一種高壓續(xù)流二極管模塊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種高壓續(xù)流二極管模塊，包括殼體和殼體相配合構(gòu)成腔體的底板，殼體上蓋有一蓋板，腔體內(nèi)設(shè)有一個(gè)高壓續(xù)流二極管組件，所述高壓續(xù)流二極管組件包括至少三個(gè)高壓續(xù)流二極管、絕緣基板、第一電極和第二電極，至少三個(gè)高壓續(xù)流二極管、絕緣基板和第一電極均設(shè)于底板上，第二電極設(shè)于絕緣基板上，高壓續(xù)流二極管包括一N型高摻雜硅襯底層、一第一N型摻雜半導(dǎo)體層、一第二N型摻雜半導(dǎo)體層、一二極管陽(yáng)極層，三個(gè)高壓續(xù)流二極管極性相同的N型高摻雜硅襯底層與第一電極相連；三個(gè)高壓續(xù)流二極管極性相同的二極管陽(yáng)極層與第二電極相連；第一電極和第二電極均引出所述蓋板。本實(shí)用新型提供的高壓續(xù)流二極管模塊提高了各二極管之間的回路電流的均流性。
【專利說(shuō)明】
一種高壓續(xù)流二極管模塊
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高壓續(xù)流二極管模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種變頻電路、斬波電路的應(yīng)用不斷擴(kuò)大，這些電力電子電路中的主回路不論是采用換流關(guān)斷的晶閘管，還是采用有自關(guān)斷能力的新型電力電子器件，都需要一個(gè)與之并聯(lián)的且反向恢復(fù)時(shí)間較短的二極管。為提高模塊的過(guò)電流能力、功率密度，模塊化封裝的HPSD(High pressure stream d1de，高壓續(xù)流二極管)采用并聯(lián)的方式，將多顆小電流二極管并聯(lián)，以得到大電流HPSD模塊。隨著電力技術(shù)的發(fā)展，需要并聯(lián)的二極管數(shù)量增多，如果均流性差，HPSD容易出現(xiàn)因過(guò)流擊穿損壞、失效的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種高壓續(xù)流二極管模塊，提高了各二極管之間的回路電流的均流性，提高了模塊穩(wěn)定性。
[0004]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種高壓續(xù)流二極管模塊，包括殼體和殼體相配合構(gòu)成腔體的底板，所述殼體上蓋有一蓋板，所述腔體內(nèi)設(shè)有一個(gè)高壓續(xù)流二極管組件，所述高壓續(xù)流二極管組件包括至少三個(gè)高壓續(xù)流二極管、絕緣基板、第一電極和第二電極，所述的至少三個(gè)高壓續(xù)流二極管、絕緣基板和第一電極均設(shè)于底板上，所述第二電極設(shè)于絕緣基板上，所述高壓續(xù)流二極管包括一 N型高摻雜硅襯底層、一第一 N型摻雜半導(dǎo)體層、一第二 N型摻雜半導(dǎo)體層、一二極管陽(yáng)極層，所述第一 N型摻雜半導(dǎo)體層位于第二 N型摻雜半導(dǎo)體層和N型高摻雜娃襯底層之間，所述二極管陽(yáng)極層位于第二 N型摻雜半導(dǎo)體層之上;三個(gè)高壓續(xù)流二極管極性相同的N型高摻雜硅襯底層與第一電極相連;三個(gè)高壓續(xù)流二極管極性相同的二極管陽(yáng)極層與第二電極相連;所述第一電極和第二電極均引出所述蓋板。
[0005]進(jìn)一步地，所述第一 N型摻雜半導(dǎo)體層和第二 N型摻雜半導(dǎo)體層的寬度均為5um至50umo
[0006]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:本實(shí)用新型的高壓續(xù)流二極管模塊，能夠避免高壓續(xù)流二極管模塊因內(nèi)部二極管不均流導(dǎo)致的擊穿損壞、失效問(wèn)題，從而提高各二極管之間的回路電流的均流性，提高高壓續(xù)流二極管模塊的穩(wěn)定性。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型的高壓續(xù)流二極管模塊剖面圖。
