一種減小大功率電阻寄生電容的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實(shí)用新型涉及一種減小大功率電阻寄生電容的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性，在很多時(shí)候，大功率電阻和地之間都會(huì)存在寄生電容，這種寄生電容在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，但是在高頻情況下，大功率電阻和地之間的寄生電容會(huì)對(duì)電路造成很大影響，因此，減小大功率電阻與地之間產(chǎn)生的寄生電容就非常重要了。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，從根源上減小了大功率電阻與地之間的寄生電容。
[0004]本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，包括殼體、陶瓷基片和大功率電阻;殼體的上表面設(shè)置有第一型腔，第一型腔的底部設(shè)置有第二型腔，第二型腔的底部設(shè)置有通槽;所述的陶瓷基片固定于第二型腔中；大功率電阻固定于陶瓷基片上且大功率電阻位于通槽正上方。
[0005]所述的陶瓷基片通過環(huán)氧樹脂膠固定于第二型腔中。
[0006]所述的大功率電阻通過環(huán)氧樹脂膠固定于陶瓷基片上。
[0007]所述的第二型腔尺寸與陶瓷基片尺寸相同。
[0008]所述的通槽的尺寸大于大功率電阻的尺寸。
[0009]所述的第二型腔的中心位于通槽中心的正上方。
[0010]所述的陶瓷基片平行固定于第二型腔中。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果是:(I)第二型腔底部設(shè)置通槽，大功率電阻位于通槽正上方，大功率電阻正下方與地之間相隔有通槽，能夠從根源上有效減小大功率電阻與地之間的寄生電容。
[0012](2)第二型腔中設(shè)置有陶瓷基片，大功率電阻設(shè)置于陶瓷基片上，解決了大功率電阻正下方與地之間懸空后的散熱問題，從而能夠保證大功率電阻的功率。
[0013](3)通過環(huán)氧樹脂膠實(shí)現(xiàn)大功率電阻和陶瓷基片的固定，環(huán)氧樹脂膠粘性強(qiáng)，穩(wěn)定性高，固定效果好，能夠使裝置在使用過程中更加穩(wěn)定。
[0014](4)第二型腔與陶瓷基片尺寸相同，使陶瓷基片能夠嵌入第二型腔中，進(jìn)一步保證了裝置的穩(wěn)定性。
[0015](5)通槽的尺寸大于大功率電阻的尺寸，能夠使大功率電阻正下方與地之間完全懸空，減小寄生電容的效果更好。
[0016](6)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便，不需要額外的器件來降低寄生電容，成本低廉。
【附圖說明】
[0017]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0018]圖中，1-殼體，2-第一型腔，3-第二型腔，4-通槽，5-陶瓷基片，6_大功率電阻。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
[0020]如圖1所示，一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，包括殼體1、陶瓷基片5和大功率電阻6;殼體I的上表面設(shè)置有第一型腔2，第一型腔2的底部設(shè)置有第二型腔3，第二型腔3的底部設(shè)置有通槽4;所述的陶瓷基片5固定于第二型腔3中；大功率電阻6固定于陶瓷基片5上且大功率電阻6位于通槽4正上方。
[0021]進(jìn)一步地，第二型腔3的尺寸小于第一型腔2的尺寸，通槽4的尺寸小于第二型腔3的尺寸。
[0022]所述的陶瓷基片5通過環(huán)氧樹脂膠固定于第二型腔3中。
[0023]所述的大功率電阻6通過環(huán)氧樹脂膠固定于陶瓷基片5上。
[0024]所述的第二型腔3尺寸與陶瓷基片5尺寸相同。
[0025]所述的通槽4的尺寸大于大功率電阻6的尺寸。
[0026]所述的第二型腔3的中心位于通槽4中心的正上方，在此基礎(chǔ)上，由于第二型腔3尺寸與陶瓷基片5尺寸相同，陶瓷基片5通過環(huán)氧樹脂膠固定于第二型腔3中，所以能夠保證陶瓷基片5的中心位于通槽4中心的正上方;進(jìn)一步地，將大功率電阻6的中心固定于陶瓷基片5的中心;從而嚴(yán)格保證了大功率電阻6中心位于通槽4中心的正上方。
[0027]進(jìn)一步地，第二型腔3可以位于第一型腔2底部的任何位置，不作具體限制。
[0028]所述的陶瓷基片5平行固定于第二型腔3中。
[0029]在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，考慮到大功率電阻6與地之間寄生電容的問題，故在大功率電阻6的正下方給殼體掏槽，形成通槽4，從根源上減小大功率電阻6與地之間產(chǎn)生的寄生電容。
[0030]考慮到大功率電阻6懸空后產(chǎn)生散熱不良的問題，故在大功率電阻6和通槽4之間設(shè)置陶瓷基片5，此時(shí)，大功率電阻6正下方與地之間依然相隔一個(gè)通槽4，是懸空的，同時(shí)大功率電阻6通過陶瓷基片5能夠迅速散熱。
[0031]在對(duì)本裝置進(jìn)行應(yīng)用時(shí)，只需要將電路的印制板安裝在本申請(qǐng)的第一型腔2中，再將電路印制板與本申請(qǐng)中的大功率電阻6連接，就能夠進(jìn)行工作，保證大功率電阻的散熱，減小大功率電阻與地之間的寄生電容。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，其特征在于:包括殼體(I)、陶瓷基片(5)和大功率電阻(6);殼體(I)的上表面設(shè)置有第一型腔(2)，第一型腔(2)的底部設(shè)置有第二型腔(3)，第二型腔(3)的底部設(shè)置有通槽(4);所述的陶瓷基片(5)固定于第二型腔(3)中；大功率電阻(6)固定于陶瓷基片(5)上且大功率電阻(6)位于通槽(4)正上方。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，其特征在于:所述的陶瓷基片(5)通過環(huán)氧樹脂膠固定于第二型腔(3)中。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，其特征在于:所述的大功率電阻(6)通過環(huán)氧樹脂膠固定于陶瓷基片(5)上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，其特征在于:所述的第二型腔(3)的尺寸與陶瓷基片(5)尺寸相同。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，其特征在于:所述的通槽(4)的尺寸大于大功率電阻(6)的尺寸。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，其特征在于:所述的第二型腔(3)的中心位于通槽(4)中心的正上方。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，其特征在于:所述的陶瓷基片(5)平行固定于第二型腔(3)中。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，包括殼體(1)、陶瓷基片（5）和大功率電阻（6）；殼體（1）的上表面設(shè)置有第一型腔（2），第一型腔（2）的底部設(shè)置有第二型腔（3），第二型腔（3）的底部設(shè)置有通槽（4）；所述的陶瓷基片（5）固定于第二型腔（3）中；大功率電阻（6）固定于陶瓷基片（5）上且大功率電阻（6）位于通槽(4)正上方。本實(shí)用新型提供一種減小大功率電阻寄生電容的裝置，從根源上減小了大功率電阻與地之間的寄生電容。
【IPC分類】H01C1/084, H01C1/01
【公開號(hào)】CN205177520
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521032556
【發(fā)明人】王芳
【申請(qǐng)人】成都市金天之微波技術(shù)有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年12月14日