一種真空滅弧室的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電力工程領(lǐng)域，尤其涉及一種真空滅弧室。
【背景技術(shù)】
[0002]SF6氣體被定為6種受限制的溫室氣體之一，限制了作為中壓兩大支柱之一的SF6斷路器的發(fā)展，促進(jìn)了具有安全、可靠、免維護(hù)、健康環(huán)保等特點(diǎn)的真空斷路器的快速發(fā)展。真空斷路器的關(guān)鍵部件是真空滅弧室，它基本上決定了真空斷路器的主要性能。真空滅弧室的基本結(jié)構(gòu)是封閉在絕緣外殼內(nèi)真空環(huán)境下的一對(duì)可分合的觸頭，作為殼體的瓷殼或玻璃外殼既起到保證滅弧室內(nèi)部真空度，維持足夠機(jī)械強(qiáng)度的作用又起到固體絕緣件的作用。由于陶瓷材料具有良好的絕緣性能和氣密性，占有真空滅弧室絕緣外殼結(jié)構(gòu)的主導(dǎo)地位，但在電場(chǎng)強(qiáng)度足夠高的時(shí)候仍會(huì)發(fā)生陶瓷材料為電弧擊穿而導(dǎo)致真空滅弧室漏氣，使滅弧室內(nèi)部失去真空而失效。特別是，真空滅弧室在兩端施加電壓的情況下，內(nèi)部各處存在不同的電場(chǎng)強(qiáng)度，就陶瓷外殼的工況而言，屏蔽罩口部附近電場(chǎng)強(qiáng)度，遠(yuǎn)大于其他部位，而等壁厚瓷殼的抗擊穿強(qiáng)度是各處一樣的，因此，屏蔽罩口部易發(fā)生電擊穿引起失效。
[0003]此外，真空滅弧室在老煉和工作時(shí)，觸頭間會(huì)發(fā)生電弧燒蝕，產(chǎn)生大量金屬蒸汽，在陶瓷外殼內(nèi)壁上沉積成一層金屬沉積層，在陶瓷內(nèi)壁表面形成一層低電阻層，降低陶瓷外殼的內(nèi)絕緣強(qiáng)度，從而導(dǎo)致真空滅弧室性能降低甚至失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型旨在提供一種真空滅弧室，該真空滅弧室能夠解決真空滅弧室陶瓷外殼在屏蔽罩口部附近易電擊穿和內(nèi)壁產(chǎn)生軸向連續(xù)低電阻金屬沉積層的問(wèn)題。
[0005]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型是采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0006]本實(shí)用新型公開的一種真空滅弧室，包括動(dòng)導(dǎo)電桿、導(dǎo)向套、動(dòng)蓋板、動(dòng)端封接環(huán)、上陶瓷殼、下陶瓷殼、動(dòng)觸頭、靜觸頭、靜導(dǎo)電桿、靜端封接環(huán)、波紋管、波紋管屏蔽罩、屏蔽罩、靜蓋板，所述上陶瓷殼和下陶瓷殼通過(guò)金屬環(huán)用焊料釬焊封接為殼體，所述殼體為圓筒狀，兩端開口，殼體上、下兩段壁厚大于中間壁厚。
[0007]優(yōu)選的，所述殼體在上、下兩段內(nèi)壁設(shè)置有波紋結(jié)構(gòu)。
[0008]進(jìn)一步的，所述殼體上、下兩段內(nèi)壁與中間段內(nèi)壁傾斜連接。
[0009]優(yōu)選的，所述波紋結(jié)構(gòu)為鋸齒狀。
[0010]進(jìn)一步的，所述波紋結(jié)構(gòu)向殼體開口方向傾斜。
[0011]本實(shí)用新型采用變壁厚的方案解決真空滅弧室陶瓷外殼口部附近易電擊穿的問(wèn)題。在真空滅弧室的一般工況條件下，陶瓷外殼這一固體介質(zhì)絕緣材料的擊穿電壓與其厚度接近成正比關(guān)系，厚度越厚，能夠擊穿陶瓷外殼的電壓就越高，在同樣電壓下，陶瓷外殼越厚，則越不易被擊穿。本實(shí)用新型在不改變產(chǎn)品外觀尺寸的條件下，增加陶瓷外殼口部的壁厚，使得電場(chǎng)強(qiáng)度最高的陶瓷外殼口部附近的厚度增加，從而提高陶瓷外殼的抗電擊穿能力。
