一種晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,包括安裝架、傳送裝置、電機(jī)以及至少一組加熱輥壓裝置,所述傳送裝置設(shè)置在安裝架上并由電機(jī)帶動(dòng)形成雙玻組件的預(yù)封裝傳送平臺(tái),預(yù)封裝傳送平臺(tái)沿傳送方向依次分為放料區(qū)、加熱輥壓區(qū)和冷卻區(qū);所述加熱輥壓裝置設(shè)置在加熱輥壓區(qū),每組加熱輥壓裝置包括至少一個(gè)加熱單元和至少一個(gè)壓輥裝置,加熱單元對經(jīng)過所述加熱輥壓區(qū)的雙玻組件進(jìn)行加熱,壓輥裝置對加熱后的雙玻組件進(jìn)行輥壓。本實(shí)用新型顯著提高了工作效率,實(shí)現(xiàn)了最佳排氣效果,降低電池片破片率。
【專利說明】
一種晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池制造領(lǐng)域,具體涉及一種晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前雙玻組件生產(chǎn)過程中,較為成熟的生產(chǎn)工藝為層壓預(yù)壓+高壓釜封裝兩步法封裝工藝預(yù)封裝階段或者一次層壓成型一步法的封裝方式。在上述兩種工藝方法中,均需使用光伏組件層壓設(shè)備?,F(xiàn)有的層壓設(shè)備僅具備下腔室加熱功能,利用真空栗實(shí)現(xiàn)抽真空功能對光伏組件進(jìn)行層壓,生產(chǎn)過程對真空系統(tǒng)要求較高;兩步法在預(yù)層壓環(huán)節(jié)所需時(shí)間通常在20分鐘以上,而一步法則需時(shí)間更長,層壓過程無法連續(xù)生產(chǎn),且容易產(chǎn)生氣泡、移位、并片等問題,因此,現(xiàn)有層壓設(shè)備低的成品率以及生產(chǎn)效率大大限制了雙玻組件的市場發(fā)展。
[0003]在其他行業(yè)如夾膠玻璃產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中也存在類似的加工的設(shè)備,夾膠玻璃的結(jié)構(gòu)為玻璃+膠膜+玻璃,采用夾膠玻璃預(yù)壓機(jī)對其進(jìn)行預(yù)壓加工,生產(chǎn)效率高,但無法直接應(yīng)用于晶硅太陽能領(lǐng)域,原因有以下幾點(diǎn):1、如圖1所示,晶體硅太陽能電池雙玻組件疊層結(jié)構(gòu)為玻璃1+膠膜2+電池片3+膠膜2+玻璃I,電池片之間由導(dǎo)線串、并聯(lián)匯集到引線端形成,相較于夾膠玻璃,雙玻組件最大的區(qū)別是中間有晶體硅電池,易碎;2、雙玻組件由于其應(yīng)用領(lǐng)域不同,對其要求不同,其版型設(shè)計(jì)不同,對生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)工藝的要求也不同;3、由于電池片的原因,雙玻組件中易殘存氣體,膠膜之間、膠膜和玻璃之間粘結(jié)程度的大小會(huì)嚴(yán)重影響組件的排氣效果,進(jìn)而影響成品率;4、相較于夾膠玻璃,雙玻組件是電氣元器件,對其使用年限、環(huán)境可靠性、電氣安全等有嚴(yán)格的要求,對其生產(chǎn)過程有更嚴(yán)苛的要求。由于晶體硅太陽能電池雙玻組件與夾膠玻璃存在本質(zhì)的區(qū)別,將此類設(shè)備應(yīng)用于太陽能領(lǐng)域的雙玻組件預(yù)壓工藝中,會(huì)出現(xiàn)電池片嚴(yán)重碎片的現(xiàn)象,膠膜與玻璃之間也會(huì)出現(xiàn)易粘結(jié)、排氣不徹底,在預(yù)壓過程中對雙玻組件造成嚴(yán)重的損害。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]發(fā)明目的:針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供一種晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,能夠大幅度提高生產(chǎn)效率且保證預(yù)壓效果。
