一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級mos晶體管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
的二級MOS晶體管技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型屬于機械技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，我國MOS晶體管行業(yè)發(fā)展迅速，用于晶體管的設(shè)備也多種多樣，但是仍然面臨著很多方面的挑戰(zhàn)，需求尋找滿足客戶的解決方案。申請?zhí)?201210238234.0的中國專利文獻報道了一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管，具體內(nèi)容為:本實用新型涉及機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管。本實用新型要克服現(xiàn)有技術(shù)存在的拆裝更換不方便和工作效率低的問題，現(xiàn)采用的技術(shù)方案是:一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管，包括MOS晶體管集成電路、雙極性晶體管、參雜類源漏區(qū)，所述MOS晶體管集成電路末端面安裝有漏源電壓區(qū)；所述漏源電壓區(qū)上端面設(shè)置有溝道通電電阻;所述溝道通電電阻外部有MOS管導通工作區(qū)；所述MOS管導通工作區(qū)鑲嵌著MOS管導通非飽和區(qū)；所述MOS管導通非飽和區(qū)通過導線連接著擴展柵導電溝道;所述擴展柵導電溝道下端設(shè)置著正電荷空穴。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的優(yōu)點是:更換方便，使用簡便，提高了工作效率。本新型結(jié)構(gòu)含有上述專利有的優(yōu)點，但是上述專利對自動機配件未結(jié)合實際生產(chǎn)線，做到自動控制。綜上所述，所以我設(shè)計了一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述存在的問題，本實用新型提供一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管。
[0004]本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
[0005]—種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管，包括MOS晶體管集成電路、雙極性晶體管、參雜類源漏區(qū)，所述MOS晶體管集成電路末端面安裝有漏源電壓區(qū)；所述漏源電壓區(qū)上端面設(shè)置有溝道通電電阻;所述溝道通電電阻外部有MOS管導通工作區(qū)；所述MOS管導通工作區(qū)鑲嵌著MOS管導通非飽和區(qū)；所述MOS管導通非飽和區(qū)通過導線連接著擴展柵導電溝道;所述擴展柵導電溝道下端設(shè)置著正電荷空穴。
[0006]作為本實用新型的進一步優(yōu)化方案，所述的一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管，其特征在于:所述正電荷空穴設(shè)置在所述晶體管反形材料的旁邊;所述晶體管反形材料旁安裝有開關(guān)電感電流線。
[0007]作為本實用新型的進一步優(yōu)化方案，所述開關(guān)電感電流線通過導線與二氧化硅式電介物質(zhì)互相連接;所述二氧化硅式電介物質(zhì)連接離子化雜質(zhì)原子;所述離子化雜質(zhì)原子上端設(shè)置著所述雙極性晶體管。
[0008]與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是:本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計合理、操作簡便，有效的將自動機結(jié)合生產(chǎn)實際，實現(xiàn)了機械高端技術(shù)，而且生產(chǎn)成本較低，適合運用推廣。
【附圖說明】
[0009]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)主視圖；
[0010]圖2是本實用新型的結(jié)構(gòu)左視圖。
[0011]圖中:1、M0S晶體管集成電路;2、雙極性晶體管;3、參雜類源漏區(qū)；4、漏源電壓區(qū)；
5、溝道通電電阻；6、M0S管導通工作區(qū)；7、M0S管導通非飽和區(qū)；8、擴展柵導電溝道;9、正電荷空穴；1、晶體管反形材料；11、開關(guān)電感電流線；12、二氧化硅式電介物質(zhì)；13、離子化雜質(zhì)原子;14、柵極氧化層。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖與【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述:
[0013]如圖1、圖2所示，一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管，包括MOS晶體管集成電路(I)、雙極性晶體管(2)、參雜類源漏區(qū)(3)，所述MOS晶體管集成電路(I)末端面安裝有漏源電壓區(qū)(4);所述漏源電壓區(qū)(4)上端面設(shè)置有溝道通電電阻(5);所述溝道通電電阻(5)外部有MOS管導通工作區(qū)(6);所述MOS管導通工作區(qū)(6)鑲嵌著MOS管導通非飽和區(qū)
(7);所述MOS管導通非飽和區(qū)(7)通過導線連接著擴展柵導電溝道(8);所述擴展柵導電溝道(8)下端設(shè)置著正電荷空穴(9)。所述正電荷空穴(9)設(shè)置在所述晶體管反形材料(10)的旁邊;所述晶體管反形材料(10)旁安裝有開關(guān)電感電流線(U)。所述開關(guān)電感電流線(11)通過導線與二氧化硅式電介物質(zhì)(12)互相連接;所述二氧化硅式電介物質(zhì)(12)連接著所述離子化雜質(zhì)原子(13);所述離子化雜質(zhì)原子(13)上端設(shè)置著所述雙極性晶體管(2)。所述雙極性晶體管(2)上端面連接著所述參雜類源漏區(qū)(3);所述參雜類源漏區(qū)(3)末端面連接有柵極氧化層(14)。
[0014]所述MOS晶體管集成電路末端面安裝有漏源電壓區(qū)；所述漏源電壓區(qū)上端面設(shè)置有溝道通電電阻;所述溝道通電電阻外部有MOS管導通工作區(qū)；所述MOS管導通工作區(qū)鑲嵌著MOS管導通非飽和區(qū)；所述MOS管導通非飽和區(qū)通過導線連接著擴展柵導電溝道;所述擴展柵導電溝道下端設(shè)置著正電荷空穴。
[0015]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項】
1.一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管，其特征在于:包括MOS晶體管集成電路、雙極性晶體管、參雜類源漏區(qū)，所述MOS晶體管集成電路末端面安裝有漏源電壓區(qū)；所述漏源電壓區(qū)上端面設(shè)置有溝道通電電阻;所述溝道通電電阻外部有MOS管導通工作區(qū)；所述MOS管導通工作區(qū)鑲嵌著MOS管導通非飽和區(qū)；所述MOS管導通非飽和區(qū)通過導線連接著擴展柵導電溝道;所述擴展柵導電溝道下端設(shè)置著正電荷空穴。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管，其特征在于:所述正電荷空穴設(shè)置在所述晶體管反形材料的旁邊;所述晶體管反形材料旁安裝有開關(guān)電感電流線。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管，其特征在于:所述開關(guān)電感電流線通過導線與二氧化娃式電介物質(zhì)互相連接;所述二氧化娃式電介物質(zhì)連接離子化雜質(zhì)原子;所述離子化雜質(zhì)原子上端設(shè)置著所述雙極性晶體管。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管，其特征在于;所述雙極性晶體管上端面連接著所述參雜類源漏區(qū)；所述參雜類源漏區(qū)末端面連接有柵極氧化層。
【專利摘要】本實用新型公開了一種應(yīng)用于機械設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域的二級MOS晶體管，包括MOS晶體管集成電路、雙極性晶體管、參雜類源漏區(qū)，所述MOS晶體管集成電路末端面安裝有漏源電壓區(qū)；所述漏源電壓區(qū)上端面設(shè)置有溝道通電電阻；所述溝道通電電阻外部有MOS管導通工作區(qū)；所述MOS管導通工作區(qū)鑲嵌著MOS管導通非飽和區(qū)；所述MOS管導通非飽和區(qū)通過導線連接著擴展柵導電溝道；所述擴展柵導電溝道下端設(shè)置著正電荷空穴。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計合理、操作簡便，有效的將MOS管結(jié)合生產(chǎn)實際，實現(xiàn)了高科技水平，而且生產(chǎn)成本較低，適合運用推廣。
【IPC分類】H01L29/70, H01L29/78, H01L29/06
【公開號】CN205264707
【申請?zhí)枴緾N201520459942
【發(fā)明人】黎國偉
【申請人】廣州貝禾電子科技有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年7月1日