[0012]由于金屬蒸汽產(chǎn)生在屏蔽罩內(nèi)，通過(guò)兩端的口部向外擴(kuò)散，具有顯著的方向性。擴(kuò)散出的金屬蒸汽在無(wú)遮蔽的陶瓷外殼內(nèi)壁會(huì)沉積，而有遮蔽的部位沉積遠(yuǎn)遠(yuǎn)輕于無(wú)遮蔽部位。本實(shí)用新型公開的真空滅弧室采取一種開口朝向陶瓷外殼開口方向的單側(cè)傾斜鋸齒狀波紋結(jié)構(gòu)，波紋背向蒸汽來(lái)向一側(cè)表面被遮蔽成為難沉積面，面向蒸汽來(lái)向一側(cè)表面成為易沉積面。這樣使金屬蒸汽只在易沉積面上沉積，而減少在難沉積面上的沉積。沉積的金屬層在陶瓷外殼內(nèi)表面只能成為環(huán)狀軸向不連續(xù)面，從而避免在陶瓷外殼內(nèi)壁產(chǎn)生軸向連續(xù)金屬沉積面，從而保證陶瓷外殼內(nèi)絕緣水平。
[0013]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn):所公開的真空滅弧室結(jié)構(gòu)可有效減少真空滅弧室在生產(chǎn)及使用過(guò)程中出現(xiàn)的陶瓷外殼電擊穿現(xiàn)象，減輕金屬蒸汽在陶瓷外殼內(nèi)壁沉積引起的真空滅弧室性能降低乃至失效情況的發(fā)生。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖中:1、動(dòng)導(dǎo)電桿；2、導(dǎo)向套；3、動(dòng)蓋板；4、動(dòng)端封接環(huán)；5、上陶瓷殼；6、下陶瓷殼；7、動(dòng)觸頭；8、靜觸頭；9、靜導(dǎo)電桿；10、靜端封接環(huán)；11、波紋管；12、波紋管屏蔽罩；13、屏蔽罩；14、靜蓋板；15、金屬環(huán)。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0017]如圖1所示，本實(shí)用新型公開的一種真空滅弧室包括上陶瓷殼5、下陶瓷殼6、屏蔽罩13、靜導(dǎo)電桿9和動(dòng)導(dǎo)電桿1 ;上陶瓷殼5和下陶瓷殼6通過(guò)金屬環(huán)15釬焊封接在一起構(gòu)成陶瓷殼體；上陶瓷殼5的上端通過(guò)動(dòng)端封接環(huán)4安裝有動(dòng)蓋板3，下陶瓷殼6下端通過(guò)靜端封接環(huán)10安裝有靜蓋板14 ;靜導(dǎo)電桿9下部穿過(guò)靜端封接環(huán)10和靜蓋板14的中心，靜導(dǎo)電桿9上部固定連接靜觸頭8 ;動(dòng)導(dǎo)電桿1穿過(guò)導(dǎo)向套2的中心，動(dòng)導(dǎo)電桿1上固定有波紋屏蔽罩12，動(dòng)觸頭7固定連接在動(dòng)導(dǎo)電桿1的下端，波紋管11同軸連接在動(dòng)導(dǎo)電桿1上，波紋管是一種彈性元件，側(cè)壁呈波浪狀，可以縱向伸縮，波紋管11置于波紋管護(hù)罩12之內(nèi)，動(dòng)導(dǎo)電桿1通過(guò)導(dǎo)向套2直線滑動(dòng)。
[0018]靜導(dǎo)電桿9、動(dòng)導(dǎo)電桿1、動(dòng)觸頭7、靜觸頭8起導(dǎo)通及分?jǐn)嚯娐纷饔?；波紋管11、動(dòng)蓋板3、靜蓋板14及動(dòng)端封接環(huán)4、靜端封接環(huán)10、陶瓷外殼共同組成真空滅弧室的氣密殼體，達(dá)到結(jié)構(gòu)支撐以及保證內(nèi)部真空的效果，陶瓷殼體同時(shí)還有使動(dòng)、靜兩端絕緣的作用；屏蔽罩13起到屏蔽電弧及改善內(nèi)部電場(chǎng)的作用；導(dǎo)向套2起到限制動(dòng)導(dǎo)電桿1運(yùn)動(dòng)方向的作用。
