或點涂熒光層的結(jié)構(gòu)，其光色更加均勻，量子點熒光粉的轉(zhuǎn)換效率高，能量損耗少。特別地，LED芯片I焊接于反光罩2內(nèi)，LED芯片I發(fā)出的光線經(jīng)反光罩2內(nèi)表面反射后，均可有效射出，出光率高，而且反光罩2下部固接散熱器3，LED芯片I發(fā)光產(chǎn)生的熱量通過反光罩2直接傳遞到散熱器3上，散熱效率高，延長LED芯片I的使用壽命。
[0024]本實施例中，所述LED芯片I包括依次疊裝的基板11、N型氮化鎵層12、發(fā)光層13及P型氮化鎵層14，所述N型氮化鎵層12上設(shè)置有N電極15，所述P型氮化鎵層14上設(shè)置有P電極16，所述基板11與反光罩2焊接。形成橫向結(jié)構(gòu)的LED芯片1，結(jié)構(gòu)簡單，制作工藝成熟。在此，所述基板11可為藍(lán)寶石基板11、硅基板11、氮化鎵基板11或氮化鋁基板
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[0025]進(jìn)一步，所述反光罩2優(yōu)先采用金屬、陶瓷或硅膠材料制成，但并不限定。本實施例中，所述反光罩2呈上寬下窄的四棱臺體，方便加工，同時LED芯片I能夠焊接四棱臺體的底平面上，保證LED芯片I與反光罩2之間連接牢固可靠，同時保證兩者之間的傳熱效率，而且四棱臺形狀可有效提高LED器件的光效，當(dāng)然，所述反光罩2也可以是半球體或長方體等形狀。本實用新型也可在反光罩2的內(nèi)表面上設(shè)置納米涂層，使光線照射到納米涂層上形成漫反射，從而使LED器件射出的光線更加柔和。
[0026]本實用新型中所述量子點發(fā)光灌封膠體5優(yōu)選為無鎘量子點發(fā)光灌封膠體，即將無鎘量子點熒光粉均勻分布于灌封膠中，其具備廉價、無毒的優(yōu)點，所述無鎘量子點發(fā)光灌封膠體制備過程如下:
[0027]I)、CuInSjAl^的制備
[0028]0.25 mmol 的 Cul，l mmol In (Ac)2, 5 mL 的 DDT 和 10 mL 的液體石錯置于 50 mL的三口燒瓶，加熱攪拌至100°c，抽真空和反復(fù)注入氮氣30分鐘，在惰性氣氛的保護(hù)下，將溶液加熱至230 °C，保持3分鐘，即可得到CuInS2核心量子點。
[0029]2)、CuInS2/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點的制備
[0030]在另一三口燒瓶體系中，添加16 mmol的Zn (SA)2,8 mL的DDT加入16 mL的液體石蠟，加熱攪拌至150 °C，得到透明液體。在該溫度下，將該透明液體迅速注入CuInS2的核心量子點溶液中，提升混合溶液的溫度至250 ° C，保溫2小時。得到CuInS2/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點。
[0031]3)、純化CuInS2/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點
[0032]將得到核殼結(jié)構(gòu)量子點溶液加入正己烷/甲醇進(jìn)行萃取，然后取5mL的量子點萃取液加入1mL離心管，再往離心管中繼續(xù)加入5mL的乙醇，得到渾濁的乳白色液體。在8000轉(zhuǎn)/分鐘以上的速度進(jìn)行離心處理10分鐘。得到量子點沉淀粉末。重新加入正己烷，和酒精，重復(fù)操作離心，將二次離心量子點分散至正己烷中。即得到的最終CuInS2/ZnS無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點。
[0033]將純化的CuInS2/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點固體溶于正己烷中，再加入摩爾比為1:1的環(huán)氧樹脂，振蕩5分鐘，使之混合均勻，準(zhǔn)備好盛有去離子水的水槽，然后用針管將量子點混合液體緩慢的滴入水槽中，利用油向水向互不相溶的特點，使量子點在水面上均勻成膜，為了保護(hù)量子點，在水槽周圍做好遮光設(shè)備，然后靜置半個小時左右，水面上就形成了無鎘量子點發(fā)光灌封膠體，最后將量子點熒光粉覆蓋到LED芯片I上固化。