[0005]技術(shù)方案:本發(fā)明所述的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,包括安裝架、傳送裝置、電機(jī)以及至少一組加熱輥壓裝置,所述傳送裝置設(shè)置在安裝架上并由電機(jī)帶動(dòng)形成雙玻組件的預(yù)封裝傳送平臺(tái),預(yù)封裝傳送平臺(tái)沿傳送方向依次分為放料區(qū)、加熱輥壓區(qū)和冷卻區(qū);所述加熱輥壓裝置設(shè)置在加熱輥壓區(qū),每組加熱輥壓裝置包括至少一個(gè)加熱單元和至少一個(gè)壓輥裝置,加熱單元對經(jīng)過所述加熱輥壓區(qū)的雙玻組件進(jìn)行加熱,壓輥裝置對加熱后的雙玻組件進(jìn)行輥壓。
[0006]進(jìn)一步地,所述加熱輥壓裝置為1-3組。每組加熱輥壓裝置中包括1-3個(gè)加熱單元和1-2個(gè)壓輥裝置。
[0007]進(jìn)一步地,包括2組加熱輥壓裝置,第一加熱輥壓裝置包括第一加熱單元和第一壓輥裝置,第二加熱輥壓裝置包括第二加熱單元、第三加熱單元和第二壓輥裝置,第一加熱單元對所述雙玻組件加熱后通過第一壓輥裝置輥壓,第二加熱單元、第三加熱單元繼續(xù)對加熱、輥壓后的雙玻組件進(jìn)行階梯式加熱,第二壓輥裝置對加熱后的雙玻組件進(jìn)一步輥壓。
[0008]進(jìn)一步地,所述加熱輥壓裝置包括第一加熱單元、第二加熱單元、第三加熱單元和壓輥裝置,第一加熱單元、第二加熱單元、第三加熱單元對所述雙玻組件進(jìn)行連續(xù)階梯式加熱,壓輥裝置對加熱后的雙玻組件進(jìn)行輥壓。
[0009]進(jìn)一步地,所述加熱輥壓裝置包括第一加熱單元、第二加熱單元、第三加熱單元、第一壓輥裝置和第二壓輥裝置,第一加熱單元、第二加熱單元、第三加熱單元對所述雙玻組件進(jìn)行連續(xù)階梯式加熱,第一壓輥裝置、第二壓輥裝置依次對加熱后的雙玻組件進(jìn)行輥壓。
[0010]進(jìn)一步地,所述加熱單元的溫度為80~300°C。
[0011 ]進(jìn)一步地,所述加熱單元的溫度為120-250°C。
[0012]進(jìn)一步地,所述傳送裝置的傳送速度為0.5?1.5m/min,所述加熱棍壓區(qū)的長度為2.5?9.3mο
[0013]進(jìn)一步地,所述壓輥裝置包括上壓輥、下壓輥和氣缸,下壓輥固定在所述安裝架上,上壓輥對應(yīng)下壓輥活動(dòng)設(shè)置并與氣缸相連,壓輥與下壓輥之間的間距為I?8mm,上壓輥的輥壓壓力為O?2MPa。
[0014]進(jìn)一步地,所述冷卻區(qū)設(shè)置風(fēng)冷裝置,使得所述冷卻區(qū)溫度為50°C以下。
[0015]進(jìn)一步地,所述加熱單元通過紅外燈進(jìn)行加熱。
[0016]有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明提供的雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,通過加熱、輥壓、冷卻等步驟實(shí)現(xiàn)了雙玻組件的預(yù)封裝,整個(gè)過程為流水線作業(yè)、能夠持續(xù)進(jìn)行,加快了生產(chǎn)速度,生產(chǎn)效率2 60塊/h、遠(yuǎn)高于常規(guī)層壓生產(chǎn)工藝16塊/h的速率,顯著提高了工作效率;通過設(shè)置合適的加熱溫度、加熱時(shí)間段以及壓輥間距、輥壓壓力,實(shí)現(xiàn)了最佳排氣效果,降低電池片破片率,組件合格率2 99%、高于傳統(tǒng)層壓工藝97.5%的合格率,對雙玻組件提供了最大的防護(hù)作用;預(yù)封裝設(shè)備構(gòu)造簡單,操作便利,簡化了生產(chǎn)工藝,大大降低人員培訓(xùn)和設(shè)備維護(hù)的時(shí)間和費(fèi)用,可行性高;且.預(yù)壓設(shè)備能耗少,相對于常規(guī)層壓機(jī)能耗減少36%。
