可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元器件的工藝設(shè)備，尤其是一種可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]傳感器用單晶硅在加工過程中，均需對其進(jìn)行刻蝕處理；現(xiàn)有的刻蝕加工過程中，其往往通過將多個單晶硅疊放在片架之上，并通過向片架所在位置導(dǎo)入反應(yīng)氣體，并使得反應(yīng)氣體在電場環(huán)境下產(chǎn)生等離子體，以對單晶硅進(jìn)行刻蝕；然而，現(xiàn)有的刻蝕裝置中，由于刻蝕過程會在反應(yīng)容器內(nèi)產(chǎn)生高溫，當(dāng)其溫度傳遞至電磁線圈的安裝位置時，其會對電磁線圈的工作性能造成影響；同時，高溫可能致使電磁線圈的連接部件松動，造成電磁線圈的偏移，進(jìn)而影響刻蝕精度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可有效改善刻蝕過程中電磁線圈的穩(wěn)定性，以避免其偏移從而造成刻蝕精度的下降。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明涉及一種可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應(yīng)室，反應(yīng)室的上端部設(shè)置有送氣管道，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的氣源室，反應(yīng)室的下端部設(shè)置有抽氣管道，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的真空栗；所述反應(yīng)室的軸線位置設(shè)置有片架，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；所述反應(yīng)室外側(cè)設(shè)置有電磁線圈；所述反應(yīng)室的外壁之上設(shè)置有多個在水平方向上成環(huán)形延伸的支撐架，其與電磁線圈一一對應(yīng)，所述電磁線圈置放于支撐架之上，每一個電磁線圈與反應(yīng)室的側(cè)壁之間均存在一定間距；所述支撐架的底端面設(shè)置有沿支撐架延伸的冷卻管道，其內(nèi)部填充有冷凝水。
[0005]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個電磁線圈與反應(yīng)室的側(cè)壁之間的間距為1至5厘米。
[0006]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個電磁線圈與反應(yīng)室的側(cè)壁之間的間距為3厘米。采用上述設(shè)計，其可有效避免電磁線圈受反應(yīng)室內(nèi)的高溫影響。
[0007]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述反應(yīng)室中，每一個電磁線圈在反應(yīng)室側(cè)端面的投影位置上均設(shè)置有溫度隔離層，其由陶瓷材料構(gòu)成。采用上述設(shè)計，其可通過溫度隔離層有效隔絕反應(yīng)室內(nèi)部溫度，以避免反應(yīng)室內(nèi)部的高溫對電磁線圈的造成影響，使其發(fā)生松動甚至脫落。
[0008]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個溫度隔離層均由反應(yīng)室的外壁延伸至反應(yīng)室的內(nèi)壁，其可使得溫度隔離層的效果得以進(jìn)一步的改善。
[0009]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個支撐架的上端面均設(shè)置有置放槽體，所述電磁線圈位于置放槽體內(nèi)部，所述置放槽體的寬度與電磁線圈的寬度相同。采用上述設(shè)計，其可通過置放槽體的設(shè)置，使得電磁線圈的安裝穩(wěn)定性得以提升。
[0010]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個支撐架的下端面設(shè)置有冷卻槽體，所述冷卻管道位于冷卻槽體內(nèi)部；所述冷卻槽體的上端面與置放槽體的底端面之間的距離至多為5厘米。采用上述設(shè)計，其可通過冷卻槽體使得冷卻管道的安裝穩(wěn)定性得以改善，并可縮減冷卻管道與電磁線圈之間的距離，以增加冷卻效果。
[0011]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述冷卻槽體的上端面與置放槽體的底端面之間的距離為3厘米；所述冷卻管道的底端面設(shè)置有多個沿水平方向延伸至反應(yīng)室側(cè)端面之上的輔助支撐板件。采用上述設(shè)計，其可通過輔助支撐板件使得冷卻管道的安裝穩(wěn)定性得以進(jìn)一步的改善。
[0012]采用上述技術(shù)方案的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可通過支撐架以對電磁線圈進(jìn)行安裝，從而提高其在反應(yīng)室外部的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性；同時，支撐架底部的冷卻管道可實時對電磁線圈的對應(yīng)位置進(jìn)行冷卻處理，以避免反應(yīng)室內(nèi)部高溫對電磁線圈所在位置造成影響，使得其發(fā)生偏移，進(jìn)而影響反應(yīng)室內(nèi)部的刻蝕精度。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明示意圖；