[0034]本實用新型白光LED器件經(jīng)光譜性能測試，具有較寬的發(fā)射光譜區(qū)域，在可見光區(qū)400-700nm均有覆蓋且連續(xù)，所述白光LED器件的光效可以達(dá)到150 lm/W，色溫為5000K，顯色指數(shù)比較高
[0035]本實用新型可通過激發(fā)不同發(fā)光顏色的量子點轉(zhuǎn)換成紅綠光再結(jié)合LED芯片I本身的藍(lán)光從而實現(xiàn)白光LED器件，具有廣色域，顯色指數(shù)高等優(yōu)點。
[0036]實施例2
[0037]參照圖3，其與實施例1的不同之處在于，為垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片1，所述LED芯片包括依次疊裝的N電極15、N型基板17、N型氮化鎵層12、發(fā)光層13、P型氮化鎵層14及P電極16，所述N電極15與反光罩焊接。該結(jié)構(gòu)電流幾乎全部垂直流過LED外延層，避免電流擁擠，提高發(fā)光效率和散熱效率。
[0038]當(dāng)然，本實用新型除了上述實施方式之外，還可以有其它結(jié)構(gòu)上的變形，這些等同技術(shù)方案也應(yīng)當(dāng)在其保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種基于無錦量子點焚光粉的白光LED器件，其特征在于:包括LED芯片、反光罩、散熱器和透光罩，所述反光罩為上端開口下端封閉的殼體，反光罩的內(nèi)表面均為反光面，所述LED芯片焊接于反光罩內(nèi)表面的底部，所述反光罩的下部固接有散熱器，所述透光罩與反光罩固接，所述透光罩與LED芯片之間設(shè)有用于覆蓋LED芯片的量子點發(fā)光灌封膠體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于無鎘量子點熒光粉的白光LED器件，其特征在于:所述LED芯片包括依次疊裝的基板、N型氮化鎵層、發(fā)光層及P型氮化鎵層，所述N型氮化鎵層上設(shè)置有N電極，所述P型氮化鎵層上設(shè)置有P電極，所述基板與反光罩焊接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于無鎘量子點熒光粉的白光LED器件，其特征在于:所述基板為藍(lán)寶石基板、硅基板、氮化鎵基板或氮化鋁基板。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于無鎘量子點熒光粉的白光LED器件，其特征在于:所述LED芯片包括依次疊裝的N電極、N型基板、N型氮化鎵層、發(fā)光層、P型氮化鎵層及P電極，所述N電極與反光罩焊接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于無鎘量子點熒光粉的白光LED器件，其特征在于:所述反光罩采用金屬、陶瓷或硅膠材料制成。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于無鎘量子點熒光粉的白光LED器件，其特征在于:所述反光罩呈上寬下窄的四棱臺體。
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于無鎘量子點熒光粉的白光LED器件，包括LED芯片、反光罩、散熱器和透光罩，所述反光罩為上端開口下端封閉的殼體，反光罩的內(nèi)表面均為反光面，所述LED芯片焊接于反光罩內(nèi)表面的底部，所述反光罩的下部固接有散熱器，所述透光罩與反光罩固接，所述透光罩與LED芯片之間設(shè)有用于覆蓋LED芯片的量子點發(fā)光灌封膠體。本實用新型相比于傳統(tǒng)的在LED芯片上涂抹或點涂熒光層的結(jié)構(gòu)，其光色更加均勻，量子點熒光粉的轉(zhuǎn)換效率高，能量損耗少，而且出光率高，散熱效率高，使用壽命長。
【IPC分類】H01L33/60, H01L33/48, H01L33/56, H01L33/50, H01L33/64
【公開號】CN205211789
【申請?zhí)枴緾N201520834312
【發(fā)明人】陳威, 王愷, 孫小衛(wèi), 郝俊杰, 秦靜
【申請人】廣東昭信光電科技有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年10月22日