紅外大功率cob監(jiān)控?zé)艄庠吹闹谱鞣椒?br>【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及監(jiān)控?zé)艄庠吹募夹g(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種紅外大功率C0B監(jiān)控?zé)艄庠础?br>【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的監(jiān)控?zé)艄庠匆话愣疾捎?50nm的紅外發(fā)光芯片，然而850nm的紅外發(fā)光芯片由于其本身性質(zhì)存在一定的局限性，其正極是從下面導(dǎo)電，負(fù)極是從上面導(dǎo)電，所以不能多顆芯片連接，只能做1W大功率光源，達(dá)不到安防監(jiān)控的遠(yuǎn)程效果。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對上述技術(shù)中存在的不足之處，本實(shí)用新型提供一種通過設(shè)置硅片引出正極導(dǎo)線以實(shí)現(xiàn)發(fā)光芯片串聯(lián)的紅外大功率C0B監(jiān)控?zé)艄庠础?br>[0004]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型一種紅外大功率C0B監(jiān)控?zé)艄庠?，包括波長為850nm的發(fā)光芯片、引出發(fā)光芯片正極的娃片以及銅基板，發(fā)光芯片的正極焊點(diǎn)從發(fā)光芯片的底部引出，發(fā)光芯片的負(fù)極焊點(diǎn)從發(fā)光芯片的頂部引出，所述硅片由導(dǎo)電層和絕緣層構(gòu)成，所述硅片的導(dǎo)電層與發(fā)光芯片底部的正極焊點(diǎn)表面相接觸，所述硅片的絕緣層與銅基板相接觸，正極導(dǎo)線從硅片上的導(dǎo)電層引出，負(fù)極導(dǎo)線從負(fù)極焊點(diǎn)引出，多塊發(fā)光芯片通過正極導(dǎo)線與負(fù)極導(dǎo)線的適配串聯(lián)連接構(gòu)成大功率的燈珠串。
[0005]其中，該監(jiān)控?zé)艄庠催€包括正極引腳和負(fù)極引腳，多組燈珠串的正極端均與正極引腳相連，且多組燈珠串的負(fù)極端均與負(fù)極引腳相連，處于燈珠串正極端的硅片從導(dǎo)電層引出正極導(dǎo)線與正極引腳相連，處于燈珠串負(fù)極端的發(fā)光芯片從負(fù)極焊點(diǎn)引出負(fù)極導(dǎo)線與負(fù)極引腳相連。
[0006]其中，處于燈珠串中間位置的硅片從導(dǎo)電層引出正極導(dǎo)線，并與前一塊發(fā)光芯片的負(fù)極導(dǎo)線相連，且該中間位置硅片上的發(fā)光芯片從負(fù)極焊點(diǎn)引出負(fù)極導(dǎo)線，并與后一塊硅片上引出的正極導(dǎo)線相連。
[0007]其中，該監(jiān)控?zé)艄庠催€包括圍膠支架以及表面硅膠，所述圍膠支架固定在銅基板上，且發(fā)光芯片與硅片均容置在位角支架的芯片定位槽中，所述表面硅膠涂敷在發(fā)光芯片的外表面，并限制在定位槽的槽體內(nèi)。
[0008]其中，所述正極導(dǎo)線與負(fù)極導(dǎo)線均為金線，所述金線通過超聲波鍵合的方式焊接在發(fā)光芯片與硅片上。
[0009]其中，所述圍膠支架上開設(shè)有多個第一定位孔，所述銅基板上開設(shè)有多個與第一定位孔相適配的第二定位孔，固定螺絲依次穿過第一定位孔和第二定位孔后，實(shí)現(xiàn)銅基板與圍膠支架的固定連接。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的紅外大功率C0B監(jiān)控?zé)艄庠?，通過在波長為850nm的發(fā)光芯片正極焊點(diǎn)面增設(shè)硅片，從而使得發(fā)光芯片的正極可以從硅片上引出，這樣就能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光芯片的串聯(lián)，提高監(jiān)控?zé)粽丈浔绕胀ǖ倪h(yuǎn)20倍以上，監(jiān)控信息也更清晰。本實(shí)用新型監(jiān)控?zé)艄庠唇Y(jié)構(gòu)簡單，易于實(shí)現(xiàn)，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)不能制作大功率COB監(jiān)控?zé)舻膯栴}，以達(dá)到更佳監(jiān)控效果。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型紅外大功率C0B監(jiān)控?zé)艄庠吹母┮晥D；