[0017]加熱處理主要控制玻璃及膠膜表面的溫度,該溫度如果設(shè)置太高,會(huì)造成封邊過早、內(nèi)部氣體無法排出,如果設(shè)置太低,會(huì)造成封邊不完全、產(chǎn)生回流氣泡,同時(shí)預(yù)熱處理能夠軟化電池片,便于經(jīng)過壓輥組時(shí)在不產(chǎn)生電池片裂片的情況下進(jìn)行充分排氣;恒溫處理的工作溫度用于保證膠膜能夠充分融化,實(shí)現(xiàn)粘結(jié)。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明雙玻組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖2本發(fā)明實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖3為本發(fā)明實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖4為本發(fā)明實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面通過附圖對本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0023]實(shí)施例1:如圖2所示的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,包括安裝架11、傳送裝置、電機(jī)以及一個(gè)加熱輥壓裝置,加熱輥壓裝置包括三個(gè)加熱單元15和一個(gè)壓輥裝置16;傳送裝置設(shè)置在安裝架11上并由電機(jī)帶動(dòng)形成預(yù)封裝傳送平臺(tái),預(yù)封裝傳送平臺(tái)依次分為放料區(qū)12、加熱輥壓區(qū)13和冷卻區(qū)14,放料區(qū)長度為2m、冷卻區(qū)長度為4m,三個(gè)加熱單元15設(shè)置在加熱輥壓區(qū)對經(jīng)過加熱輥壓區(qū)的雙玻組件進(jìn)行連續(xù)三個(gè)梯度加熱,第一加熱單元的溫度為120°C、長度為3.8m,第二加熱單元的溫度為190 °C、長度為2m,第三加熱單元的溫度為210°C、長度為2m。壓輥裝置對加熱后的雙玻組件進(jìn)行輥壓;壓輥裝置16包括上壓輥、下壓輥、氣缸,下壓輥固定在安裝架11上,上壓輥與其一側(cè)的氣缸相連,氣缸的輥壓力為OMpa以控制雙玻組件碎片率,上壓輥與下壓輥之間的間距為6mm;冷卻區(qū)14設(shè)有風(fēng)冷裝置。
[0024]設(shè)定傳送裝置的傳送速度為lm/min、壓輥裝置的滾速為lm/min;雙玻組件敷設(shè)完畢后水平放置在預(yù)封裝設(shè)備的放料區(qū)12,在傳送裝置的傳輸下流轉(zhuǎn)至加熱輥壓區(qū)13,經(jīng)過加熱單元15使得雙玻組件得到充分軟化、融化、粘結(jié),經(jīng)過加熱后的雙玻組件進(jìn)入上壓輥、下壓輥的輥面之間在上壓輥的壓力作用下雙玻組件內(nèi)部的空氣得到排出;排出空氣后的雙玻組件進(jìn)入冷卻區(qū)14冷卻處理至50°C以下完成預(yù)封裝過程,預(yù)封裝后被送入高壓釜進(jìn)行高溫高壓封裝過程。
[0025]采用預(yù)壓法對晶體硅太陽能電池雙玻組件繼續(xù)預(yù)壓的步驟如下:
