腳距抑制磁干擾的電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電容器，具體而言，涉及一種腳距抑制磁干擾的電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]電容器是電子設(shè)備中被廣泛應(yīng)用的一種電子元件，根據(jù)材料的不同，目前所使用的電容器又包括了瓷質(zhì)電容器、云母電容器、有機(jī)電容器和電解電容器等等。這其中，特別對于瓷質(zhì)電容器，為了抑制電磁的干擾，安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)對于電容器的爬電距離(即引腳間的距離)作出了規(guī)定，需要至少為10.0mm。
[0003]目前的電容器受限于其結(jié)構(gòu)，無法進(jìn)一步地將爬電距離做大，只能將距離控制在10.0mm+/-l.0mm，無法盡量地將爬電距離做大，從而便會對使用者在使用上的安全性和便利性造成影響。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種腳距抑制磁干擾的電容器，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中爬電距離偏小的問題，從而消除爬電距離偏小對使用上安全性和便利性所造成的影響，有效地抑制磁干擾。
[0005]本實(shí)用新型提供了一種腳距抑制磁干擾的電容器，包括呈圓餅狀的芯片部，其還包括:
[0006]第一引腳部，其固定連接于芯片部的頂面，第一引腳部沿著頂面的徑向向外延伸形成第一引腳部的第一徑向延伸部，第一徑向延伸部的自由端折彎后繼續(xù)沿著垂直方向延伸形成第一引腳部的第一垂直延伸部；
[0007]第二引腳部，其相對第一引腳部固定連接于芯片部的底面，第二引腳部沿著底面的徑向向外延伸形成第二引腳部的第二徑向延伸部，第二徑向延伸部的自由端折彎后繼續(xù)沿著垂直方向延伸形成第二引腳部的第二垂直延伸部，第二徑向延伸部與第一徑向延伸部形成“八”字形或者“X”字形結(jié)構(gòu)，第二垂直延伸部與第一垂直延伸部相互平行。
[0008]進(jìn)一步地，上述第二垂直延伸部與第一垂直延伸部之間的間距為12-13mm。
[0009]進(jìn)一步地，上述第二垂直延伸部與第一垂直延伸部之間的間距為12.5mm。
[0010]進(jìn)一步地，上述第一引腳部位于頂面上的一端部偏心設(shè)置于頂面上。
[0011]進(jìn)一步地，上述第二引腳部位于底面上的一端部偏心設(shè)置于底面上。
[0012]進(jìn)一步地，上述第一徑向延伸部在接近第一垂直延伸部的一端具有弧形的第一拱起部，第二徑向延伸部在接近第二垂直延伸部的一端具有弧形的第二拱起部。
[0013]本實(shí)用新型提供的腳距抑制磁干擾的電容器，通過設(shè)置具有第一徑向延伸部和第一垂直延伸部的第一引腳部、以及具有第二徑向延伸部和第二垂直延伸部的第二引腳部，同時設(shè)置第二徑向延伸部與第一徑向延伸部形成“八”字形或者“X”字形結(jié)構(gòu)、第二垂直延伸部與第一垂直延伸部相互平行，使得第一引腳部和第二引腳部的間距(即爬電距離)可以盡量地做大，從而可以盡量地將爬電距離做大，使得電容器在使用上的安全性和便利性獲得提高，有效地抑制磁干擾。
【附圖說明】
[0014]通過閱讀下文優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實(shí)施方式的目的，而并不認(rèn)為是對本實(shí)用新型的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中:
[0015]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的腳距抑制磁干擾的電容器在主視角度下的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的腳距抑制磁干擾的電容器在側(cè)視角度下的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開的示例性實(shí)施例。雖然附圖中顯示了本公開的示例性實(shí)施例，然而應(yīng)當(dāng)理解，可以以各種形式實(shí)現(xiàn)本公開而不應(yīng)被這里闡述的實(shí)施例所限制。相反，提供這些實(shí)施例是為了能夠更透徹地理解本公開，并且能夠?qū)⒈竟_的范圍完整的傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
[0018]參見圖1至圖2，圖中示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的腳距抑制磁干擾的電容器的優(yōu)選結(jié)構(gòu)。該腳距抑制磁干擾的電容器包括呈圓餅狀的芯片部I以及第一引腳部2和第二引腳部3，該芯片部I在一些常見的結(jié)構(gòu)中可以包括有陶瓷芯片13和分設(shè)于該陶瓷芯片13兩側(cè)面的電極14，芯片部I的外部包覆有樹脂等材料制成的包封皮15;作為其中的改進(jìn)之處，第一引腳部2固定連接于芯片部I的頂面11上(即其中一電極14上)，第一引腳部2沿著頂面11的徑向向外延伸形成第一引腳部2的第一徑向延伸部21，第一徑向延伸部21的自由端折彎后繼續(xù)沿著垂直方向延伸形成第一引腳部2的第一垂直延伸部22，第二引腳部3相對第一引腳部2固定連接于芯片部I的底面12(即另一電極14上)，第二引腳部3沿著底面12的徑向向外延伸形成第二引腳部3的第二徑向延伸部31，第二徑向延伸部31的自由端折彎后繼續(xù)沿著垂直方向延伸形成第二引腳部3的第二垂直延伸部32，第二徑向延伸部31與第一徑向延伸部21形成“X”字形結(jié)構(gòu)，第二垂直延伸部32與第一垂直延伸部22相互平行。
