基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，所述針孔載物平臺(tái)包括底座及固定安裝于底座上的針孔平臺(tái)，所述針孔平臺(tái)的表面設(shè)有鍍金層，所述針孔平臺(tái)上設(shè)有若干針孔及頂針孔以增大針孔平臺(tái)的表面與其上晶圓的接觸面積。本實(shí)用新型提高了針孔載物平臺(tái)的平整度，改變傳統(tǒng)的晶圓與載物平臺(tái)的吸附模式，降低針孔載物平臺(tái)的電阻抗，提高了晶圓測(cè)試的良品率。
【專利說(shuō)明】
基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)。
【背景技術(shù)】
[0002]晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在硅芯片上可加工制作成各種電路組件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅，二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉、鹽酸氯化、并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.9999999%。經(jīng)過(guò)多道先進(jìn)工藝加工后，晶圓的表面集成了數(shù)以萬(wàn)計(jì)的芯片顆粒，每顆芯片有獨(dú)立的功能，成為集成電路產(chǎn)品的初始狀態(tài)一晶圓。
[0003]金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Meta1-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor, M0SFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)，是晶圓制作的一種形式。晶圓(Wafer)在制作完成后，需要檢測(cè)芯片的各項(xiàng)性能指標(biāo)，在整個(gè)檢測(cè)過(guò)程中晶圓需要平整的固定在一個(gè)平面上即載物平臺(tái)CHUCK，但是過(guò)去數(shù)十年來(lái)，MOSFET的尺寸不斷地變小。早期的集成電路MOSFET制程里，通道長(zhǎng)度約在幾個(gè)微米(micrometer)的等級(jí)。但是到了今日的集成電路制程，這個(gè)參數(shù)已經(jīng)縮小了幾十倍甚至超過(guò)一百倍。2006年初，Intel開(kāi)始以65納米(nanometer)的技術(shù)來(lái)制造新一代的微處理器，實(shí)際的元件通道長(zhǎng)度可能比這個(gè)數(shù)字還小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不斷縮小，讓集成電路的效能大大提升。隨著MOSFET尺寸的縮小，對(duì)于載物平臺(tái)的平整度、接觸性、電阻抗等各方面要求越來(lái)越高，目前的載物平臺(tái)已經(jīng)無(wú)法適應(yīng)越來(lái)越小尺寸的MOSFET的測(cè)試要求。
[0004]因此，針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，有必要提供一種基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)ο
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種針孔載物平臺(tái)，解決了晶圓與針孔載物平臺(tái)接觸不良造成測(cè)試不良的問(wèn)題。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下:
[0007]—種基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，所述針孔載物平臺(tái)包括底座及固定安裝于底座上的針孔平臺(tái)，所述針孔平臺(tái)的表面設(shè)有鍍金層，所述針孔平臺(tái)上設(shè)有若干針孔及頂針孔以增大針孔平臺(tái)的表面與其上晶圓的接觸面積。
[0008]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述針孔呈圓形和/或環(huán)形陣列分布。
[0009]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述針孔的孔徑為0.4mm~0.6mm。
[0010]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述針孔的孔徑為0.5mm。
[0011]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述針孔平臺(tái)的表面平整度在3um以內(nèi)。
[0012]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述針孔平臺(tái)上設(shè)有三個(gè)呈正三邊形分布的頂針孔。
[0013]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述針孔平臺(tái)的側(cè)面設(shè)有若干針孔轉(zhuǎn)接口和/或接線端子。
[0014]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述針孔載物平臺(tái)包括相互隔離的第一真空空間和第二真空空間。
[0015]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述底座和針孔平臺(tái)上對(duì)應(yīng)設(shè)有若干相互配合的卡合部。
[0016]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0017]本實(shí)用新型提高了針孔載物平臺(tái)的平整度，改變傳統(tǒng)的晶圓與載物平臺(tái)的吸附模式，降低針孔載物平臺(tái)的電阻抗，提高了晶圓測(cè)試的良品率。
【附圖說(shuō)明】
[0018]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為本實(shí)用新型一【具體實(shí)施方式】中針孔載物平臺(tái)的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本實(shí)用新型一【具體實(shí)施方式】中針孔載物平臺(tái)中底座的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為本實(shí)用新型一【具體實(shí)施方式】中針孔載物平臺(tái)的通槽結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4為本實(shí)用新型一具體實(shí)施例中采用針孔載物平臺(tái)進(jìn)行MOSFET測(cè)試的原理圖；