[0026](I)雙玻組件按照玻璃1+膠膜2+電池串3+膠膜2+玻璃I的方式進(jìn)行疊層敷設(shè),敷設(shè)完成后水平放置在預(yù)壓設(shè)備的放料區(qū)12;
i0027] (2)調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速設(shè)定傳送裝置速度為lm/min,設(shè)定第一加熱單元的溫度為120°C、第二加熱單元的溫度為190°C、第三加熱單元的溫度為210°C ;電機(jī)帶動(dòng)傳送裝置將放料區(qū)12的雙玻組件傳送至加熱輥壓區(qū)13,第一加熱單元對經(jīng)過加熱輥壓區(qū)13的雙玻組件進(jìn)行預(yù)熱使其膠膜、電池串得到充分軟化,第二加熱單元在軟化的基礎(chǔ)上對雙玻組件進(jìn)行加熱使其玻璃、膠膜得到充分融化、粘結(jié),第三加熱單元在第二加熱單元加熱的基礎(chǔ)上進(jìn)一步鞏固加熱效果,使雙玻組件的玻璃、膠膜得到粘結(jié)更穩(wěn)固;
[0028](3)根據(jù)雙玻組件整體厚度,調(diào)節(jié)壓輥裝置16上壓輥、下壓輥之間的間隙為6mm,設(shè)定氣缸壓力為O MPa;經(jīng)過加熱的雙玻組件繼續(xù)傳送進(jìn)入上壓輥、下壓輥之間,在上壓輥的壓力作用下使得雙玻組件玻璃與膠膜之間的空氣得到充分排出、玻璃邊緣充分封邊;
[0029](4)設(shè)定冷卻區(qū)14的冷卻溫度為50°C,經(jīng)過壓輥裝置16的雙玻組件進(jìn)入冷卻區(qū)14得到冷卻后完成預(yù)封裝過程。
[0030]采用上述設(shè)備進(jìn)行雙玻組件的預(yù)封裝過程,生產(chǎn)效率70塊/h,遠(yuǎn)高于常規(guī)層壓預(yù)壓階段生產(chǎn)效率16塊/h。組件排氣效果佳,氣泡產(chǎn)生率低至0.03%以下,組件裂片產(chǎn)生率低至0.04%以下。完成預(yù)封裝過程的雙玻組件能夠進(jìn)入下道高壓釜高溫高壓封裝環(huán)節(jié)。
[0031]實(shí)施例2:如圖3所示的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,包括安裝架21、傳送裝置、電機(jī)以及兩個(gè)加熱輥壓裝置,第一加熱輥壓裝置包括一個(gè)加熱單元25和第一壓輥裝置26,第二加熱輥壓裝置包括兩個(gè)加熱單元27(分別為第二加熱單元、第三加熱單元)和第二壓輥裝置28、第三壓輥裝置29;傳送裝置設(shè)置在安裝架21上并由電機(jī)帶動(dòng)形成預(yù)封裝傳送平臺(tái),預(yù)封裝傳送平臺(tái)依次分為放料區(qū)22、加熱輥壓區(qū)23和冷卻區(qū)24,放料區(qū)的長度為
2.5m、下料區(qū)的長度為2.5m;第一加熱輥壓裝置的加熱單元溫度為130°C、長度為4.8m,第一加熱輥壓裝置的壓輥裝置包括上壓輥、下壓輥、氣缸,下壓輥固定在安裝架上,上壓輥與其一側(cè)的氣缸相連,氣缸的輥壓力為0.15Mpa,上壓輥與下壓輥之間的間距為8mm;第二加熱輥壓裝置的兩個(gè)加熱單元進(jìn)行兩個(gè)梯度的加熱,其中第二加熱單元的溫度為200°C、長度為2.5m,第三加熱單元的溫度為220°C、長度為2m,第二加熱輥壓裝置的兩個(gè)壓輥裝置均包括上壓輥、下壓輥、氣缸,下壓輥固定在安裝架11上,上壓輥與其一側(cè)的氣缸相連,氣缸的輥壓力為0.3Mpa,上壓棍與下壓棍之間的間距為5mm。
