一種小型化高頻高壓陶瓷電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電容器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種小型化高頻高壓陶瓷電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]陶瓷電容器(ceramic capacitor；ceramic condenser)就是用陶瓷作為電介質(zhì)，在陶瓷基體兩面噴涂銀層，然后經(jīng)低溫?zé)摄y質(zhì)薄膜作極板而制成。它的外形以片式居多，也有管形、圓形等形狀?，F(xiàn)有的陶瓷電容器的散熱性能以及耐高壓高頻性能較差，或結(jié)構(gòu)過于復(fù)雜。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型提供一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，實現(xiàn)了更好的耐高壓高頻以及散熱性能較好的電容器。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采取的技術(shù)方案為:
[0005]—種小型化高頻高壓陶瓷電容器，包括電容器芯體、絕緣封裝體、正電極和負(fù)電極，所述絕緣封裝體設(shè)置在所述電容器芯體的外表面;所述電容器芯體包括導(dǎo)電層、正電極連接部和負(fù)電極連接部;在所述導(dǎo)電層之間設(shè)置有陶瓷層;所述正電極連接部和負(fù)電極連接部交錯連接所述導(dǎo)電層;所述正電極電連接所述正電極連接部，所述負(fù)電極電連接所述負(fù)電極連接部。
[0006]進一步地，所述正電極連接部包括第一金屬薄膜，在所述第一金屬薄膜上，與所述導(dǎo)電層非導(dǎo)電處噴涂有第一絕緣層;所述負(fù)電極連接部包括第二金屬薄膜，在所述第二金屬薄膜上，與所述導(dǎo)電層非導(dǎo)電處噴涂有第二絕緣層。
[0007]優(yōu)選地，在所述陶瓷層的兩側(cè)噴涂銀層。
[0008]優(yōu)選地，所述正電極連接部和負(fù)電極連接部分別設(shè)置在所述電容器芯體的同一側(cè)或相對兩側(cè)。
[0009]優(yōu)選地，所述絕緣層為聚丙烯涂層。
[0010]更優(yōu)選地，所述絕緣層為硅橡膠涂層。
[0011]優(yōu)選地，所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜或銀金屬薄膜。
[0012 ]優(yōu)選地，所述絕緣封裝體由環(huán)氧樹脂材料制成。
[0013]本實用新型提供一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，設(shè)置的陶瓷電容結(jié)構(gòu)具有更加好的散熱性能以及耐高壓耐高頻性能;且結(jié)構(gòu)簡單。
【附圖說明】
[0014]圖1是本實用新型一種小型化高頻高壓陶瓷電容器結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2是本實用新型一種小型化高頻高壓陶瓷電容器的芯體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖，具體闡明本實用新型的實施方式，附圖僅供參考和說明使用，不構(gòu)成對本實用新型專利保護范圍的限制。
[0017]如圖1和2所示，一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，包括電容器芯體2、絕緣封裝體
1、正電極3和負(fù)電極，所述絕緣封裝體I設(shè)置在所述電容器芯體2的外表面;所述電容器芯體2包括導(dǎo)電層21、正電極連接部23和負(fù)電極連接部24;在所述導(dǎo)電層21之間設(shè)置有陶瓷層22;所述正電極連接部23和負(fù)電極連接部24交錯連接所述導(dǎo)電層21;所述正電極3電連接所述正電極連接部23，所述負(fù)電極電連接所述負(fù)電極連接部24。所述正電極連接部23包括第一金屬薄膜，在所述第一金屬薄膜上，與所述導(dǎo)電層21非導(dǎo)電處噴涂有第一絕緣層;所述負(fù)電極連接部24包括第二金屬薄膜，在所述第二金屬薄膜上，與所述導(dǎo)電層21非導(dǎo)電處噴涂有第二絕緣層。作為導(dǎo)電層的本實施例中，在所述陶瓷層22的兩側(cè)噴涂銀層。所述正電極連接部23和負(fù)電極連接部24分別設(shè)置在所述電容器芯體的同一側(cè)或相對兩側(cè);本實施例中，所述正電極連接部23和負(fù)電極連接部24分別設(shè)置在所述電容器芯體的相對兩側(cè)。所述絕緣層為聚丙烯涂層或硅橡膠涂層。所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜或銀金屬薄膜。所述絕緣封裝體I由環(huán)氧樹脂材料制成。
[0018]以上所揭露的僅為本實用新型的較佳實施例，不能以此來限定本實用新型的權(quán)利保護范圍，因此依本實用新型申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本實用新型所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，包括電容器芯體、絕緣封裝體、正電極和負(fù)電極，所述絕緣封裝體設(shè)置在所述電容器芯體的外表面;其特征在于:所述電容器芯體包括導(dǎo)電層、正電極連接部和負(fù)電極連接部;在所述導(dǎo)電層之間設(shè)置有陶瓷層;所述正電極連接部和負(fù)電極連接部交錯連接所述導(dǎo)電層;所述正電極電連接所述正電極連接部，所述負(fù)電極電連接所述負(fù)電極連接部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，其特征在于:所述正電極連接部包括第一金屬薄膜，在所述第一金屬薄膜上，與所述導(dǎo)電層非導(dǎo)電處噴涂有第一絕緣層;所述負(fù)電極連接部包括第二金屬薄膜，在所述第二金屬薄膜上，與所述導(dǎo)電層非導(dǎo)電處噴涂有第二絕緣層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，其特征在于:在所述陶瓷層的兩側(cè)嗔涂銀層。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，其特征在于:所述正電極連接部和負(fù)電極連接部分別設(shè)置在所述電容器芯體的同一側(cè)或相對兩側(cè)。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，其特征在于:所述第一絕緣層和所述第二絕緣層均為聚丙烯涂層。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，其特征在于:所述第一絕緣層和所述第二絕緣層為硅橡膠涂層。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，其特征在于:所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，其特征在于:所述金屬薄膜為銀金屬薄膜。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，其特征在于:所述絕緣封裝體由環(huán)氧樹脂材料制成。
【專利摘要】本實用新型提供一種小型化高頻高壓陶瓷電容器，包括電容器芯體、絕緣封裝體、正電極和負(fù)電極；所述電容器芯體包括導(dǎo)電層、正電極連接部和負(fù)電極連接部；在所述導(dǎo)電層之間設(shè)置有陶瓷層；所述正電極連接部和負(fù)電極連接部交錯連接所述導(dǎo)電層；所述正電極電連接所述正電極連接部，所述負(fù)電極電連接所述負(fù)電極連接部。所述正電極連接部包括第一金屬薄膜，在所述第一金屬薄膜上，與所述導(dǎo)電層非導(dǎo)電處噴涂有第一絕緣層；所述負(fù)電極連接部包括第二金屬薄膜，在所述第二金屬薄膜上，與所述導(dǎo)電層非導(dǎo)電處噴涂有第二絕緣層。有益效果：設(shè)置的陶瓷電容結(jié)構(gòu)具有更加好的散熱性能以及耐高壓耐高頻性能；且結(jié)構(gòu)簡單。
【IPC分類】H01G4/12, H01G2/08, H01G2/10
【公開號】CN205177613
【申請?zhí)枴緾N201521007416
【發(fā)明人】何鵬飛
【申請人】東莞市美志電子有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年12月7日