[0008]圖2為本實(shí)用新型高壓續(xù)流二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]請(qǐng)參閱圖1至圖2所示，本實(shí)用新型的一種高壓續(xù)流二極管模塊，包括殼體I和殼體I相配合構(gòu)成腔體的底板2，所述殼體I上蓋有一蓋板3，所述腔體內(nèi)設(shè)有一個(gè)高壓續(xù)流二極管組件4，所述高壓續(xù)流二極管組件4包括至少三個(gè)高壓續(xù)流二極管41、絕緣基板42、第一電極43和第二電極44，所述的至少三個(gè)高壓續(xù)流二極管41、絕緣基板42和第一電極43均設(shè)于底板上，所述第二電極44設(shè)于絕緣基板上，所述高壓續(xù)流二極管41包括一 N型高摻雜硅襯底層411、一第一 N型摻雜半導(dǎo)體層412、一第二 N型摻雜半導(dǎo)體層413、一二極管陽(yáng)極層414，所述第一N型摻雜半導(dǎo)體層412位于第二N型摻雜半導(dǎo)體層413和N型高摻雜娃襯底層411之間，所述二極管陽(yáng)極層414位于第二 N型摻雜半導(dǎo)體層413之上;三個(gè)高壓續(xù)流二極管極性相同的N型高摻雜硅襯底層411與第一電極43相連;三個(gè)高壓續(xù)流二極管極性相同的二極管陽(yáng)極層414與第二電極44相連;所述第一電極43和第二電極44均引出所述蓋板3。通過(guò)將三個(gè)高壓續(xù)流二極管極性相同的N型高摻雜硅襯底層411與第一電極43相連，且將三個(gè)高壓續(xù)流二極管極性相同的二極管陽(yáng)極層414與第二電極44相連，這樣能夠避免高壓續(xù)流二極管模塊因內(nèi)部二極管不均流導(dǎo)致的擊穿損壞、失效問(wèn)題。
[0010]其中，高壓續(xù)流二極管41的N型高摻雜硅襯底層411、第一N型摻雜半導(dǎo)體層412、第二N型摻雜半導(dǎo)體層413、二極管陽(yáng)極層414;形成一 “PNN-N+”的結(jié)構(gòu)，其中第一N型摻雜半導(dǎo)體層的摻雜濃度比第二 N型摻雜半導(dǎo)體層的摻雜濃度低，于是形成一個(gè)NN-結(jié)。P為二極管陽(yáng)極層;N為第二 N型摻雜半導(dǎo)體層;N-為第一 N型摻雜半導(dǎo)體層;N+為N型高摻雜娃襯底層;該二極管41使用壽命長(zhǎng)，不易被擊穿燒毀。
[0011]所述第一 N型摻雜半導(dǎo)體層和第二 N型摻雜半導(dǎo)體層的寬度d均為5um至50umo
[0012]總之，本實(shí)用新型的高壓續(xù)流二極管模塊，能夠避免高壓續(xù)流二極管模塊因內(nèi)部二極管不均流導(dǎo)致的擊穿損壞、失效問(wèn)題，從而提高各二極管之間的回路電流的均流性，提高高壓續(xù)流二極管模塊的穩(wěn)定性。
[0013]雖然以上描述了本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但是熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，我們所描述的具體的實(shí)施例只是說(shuō)明性的，而不是用于對(duì)本實(shí)用新型的范圍的限定，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在依照本實(shí)用新型的精神所作的等效的修飾以及變化，都應(yīng)該涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求所保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高壓續(xù)流二極管模塊，其特征在于:包括殼體和殼體相配合構(gòu)成腔體的底板，所述殼體上蓋有一蓋板，所述腔體內(nèi)設(shè)有一個(gè)高壓續(xù)流二極管組件，所述高壓續(xù)流二極管組件包括至少三個(gè)高壓續(xù)流二極管、絕緣基板、第一電極和第二電極，所述的至少三個(gè)高壓續(xù)流二極管、絕緣基板和第一電極均設(shè)于底板上，所述第二電極設(shè)于絕緣基板上，所述高壓續(xù)流二極管包括一 N型高摻雜硅襯底層、一第一 N型摻雜半導(dǎo)體層、一第二 N型摻雜半導(dǎo)體層、一二極管陽(yáng)極層，所述第一 N型摻雜半導(dǎo)體層位于第二 N型摻雜半導(dǎo)體層和N型高摻雜娃襯底層之間，所述二極管陽(yáng)極層位于第二 N型摻雜半導(dǎo)體層之上;三個(gè)高壓續(xù)流二極管極性相同的N型高摻雜硅襯底層與第一電極相連;三個(gè)高壓續(xù)流二極管極性相同的二極管陽(yáng)極層與第二電極相連;所述第一電極和第二電極均引出所述蓋板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓續(xù)流二極管模塊，其特征在于:所述第一N型摻雜半導(dǎo)體層和第二 N型摻雜半導(dǎo)體層的寬度均為5um至50umo
【文檔編號(hào)】H01L25/11GK205452282SQ201620261891
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年3月31日
【發(fā)明人】黃福仁, 黃國(guó)燦, 林勇
【申請(qǐng)人】福建安特微電子有限公司