[0032]設(shè)定傳送裝置的傳送速度為1.5m/min;雙玻組件敷設(shè)完畢后水平放置在預(yù)封裝設(shè)備的放料區(qū)22,在傳送裝置的傳輸下流轉(zhuǎn)至加熱輥壓區(qū)23,經(jīng)過第一加熱輥壓裝置加熱、輥壓后雙玻組件得到軟化和初步排氣,軟化后進(jìn)入第一壓輥組27的上壓輥、下壓輥之間,設(shè)定氣缸的壓力為OMPa,初步排出雙玻組件玻璃與膠膜之間的空氣;設(shè)定第二壓輥組29、第三壓輥組30的氣缸的壓力0.3 MPa以控制雙玻組件碎片率,經(jīng)過第二加熱輥壓裝置的雙玻組件得到充分融化、粘結(jié)和進(jìn)一步排出玻璃與膠膜之間的空氣;排出空氣后的雙玻組件進(jìn)入冷卻區(qū)26冷卻處理至50 °C以下完成預(yù)封裝過程,預(yù)封裝后被送入高壓釜進(jìn)行高溫高壓封裝過程。
[0033]采用預(yù)壓法對晶體硅太陽能電池雙玻組件繼續(xù)預(yù)壓的步驟如下:
[0034](I)雙玻組件按照玻璃1+膠膜2+電池串3+膠膜2+玻璃I的方式進(jìn)行疊層敷設(shè),敷設(shè)完成后水平放置在預(yù)壓設(shè)備的放料區(qū)22;
[0035](2)調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速設(shè)定傳送裝置速度為1.5m/min,設(shè)定第一加熱單元的溫度為130°C,第一加熱單元對經(jīng)過加熱輥壓區(qū)的雙玻組件進(jìn)行預(yù)熱使其膠膜、電池串得到充分軟化,軟化后的雙玻組件進(jìn)入第一壓輥組的上壓輥、下壓輥之間,調(diào)節(jié)第一壓輥組27上壓輥、下壓輥之間的間隙為8mm,設(shè)定氣缸的壓力為0.15MPa,初步排出雙玻組件內(nèi)玻璃與膠膜之間的空氣;
[0036](3)再經(jīng)過第二加熱單元、第三加熱單元,在軟化的基礎(chǔ)上對雙玻組件進(jìn)行繼續(xù)加熱使其玻璃、膠膜得到充分融化、粘結(jié);根據(jù)雙玻組件整體厚度,調(diào)節(jié)第二壓輥組29、第三壓輥組30上壓輥、下壓輥之間的間隙為5mm,設(shè)定氣缸壓力為0.3MPa;經(jīng)過第二加熱單元、第三加熱單元加熱的雙玻組件繼續(xù)傳送進(jìn)入第二壓輥組29、第三壓輥組30的上壓輥、下壓輥之間,實(shí)現(xiàn)雙玻組件玻璃與膠膜之間空氣的進(jìn)一步排出、玻璃邊緣的充分封邊;
[0037](4)設(shè)定冷卻區(qū)26的冷卻溫度為50°C,經(jīng)過第三壓輥組30的雙玻組件進(jìn)入冷卻區(qū)26得到冷卻后完成預(yù)封裝過程。
[0038]采用上述設(shè)備進(jìn)行雙玻組件的預(yù)封裝過程,生產(chǎn)效率102塊/h,遠(yuǎn)高于常規(guī)層壓預(yù)壓階段生產(chǎn)效率16塊/h。組件排氣效果佳,氣泡產(chǎn)生率低至0.02%以下,組件裂片產(chǎn)生率低至0.02%以下。完成預(yù)封裝過程的雙玻組件能夠進(jìn)入下道高壓釜高溫高壓封裝環(huán)節(jié)。
[0039]實(shí)施例3:如圖4所示的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,包括安裝架31、傳送裝置、電機(jī)以及一個(gè)加熱輥壓裝置,加熱輥壓裝置包括三個(gè)加熱單元35(分別為第一加熱單元、第二加熱單元、第三加熱單元)和兩個(gè)壓輥裝置(分別為第一壓輥裝置36、第二壓輥裝置37);傳送裝置設(shè)置在安裝架上并由電機(jī)帶動(dòng)形成預(yù)封裝傳送平臺(tái),預(yù)封裝傳送平臺(tái)依次分為放料區(qū)32、加熱輥壓區(qū)33和冷卻區(qū)34,放料區(qū)的長度為2m、冷卻區(qū)的長度為4m,三個(gè)加熱單元35設(shè)置在加熱輥壓區(qū)對經(jīng)過加熱輥壓區(qū)的雙玻組件進(jìn)行連續(xù)三個(gè)梯度加熱,第一加熱單元的溫度為150 °C、長度為3m,第二加熱單元的溫度為210 °C、長度為2.5m,第三加熱單元的溫度為240°C、長度為2m;第一壓輥裝置36、第二壓輥裝置37均包括上壓輥、下壓輥、氣缸,下壓輥固定在安裝架上,上壓輥與其一側(cè)的氣缸相連,第一壓輥組間距為7mm,第二壓輥間距為4mm,滾速0.85m/min,棍壓力均為0.6Mpa;冷卻區(qū)設(shè)有風(fēng)冷裝置。