[0019]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，真空滅弧室陶瓷外殼上、下兩段壁厚大于中間段壁厚，并且殼體在上、下兩段內(nèi)壁設(shè)置有波紋結(jié)構(gòu)?？捎行p少真空滅弧室在生產(chǎn)及使用過(guò)程中出現(xiàn)的真空滅弧室陶瓷外殼電擊穿現(xiàn)象，減輕金屬蒸汽在真空滅弧室陶瓷外殼內(nèi)壁沉積引起的真空滅弧室性能降低乃至失效情況的發(fā)生。
[0020]當(dāng)然，本實(shí)用新型還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本實(shí)用新型精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本實(shí)用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種真空滅弧室，包括動(dòng)導(dǎo)電桿(1)、導(dǎo)向套(2)、動(dòng)蓋板(3)、動(dòng)端封接環(huán)(4)、上陶瓷殼(5)、下陶瓷殼￠)、動(dòng)觸頭(7)、靜觸頭(8)、靜導(dǎo)電桿(9)、靜端封接環(huán)(10)、波紋管(11)、波紋管屏蔽罩(12)、屏蔽罩(13)、靜蓋板(14)，其特征在于:所述上陶瓷殼(5)和下陶瓷殼(6)通過(guò)金屬環(huán)(15)用焊料釬焊封接為殼體，所述殼體為圓筒狀，兩端開口，殼體上、下兩段壁厚大于中間壁厚。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空滅弧室，其特征在于:所述殼體在上、下兩段內(nèi)壁設(shè)置有波紋結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空滅弧室，其特征在于:所述殼體上、下兩段內(nèi)壁與中間段內(nèi)壁傾斜連接。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種真空滅弧室陶瓷外殼，其特征在于:所述波紋結(jié)構(gòu)為鋸齒狀。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種真空滅弧室陶瓷外殼，其特征在于:所述波紋結(jié)構(gòu)向殼體開口方向傾斜。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開的一種真空滅弧室，包括動(dòng)導(dǎo)電桿、導(dǎo)向套、動(dòng)蓋板、動(dòng)端封接環(huán)、上陶瓷殼、下陶瓷殼、動(dòng)觸頭、靜觸頭、靜導(dǎo)電桿、靜端封接環(huán)、波紋管、波紋管屏蔽罩、屏蔽罩、靜蓋板，所述上陶瓷殼和下陶瓷殼通過(guò)金屬環(huán)用焊料釬焊封接為殼體，所述殼體為圓筒狀，兩端開口，殼體上、下兩段壁厚大于中間壁厚，本真空滅弧室結(jié)構(gòu)可有效減少真空滅弧室在生產(chǎn)及使用過(guò)程中出現(xiàn)的陶瓷殼體電擊穿現(xiàn)象，減輕金屬蒸汽在殼體內(nèi)壁沉積引起的真空滅弧室性能降低乃至失效情況的發(fā)生。
【IPC分類】H01H33/664
【公開號(hào)】CN205122472
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520901122
【發(fā)明人】關(guān)斌
【申請(qǐng)人】成都旭光電子股份有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2015年11月12日