一種顯示屏專用led芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及一種忍片，特別設(shè)及一種顯示屏專用L邸忍片。
【背景技術(shù)】
[0002] LH)忍片也稱為led發(fā)光忍片，是led燈的核屯、組件，也就是指的P-N結(jié)。其主要功能 是:把電能轉(zhuǎn)化為光能，忍片的主要材料為單晶娃。半導(dǎo)體晶片由兩部分組成，一部分是P型 半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是N型半導(dǎo)體，在運(yùn)邊主要是電子。但運(yùn)兩種半導(dǎo) 體連接起來的時(shí)候，它們之間就形成一個(gè)P-N結(jié)。當(dāng)電流通過導(dǎo)線作用于運(yùn)個(gè)晶片的時(shí)候， 電子就會(huì)被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，然后就會(huì)W光子的形式發(fā)出能量，運(yùn)就是 L邸發(fā)光的原理。而光的波長(zhǎng)也就是光的顏色，是由形成P-N結(jié)的材料決定的。
[0003] 對(duì)于顯示屏中用的Lm)忍片，其電極的組成為由下至上依次蒸鍛的25皿銘層、25皿 銷層、1500皿金層，使用運(yùn)種電極制作而成的忍片，其在使用時(shí)，容易出現(xiàn)銘遷移的問題，高 刷屏?xí)r間短，使用壽命短。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠改善顯示屏高刷屏老化的顯示屏 專用LH)忍片。
[000引為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為：一種顯示屏專用Lm)忍片，其創(chuàng) 新點(diǎn)在于:所述忍片包括
[0006] -襯底，在襯底的上端依次生長(zhǎng)有外延N型層、量子阱層、外延P型層及ITO層，在 ITO層上光刻有一延伸至外延P型層的P電極蒸鍛槽，在忍片上還光刻有一從口0層延伸至外 延N型層的N電極蒸鍛槽；
[0007] 所述P電極蒸鍛槽內(nèi)由下至上依次蒸鍛氮化鐵層、鐵層、銷層及金層形成P電極，所 述N電極蒸鍛槽內(nèi)由下至上依次蒸鍛氮化鐵層、鐵層、銷層及金層形成N電極。
[0008] 進(jìn)一步的，所述P電極與N電極中，氮化鐵層的厚度為2.5nm，鐵層的厚度為5nm，銷 層的厚度為25nm，金層的厚度為1500nm。
[0009] 本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:在本實(shí)用新型中，電極由氮化鐵層、鐵層、銷層及金層運(yùn) 四層構(gòu)成，利用氮化鐵層代替銘層，有效的解決了銘遷移的現(xiàn)象，高刷屏?xí)r間長(zhǎng)，有效的改 善顯示屏高刷屏老化的現(xiàn)象，增加其使用壽命。
[0010] 通過對(duì)P電極與N電極中的氮化鐵層、鐵層、銷層及金層運(yùn)四層的厚度進(jìn)行合理的 設(shè)計(jì)，從而可W對(duì)高刷屏老化的現(xiàn)象的改善達(dá)到最佳。
【附圖說明】
[0011] 下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0012] 圖1為本實(shí)用新型的顯示屏專用L邸忍片的示意圖。
[0013] 圖2為本實(shí)用新型的電極結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面的實(shí)施例可W使本專業(yè)的技術(shù)人員更全面地理解本實(shí)用新型，但并不因此將 本實(shí)用新型限制在所述的實(shí)施例范圍之中。
[0015]如圖1所示的一種顯示屏專用LED忍片，包括一襯底1。
[0016] 在襯底1的上端依次生長(zhǎng)有外延N型層2、量子阱層3、外延P型層4及ITO層5,在ITO 層5上光刻有一延伸至外延P型層的P電極蒸鍛槽，在忍片上還光刻有一從ITO層5延伸至外 延N型層2的N電極蒸鍛槽。
[0017] 由圖2所示，P電極蒸鍛槽內(nèi)由下至上依次蒸鍛氮化鐵層11、鐵層10、銷層9及金層8 形成P電極6，N電極蒸鍛槽內(nèi)由下至上依次蒸鍛氮化鐵層11、鐵層10、銷層9及金層8形成N電 極7。
[001引在P電極6與N電極7中，氮化鐵層11的厚度為2.5nm，鐵層10的厚度為5nm，銷層9的 厚度為25皿，金層8的厚度為1500nm。通過對(duì)P電極與N電極中的氮化鐵層11、鐵層10、銷層9 及金層8運(yùn)四層的厚度進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)，從而可W對(duì)高刷屏老化的現(xiàn)象的改善達(dá)到最佳。
[0019]表1為使用銘層做電極W及使用本實(shí)用新型的電極做忍片的性能對(duì)比表：
[0021] 表 1
[0022] 由上表可W看出，使用氮化鐵層做電極要比原先使用銘層做電極在高刷屏的時(shí)間 上明顯得到了提高，而且在推拉力W及掉電極率的性能方面都要優(yōu)于使用銘層做電極。
[0023] 本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和 說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下， 本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，運(yùn)些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍 內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種顯示屏專用LED芯片，其特征在于:所述芯片包括 一襯底，在襯底的上端依次生長(zhǎng)有外延N型層、量子肼層、外延P型層及ITO層，在ITO層 上光刻有一延伸至外延P型層的P電極蒸鍍槽，在芯片上還光刻有一從ITO層延伸至外延N型 層的N電極蒸鍍槽； 所述P電極蒸鍍槽內(nèi)由下至上依次蒸鍍氮化鈦層、鈦層、鉑層及金層形成P電極，所述N電極蒸鍍槽內(nèi)由下至上依次蒸鍍氮化鈦層、鈦層、鉑層及金層形成N電極。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏專用LED芯片，其特征在于:所述P電極與N電極中，氮化 鈦層的厚度為2.5nm，鈦層的厚度為5nm，鉬層的厚度為25nm，金層的厚度為1500nm〇
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種顯示屏專用LED芯片，所述芯片包括一襯底，在襯底的上端依次生長(zhǎng)有外延N型層、量子肼層、外延P型層及ITO層，在ITO層上光刻有一延伸至外延P型層的P電極蒸鍍槽，在芯片上還光刻有一從ITO層延伸至外延N型層的N電極蒸鍍槽所述P電極蒸鍍槽內(nèi)由下至上依次蒸鍍氮化鈦層、鈦層、鉑層及金層形成P電極，所述N電極蒸鍍槽內(nèi)由下至上依次蒸鍍氮化鈦層、鈦層、鉑層及金層形成N電極。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：在本實(shí)用新型中，電極由氮化鈦層、鈦層、鉑層及金層這四層構(gòu)成，利用氮化鈦層代替鉻層，有效的解決了鉻遷移的現(xiàn)象，高刷屏?xí)r間長(zhǎng)，有效的改善顯示屏高刷屏老化的現(xiàn)象，增加其使用壽命。
【IPC分類】H01L33/40
【公開號(hào)】CN205141005
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520920203
【發(fā)明人】沙東升, 孫智江, 賈辰宇, 夏健, 張偉
【申請(qǐng)人】海迪科（南通）光電科技有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請(qǐng)日】2015年11月18日