晶元多步驟清洗機(jī)的制作方法【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種晶元的多步驟清洗機(jī)，作為對(duì)完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元依次進(jìn)行清洗的裝置，其特征在于，包括：第一清洗機(jī)，其對(duì)完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元進(jìn)行清洗；第二清洗機(jī)，其向所述晶元的表面提供有機(jī)溶劑，以去除晶元表面附著的有機(jī)異物；移送單元，其移動(dòng)所述晶元?！緦＠f(shuō)明】晶元多步驟清洗機(jī)[0001]本分案申請(qǐng)是基于申請(qǐng)?zhí)枮?01520652693.2，申請(qǐng)日為2015年8月26日，發(fā)明名稱為“晶元處理裝置及用于其的晶元多步驟清洗機(jī)”的中國(guó)專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域：
[0002]本實(shí)用新型涉及一種晶元(wafer)處理裝置及用于其的晶元多步驟清洗機(jī)，更詳細(xì)地涉及一種晶元處理裝置(wafertreatingapparatus)，所述晶元處理裝置能夠在更小的空間內(nèi)有效地進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(chemicalmechanicalpolishing)工藝和清洗(cleaning)工藝，不延誤工藝迅速并確實(shí)地去除完成化學(xué)機(jī)械工藝后殘留于晶元的有機(jī)異物和無(wú)機(jī)異物，使下一個(gè)工藝得以進(jìn)行?！?br>背景技術(shù)：
】[0003]化學(xué)機(jī)械研磨(CMP，Chemicalmechanicalpolishing)裝置是用于對(duì)晶元表面的精密研磨加工的裝置，所述精密研磨加工的目的在于:全局平坦化，其去除在半導(dǎo)體元件的制造過(guò)程中反復(fù)進(jìn)行掩蔽(masking)、蝕刻(etching)及配線等工藝時(shí)產(chǎn)生的晶元表面的凹凸導(dǎo)致的單元(cell)區(qū)域和周邊回路區(qū)域之間高度差；以及根據(jù)用于形成回路的接觸(contact)/配線膜分離及高集成元件化的晶元表面光滑度提高等。[0004]化學(xué)機(jī)械研磨工藝是使晶元的銅、氧化物層等蒸鍍面達(dá)到一定厚度的平坦化工藝。因?yàn)闀?huì)有研磨粒子或研磨液(slurry)等附著于研磨面，所以研磨面的清洗工藝非常重要。更何況，化學(xué)機(jī)械研磨工藝中，附著于晶元的異物不限于無(wú)機(jī)(inorganic)成分，還包含有機(jī)(organic)成分。因此，對(duì)化學(xué)機(jī)械研磨工藝處理后的晶元依次進(jìn)行清洗工藝。[0005]與此相關(guān)，公開的現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨裝置有，如韓國(guó)實(shí)用新型登記公報(bào)第10-0412478號(hào)所公開的，公開了如下構(gòu)成:在多個(gè)研磨盤上一個(gè)一個(gè)地移動(dòng)晶元時(shí)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，或以旋轉(zhuǎn)木馬(Carousel)的形式將晶元一次性地一個(gè)格一個(gè)格移動(dòng)并進(jìn)行化學(xué)研磨工藝。[0006]但是，以旋轉(zhuǎn)木馬的形式移動(dòng)晶元的同時(shí)在多個(gè)研磨盤上經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨工藝時(shí)，化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl大致形成為正方形形態(tài)，從而不但需要非常大的現(xiàn)場(chǎng)空間，而且，發(fā)生對(duì)完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元進(jìn)行清洗的清洗模塊X2和化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl的大小差異，因而需要較大的空間安置它們之間的布局而產(chǎn)生空間浪費(fèi)。此外，為了把在化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元送往清洗模塊X2，有需要改變晶元的輸送方向等輸送控制復(fù)雜的問題。[0007]另外，化學(xué)機(jī)械研磨工藝處理后的清洗工藝的焦點(diǎn)集中在去除無(wú)機(jī)異物，因此，去除晶元上殘留的有機(jī)異物的必要性凸顯出來(lái)。[0008]另外，如圖1所示，為了去除在多個(gè)研磨盤P上完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元W表面附著的異物，依次通過(guò)布置有基板清洗機(jī)9的區(qū)域X2并被清洗。此時(shí)，為了通過(guò)移送臂(arm)Hl移送晶元W的同時(shí)，在多個(gè)研磨盤P上完成CMP工藝，研磨盤P沿著移送臂Hl的旋轉(zhuǎn)半徑Ro設(shè)置。[0009]基板清洗機(jī)9通過(guò)連接臂He向各個(gè)清洗模塊X2供給晶元W，通過(guò)移送臂(transferrobot)H2、H3向清洗模塊X2的清洗機(jī)C1、C2、C3供給晶元W，以多步驟清洗并去除在CMP工藝中附著在晶元W的異物。