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      石英舟的制作方法

      文檔序號:10423070閱讀:579來源:國知局
      石英舟的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及太陽能電池制造領(lǐng)域,尤其涉及石英舟。
      【背景技術(shù)】
      [0002]石英玻璃制品以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性,被廣泛應(yīng)用于微電子產(chǎn)業(yè)集成電路芯片制造業(yè)。石英玻璃是以含二氧化硅物質(zhì),如水晶、硅石。四氧化硅為原料高溫熔制而成。其二氧化硅含量比普通玻璃高得多,一般石英玻璃二氧化硅含量在99.999%,石英玻璃制品的純凈度也非常高,即使在高溫狀態(tài)下,也不會向外釋放雜質(zhì)微粒。石英玻璃還具有優(yōu)異的光學(xué)性能,不僅可見光透光度特別好,而且透紫外線,紅外線。
      [0003]太陽能電池片制造領(lǐng)域中,擴(kuò)散工序采用高溫長時間將雜質(zhì)原子擴(kuò)散進(jìn)硅片中,整體耗能較高。傳統(tǒng)的擴(kuò)散工序使用的石英舟用于放置硅片,石英舟的槽數(shù)為100槽,由于石英舟槽數(shù)目較少,單次擴(kuò)散工序能夠完成的硅片數(shù)量相應(yīng)較少,擴(kuò)散工序耗能較高。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0004]本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題是提供了一種擴(kuò)散工序能耗低的石英舟。
      [0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:石英舟,包括支撐腿、設(shè)置在支撐腿上的石英框架以及設(shè)置在石英框架上的上層石英柱組以及下層石英柱組,上層石英柱組包括兩根水平設(shè)置的上石英柱,兩根上石英柱開設(shè)有槽口相對的上石英舟槽;下層石英柱組包括兩根水平設(shè)置的下石英柱,下石英柱開設(shè)有開口向上的且與上石英舟槽對應(yīng)的下石英舟槽;上石英舟槽彼此平行且等距,上石英舟槽的數(shù)量為25?500個;下石英舟槽彼此平行且等距,下石英舟槽的數(shù)量與上石英舟槽的數(shù)量相同。
      [0006]硅片放置在下石英柱的下石英舟槽以及上層石英柱的上石英舟槽內(nèi),相對于傳統(tǒng)的100槽的石英舟,石英舟單次擴(kuò)散工序能夠完成的硅片數(shù)量增多,在不增加時間以及耗能的條件下,最多將產(chǎn)能提升400%,能夠降低耗能。
      [0007]進(jìn)一步的是:所述上石英柱以及下石英柱與石英框架焊接連接。
      [0008]進(jìn)一步的是:所述上石英舟槽的深度為2.5?4毫米,所述下石英舟槽的深度為2.5?4毫米。
      [0009]本實(shí)用新型的有益效果是:硅片放置在下層石英柱組的下石英舟槽內(nèi),上層石英柱組的上石英舟槽用于對硅片定位,保持硅片的整齊。相對于傳統(tǒng)的100槽的石英舟,本實(shí)用新型的石英舟單次擴(kuò)散工序能夠完成的硅片數(shù)量增多,在不增加時間以及耗能的條件下,最多將產(chǎn)能提升400%,能夠降低耗能。
      【附圖說明】
      [00?0]圖1為石英舟主視圖不意圖;
      [00?1 ]圖2為石英舟左視圖不意圖;
      [0012]圖3為上石英柱示意圖;
      [0013]圖4為上石英柱俯視圖不意圖;
      [0014]圖中標(biāo)記為:支撐腿I,石英框架2,上石英柱3,上石英舟槽31,下石英柱4,下石英舟槽41。
      【具體實(shí)施方式】
      [0015]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型進(jìn)一步加以說明。