[0023]圖5為本實(shí)用新型中針孔載物平臺(tái)的測(cè)試結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖6為圖5中的局部放大不意圖；
[0025]圖7為本實(shí)用新型一具體實(shí)施例中采用針孔載物平臺(tái)進(jìn)行6英寸晶圓測(cè)試的原理圖；
[0026]圖8為圖7中的局部放大示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本實(shí)用新型中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0028]參圖1、圖2所示，本實(shí)用新型一【具體實(shí)施方式】中公開(kāi)了一種基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，針孔載物平臺(tái)包括底座2及固定安裝于底座2上的針孔平臺(tái)1，針孔平臺(tái)I的表面設(shè)有鍍金層(未圖示)，針孔平臺(tái)I上設(shè)有若干針孔3及頂針孔7以增大針孔平臺(tái)的表面與其上晶圓的接觸面積，針孔平臺(tái)I的側(cè)面設(shè)有針孔轉(zhuǎn)接口 4、5以及接線端子6。
[0029]本實(shí)施方式中的針孔3中間呈圓形陣列分布，外側(cè)呈環(huán)形陣列分布，針孔的孔徑為0.4mm~0.6mm，優(yōu)選地，針孔的孔徑為0.5mm。針孔平臺(tái)I的表面平整度在3um以內(nèi)。在針孔平臺(tái)I上還設(shè)有三個(gè)呈正三邊形分布的頂針孔。
[0030]針孔載物平臺(tái)在加工時(shí)，采用先進(jìn)的加工工藝，首先進(jìn)行打孔，針孔的孔徑0.5_，針孔平臺(tái)的上表面精磨處理，保證平整度在3um以內(nèi)，最后對(duì)針孔平臺(tái)的表面進(jìn)行鍍金處理，形成鍍金層。
[0031]進(jìn)一步地，底座2設(shè)有若干相互配合的卡合部10，針孔平臺(tái)I上也對(duì)應(yīng)設(shè)有若干卡合部(未圖示)，底座2上的卡合部10與針孔平臺(tái)I上的卡合部(未圖示)相互卡合，以進(jìn)行固定，同時(shí)，將針孔載物平臺(tái)隔離成第一真空空間8和第二真空空間9，以使針孔載物平臺(tái)內(nèi)形成若干通槽，通槽結(jié)構(gòu)如圖3所示，由于針孔的設(shè)置，使得通槽為非真空槽。
[0032]晶圓測(cè)試的原理參圖4所示，結(jié)合圖5、圖6所示，晶圓上包括若干陣列排布的芯片，將晶圓放置于本實(shí)用新型中的針孔載物平臺(tái)上，即可對(duì)晶圓進(jìn)行MOSFET測(cè)試。
[0033]如圖7、圖8所示，本實(shí)用新型一具體實(shí)施例中，將6寸晶圓放置在針孔載物平臺(tái)上后，晶圓上每個(gè)芯片的尺寸為500*500μπι，針孔轉(zhuǎn)接口 4針孔接入真空，晶圓吸附在針孔載物平臺(tái)上，接線端子6與晶圓電路導(dǎo)通，即可進(jìn)行測(cè)試。由于本實(shí)用新型中設(shè)置了若干針孔，可使通槽與空氣連通，晶圓上的每個(gè)芯片均能與針孔載物平臺(tái)的表面接觸，避免了測(cè)試不良的問(wèn)題。
[0034]應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)用新型中的針孔載物平臺(tái)適用于4/5/6/8英寸的晶圓測(cè)試，不限于上述實(shí)施例中的6英寸晶圓。
[0035]由以上技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型提高了針孔載物平臺(tái)的平整度，改變傳統(tǒng)的晶圓與載物平臺(tái)的吸附模式，降低針孔載物平臺(tái)的電阻抗，提高了晶圓測(cè)試的良品率。
[0036]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0037]此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，其特征在于，所述針孔載物平臺(tái)包括底座及固定安裝于底座上的針孔平臺(tái)，所述針孔平臺(tái)的表面設(shè)有鍍金層，所述針孔平臺(tái)上設(shè)有若干針孔及頂針孔以增大針孔平臺(tái)的表面與其上晶圓的接觸面積。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，其特征在于，所述針孔呈圓形和/或環(huán)形陣列分布。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，其特征在于，所述針孔的孔徑為0.4mm?0.6mm。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，其特征在于，所述針孔的孔徑為0.5mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，其特征在于，所述針孔平臺(tái)的表面平整度在3um以內(nèi)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，其特征在于，所述針孔平臺(tái)上設(shè)有三個(gè)呈正三邊形分布的頂針孔。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，其特征在于，所述針孔平臺(tái)的側(cè)面設(shè)有若干針孔轉(zhuǎn)接口和/或接線端子。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，其特征在于，所述針孔載物平臺(tái)包括相互隔離的第一真空槽和第二真空槽。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自動(dòng)晶圓測(cè)試臺(tái)中的針孔載物平臺(tái)，其特征在于，所述底座和針孔平臺(tái)上對(duì)應(yīng)設(shè)有若干相互配合的卡合部。
【文檔編號(hào)】H01L21/673GK205542729SQ201620285480
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年4月8日
【發(fā)明人】肖宇, 岳湘, 朱飛
【申請(qǐng)人】域凱電子科技無(wú)錫有限公司