芯片和基板之間，基板連同存儲(chǔ)芯片，導(dǎo)線和控制芯片被環(huán)氧樹脂包裹，形成塑膠體。本實(shí)用新型提供的微型SD卡不僅節(jié)省了電路的占用空間同時(shí)也提高了封裝的集成化程度，滿足了單元尺寸小，成本低，功耗低等優(yōu)勢(shì)。
【IPC分類】H01L23/31, H01L25/18
【公開號(hào)】CN204966492
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520267856
【發(fā)明人】郭寂波
【申請(qǐng)人】深圳市勁升迪龍科技發(fā)展有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2015年4月29日