      [0016]如圖1至圖4所示,石英舟,包括支撐腿1、設(shè)置在支撐腿I上的石英框架2以及設(shè)置在石英框架2上的上層石英柱組以及下層石英柱組,上層石英柱組包括兩根水平設(shè)置的上石英柱3,兩根上層石英柱開設(shè)有槽口相對的上石英舟槽31;下層石英柱組包括兩根水平設(shè)置的下石英柱4,下石英柱4開設(shè)有開口向上的且與上石英舟槽31對應(yīng)的下石英舟槽41;石英舟用于放置硅片,下石英柱4開設(shè)有開口向上的且與上石英舟槽31對應(yīng)的下石英舟槽41,硅片放置在下層石英柱組的下石英舟槽41內(nèi),上層石英柱組的上石英舟槽31用于對硅片定位,保持硅片的整齊。所述上石英舟槽31彼此平行且等距,上石英舟槽31的數(shù)量為25?500個;下石英舟槽41彼此平行且等距,下石英舟槽41的數(shù)量與上石英舟槽31的數(shù)量相同;25?500個上石英舟槽31以及下石英舟槽41對應(yīng)設(shè)置,硅片通過下石英舟槽41和上石英舟槽31被承載在石英舟上;相對于傳統(tǒng)的100槽的石英舟,本實(shí)用新型的石英舟單次擴(kuò)散工序能夠完成的硅片數(shù)量增多,在不增加時間以及耗能的條件下,將產(chǎn)能提升400%,能夠降低耗能。具體的,可以根據(jù)不同的使用需要設(shè)置相應(yīng)數(shù)量的上石英舟槽31以及下石英舟槽41的數(shù)量,可以是上石英舟槽31以及下石英舟槽41均為25個或者500個或者25?500期間任意數(shù)值的數(shù)量。
      [0017]所述上石英柱3以及下石英柱4與石英框架2焊接連接;采用氫氧焰焊接,將上層石英柱3以及下層石英柱4與石英框架2焊接在一起,連接牢固,生產(chǎn)方便且美觀。
      [0018]所述上石英舟槽31的深度為2.5?4毫米,所述下石英舟槽41的深度為2.5?4毫米;硅片卡在下石英舟槽41以及上石英舟槽31內(nèi),上石英舟槽31以及下石英舟槽41的深度為2.5?4毫米,使得硅片的放置方便,且硅片可以穩(wěn)固的位于石英舟上。
      [0019]本實(shí)用新型的石英舟,用于放置硅片,硅片放置在下層石英柱組的下石英舟槽內(nèi),上層石英柱組的上石英舟槽用于對硅片定位,保持硅片的整齊。相對于傳統(tǒng)的100槽的石英舟,本實(shí)用新型的石英舟單次擴(kuò)散工序能夠完成的硅片數(shù)量增多,在不增加時間以及耗能的條件下,最多將產(chǎn)能提升400%,能夠降低耗能。具體的,可以根據(jù)不同的使用需要設(shè)置相應(yīng)數(shù)量的上石英舟槽以及下石英舟槽的數(shù)量。本實(shí)用新型的石英舟可承受1300攝氏度的高溫O
      [0020]以上所述的【具體實(shí)施方式】,對本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】而已,并不用于限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.石英舟,其特征在于:包括支撐腿、設(shè)置在支撐腿上的石英框架以及設(shè)置在石英框架上的上層石英柱組以及下層石英柱組,上層石英柱組包括兩根水平設(shè)置的上石英柱,兩根上石英柱開設(shè)有槽口相對的上石英舟槽;下層石英柱組包括兩根水平設(shè)置的下石英柱,下石英柱開設(shè)有開口向上的且與上石英舟槽對應(yīng)的下石英舟槽;上石英舟槽彼此平行且等距,上石英舟槽的數(shù)量為25?500個;下石英舟槽彼此平行且等距,下石英舟槽的數(shù)量與上石英舟槽的數(shù)量相同。2.如權(quán)利要求1所述的石英舟,其特征在于:所述上石英柱以及下石英柱與石英框架焊接連接。3.如權(quán)利要求1或2所述的石英舟,其特征在于:所述上石英舟槽的深度為2.5?4毫米,所述下石英舟槽的深度為2.5?4毫米。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種石英舟,包括支撐腿、設(shè)置在支撐腿上的石英框架以及設(shè)置在石英框架上的上層石英柱組以及下層石英柱組,上層石英柱組包括兩根水平設(shè)置的上石英柱,兩根上石英柱開設(shè)有槽口相對的上石英舟槽;下層石英柱組包括兩根水平設(shè)置的下石英柱,下石英柱開設(shè)有開口向上的且與上石英舟槽對應(yīng)的下石英舟槽;上石英舟槽彼此平行且等距,上石英舟槽的數(shù)量為25~500個;下石英舟槽彼此平行且等距,下石英舟槽的數(shù)量與上石英舟槽的數(shù)量相同;硅片放置在下石英舟槽以及上石英舟槽內(nèi),相對于傳統(tǒng)的100槽的石英舟,本實(shí)用新型的石英舟單次擴(kuò)散工序能夠完成的硅片數(shù)量增多,在不增加時間以及耗能的條件下,最多將產(chǎn)能提升400%,能夠降低耗能。
      【IPC分類】H01L31/18, H01L21/673
      【公開號】CN205335282
      【申請?zhí)枴緾N201620058709
      【發(fā)明人】宋賢
      【申請人】蘇州市富同石英科技有限公司
      【公開日】2016年6月22日
      【申請日】2016年1月21日
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