[0040]設(shè)定傳送裝置的傳送速度為0.85m/min;雙玻組件敷設(shè)完畢后水平放置在預(yù)封裝設(shè)備的放料區(qū),在傳送裝置的傳輸下流轉(zhuǎn)至加熱輥壓區(qū),經(jīng)過加熱單元35后雙玻組件得到充分軟化、融化、粘結(jié);設(shè)定氣缸的壓力為0.6MPa以控制雙玻組件碎片率,經(jīng)過加熱輥壓區(qū)的雙玻組件進(jìn)入上壓輥、下壓輥的輥面之間在上壓輥的壓力作用下雙玻組件內(nèi)部的空氣得到排出;排出空氣后的雙玻組件進(jìn)入冷卻區(qū)冷卻處理至50°C以下完成預(yù)封裝過程,預(yù)封裝后被送入高壓釜進(jìn)行高溫高壓封裝過程。
[0041 ] 采用預(yù)壓法對晶體硅太陽能電池雙玻組件繼續(xù)預(yù)壓的步驟如下:
[0042](I)雙玻組件按照玻璃1+膠膜2+電池串3+膠膜2+玻璃I的方式進(jìn)行合片,完成敷設(shè)環(huán)節(jié),敷設(shè)完成后水平放置在預(yù)壓設(shè)備的放料區(qū);
[0043](2)調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速設(shè)定傳送裝置速度為0.85m/min,設(shè)定第一加熱單元為150°C,第二加熱單元的溫度為210°C,第三加熱單元的溫度為240°C;電機(jī)帶動(dòng)傳送裝置將放料區(qū)的雙玻組件傳送至加熱輥壓區(qū),第一加熱單元對經(jīng)過加熱輥壓區(qū)13的雙玻組件進(jìn)行預(yù)熱使其膠膜、電池串得到充分軟化,第二加熱單元在軟化的基礎(chǔ)上對雙玻組件進(jìn)行加熱使其玻璃、膠膜得到充分融化、粘結(jié),第三加熱單元在第二加熱單元加熱的基礎(chǔ)上進(jìn)一步鞏固加熱效果,使雙玻組件的玻璃、膠膜得到粘結(jié)更穩(wěn)固;
[0044](3)根據(jù)雙玻組件整體厚度,調(diào)節(jié)第一壓輥組上壓輥、下壓輥之間的間隙為7mm,第二壓輥組上壓輥、下壓輥之間的間隙為4mm,設(shè)定氣缸壓力為0.6MPa;經(jīng)過加熱輥壓區(qū)的雙玻組件繼續(xù)傳送進(jìn)入第一壓輥組、第二壓輥組的上壓輥、下壓輥之間,在上壓輥的壓力作用下使得雙玻組件玻璃與膠膜之間的空氣得到充分排出、玻璃邊緣充分封邊;
[0045](4)設(shè)定冷卻區(qū)的冷卻溫度為50°C,經(jīng)過第一壓輥組、第二壓輥組的雙玻組件進(jìn)入冷卻區(qū)得到冷卻后完成預(yù)封裝過程。
[0046]采用上述設(shè)備進(jìn)行雙玻組件的預(yù)封裝過程,生產(chǎn)效率75塊/h,遠(yuǎn)高于常規(guī)層壓預(yù)壓階段生產(chǎn)效率16塊/h。組件排氣效果佳,氣泡產(chǎn)生率低至0.05%以下,組件裂片產(chǎn)生率低至0.05%以下。完成預(yù)封裝過程的雙玻組件能夠進(jìn)入下道高壓釜高溫高壓封裝環(huán)節(jié)。
