一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層。
【背景技術(shù)】
[0002]對于功率晶體管來說，背面金屬層對它有著至關(guān)重要的影響。背面金屬化有對功率晶體管有兩方面的作用，其一是能夠讓較大的電流通過，產(chǎn)生很低的熱量。其二是能夠把功率晶體管在工作過程中集電極所產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)到框架上。因此背面金屬化對功率晶體管在使用過程中的可靠性有著很大的影響。大功率晶體管對背面金屬層的要求要有低的接觸電阻、熱應(yīng)力小、可靠性好。目前的金屬化層存在著與芯片接觸不好，熱阻較大，影響電流在器件中的分布，破壞器件的穩(wěn)定性甚至燒毀器件。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案:一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層，包括金屬層，所述金屬層通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底的表面，所述金屬層由歐姆接觸層、擴(kuò)散阻擋層、導(dǎo)電層、防氧化層和防焊層組成，所述歐姆接觸層通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底的表面，所述擴(kuò)散阻擋層通過磁控濺射緊密附著在歐姆接觸層的表面，所述導(dǎo)電層通過磁控濺射緊密附著在擴(kuò)散阻擋層的表面，所述防氧化層通過磁控濺射緊密附著在導(dǎo)電層的表面，所述防焊層通過磁控濺射緊密附著在防氧化層的表面。
[0005]本實用新型的技術(shù)效果和優(yōu)點:該高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層由于設(shè)置歐姆接觸層，并且歐姆接觸層是由鈦、釩和鉻金屬形成，其與硅的浸潤性好，而且與硅的接觸電阻低而且是低勢皇電勢，較之傳統(tǒng)的鎳鉻合金層使器件的散熱均勻，而且熱阻小;設(shè)置的擴(kuò)散阻擋層，可以防止歐姆接觸層與導(dǎo)電層之間的相互滲透、擴(kuò)散和反應(yīng)形成有害的高阻化合物，使得歐姆接觸層與導(dǎo)電層可以各自獨(dú)立的行使自己的功能，維持著器件的穩(wěn)定性，使得器件可以正常的運(yùn)轉(zhuǎn)工作。
【附圖說明】
[0006]圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)不意圖。
[0007]圖中:I硅片襯底、2金屬層、21歐姆接觸層、22擴(kuò)散阻擋層、23導(dǎo)電層、24防氧化層、25防焊層。
【具體實施方式】
[0008]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0009]本實用新型提供了如圖1所示的一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層，包括金屬層2，所述金屬層2通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底I的表面，所述金屬層2由歐姆接觸層21、擴(kuò)散阻擋層22、導(dǎo)電層23、防氧化層24和防焊層25組成，所述歐姆接觸層21通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底I的表面，所述歐姆接觸層21是由鈦、釩和鉻金屬形成的接觸層，其與硅的浸潤性好，而且與硅的接觸電阻低而且是低勢皇電勢，較之傳統(tǒng)的鎳鉻合金層使器件的散熱均勻，而且熱阻小，所述擴(kuò)散阻擋層22通過磁控濺射緊密附著在歐姆接觸層21的表面，所述擴(kuò)散阻擋層22是由鉻和銀金屬形成的阻擋層，可以防止歐姆接觸層21與導(dǎo)電層23之間的相互滲透、擴(kuò)散和反應(yīng)形成有害的高阻化合物，使得歐姆接觸層21與導(dǎo)電層23可以各自獨(dú)立的行使自己的功能，維持著器件的穩(wěn)定性，使得器件可以正常的運(yùn)轉(zhuǎn)工作，所述導(dǎo)電層23通過磁控濺射緊密附著在擴(kuò)散阻擋層22的表面，所述防氧化層24通過磁控濺射緊密附著在導(dǎo)電層23的表面，所述防焊層25通過磁控濺射緊密附著在防氧化層24的表面。
[0010]最后應(yīng)說明的是:以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，盡管參照前述實施例對本實用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層，包括金屬層(2)，所述金屬層(2)通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底(I)的表面，其特征在于:所述金屬層(2)由歐姆接觸層(21)、擴(kuò)散阻擋層(22)、導(dǎo)電層(23)、防氧化層(24)和防焊層(25)組成，所述歐姆接觸層(21)通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底(I)的表面，所述擴(kuò)散阻擋層(22)通過磁控濺射緊密附著在歐姆接觸層(21)的表面，所述導(dǎo)電層(23)通過磁控濺射緊密附著在擴(kuò)散阻擋層(22)的表面，所述防氧化層(24)通過磁控濺射緊密附著在導(dǎo)電層(23)的表面，所述防焊層(25)通過磁控濺射緊密附著在防氧化層(24)的表面。
【專利摘要】本實用新型公開了一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層，包括金屬層，所述金屬層由歐姆接觸層、擴(kuò)散阻擋層、導(dǎo)電層、防氧化層和防焊層組成，所述歐姆接觸層通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底的表面，所述擴(kuò)散阻擋層通過磁控濺射緊密附著在歐姆接觸層的表面，所述導(dǎo)電層通過磁控濺射緊密附著在擴(kuò)散阻擋層的表面，所述防氧化層通過磁控濺射緊密附著在導(dǎo)電層的表面，所述防焊層通過磁控濺射緊密附著在防氧化層的表面。由于設(shè)置歐姆接觸層，其與硅的浸潤性好，而且與硅的接觸電阻低而且是低勢壘電勢，較之傳統(tǒng)的鎳鉻合金層使器件的散熱均勻，而且熱阻小。
【IPC分類】H01L29/45
【公開號】CN205376531
【申請?zhí)枴緾N201521038049
【發(fā)明人】黃賽琴, 林勇, 黃國燦, 陳輪興
【申請人】福建安特微電子有限公司
【公開日】2016年7月6日
【申請日】2015年12月15日