Bcd器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及BCD技術(shù)，尤其設(shè)及一種BCD器件。
【背景技術(shù)】
[0002] BCD度ipolar-CMOS-DMO巧技術(shù)是一種單片集成工藝技術(shù)。運(yùn)種技術(shù)能夠在同一忍 片上制作二極管度ipolar)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（CM0巧和雙擴(kuò)散金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管值MO巧器件，因此簡(jiǎn)稱為BCD技術(shù)。
[0003] 高壓BCD技術(shù)通常指的是器件耐壓在IOOVW上的BCD技術(shù)。高壓BCD技術(shù)目前 廣泛應(yīng)用在AC-DC電源、L邸驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域，一般要求器件耐壓達(dá)到500V到800V不等。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中，BCD器件中往往集成有高壓器件和低壓器件，例如，高壓器件可W是 LDMOS器件、高壓JFET器件等，低壓器件可W是低壓MOS器件等。通常，高壓器件的全部或 部分組成結(jié)構(gòu)形成在高壓阱中，而低壓器件的全部或部分組成結(jié)構(gòu)則形成在低壓阱中，高 壓阱往往具有更大的深度。其中，低壓阱和高壓阱需要分別采用不同的光刻工藝來形成，導(dǎo) 致光刻成本較高，而且效率較低。 【實(shí)用新型內(nèi)容】 陽(yáng)0化]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種BCD器件，能夠減少光刻工藝的次數(shù)， 有利于降低成本，提高效率。
[0006] 為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種BCD器件，包括：
[0007] 半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括高壓器件區(qū)和低壓器件區(qū)，所述高壓器件區(qū)用 于形成高壓器件，所述低壓器件區(qū)用于形成低壓器件；
[0008] 多個(gè)N型滲雜的高壓阱，分布于所述高壓器件區(qū)和低壓器件區(qū)內(nèi)；
[0009] 其中，所述高壓器件的至少部分組成結(jié)構(gòu)形成于所述高壓器件區(qū)中的高壓阱內(nèi)， 至少部分低壓器件形成于所述低壓器件區(qū)中的高壓阱內(nèi)。
[0010] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓阱為線性變滲雜結(jié)構(gòu)，所述高壓阱內(nèi)不 同的部分具有不同的滲雜濃度。
[0011] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，在所述高壓器件區(qū)，所述高壓器件包括高壓 N-LDMOS器件、高壓P-LDMOS器件、高壓JFET器件、場(chǎng)氧HVMOS器件和柵氧HVMOS器件中的 一個(gè)或多個(gè)；在所述低壓器件區(qū)，所述低壓器件包括低壓NMOS器件、低壓PMOS器件、縱向 NPNS極管、橫向PNPS極管、襯底PNPS極管中的一個(gè)或多個(gè)。
[0012] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓N-LDMOS器件包括：
[0013] 所述高壓器件區(qū)內(nèi)的高壓阱；
[0014] 場(chǎng)氧層，位于所述高壓阱的表面上；
[0015] P型滲雜的低壓阱，與所述高壓阱并列地位于所述高壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底 內(nèi)；
[0016] 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述高壓器件區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體襯底上，從所述低壓阱延伸至覆蓋部 分場(chǎng)氧層；
[0017] 源極歐姆接觸區(qū)，位于所述低壓阱內(nèi)；
[0018] 漏極歐姆接觸區(qū)，位于所述高壓阱內(nèi)。
[0019] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓N-LDMOS器件還包括：
[0020] P型滲雜的第一埋層，位于所述高壓阱內(nèi)；
[0021] P型滲雜的第二埋層，位于所述低壓阱下的半導(dǎo)體襯底內(nèi)。
[0022] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓P-LDMOS器件包括：
[0023] 所述高壓器件區(qū)內(nèi)的高壓阱，至少包括并列的第一高壓阱和第二高壓阱；
[0024] 場(chǎng)氧層，位于所述第一高壓阱的表面上；
[00巧]P型滲雜的低壓阱，位于所述第一高壓阱內(nèi)；
[00%] 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述高壓器件區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體襯底上，從所述第二高壓阱延伸至覆 蓋部分場(chǎng)氧層；
[0027] 源極歐姆接觸區(qū)，位于所述第二高壓阱內(nèi)；
[0028] 漏極歐姆接觸區(qū)，位于所述低壓阱內(nèi)。
[0029] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓P-LDMOS器件還包括：P型滲雜的第一埋 層，位于所述第一高壓阱內(nèi)并與所述低壓阱的底部相接。
[0030] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓JFET器件包括：
[0031] 所述高壓器件區(qū)內(nèi)的高壓阱，分別記為第一高壓阱和第二高壓阱；
[0032] 場(chǎng)氧層，位于所述第一高壓阱的表面上；
[0033] P型滲雜的低壓阱，位于所述第二高壓阱內(nèi)；