[0019]其中，在第二徑向延伸部31與第一徑向延伸部21的端部不相交的情況之下，第二徑向延伸部31與第一徑向延伸部21也可以形成“八”字形結(jié)構(gòu)。
[0020]本實(shí)施例所提供的腳距抑制磁干擾的電容器，通過設(shè)置具有第一徑向延伸部和第一垂直延伸部的第一引腳部、以及具有第二徑向延伸部和第二垂直延伸部的第二引腳部，同時設(shè)置第二徑向延伸部與第一徑向延伸部形成“八”字形或者“X”字形結(jié)構(gòu)、第二垂直延伸部與第一垂直延伸部相互平行，使得第一引腳部和第二引腳部的間距(即爬電距離)可以盡量地做大，從而可以盡量地將爬電距離做大，使得電容器在使用上的安全性和便利性獲得提高，有效地抑制磁干擾。
[0021]參見圖1，為了便于走電的順暢，還可以將第一徑向延伸部21和第一垂直延伸部22之間通過弧角過渡，第二徑向延伸部31和第二垂直延伸部32之間同樣通過弧角過渡。
[0022]繼續(xù)參見圖1，第一垂直延伸部22和第二垂直延伸部32之間還通過連接段4，同樣為了便于走電的順暢，連接段4與第一垂直延伸部22和第二垂直延伸部32之間的轉(zhuǎn)角也可以做成弧角。
[0023]參見圖2，第一徑向延伸部21在接近第一垂直延伸部22的一端還具有弧形的第一拱起部23，第二徑向延伸部31在接近第二垂直延伸部32的一端還具有弧形的第二拱起部33，可以使得爬電距離獲得進(jìn)一步的擴(kuò)大。
[0024]在采用上述的結(jié)構(gòu)之后，第二垂直延伸部32與第一垂直延伸部22之間的將優(yōu)選的間距左側(cè)了 12-13mm之間，其中優(yōu)選的為12.5mm，使得本電容器可以獲得更佳的爬電距離，保證更優(yōu)的安全性和便利性。
[0025]繼續(xù)參見圖1，第一引腳部2位于頂面11上的一端部偏心設(shè)置于頂面11上，使得第一引腳部2的固定更為牢靠，具體可以通過錫料進(jìn)行焊錫固定，也使得第一引腳部2的第一徑向延伸部21可以盡量做長，從而使得弓I腳間的間距可以進(jìn)一步地?cái)U(kuò)大。
[0026]繼續(xù)參見圖1，第二引腳部3位于底面12上的一端部偏心設(shè)置于底面12上，使得第二引腳部3的固定更為牢靠，具體可以通過錫料進(jìn)行焊錫固定，也使得第二引腳部3的第二徑向延伸部31可以盡量做長，從而使得引腳件的間距可以進(jìn)一步地?cái)U(kuò)大。
[0027]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.腳距抑制磁干擾的電容器，包括呈圓餅狀的芯片部(I)，其特征在于，還包括: 第一引腳部(2)，其固定連接于所述芯片部(I)的頂面(11)，所述第一引腳部(2)沿著所述頂面(11)的徑向向外延伸形成所述第一引腳部(2)的第一徑向延伸部(21)，所述第一徑向延伸部(21)的自由端折彎后繼續(xù)沿著垂直方向延伸形成所述第一引腳部(2)的第一垂直延伸部(22); 第二引腳部(3)，其相對所述第一引腳部(2)固定連接于所述芯片部(I)的底面(12)，所述第二引腳部(3)沿著所述底面(12)的徑向向外延伸形成所述第二引腳部(3)的第二徑向延伸部(31)，所述第二徑向延伸部(31)的自由端折彎后繼續(xù)沿著垂直方向延伸形成所述第二引腳部(3)的第二垂直延伸部(32)，所述第二徑向延伸部(31)與所述第一徑向延伸部(21)形成“八”字形或者“X”字形結(jié)構(gòu)，所述第二垂直延伸部(32)與所述第一垂直延伸部(22)相互平行。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腳距抑制磁干擾的電容器，其特征在于，所述第二垂直延伸部(32)與所述第一垂直延伸部(22)之間的間距為12-13_。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腳距抑制磁干擾的電容器，其特征在于，所述第二垂直延伸部(32)與所述第一垂直延伸部(22)之間的間距為12.5_。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腳距抑制磁干擾的電容器，其特征在于，所述第一引腳部(2)位于所述頂面(11)上的一端部偏心設(shè)置于所述頂面(11)上。5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的腳距抑制磁干擾的電容器，其特征在于，所述第二引腳部(3)位于所述底面(12)上的一端部偏心設(shè)置于所述底面(12)上。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腳距抑制磁干擾的電容器，其特征在于，所述第一徑向延伸部(21)在接近所述第一垂直延伸部(22)的一端具有弧形的第一拱起部(23)，所述第二徑向延伸部(31)在接近所述第二垂直延伸部(32)的一端具有弧形的第二拱起部(33)。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種腳距抑制磁干擾的電容器，包括呈圓餅狀的芯片部，其還包括：第一引腳部，其具有第一徑向延伸部和第一垂直延伸部；第二引腳部，其具有第二徑向延伸部和第二垂直延伸部，第二徑向延伸部與第一徑向延伸部形成“X”字形結(jié)構(gòu)，第二垂直延伸部與第一垂直延伸部相互平行。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)中爬電距離偏小的問題，從而消除了爬電距離偏小對使用上安全性和便利性所造成的影響，有效地抑制磁干擾。
【IPC分類】H01G4/236
【公開號】CN205354880
【申請?zhí)枴緾N201521069464
【發(fā)明人】程傳波, 石怡, 吳偉, 胡鵬, 楊必祥
【申請人】昆山萬盛電子有限公司
【公開日】2016年6月29日
【申請日】2015年12月21日