[0014]附圖標(biāo)記列表:
[0015]1—反應(yīng)室、2—送氣管道、3—氣源室、4 一抽氣管道、5—真空栗、6—片架、7—片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、8—電磁線圈、9—支撐架、10—冷卻管道、11—溫度隔離層、12—置放槽體、13—冷卻槽體、14 一輔助支撐板件。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合【具體實施方式】，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述【具體實施方式】僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內(nèi)”和“外”分別指的是朝向或遠(yuǎn)離特定部件幾何中心的方向。
[0017]實施例1
[0018]如圖1所示的一種可改善設(shè)備工作效率的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應(yīng)室1，反應(yīng)室1的上端部設(shè)置有送氣管道2，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室1外部的氣源室3，反應(yīng)室1的下端部設(shè)置有抽氣管道4，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室1外部的真空栗5 ;所述反應(yīng)室1的軸線位置設(shè)置有片架6，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室1外部的片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)7，其具體包括有連接至片架7的旋轉(zhuǎn)軸，以及設(shè)置在反應(yīng)室1外部的旋轉(zhuǎn)電機(jī)；所述反應(yīng)室1外側(cè)設(shè)置有電磁線圈8。
[0019]所述反應(yīng)室1的外壁之上設(shè)置有多個在水平方向上成環(huán)形延伸的支撐架9，其與電磁線圈8--對應(yīng)，每一個電磁線圈8均置放于對應(yīng)的支撐架9之上，每一個電磁線圈8
與反應(yīng)室1的側(cè)壁之間均存在一定間距；所述支撐架9的底端面設(shè)置有沿支撐架9延伸的冷卻管道10，其內(nèi)部填充有冷凝水。
[0020]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個電磁線圈8與反應(yīng)室1的側(cè)壁之間的間距為3厘米。采用上述設(shè)計，其可有效避免電磁線圈受反應(yīng)室內(nèi)的高溫影響。
[0021]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述反應(yīng)室中，每一個電磁線圈8在反應(yīng)室1側(cè)端面的投影位置上均設(shè)置有溫度隔離層11，其由陶瓷材料構(gòu)成。采用上述設(shè)計，其可通過溫度隔離層有效隔絕反應(yīng)室內(nèi)部溫度，以避免反應(yīng)室內(nèi)部的高溫對電磁線圈的造成影響，使其發(fā)生松動甚至脫落。
[0022]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個溫度隔離層11均由反應(yīng)室1的外壁延伸至反應(yīng)室1的內(nèi)壁，其可使得溫度隔離層的效果得以進(jìn)一步的改善。
[0023]采用上述技術(shù)方案的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可通過支撐架以對電磁線圈進(jìn)行安裝，從而提高其在反應(yīng)室外部的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性；同時，支撐架底部的冷卻管道可實時對電磁線圈的對應(yīng)位置進(jìn)行冷卻處理，以避免反應(yīng)室內(nèi)部高溫對電磁線圈所在位置造成影響，使得其發(fā)生偏移，進(jìn)而影響反應(yīng)室內(nèi)部的刻蝕精度。
[0024]實施例2
[0025]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個支撐架9的上端面均設(shè)置有置放槽體12，所述電磁線圈8位于置放槽體12內(nèi)部，所述置放槽體12的寬度與電磁線圈8的寬度相同。采用上述設(shè)計，其可通過置放槽體的設(shè)置，使得電磁線圈的安裝穩(wěn)定性得以提升。
[0026]本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例1相同。
[0027]實施例3
[0028]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個支撐架9的下端面設(shè)置有冷卻槽體13，所述冷卻管道10位于冷卻槽體13內(nèi)部；所述冷卻槽體13的上端面與置放槽體12的底端面之間的距離至多為5厘米。采用上述設(shè)計，其可通過冷卻槽體使得冷卻管道的安裝穩(wěn)定性得以改善，并可縮減冷卻管道與電磁線圈之間的距離，以增加冷卻效果。