[0013]圖2為本實(shí)用新型發(fā)光芯片與硅片的組合結(jié)構(gòu)圖。
[0014]主要元件符號說明如下:
[0015]10、發(fā)光芯片11、娃片
[0016]12、銅基板13、圍膠支架
[0017]14、金線15、正極引腳
[0018]16、負(fù)極引腳101、負(fù)極焊點(diǎn)
[0019]111、導(dǎo)電層112、絕緣層。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為了更清楚地表述本實(shí)用新型，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步地描述。
[0021]參閱圖1-2，本實(shí)用新型一種紅外大功率C0B監(jiān)控?zé)艄庠?，包括波長為850nm的發(fā)光芯片10、引出發(fā)光芯片10正極的硅片11以及銅基板12，發(fā)光芯片10的正極焊點(diǎn)(圖未示)從發(fā)光芯片10的底部引出，負(fù)極焊點(diǎn)101從發(fā)光芯片10的頂部引出，硅片11由導(dǎo)電層111和絕緣層112構(gòu)成，硅片11的導(dǎo)電層111與發(fā)光芯片10底部的正極焊點(diǎn)表面相接觸，硅片11的絕緣層112與銅基板12相接觸，正極導(dǎo)線從硅片11上的導(dǎo)電層111引出，負(fù)極導(dǎo)線從負(fù)極焊點(diǎn)101引出，多塊發(fā)光芯片10通過正極導(dǎo)線與負(fù)極導(dǎo)線的適配串聯(lián)連接構(gòu)成大功率的燈珠串。
[0022]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的紅外大功率C0B監(jiān)控?zé)艄庠?，通過在波長為850nm的發(fā)光芯片10正極焊點(diǎn)面增設(shè)硅片11，從而使得發(fā)光芯片10的正極可以從硅片11上引出，這樣就能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光芯片10的串聯(lián)，提高監(jiān)控?zé)粽丈浔绕胀ǖ倪h(yuǎn)20倍以上，監(jiān)控信息也更清晰。本實(shí)用新型監(jiān)控?zé)艄庠唇Y(jié)構(gòu)簡單，易于實(shí)現(xiàn)，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)不能制作大功率C0B監(jiān)控?zé)舻膯栴}，以達(dá)到更佳監(jiān)控效果。
[0023]在本實(shí)施例中，該監(jiān)控?zé)艄庠催€包括正極引腳15和負(fù)極引腳16，多組燈珠串的正極端均與正極引腳15相連，且多組燈珠串的負(fù)極端均與負(fù)極引腳16相連，處于燈珠串正極端的硅片11從導(dǎo)電層111引出正極導(dǎo)線與正極引腳15相連，處于燈珠串負(fù)極端的發(fā)光芯片10從負(fù)極焊點(diǎn)101引出負(fù)極導(dǎo)線與負(fù)極引腳16相連。處于燈珠串中間位置的硅片11從導(dǎo)電層111引出正極導(dǎo)線，并與前一塊發(fā)光芯片10的負(fù)極導(dǎo)線相連，且該中間位置硅片11上的發(fā)光芯片10從負(fù)極焊點(diǎn)101引出負(fù)極導(dǎo)線，并與后一塊硅片11上引出的正極導(dǎo)線相連。
[0024]在本實(shí)施例中，該監(jiān)控?zé)艄庠催€包括圍膠支架13以及表面硅膠，圍膠支架13固定在銅基板12上，且發(fā)光芯片10與硅片11均容置在位角支架的芯片定位槽中，表面硅膠涂敷在發(fā)光芯片10的外表面，并限制在定位槽的槽體內(nèi)。表面硅膠只要是對發(fā)光芯片10進(jìn)行一定的保護(hù)，圍膠支架13主要是避免表面硅膠溢出。
[0025]在本實(shí)施例中，正極導(dǎo)線與負(fù)極導(dǎo)線均為金線14，金線14通過超聲波鍵合的方式焊接在發(fā)光芯片10與硅片11上。圍膠支架13上開設(shè)有多個第一定位孔，銅基板12上開設(shè)有多個與第一定位孔相適配的第二定位孔，固定螺絲依次穿過第一定位孔和第二定位孔后，實(shí)現(xiàn)銅基板12與圍膠支架13的固定連接。
