一種絕緣型模塊封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種模塊封裝結(jié)構(gòu)，具體涉及一種絕緣型模塊封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有絕緣型模塊封裝中，尤其是6管腳封裝中，內(nèi)部存在寄生電感，其會產(chǎn)生額外的開關(guān)損耗，致功率損耗增加。器件的損耗主要可以分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗兩種，其中開關(guān)損耗的增加主要是因為內(nèi)部含一定長度排線時，必然產(chǎn)生的寄生電感所導(dǎo)致的。使寄生電感最小化，可使開關(guān)損耗最小化，但是由于封裝結(jié)構(gòu)的限制，對寄生電感的降低是非常有限的。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種損耗低、效率高的絕緣型模塊封裝結(jié)構(gòu)。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是:
[0005]—種絕緣型模塊封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架，該引線框架上承載有DBC基板，該DBC基板上安裝有芯片;該芯片的柵極、發(fā)射極、開爾文源極分別通過鍵合引線與其相應(yīng)的連接端口連接，并通過連接端口與其相應(yīng)的管腳連接，該芯片的集電極通過鍵合引線與其相應(yīng)的管腳連接;然后通過外殼進(jìn)行封裝。
[0006]進(jìn)一步地，所述柵極管腳、發(fā)射極管腳、集電極管腳、開爾文端管腳的厚度為1.5
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[0007]本實用新型的有益效果是:
[0008]本實用新型增加了開爾文端，可以使由內(nèi)部寄生電感所產(chǎn)生的開關(guān)損耗最小化，器件效率可以得到極大提高，也可讓M0SFET(芯片)的導(dǎo)通內(nèi)阻和IGBT(芯片)的飽和壓降減小，使得器件的導(dǎo)通損耗有所下降；管腳厚度從0.8mm提升到1.5mm，此設(shè)計可以極大提升電流容量。同時，可通過不同DBC基板設(shè)計和內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計使得產(chǎn)品功能多樣化。特別在8管腳封裝中含有了開爾文端，通過柵極和開爾文端給予控制信號，可使器件效率得到極大提升，在器件工作時，可以將由內(nèi)部寄生電感所產(chǎn)生的開關(guān)損耗降到最低。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2為本實用新型的電路示意圖。
[0011]圖3為現(xiàn)有技術(shù)的電路不意圖。
[0012]圖中:1、引線框架2、DBC基板3、芯片G1、柵極管腳G2、柵極管腳E1、發(fā)射極管腳E2、發(fā)射極管腳C1、集電極管腳C2、集電極管腳K1、開爾文端管腳K2、開爾文端管腳B、柵極連接端口 C、開爾文源極連接端口 D、發(fā)射極連接端口。
【具體實施方式】
[0013]如圖所示，本實用新型包括引線框架1，該引線框架上焊接有DBC基板，該DBC即覆銅陶瓷板，其中間層為陶瓷，兩側(cè)為覆銅片；陶瓷起絕緣作用，以保證上層覆銅線路與下層銅片及引線框架不導(dǎo)電，DBC上層覆銅片根據(jù)電路設(shè)計被蝕刻出兩個相同的區(qū)域，分別為第一區(qū)域和第二區(qū)域，兩區(qū)域間被隔開不導(dǎo)通。所述DBC基板的不同區(qū)域上分別焊接有芯片。上述芯片的柵極、開爾文源極、發(fā)射極分別通過鍵合引線與其相應(yīng)的柵極連接端口 B、開爾文源極連接端口 C、發(fā)射極連接端口 D連接，柵極連接端口 B、開爾文源極連接端口 C、發(fā)射極連接端口 D分別通過鍵合引線與柵極管腳、開爾文源極管腳、發(fā)射極管腳連接;其中，所述柵極連接端口 B、開爾文源極連接端口 C、發(fā)射極連接端口 D之間不導(dǎo)通。所述芯片的集電極通過鍵合引線與集電極管腳連接;然后通過外殼進(jìn)行封裝。
[0014]如圖3所示，現(xiàn)有6管腳封裝產(chǎn)品工作時，柵極電壓VGE損失存在的原因為VCE=Vge+VLE=Vge+L*di/dt，而本實用新型中的8管腳封裝產(chǎn)品工作時，由于開爾文ΚΙ，K2端的存在，VLE=0，VGE損失減小，使器件效率得到極大提升，在器件工作時，可以將由內(nèi)部寄生電感所產(chǎn)生的開關(guān)損耗降到最低。
【主權(quán)項】
1.一種絕緣型模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括引線框架，該引線框架上承載有DBC基板，該DBC基板上安裝有芯片;該芯片的柵極、發(fā)射極、開爾文源極分別通過鍵合引線與其相應(yīng)的連接端口連接，并通過連接端口與其相應(yīng)的管腳連接，該芯片的集電極通過鍵合引線與其相應(yīng)的管腳連接;然后通過外殼進(jìn)行封裝。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絕緣型模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述柵極管腳、發(fā)射極管腳、集電極管腳、開爾文端管腳的厚度為1.5mm。
【專利摘要】本實用新型涉及一種模塊封裝結(jié)構(gòu)，具體涉及一種絕緣型模塊封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架，該引線框架上承載有DBC基板，該DBC基板上安裝有芯片；該芯片的柵極、發(fā)射極、開爾文源極分別通過鍵合引線與其相應(yīng)的連接端口連接，并通過連接端口與其相應(yīng)的管腳連接，該芯片的集電極通過鍵合引線與其相應(yīng)的管腳連接；然后通過外殼進(jìn)行封裝。本實用新型增加了開爾文端，可以使由內(nèi)部寄生電感所產(chǎn)生的開關(guān)損耗最小化，器件效率可以得到極大提高。
【IPC分類】H01L25/18, H01L23/49
【公開號】CN205104489
【申請?zhí)枴緾N201520936149
【發(fā)明人】金成漢
【申請人】南京晟芯半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年11月23日