国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      散熱裝置的制造方法

      文檔序號(hào):10464111閱讀:299來源:國(guó)知局
      散熱裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種散熱裝置,特別是涉及一種用于中央處理器模組件的散熱裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,電子產(chǎn)品內(nèi)部裝設(shè)的各種電氣元件也日益增多,例如芯片、電源供應(yīng)器、磁盤機(jī)、光盤機(jī)等。由于每個(gè)電氣元件在運(yùn)作過程中都會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)大的熱量,因此,如何有效地解決電子產(chǎn)品內(nèi)部的散熱,避免影響其正常運(yùn)行是必須盡快解決的問題。
      [0003]在各種電氣元件中,尤其需要注意排除中央處理器芯片所產(chǎn)生的熱量,并且隨著其運(yùn)算速度加快,中央處理器芯片產(chǎn)生的熱量甚至高達(dá)四十瓦以上,因此,電子產(chǎn)品內(nèi)部除了裝有現(xiàn)有外吹式的風(fēng)扇外,還在中央處理器附近增設(shè)一小型風(fēng)扇組,配合相關(guān)的散熱元件,以確保中央處理器在適當(dāng)?shù)臏囟认鹿ぷ鳌?br>[0004]然而,現(xiàn)有的芯片板件型號(hào)不同,除了針對(duì)中央處理器散熱以外,對(duì)其它電氣器件只能依靠統(tǒng)一的風(fēng)扇進(jìn)行散熱,兩個(gè)散熱機(jī)構(gòu)配合散熱,雖增加了散熱效率,卻加大了散熱成本,當(dāng)只需一個(gè)散熱機(jī)構(gòu),其散熱效率又不佳。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本實(shí)用新型的目的在于提供一種散熱裝置,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片板件散熱不佳的問題。
      [0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型提供一種散熱裝置,包括:
      [0007]基板、散熱片與散熱風(fēng)扇,所述散熱片設(shè)置在所述基板上,所述散熱風(fēng)扇安裝于散熱片上,其中,所述基板為一體式結(jié)構(gòu),所述基板接觸芯片板件的一側(cè)沖壓有第一凹?jí)K、第二凹?jí)K、第三凹?jí)K、第四凹?jí)K和第五凹?jí)K,所述第一凹?jí)K至第五凹?jí)K組拼為整個(gè)基板,且各個(gè)凹?jí)K高度不同,所述第一凹?jí)K與所述第三凹?jí)K各設(shè)一個(gè)通孔,所述散熱片上設(shè)有多個(gè)呈拱狀的溝槽,所述散熱片遠(yuǎn)離的溝槽的一端通過所述通孔連接所述基板。
      [0008]優(yōu)選地,所述散熱片的四角各設(shè)一個(gè)固定孔。
      [0009]優(yōu)選地,所述固定孔上端為圓錐型,該圓錐孔對(duì)應(yīng)的角度為90度。
      [0010]優(yōu)選地,所述第一凹?jí)K的高度為0.3mm。
      [0011 ]優(yōu)選地,所述第二凹?jí)K與第三凹?jí)K的高度為1.7mm。
      [0012]優(yōu)選地,所述第四凹?jí)K的高度為0.8mm。
      [0013]優(yōu)選地,所述第五凹?jí)K的高度為0.6mm。
      [0014]優(yōu)選地,所述溝槽的寬帶為2?5mm。
      [0015]優(yōu)選地,所述基板通過導(dǎo)熱硅膠固定在所述芯片板件上。
      [0016]如上所述,本實(shí)用新型的散熱裝置,具有以下有益效果:
      [0017]按照芯片板件芯片型號(hào)不同,設(shè)置散熱裝置中基板為深度高低不同的凹?jí)K,使用導(dǎo)熱硅膠將基板與芯片板件接觸,增大了散熱接觸面積,在相同的散熱裝置下,提高了散熱的效率。
      【附圖說明】
      [0018]圖1顯示為本實(shí)用新型散熱裝置結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0019]圖2顯示為本實(shí)用新型散熱裝置中基板的俯視圖;
      [0020]圖3顯示為本實(shí)用新型散熱裝置中基板的側(cè)視圖。
      [0021]元件標(biāo)號(hào)說明
      [0022]I 基板
      [0023]2 散熱片
      [0024]3 芯片板件
      [0025]4 通孔
      [0026]5 固定孔
      [0027]6 第一凹?jí)K
      [0028]7 第二凹?jí)K
      [0029]8 第三凹?jí)K
      [0030]9 第四凹?jí)K
      [0031]10 第五凹?jí)K
      【具體實(shí)施方式】
      [0032]以下由特定的具體實(shí)施例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式,熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
      [0033]請(qǐng)參閱圖1至圖3。須知,本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容,以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀,并非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的限定條件,故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義,任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整,在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下,均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí),本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語(yǔ),亦僅為便于敘述的明了,而非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的范圍,其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整,在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下,當(dāng)亦視為本實(shí)用新型可實(shí)施的范疇。
