一種功率器件終端轉(zhuǎn)角的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種功率器件終端轉(zhuǎn)角。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于功率器件終端轉(zhuǎn)角處的設(shè)計(jì)，不管是單Ring結(jié)構(gòu)，多Ring結(jié)構(gòu)，還是有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)角處的寬度跟四條邊的寬度是一樣的，因?yàn)檗D(zhuǎn)角處的曲率不同，保持一樣的寬度會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)角處的電場(chǎng)變強(qiáng)，成為終端結(jié)構(gòu)的最薄弱的位置，限制和降低了終端結(jié)構(gòu)的整體耐壓。如圖1所示。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型提供一種功率器件終端轉(zhuǎn)角，以解決現(xiàn)有轉(zhuǎn)角設(shè)計(jì)造成終端結(jié)構(gòu)耐壓下降的問(wèn)題。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是，一種功率器件終端轉(zhuǎn)角，所述終端轉(zhuǎn)角處的寬度與四條邊的寬度是不相等的。
[0005]進(jìn)一步的，所述終端轉(zhuǎn)角處的寬度比四條邊的寬度要寬。
[0006]進(jìn)一步的，所述的功率器件是M0SFET或者IGBT或者二極管或者肖特基。
[0007]進(jìn)一步的，所述功率器件終端或者是單Ring結(jié)構(gòu)，或者是多Ring結(jié)構(gòu)，或者是有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。
[0008]本實(shí)用新型提出一種在終端轉(zhuǎn)角變化增加寬度的設(shè)計(jì)，這種做法最大的優(yōu)點(diǎn)是降低終端轉(zhuǎn)角處的電場(chǎng)，使得轉(zhuǎn)角處不再是終端結(jié)構(gòu)的最薄弱位置，提升功率器件終端結(jié)構(gòu)的整體耐壓和穩(wěn)定性。
【附圖說(shuō)明】
[0009]通過(guò)參考附圖閱讀下文的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型示例性實(shí)施方式的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得易于理解。在附圖中，以示例性而非限制性的方式示出了本實(shí)用新型的若干實(shí)施方式，其中:
[0010]圖1是現(xiàn)有功率器件終端轉(zhuǎn)角處的結(jié)構(gòu)圖。
[0011]圖2是本實(shí)用新型功率器件終端轉(zhuǎn)角處的結(jié)構(gòu)圖。
[0012]其中，1 Ring或者場(chǎng)板。
[0013]當(dāng)1為Ring，R1為Ring的寬度，R2為Ring轉(zhuǎn)角處的寬度，
[0014]當(dāng)1為場(chǎng)板，R1為場(chǎng)板的寬度，R2為場(chǎng)板轉(zhuǎn)角處的寬度。
【具體實(shí)施方式】
[0015]如圖2所示，一種功率器件終端轉(zhuǎn)角，所述終端轉(zhuǎn)角處的寬度與四條邊的寬度是不相等的。所述終端轉(zhuǎn)角處的寬度比四條邊的寬度要寬。所述的功率器件是M0SFET或者IGBT或者二極管或者肖特基。所述功率器件終端或者是單Ring結(jié)構(gòu)，或者是多Ring結(jié)構(gòu)，或者是有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。
[0016]值得說(shuō)明的是，雖然前述內(nèi)容已經(jīng)參考若干【具體實(shí)施方式】描述了本實(shí)用新型創(chuàng)造的精神和原理，但是應(yīng)該理解，本實(shí)用新型創(chuàng)造并不限于所公開(kāi)的【具體實(shí)施方式】，對(duì)各方面的劃分也不意味著這些方面中的特征不能組合，這種劃分僅是為了表述的方便。本實(shí)用新型創(chuàng)造旨在涵蓋所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)所包括的各種修改和等同布置。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種功率器件終端轉(zhuǎn)角，其特征在于，所述終端轉(zhuǎn)角處的寬度與四條邊的寬度是不相等的，該終端轉(zhuǎn)角處的寬度比四條邊的寬度要寬；所述的功率器件是MOSFET或者IGBT或者二極管或者肖特基；所述功率器件終端或者是單Ring結(jié)構(gòu)，或者是多Ring結(jié)構(gòu)，或者是有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種功率器件終端轉(zhuǎn)角，所述終端轉(zhuǎn)角處的寬度與四條邊的寬度是不相等的。所述終端轉(zhuǎn)角處的寬度比四條邊的寬度要寬。所述的功率器件是MOSFET或者IGBT或者二極管或者肖特基。所述功率器件終端或者是單Ring結(jié)構(gòu)，或者是多Ring結(jié)構(gòu)，或者是有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型提出一種在終端轉(zhuǎn)角變化增加寬度的設(shè)計(jì)，這種做法最大的優(yōu)點(diǎn)是降低終端轉(zhuǎn)角處的電場(chǎng)，使得轉(zhuǎn)角處不再是終端結(jié)構(gòu)的最薄弱位置，提升功率器件終端結(jié)構(gòu)的整體耐壓和穩(wěn)定性。
【IPC分類】H01L29/06
【公開(kāi)號(hào)】CN204966502
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520646583
【發(fā)明人】陸懷谷
【申請(qǐng)人】深圳市谷峰電子有限公司, 香港谷峰半導(dǎo)體有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2015年8月25日