一種led發(fā)光芯片的新型倒裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及LED領域，具體涉及一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結構。
【背景技術】
[0002]LED發(fā)光芯片具有體積小、能耗低、壽命長以及環(huán)保等優(yōu)點，廣泛應用于照明領域。LED芯片具有正裝和倒裝兩種結構，其主體是一個發(fā)光PN結，主要由N型半導體、發(fā)光層和P型半導體組成，所述N型半導體和P型半導體分別連接金屬電極。現(xiàn)有的倒裝LED芯片一般在發(fā)光PN結外覆蓋一層鈍化層(S12層)，起保護作用，鈍化層外再設置一層光阻層。由于現(xiàn)有的倒裝LED芯片在制作過程中需要分別添加鈍化層和光阻層，之后還需對金屬電極上方的光阻層和鈍化層分別進行蝕刻，工序繁瑣，制作麻煩，增加成本;此外，由于S12是硬性材料，抗沖擊、抗壓的能力較差，使鈍化層不能很好起到保護作用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為克服現(xiàn)有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結構，利用軟性材料的光刻膠取代鈍化層對LED芯片的主體進行保護，簡化芯片結構。
[0004]本實用新型為解決其技術問題采用的技術方案是:
[0005]—種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結構，包括襯底，所述襯底下表面設置有由上至下依次排列的N型半導體層、發(fā)光層和P型半導體層，所述發(fā)光層和P型半導體層上通過蝕刻形成暴露出N型半導體層的孔槽，所述孔槽內(nèi)部和P型半導體層表面設置有由透明絕緣的光刻膠通過曝光形成的光阻層，所述光阻層上設置有暴露N型半導體層和P型半導體層的缺口，所述N型半導體層和P型半導體層通過缺口分別連接金屬電極。
[0006]作為上述技術方案的進一步改進，所述金屬電極包括與P型半導體層相連接的P電極，以及與N型半導體層相連接的N電極。
[0007]本實用新型的有益效果是:
[0008]本實用新型的倒裝結構的LED發(fā)光芯片，采用透明絕緣的光阻層代替S12鈍化層，簡化LED芯片的結構；由于光阻層是采用軟性的光刻膠制作而成，抗沖擊、抗壓的能力比硬性材料的S12更為優(yōu)秀，能更好的起到保護作用；光阻層取代鈍化層還減少了設置鈍化層和蝕刻鈍化層兩道工序，提高了 LED芯片的生產(chǎn)效率，并降低制造成本。
【附圖說明】
[0009]以下結合附圖和實例作進一步說明。
[0010]圖1是本實用新型的倒裝結構的LED發(fā)光芯片的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0011]參照圖1，本實用新型提供的一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結構，包括襯底10，所述襯底10下表面設置有由上至下依次排列的N型半導體層20、發(fā)光層30和P型半導體層40，所述發(fā)光層30和P型半導體層40上通過蝕刻形成暴露出N型半導體層20的孔槽，所述孔槽內(nèi)部和P型半導體層40表面設置有由透明絕緣的光刻膠通過曝光形成的光阻層50，所述光阻層50上設置有暴露N型半導體層20和P型半導體層40的缺口，所述N型半導體層20和P型半導體層40通過缺口分別連接金屬電極。所述金屬電極包括與P型半導體層40相連接的P電極61，以及與N型半導體層20相連接的N電極62。
[0012]—種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結構制備方法，包括以下步驟:S1、準備一襯底10，在襯底10上設置N型半導體層20，在N型半導體層20上方設置發(fā)光層30，在發(fā)光層30上設置P型半導體層40;S2、對P型半導體層40及其下的發(fā)光層30進行刻蝕，直至暴露出N型半導體層20;S3、在步驟S2中通過刻蝕得到的孔槽內(nèi)和P型半導體層40表面涂抹透明絕緣的光刻膠，并通過曝光形成光阻層50; S4、采用顯影液蝕刻孔槽內(nèi)以及P型半導體層40表面的部分光阻層50，形成使N型半導體層20和P型半導體層40暴露的缺口 ； S5、通過蒸鍍在光阻層50的缺口內(nèi)分別形成金屬塞，同時在光阻層50表面形成P電極61和N電極62，其中P電極61通過金屬塞連接P型半導體層40，N電極62通過金屬塞連接N型半導體層20。
[0013]本實用新型的倒裝結構的LED發(fā)光芯片，采用透明絕緣的光阻層代替S12鈍化層，簡化LED芯片的結構；由于光阻層是采用軟性的光刻膠制作而成，抗沖擊、抗壓的能力比硬性材料的S12更為優(yōu)秀，能更好的起到保護作用；光阻層取代鈍化層還減少了設置鈍化層和蝕刻鈍化層兩道工序，提高了 LED芯片的生產(chǎn)效率，并降低制造成本。
[0014]以上所述，只是本實用新型的較佳實施例而已，本實用新型并不局限于上述實施方式，只要其以相同的手段達到本實用新型的技術效果，都應屬于本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結構，其特征在于:包括襯底(10)，所述襯底(10)下表面設置有由上至下依次排列的N型半導體層(20)、發(fā)光層(30)和P型半導體層(40)，所述發(fā)光層(30)和P型半導體層(40)上通過蝕刻形成暴露出N型半導體層(20)的孔槽，所述孔槽內(nèi)部和P型半導體層(40)表面設置有由透明絕緣的光刻膠通過曝光形成的光阻層(50)，所述光阻層(50)上設置有暴露N型半導體層(20)和P型半導體層(40)的缺口，所述N型半導體層(20)和P型半導體層(40)通過缺口分別連接金屬電極。2.根據(jù)權利要求1所述的一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結構，其特征在于:所述金屬電極包括與P型半導體層(40)相連接的P電極(61)，以及與N型半導體層(20)相連接的N電極(62)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種LED發(fā)光芯片的新型倒裝結構，包括襯底，所述襯底下表面設置有N型半導體層、發(fā)光層和P型半導體層，發(fā)光層和P型半導體層上設置有暴露出N型半導體層的孔槽，孔槽內(nèi)部和P型半導體層表面設置有光阻層，光阻層上設置有缺口，N型半導體層和P型半導體層通過缺口分別連接金屬電極。上述LED發(fā)光芯片采用光阻層代替SiO2鈍化層，簡化LED芯片的結構；光阻層是采用軟性的光刻膠制作而成，抗沖擊、抗壓的能力比硬性材料的SiO2更為優(yōu)秀，能更好的起到保護作用；此外，還減少了設置鈍化層和蝕刻鈍化層兩道工序，提高了LED芯片的生產(chǎn)效率，并降低制造成本。
【IPC分類】H01L33/56
【公開號】CN205231114
【申請?zhí)枴緾N201520984278
【發(fā)明人】郝銳, 易翰翔, 劉洋, 許徳裕
【申請人】廣東德力光電有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年11月30日