      [0034]請(qǐng)參閱圖1至圖3,本實(shí)用新型提供一種本實(shí)用新型散熱裝置結(jié)構(gòu)示意圖,包括:
      [0035]基板1、散熱片2與散熱風(fēng)扇,所述散熱片2設(shè)置在所述基板I上,所述散熱風(fēng)扇安裝于散熱片2上,所述基板I通過導(dǎo)熱硅膠固定在所述芯片板件3上。所述散熱片2的四角各設(shè)一個(gè)固定孔5。所述固定孔5上端為圓錐型,該圓錐孔對(duì)應(yīng)的角度為90度,該圓錐角度更易固定,通過所述固定孔5進(jìn)一步加固基板I固定至芯片板件3,防止其掉落。其中,所述基板I為一體式結(jié)構(gòu),所述基板I接觸芯片板件3的一側(cè)沖壓有第一凹?jí)K6、第二凹?jí)K7、第三凹?jí)K8、第四凹?jí)K9和第五凹?jí)K10,所述第一凹?jí)K6至第五凹?jí)K10組拼為整個(gè)基板1,且各個(gè)凹?jí)K高度不同,所述第一凹?jí)K6與所述第三凹?jí)K8各設(shè)一個(gè)通孔4,所述第一凹?jí)K6至第五凹?jí)K10的高度為0.3mm、1.7mm、1.7mm、0.8mm、0.6mm,所述散熱片2上設(shè)有多個(gè)呈拱狀的溝槽,所述溝槽的寬度為2?5mm,所述散熱片2遠(yuǎn)離的溝槽的一端通過所述通孔4連接所述基板1,散熱風(fēng)扇通過散熱片2的溝槽將大部分熱量散走,從根本杜絕了只導(dǎo)熱某個(gè)芯片部件的現(xiàn)象,提升了散熱效率。
      [0036]綜上所述,本實(shí)用新型按照芯片板件3芯片型號(hào)不同,設(shè)置散熱裝置中基板I為深度高低不同的凹?jí)K,使用導(dǎo)熱硅膠將基板I與芯片板件3接觸,增大了散熱接觸面積,在相同的散熱裝置下,提高了散熱的效率。所以,本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
      [0037]上述實(shí)施例僅例示性說明本實(shí)用新型的原理及其功效,而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下,對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此,舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變,仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種散熱裝置,其特征在于,包括:基板、散熱片與散熱風(fēng)扇,所述散熱片設(shè)置在所述基板上,所述散熱風(fēng)扇安裝于散熱片上,其中,所述基板為一體式結(jié)構(gòu),所述基板接觸芯片板件的一側(cè)沖壓有第一凹?jí)K、第二凹?jí)K、第三凹?jí)K、第四凹?jí)K和第五凹?jí)K,所述第一凹?jí)K至第五凹?jí)K組拼為整個(gè)基板,且各個(gè)凹?jí)K高度不同,所述第一凹?jí)K與所述第三凹?jí)K各設(shè)一個(gè)通孔,所述散熱片上設(shè)有多個(gè)呈拱狀的溝槽,所述散熱片遠(yuǎn)離的溝槽的一端通過所述通孔連接所述基板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,所述散熱片的四角各設(shè)一個(gè)固定孔。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的散熱裝置,其特征在于,所述固定孔上端為圓錐型,該圓錐孔對(duì)應(yīng)的角度為90度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,所述第一凹?jí)K的高度為0.3mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,所述第二凹?jí)K與第三凹?jí)K的高度為1.7mm06.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,所述第四凹?jí)K的高度為0.8_。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,所述第五凹?jí)K的高度為0.6mm。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,所述溝槽的寬帶為2?5mm。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,所述基板通過導(dǎo)熱硅膠固定在所述芯片板件上。
      【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種散熱裝置,包括:基板、散熱片與散熱風(fēng)扇,所述散熱片設(shè)置在所述基板上,所述散熱風(fēng)扇安裝于散熱片上,其中,所述基板為一體式結(jié)構(gòu),所述基板接觸芯片板件的一側(cè)沖壓有第一凹?jí)K、第二凹?jí)K、第三凹?jí)K、第四凹?jí)K和第五凹?jí)K,所述第一凹?jí)K至第五凹?jí)K組拼為整個(gè)基板,且各個(gè)凹?jí)K高度不同,所述第一凹?jí)K與所述第三凹?jí)K各設(shè)一個(gè)通孔,所述散熱片上設(shè)有多個(gè)呈拱狀的溝槽,所述散熱片遠(yuǎn)離的溝槽的一端通過所述通孔連接所述基板。通過各個(gè)凹?jí)K的高低深度不同,通過硅膠增大各個(gè)凹?jí)K與芯片板件的接觸面,在不增加散熱風(fēng)扇的基礎(chǔ)上,通過增加接觸面,提升了芯片板件的散熱效率。
      【IPC分類】H01L23/367, H01L23/467, H05K7/20
      【公開號(hào)】CN205376499
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521002367
      【發(fā)明人】張秀宏, 龔偉, 羅賢峰, 但炳木
      【申請(qǐng)人】重慶臻遠(yuǎn)電氣有限公司
      【公開日】2016年7月6日
      【申請(qǐng)日】2015年12月4日
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
      1