[0034] 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述高壓器件區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體襯底上，從所述低壓阱延伸至覆蓋部 分場(chǎng)氧層；
[0035] 源極歐姆接觸區(qū)，位于所述低壓阱內(nèi)；
[0036] 漏極歐姆接觸區(qū)，位于所述第一高壓阱內(nèi)。
[0037] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓JFET器件還包括：
[0038] P型滲雜的第一埋層，位于所述第一高壓阱內(nèi)；
[0039] P型滲雜的第二埋層，位于所述低壓阱下的第二高壓阱內(nèi)并與所述低壓阱的底部 相接。
[0040] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述場(chǎng)氧HVMOS器件包括：
[0041] 所述高壓器件區(qū)內(nèi)的高壓阱；
[0042] 場(chǎng)氧層，位于所述高壓阱的表面上；
[0043] P型滲雜的低壓阱，與所述高壓阱并列地位于所述高壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底 內(nèi)；
[0044] 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述高壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底上，從所述低壓阱延伸至覆蓋部 分場(chǎng)氧層；
[0045] 源極歐姆接觸區(qū)，位于所述低壓阱內(nèi)；
[0046] 漏極歐姆接觸區(qū)，位于所述高壓阱內(nèi)。
[0047] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述柵氧HVMOS器件包括：
[0048] 所述高壓器件區(qū)內(nèi)的高壓阱；
[0049] P型滲雜的低壓阱，與所述高壓阱并列地位于所述高壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底 內(nèi)；
[0050] 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述高壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底上，從所述低壓阱延伸至覆蓋部 分高壓阱；
[0051] 源極歐姆接觸區(qū)，位于所述低壓阱內(nèi)；
[0052] 漏極歐姆接觸區(qū)，位于所述高壓阱內(nèi)。
[0053] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述低壓PMOS器件包括：
[0054] 所述低壓器件區(qū)內(nèi)的高壓阱；
[0055] 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述高壓阱的表面上；
[0056] P型滲雜的源極歐姆接觸區(qū)和漏極歐姆接觸區(qū)，分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的高 壓阱內(nèi)。
[0057] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述低壓NMOS器件包括：
[0058] P型滲雜的低壓阱，位于所述低壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底內(nèi)；
[0059] 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述低壓阱的表面上；
[0060] N型滲雜的源極歐姆接觸區(qū)和漏極歐姆接觸區(qū)，分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的低 壓阱內(nèi)。
[0061] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述縱向NPNS極管包括：
[0062] 所述低壓器件區(qū)中的高壓阱；
[0063] P型滲雜的低壓阱，位于所述高壓阱內(nèi)，所述低壓阱作為基區(qū)；
[0064] 多個(gè)歐姆接觸區(qū)，分布于所述低壓阱和高壓阱內(nèi)。
[00化]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述橫向PNPS極管包括：
[0066] 所述低壓器件區(qū)中的高壓阱，所述高壓阱作為基區(qū)；
[0067] P型滲雜的多個(gè)低壓阱，并列地位于所述高壓阱內(nèi)；
[0068] 多個(gè)歐姆接觸區(qū)，分布于所述低壓阱和高壓阱內(nèi)。
[0069] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述襯底PNPS極管包括：
[0070] 所述低壓器件區(qū)中的高壓阱，所述高壓阱作為基區(qū)；
[0071] 多個(gè)歐姆接觸區(qū)，分布于所述高壓阱內(nèi)W及所述高壓阱兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)。
[0072] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓阱W外的低壓器件區(qū)內(nèi)也形成有低壓器 件。
[0073] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓阱W外的低壓器件為電阻，所述電阻包 括：
[0074] P型滲雜的低壓阱，位于所述低壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底內(nèi)；
[00巧]至少兩個(gè)P型滲雜的歐姆接觸區(qū)，位于所述低壓阱內(nèi)。
[0076] 根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓阱W外的低壓器件為電容，所述電容包 括：
[0077] P型滲雜的低壓阱，位于所述低壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底內(nèi)；
[007引柵極結(jié)構(gòu)，位于所述低壓阱的表面上；