[0026]以上公開的僅為本實(shí)用新型的幾個具體實(shí)施例，但是本實(shí)用新型并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種紅外大功率COB監(jiān)控?zé)艄庠矗涮卣髟谟冢úㄩL為850nm的發(fā)光芯片、引出發(fā)光芯片正極的硅片以及銅基板，發(fā)光芯片的正極焊點(diǎn)從發(fā)光芯片的底部引出，發(fā)光芯片的負(fù)極焊點(diǎn)從發(fā)光芯片的頂部引出，所述硅片由導(dǎo)電層和絕緣層構(gòu)成，所述硅片的導(dǎo)電層與發(fā)光芯片底部的正極焊點(diǎn)表面相接觸，所述硅片的絕緣層與銅基板相接觸，正極導(dǎo)線從硅片上的導(dǎo)電層引出，負(fù)極導(dǎo)線從負(fù)極焊點(diǎn)引出，多塊發(fā)光芯片通過正極導(dǎo)線與負(fù)極導(dǎo)線的適配串聯(lián)連接構(gòu)成大功率的燈珠串。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外大功率COB監(jiān)控?zé)艄庠?，其特征在于，該監(jiān)控?zé)艄庠催€包括正極引腳和負(fù)極引腳，多組燈珠串的正極端均與正極引腳相連，且多組燈珠串的負(fù)極端均與負(fù)極引腳相連，處于燈珠串正極端的硅片從導(dǎo)電層引出正極導(dǎo)線與正極引腳相連，處于燈珠串負(fù)極端的發(fā)光芯片從負(fù)極焊點(diǎn)引出負(fù)極導(dǎo)線與負(fù)極引腳相連。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的紅外大功率COB監(jiān)控?zé)艄庠?，其特征在于，處于燈珠串中間位置的硅片從導(dǎo)電層引出正極導(dǎo)線，并與前一塊發(fā)光芯片的負(fù)極導(dǎo)線相連，且該中間位置硅片上的發(fā)光芯片從負(fù)極焊點(diǎn)引出負(fù)極導(dǎo)線，并與后一塊硅片上引出的正極導(dǎo)線相連。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外大功率COB監(jiān)控?zé)艄庠矗涮卣髟谟?，該監(jiān)控?zé)艄庠催€包括圍膠支架以及表面硅膠，所述圍膠支架固定在銅基板上，且發(fā)光芯片與硅片均容置在位角支架的芯片定位槽中，所述表面硅膠涂敷在發(fā)光芯片的外表面，并限制在定位槽的槽體內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外大功率COB監(jiān)控?zé)艄庠?，其特征在于，所述正極導(dǎo)線與負(fù)極導(dǎo)線均為金線，所述金線通過超聲波鍵合的方式焊接在發(fā)光芯片與硅片上。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的紅外大功率COB監(jiān)控?zé)艄庠?，其特征在于，所述圍膠支架上開設(shè)有多個第一定位孔，所述銅基板上開設(shè)有多個與第一定位孔相適配的第二定位孔，固定螺絲依次穿過第一定位孔和第二定位孔后，實(shí)現(xiàn)銅基板與圍膠支架的固定連接。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種紅外大功率COB監(jiān)控?zé)艄庠矗úㄩL為850nm的發(fā)光芯片、引出發(fā)光芯片正極的硅片以及銅基板，所述發(fā)光芯片為方形結(jié)構(gòu)，發(fā)光芯片的正極焊點(diǎn)和負(fù)極焊點(diǎn)分別從發(fā)光芯片的底部和頂部引出，所述硅片由導(dǎo)電層和絕緣層構(gòu)成，所述硅片的導(dǎo)電層與發(fā)光芯片底部的正極焊點(diǎn)表面相接觸，所述硅片的絕緣層與銅基板相接觸，正極導(dǎo)線從硅片上的導(dǎo)電層引出，負(fù)極導(dǎo)線從負(fù)極焊點(diǎn)引出，多塊發(fā)光芯片通過正極導(dǎo)線與負(fù)極導(dǎo)線的適配串聯(lián)連接構(gòu)成大功率的燈珠串。通過在波長為850nm的發(fā)光芯片正極焊點(diǎn)面增設(shè)硅片，從而使得發(fā)光芯片的正極可以從硅片上引出，這樣就能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光芯片的串聯(lián)，提高監(jiān)控?zé)粽丈浔绕胀ǖ倪h(yuǎn)20倍以上，監(jiān)控信息也更清晰。
【IPC分類】H01L25/075, H01L33/62, H01L33/48
【公開號】CN205016560
【申請?zhí)枴緾N201520765224
【發(fā)明人】賴日陽
【申請人】賴日陽
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年9月30日