nP層，鈹摻雜濃度為3 X 111Cnf3;
[0049](4)在第一 p-AlInP層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第二 η-Α1ΙηΡ層；硅摻雜濃度約為2 X 117Cnf3 ；
[0050](5)在第二 η-Α1ΙηΡ層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第二 p-AlInP層，鈹摻雜濃度為3 X 111Cnf3;
[0051 ] (6)在第二 p-AlInP層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第三p-AlInP層，鈹摻雜濃度為I XlO18Cnf3;
[0052](7)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積S12層用作絕緣層，所述S12層與第一 P-Al InP層、第二 n-Al InP層、第二 p_Al InP層的側(cè)面相接觸，還與第一 n_Al InP層露出的表面相接觸；
[0053](8)在S12層的表面電子束蒸發(fā)制備Au層作為第一 Au電極；
[0054](9)在第一 η-Α1ΙηΡ層露出的表面上電子束蒸發(fā)制備Au層作為第二 Au電極。
[0055]如圖3所示，本實(shí)施例制備的AlInP基藍(lán)光探測器可以實(shí)現(xiàn)在藍(lán)光波段峰值響應(yīng)度達(dá)到0.4A/W，較好地實(shí)現(xiàn)藍(lán)光探測。
[0056]實(shí)施例3
[0057]本實(shí)施例的AlInP基藍(lán)光探測器，包括依次設(shè)置的GaAs基底、作為η層的第一 n-Al InP層、作為π層的第一 p-Al InP層、作為η層的第二 n-Al InP層、作為π層的第二 p-Al InP層、作為P層的第三P-AlInP層;還包括作為絕緣層的S12層、第一 Au電極和第二 Au電極;所述S12層與第一 P-Al InP層、第二 n-Al InP層、第二 p_Al InP層的側(cè)面相接觸;所述S12層還與第一 n-Al InP層的露出的表面相接觸;所述第一 Au電極設(shè)于Si02層的表面;所述第二 Au電極設(shè)于第一n-Al InP層的露出的表面。
[0058]本實(shí)施例中，所述基底的厚度為200μπι;第一 η-Α1ΙηΡ層的厚度為Ο.?μ??;第一 P-AlInP層的厚度為Ο.?μπι;第二 η-Α1ΙηΡ層厚度為Ο.?μπι;第二 p-AlInP層的厚度為Ο.?μπι;第三ρ-ΑΙΙηΡ層的厚度為0.lym;Si02層的厚度為0.Ιμπι;第一Au電極的厚度為0.5μηι;第二Au電極的厚度為0.5μηι。
[0059]本實(shí)施例的AlInP基藍(lán)光探測器的制備方法，包括以下步驟:
[0060](I)將基底在400°C下預(yù)處理，用熱電偶測得基底的溫度；
[0061 ] (2)在基底上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第一 n-Al InP層，硅摻雜濃度為I XlO18Cnf3;
[0062](3)在第一 η-Α1ΙηΡ層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第一 ρ-ΑΙΙηΡ層，鈹摻雜濃度為I XlO11Cnf3;
[0063](4)在第一 ρ-ΑΙΙηΡ層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第二 η-Α1ΙηΡ層；硅摻雜濃度約為I X 117Cnf3 ；
[0064](5)在第二 η-Α1ΙηΡ層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第二 ρ-ΑΙΙηΡ層，鈹摻雜濃度為I XlO11Cnf3;
[0065](6)在第二 ρ-ΑΙΙηΡ層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第三ρ-ΑΙΙηΡ層，鈹摻雜濃度為I XlO18Cnf3;
[0066](7)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積S12層用作絕緣層，所述S12層與第一 P-Al InP層、第二 n-Al InP層、第二 p_Al InP層的側(cè)面相接觸，還與第一 n_Al InP層露出的表面相接觸；
[0067](8)在S12層的表面電子束蒸發(fā)制備Au層作為第一 Au電極；
[0068](9)在第一 η-Α1ΙηΡ層露出的表面上電子束蒸發(fā)制備Au層作為第二 Au電極。
[0069]本實(shí)施例的AlInP基藍(lán)光探測器的測試數(shù)據(jù)與實(shí)施例1類似，在此不再贅述。
[0070]實(shí)施例4
[0071 ]本實(shí)施例的Al InP基藍(lán)光探測器，包括依次設(shè)置的GaAs基底、作為η層的第一 n_Al InP層、作為π層的第一 p-Al InP層、作為η層的第二 n-Al InP層、作為π層的第二 p-Al InP層、作為P層的第三P-AlInP層;還包括作為絕緣層的S12層、第一 Au電極和第二 Au電極;所述S12層與第一 P-Al InP層、第二 n-Al InP層、第二 p_Al InP層的側(cè)面相接觸;所述S12層還與第一 n-Al InP層的露出的表面相接觸;所述第一 Au電極設(shè)于Si02層的表面;所述第二 Au電極設(shè)于第一n-Al InP層的露出的表面。