[0029]本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例2相同。
[0030]實施例4
[0031]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述冷卻槽體13的上端面與置放槽體12的底端面之間的距離為3厘米；所述冷卻管道10的底端面設(shè)置有多個沿水平方向延伸至反應(yīng)室1側(cè)端面之上的輔助支撐板件14。采用上述設(shè)計，其可通過輔助支撐板件使得冷卻管道的安裝穩(wěn)定性得以進(jìn)一步的改善。
[0032]本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例3相同。
【主權(quán)項】
1.一種可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應(yīng)室，反應(yīng)室的上端部設(shè)置有送氣管道，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的氣源室，反應(yīng)室的下端部設(shè)置有抽氣管道，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的真空栗；所述反應(yīng)室的軸線位置設(shè)置有片架，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；所述反應(yīng)室外側(cè)設(shè)置有電磁線圈；其特征在于，所述反應(yīng)室的外壁之上設(shè)置有多個在水平方向上成環(huán)形延伸的支撐架，其與電磁線圈一一對應(yīng)，所述電磁線圈置放于支撐架之上，每一個電磁線圈與反應(yīng)室的側(cè)壁之間均存在一定間距；所述支撐架的底端面設(shè)置有沿支撐架延伸的冷卻管道，其內(nèi)部填充有冷凝水。2.按照權(quán)利要求1所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，每一個電磁線圈與反應(yīng)室的側(cè)壁之間的間距為1至5厘米。3.按照權(quán)利要求2所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，每一個電磁線圈與反應(yīng)室的側(cè)壁之間的間距為3厘米。4.按照權(quán)利要求3所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述反應(yīng)室中，每一個電磁線圈在反應(yīng)室側(cè)端面的投影位置上均設(shè)置有溫度隔離層，其由陶瓷材料構(gòu)成。5.按照權(quán)利要求4所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，每一個溫度隔離層均由反應(yīng)室的外壁延伸至反應(yīng)室的內(nèi)壁。6.按照權(quán)利要求5所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，每一個支撐架的上端面均設(shè)置有置放槽體，所述電磁線圈位于置放槽體內(nèi)部，所述置放槽體的寬度與電磁線圈的寬度相同。7.按照權(quán)利要求6所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，每一個支撐架的下端面設(shè)置有冷卻槽體，所述冷卻管道位于冷卻槽體內(nèi)部；所述冷卻槽體的上端面與置放槽體的底端面之間的距離至多為5厘米。8.按照權(quán)利要求7所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述冷卻槽體的上端面與置放槽體的底端面之間的距離為3厘米；所述冷卻管道的底端面設(shè)置有多個沿水平方向延伸至反應(yīng)室側(cè)端面之上的輔助支撐板件。
【專利摘要】本實用新型公開了一種可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應(yīng)室，反應(yīng)室外側(cè)設(shè)置有電磁線圈；所述反應(yīng)室的外壁之上設(shè)置有多個在水平方向上成環(huán)形延伸的支撐架，其與電磁線圈一一對應(yīng)，所述電磁線圈置放于支撐架之上；所述支撐架的底端面設(shè)置有沿支撐架延伸的冷卻管道，其內(nèi)部填充有冷凝水；采用上述技術(shù)方案的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可通過支撐架以對電磁線圈進(jìn)行安裝，從而提高其在反應(yīng)室外部的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性；同時，支撐架底部的冷卻管道可實時對電磁線圈的對應(yīng)位置進(jìn)行冷卻處理，以避免反應(yīng)室內(nèi)部高溫對電磁線圈所在位置造成影響，使得其發(fā)生偏移，進(jìn)而影響反應(yīng)室內(nèi)部的刻蝕精度。
【IPC分類】H01L21/306
【公開號】CN204991655
【申請?zhí)枴緾N201520492006
【發(fā)明人】牟恒
【申請人】江蘇德爾森傳感器科技有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年7月9日