[0047]如上所述,盡管參照特定的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)表示和表述了本發(fā)明,但其不得解釋為對本發(fā)明自身的限制。在不脫離所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍前提下,可對其在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,其特征在于:包括安裝架、傳送裝置、電機(jī)以及至少一組加熱輥壓裝置,所述傳送裝置設(shè)置在安裝架上并由電機(jī)帶動(dòng)形成雙玻組件的預(yù)封裝傳送平臺(tái),預(yù)封裝傳送平臺(tái)沿傳送方向依次分為放料區(qū)、加熱輥壓區(qū)和冷卻區(qū);所述加熱輥壓裝置設(shè)置在加熱輥壓區(qū),每組加熱輥壓裝置包括至少一個(gè)加熱單元和至少一個(gè)壓輥裝置,加熱單元對經(jīng)過所述加熱輥壓區(qū)的雙玻組件進(jìn)行加熱,壓輥裝置對加熱后的雙玻組件進(jìn)行輥壓。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,其特征在于:所述加熱輥壓裝置為1-3組。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,其特征在于:每組加熱輥壓裝置中包括1-3個(gè)加熱單元和1-2個(gè)壓輥裝置。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,其特征在于:包括2組加熱輥壓裝置,其中第一加熱輥壓裝置包括第一加熱單元和第一壓輥裝置,第二加熱輥壓裝置包括第二加熱單元、第三加熱單元和第二壓輥裝置,第一加熱單元對所述雙玻組件加熱后通過第一壓輥裝置輥壓,第二加熱單元、第三加熱單元繼續(xù)對加熱、輥壓后的雙玻組件進(jìn)行階梯式加熱,第二壓輥裝置對加熱后的雙玻組件進(jìn)一步輥壓。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,其特征在于:包括I組加熱輥壓裝置,所述加熱輥壓裝置包括第一加熱單元、第二加熱單元、第三加熱單元和壓輥裝置,第一加熱單元、第二加熱單元、第三加熱單元對所述雙玻組件進(jìn)行連續(xù)階梯式加熱,壓輥裝置對加熱后的雙玻組件進(jìn)行輥壓。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,其特征在于:包括I組加熱輥壓裝置,所述加熱輥壓裝置包括第一加熱單元、第二加熱單元、第三加熱單元、第一壓輥裝置和第二壓輥裝置,第一加熱單元、第二加熱單元、第三加熱單元對所述雙玻組件進(jìn)行連續(xù)階梯式加熱,第一壓輥裝置、第二壓輥裝置依次對加熱后的雙玻組件進(jìn)行輥壓。7.根據(jù)權(quán)利要求4至6任一所述的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,其特征在于:所述加熱單元的溫度為80~300°C。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,其特征在于:所述加熱單元的溫度為120-250°C。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,其特征在于:所述傳送裝置的傳送速度為0.5?1.5m/min,所述加熱棍壓區(qū)的長度為2.5?9.3m。10.根據(jù)權(quán)利要求4至6任一所述的晶體硅太陽能電池雙玻組件預(yù)封裝設(shè)備,其特征在于:所述壓輥裝置包括上壓輥、下壓輥和氣缸,下壓輥固定在所述安裝架上,上壓輥對應(yīng)下壓輥活動(dòng)設(shè)置并與氣缸相連,上壓輥與下壓輥之間的間距為I?8mm,上壓輥的輥壓壓力為O?2MPa0
【文檔編號】H01L31/048GK205452323SQ201620008735
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年1月6日
【發(fā)明人】周肅, 史振俠, 高冠宇, 范維濤, 勾憲芳
【申請人】中節(jié)能太陽能科技(鎮(zhèn)江)有限公司