[0072]本實(shí)施例中，所述基底的厚度為500μπι;第一η-Α1ΙηΡ層的厚度為ΙΟμπι;第一P-AlInP層的厚度為20μπι;第二 η-Α1ΙηΡ層的厚度為ΙΟμπι;第二 ρ-ΑΙΙηΡ層的厚度為20μπι;第三P-AlInP層的厚度為1ym5S12層的厚度為20μπι;第一 Au電極的厚度為ΙΟμπι;第二 Au電極的厚度為I Oym。
[0073]本實(shí)施例的AlInP基藍(lán)光探測器的制備方法，包括以下步驟:
[0074](I)將基底在700°C下預(yù)處理；
[0075](2)在基底上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第一 n-Al InP層，硅摻雜濃度為9 X 1018cm—3;
[0076](3)在第一 η-Α1ΙηΡ層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第一 ρ-ΑΙΙηΡ層，鈹摻雜濃度為9 X 111Cnf3;
[0077](4)在第一 ρ-ΑΙΙηΡ層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第二 η-Α1ΙηΡ層；硅摻雜濃度約為9 X 117Cnf3 ；
[0078](5)在第二 η-Α1ΙηΡ層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第二 ρ-ΑΙΙηΡ層，鈹摻雜濃度為9 X 111Cnf3;
[0079](6)在第二 ρ-ΑΙΙηΡ層上采用金屬有機(jī)化合物氣相外延技術(shù)生長第三ρ-ΑΙΙηΡ層，鈹摻雜濃度為9 X 118Cnf3;
[0080](7)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積S12層用作絕緣層，所述S12層與第一 P-Al InP層、第二 n-Al InP層、第二 p_Al InP層的側(cè)面相接觸，還與第一 n_Al InP層露出的表面相接觸；
[0081 ] (8)在S12層的表面采用電子束蒸發(fā)制備Au層作為第一 Au電極；
[0082](9)在第一 η-Α1ΙηΡ層露出的表面上采用電子束蒸發(fā)制備Au層作為第二 Au電極。
[0083]本實(shí)施例的AlInP基藍(lán)光探測器的測試數(shù)據(jù)與實(shí)施例1類似，在此不再贅述。
[0084]上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不受所述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本實(shí)用新型的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種Al InP基藍(lán)光探測器，其特征在于，包括依次設(shè)置的基底、第一n-Al InP層、第一p-Al InP 層、第二 n_Al InP 層、第二 p_Al InP 層、第三 p_Al InP 層； 還包括S12層、第一 Au電極和第二 Au電極;所述S12層與第一 p-Al InP層、第二 n_Al InP層、第二 p-Al InP層的側(cè)面相接觸;所述S12層還與第一 n-Al InP層的露出的表面相接觸;所述第一 Au電極設(shè)于Si02層的表面;所述第二 Au電極設(shè)于第一 η-Α1ΙηΡ層的露出的表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlInP基藍(lán)光探測器，其特征在于，所述基底的厚度為200?500μηι;第一n_Al InP層的厚度為0.1?1ym;第一p-Al InP層的厚度為0.I?20μηι;第二n_AlInP層的厚度為0.1?ΙΟμπι;第二p-AlInP層的厚度為0.1?20μηι;第三p-AlInP層的厚度為0.1?10ym;Si02層的厚度為0.1?20μηι;第一Au電極的厚度為0.5?ΙΟμπι;第二Au電極的厚度為0.5?10μηι。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlInP基藍(lán)光探測器，其特征在于，所述基底為GaAs基底。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種AlInP基藍(lán)光探測器，包括依次設(shè)置的基底、第一n-AlInP層、第一p-AlInP層、第二n-AlInP層、第二p-AlInP層、第三p-AlInP層；還包括SiO2層、第一Au電極和第二Au電極；所述SiO2層與第一p-AlInP層、第二n-AlInP層、第二p-AlInP層的側(cè)面相接觸；所述SiO2層還與第一n-AlInP層的露出的表面相接觸；所述第一Au電極設(shè)于SiO2層的表面；所述第二Au電極設(shè)于第一n-AlInP層的露出的表面。本實(shí)用新型的AlInP基藍(lán)光探測器，可以實(shí)現(xiàn)直接對(duì)藍(lán)光波段電磁波的針對(duì)性吸收，而不需要額外添加濾波片等。
【IPC分類】H01L31/0304, H01L31/101
【公開號(hào)】CN205211780
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521071523
【發(fā)明人】李國強(qiáng), 張子辰, 林志霆, 陳淑琦
【申請(qǐng)人】華南理工大學(xué)
【公開日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2015年12月18日