一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜，包括內(nèi)導(dǎo)體層，絕緣層，吸波層以及護(hù)套層，所述內(nèi)導(dǎo)體層外設(shè)有絕緣層，所述絕緣層外設(shè)有吸波層，所述吸波層外設(shè)有護(hù)套層。其內(nèi)導(dǎo)體層采用鍍銀銅線，絕緣層采用聚四氟乙烯，吸波層采用鐵氧體，所述鐵氧體上包覆有聚四氟乙烯復(fù)合薄膜，護(hù)套層采用聚全氟乙丙烯。本實(shí)用新型通過將吸波層采用鐵氧體與聚四氟乙烯復(fù)合薄膜相結(jié)合，從而提高了產(chǎn)品的電性能。
【專利說明】
_種抗電磁干擾局溫同軸射頻電纜
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜，該產(chǎn)品主要用于通信系統(tǒng)中起到抗電磁干擾的作用，具有體積小、重量、電性能穩(wěn)定等特點(diǎn)，并可在較寬的溫度范圍內(nèi)使用。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，國內(nèi)生產(chǎn)的同類產(chǎn)品起到吸波功能的屏蔽層都使用的是鐵氧體，加工時(shí)，需要在擠出的絕緣層外涂覆一層鐵氧體，無論采用何種涂覆形式的，其均勻度都會(huì)稍差一些，影響電纜整體的電性能。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]實(shí)用新型目的:本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜。
[0004]技術(shù)方案:本實(shí)用新型所述的一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜，包括內(nèi)導(dǎo)體層，絕緣層，吸波層以及護(hù)套層，所述內(nèi)導(dǎo)體層外設(shè)有絕緣層，所述絕緣層外繞包有吸波層，所述吸波層外設(shè)有護(hù)套層。
[0005]進(jìn)一步的，所述內(nèi)導(dǎo)體層采用鍍銀銅線，直徑為0.9-1.0mm，采用19股0.2mm的單絲正規(guī)絞合而成。
[0006]進(jìn)一步的，所述絕緣層采用聚四氟乙稀制成，厚度為0.1-0.2_。
[0007]進(jìn)一步的，所述吸波層采用鐵氧體與聚四氟乙烯復(fù)合薄膜，膜的整體厚度0.Ι-Ο.2mm ， 繞包搭蓋率20 %以上。
[0008]進(jìn)一步的，所述護(hù)套層采用聚全氟乙丙烯制成。
[0009]有益效果:本實(shí)用新型通過將吸波層采用鐵氧體與聚四氟乙烯復(fù)合薄膜相結(jié)合，從而提尚了廣品的電性能。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]如圖1所示的一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜，包括內(nèi)導(dǎo)體層I，絕緣層2，吸波層3以及護(hù)套層4，所述內(nèi)導(dǎo)體層I外設(shè)有絕緣層2，所述絕緣層2外繞包有吸波層3，所述吸波層3外設(shè)有護(hù)套層4。
[0012]進(jìn)一步的，所述內(nèi)導(dǎo)體層I采用鍍銀銅線，直徑為0.9-1.0mm，采用19股0.2mm的單絲正規(guī)絞合而成。
[0013]進(jìn)一步的，所述絕緣層2采用聚四氟乙稀制成，厚度為0.1-0.2mm。
[0014]進(jìn)一步的，所述吸波層3采用鐵氧體與聚四氟乙烯復(fù)合薄膜，膜的整體厚度0.1-0.2mm,繞包搭蓋率20%以上。
[0015]進(jìn)一步的，所述護(hù)套層4采用聚全氟乙丙烯制成。
[0016]為提高產(chǎn)品電性能，我們采用鐵氧體與聚四氟乙烯復(fù)合薄膜相結(jié)合，將此薄膜通過繞包機(jī)，均勻的繞包在絕緣外，作為鐵氧體吸波層。這種加工形式，鐵氧體吸波層更加均勻。
[0017]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜，其特征在于:包括內(nèi)導(dǎo)體層(I)，絕緣層(2)，吸波層(3)以及護(hù)套層(4)，所述內(nèi)導(dǎo)體層(I)外設(shè)有絕緣層(2)，所述絕緣層(2)外繞包有吸波層(3)，所述吸波層(3)外設(shè)有護(hù)套層(4)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜，其特征在于:所述內(nèi)導(dǎo)體層(I)采用鍍銀銅線，直徑為0.9-1.0mm，采用19股0.2mm的單絲正規(guī)絞合而成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜，其特征在于:所述絕緣層(2)采用聚四氟乙烯制成，厚度為0.1-0.2mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜，其特征在于:所述吸波層(3)采用鐵氧體與聚四氟乙烯復(fù)合薄膜，膜的整體厚度0.1-0.2mm，繞包搭蓋率20%以上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗電磁干擾高溫同軸射頻電纜，其特征在于:所述護(hù)套層(4)采用聚全氟乙丙烯制成。
【文檔編號(hào)】H01P3/06GK205488445SQ201620087019
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年1月28日
【發(fā)明人】史衛(wèi)箭, 藍(lán)燕銳, 李孝容, 劉詩濤, 黃德兵
【申請(qǐng)人】中天日立射頻電纜有限公司