[0010]例如，基板清洗機(jī)9的第一清洗機(jī)C1、C2構(gòu)成可以是，以本【申請(qǐng)人】申請(qǐng)并獲得授權(quán)的在韓國(guó)實(shí)用新型登記公報(bào)第10-131853號(hào)公開的構(gòu)成對(duì)晶元進(jìn)行清洗的構(gòu)成;第二清洗機(jī)C3構(gòu)成可以是，以本【申請(qǐng)人】申請(qǐng)并獲得授權(quán)的在韓國(guó)實(shí)用新型登記公報(bào)第10-131851號(hào)公開的構(gòu)成對(duì)晶元進(jìn)行清洗的構(gòu)成；第三清洗機(jī)C4可構(gòu)成為涮洗干燥處理機(jī)，其對(duì)清洗后的晶元進(jìn)行涮洗并干燥。[0011]就如此構(gòu)成的基板清洗機(jī)9而言，如圖2所示，完成CMP工藝的晶元W送往第一清洗機(jī)(afirstcleaningdevice)Cl、C2進(jìn)行第一清洗工藝SI，等待進(jìn)入第二清洗機(jī)C3S2。然后，隨著在第二清洗機(jī)C3中進(jìn)行第二清洗工藝的晶元被送往下一個(gè)工藝，從而第二清洗機(jī)C3被空出時(shí)，在第一清洗機(jī)Cl、C2等待的晶元被送往第二清洗機(jī)C3進(jìn)行第二清洗工藝S3。之后，同樣，在第二清洗機(jī)C3完成第二清洗工藝的晶兀W在第二清洗機(jī)C3等待送往第二清洗機(jī)C4而進(jìn)行下一個(gè)第三清洗工藝S4。然后，第三清洗機(jī)C4被空出時(shí)，在第二清洗機(jī)C3等待的晶元被送往第三清洗機(jī)C4，進(jìn)行第三清洗工藝S5。[0012]但是，各個(gè)清洗機(jī)C1、C2、C3進(jìn)行清洗工藝所需要的時(shí)間各不相同。比如，第一清洗機(jī)C1、C2需要30秒的清洗時(shí)間，第二清洗機(jī)C2需要45秒的清洗時(shí)間，那么，在第一清洗機(jī)Cl完成第一清洗工藝的晶元需要等待15秒，等第二清洗機(jī)C3中正在清洗的晶元完成第二清洗工藝后再進(jìn)入第二清洗機(jī)C3。[0013]因此，晶元在各個(gè)清洗機(jī)C1、C2、C3的清洗工藝，只能以清洗機(jī)C1、C2、C3中需要最長(zhǎng)清洗時(shí)間的清洗機(jī)的清洗時(shí)間為基準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行，因此造成了清洗時(shí)間不必要的浪費(fèi)。[0014]圖1及圖2所示的技術(shù)對(duì)比于本實(shí)用新型要解決的課題，并不意味著已公開的現(xiàn)有技術(shù)。【
實(shí)用新型內(nèi)容】[0015]本實(shí)用新型基于所述技術(shù)背景而提出，其目的在于:現(xiàn)場(chǎng)占用空間的最小化;從化學(xué)機(jī)械研磨模塊送往清洗模塊的過(guò)程中不需要轉(zhuǎn)換方向，進(jìn)行簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確、迅速的移送控制。[0016]另外，本實(shí)用新型的目的在于:通過(guò)一個(gè)工藝去除在經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械工藝的過(guò)程中附著殘留在晶元上的無(wú)機(jī)異物和有機(jī)異物，提高晶元的清洗狀態(tài)。[0017]重要的是，本實(shí)用新型的目的在于:提供一種生產(chǎn)處理的靈活性提高的晶元處理裝置，其利用所定的排列的化學(xué)機(jī)械研磨模塊和清洗模塊，能夠進(jìn)行多種形態(tài)的處理工藝。[0018]此外，本實(shí)用新型的目的在于:以非接觸的噴射方式供給高溫加熱的有機(jī)溶劑，從而更加徹底地去除在晶元表面殘留的有機(jī)異物。[0019]另外，本實(shí)用新型的目的在于:設(shè)置在第二清洗機(jī)完成去除有機(jī)異物的清洗工藝后放置晶元的緩沖機(jī)，從而實(shí)現(xiàn)縮短去除異物的多步驟清洗工藝的等待時(shí)間，由此，縮短時(shí)間，提高清洗工藝的效率。[0020]此外，本實(shí)用新型的目的在于:通過(guò)緩沖機(jī)對(duì)第二清洗機(jī)完成高溫清洗工藝后的晶元進(jìn)行冷卻工藝，使第二清洗機(jī)能夠連續(xù)進(jìn)行晶元的清洗工藝，由此，增加單位時(shí)間內(nèi)清洗的晶元的數(shù)量。[0021]為了達(dá)到所述目的，本實(shí)用新型提供一種晶元處理裝置，所述晶元處理裝置作為進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝和清洗工藝的晶元處理裝置，包括化學(xué)機(jī)械研磨模塊和清洗模塊，所述化學(xué)機(jī)械研磨模塊包括:第一研磨盤群(afirstpolishingtablegroup)，其為排列兩個(gè)以上研磨盤而成的第一列；第二研磨盤群(asecondpolishingtablegroup)，其為與所述第一列(afirstrow)隔離而排列兩個(gè)以上研磨盤而成的第二列(asecondrow),在所述第一研磨盤群和所述第二研磨盤群中分別對(duì)晶元進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，所述清洗模塊包括第一清洗機(jī)群和第二清洗機(jī)群，所述第一清洗機(jī)群為在所述化學(xué)機(jī)械研磨模塊的一側(cè)排列兩個(gè)以上的清洗機(jī)而成的第三列，所述第二清洗機(jī)群為在所述化學(xué)機(jī)械研磨模塊的一側(cè)排列兩個(gè)以上的清洗機(jī)而成的第四列。[0022]這是為了:使化學(xué)機(jī)械研磨模塊包括兩列研磨盤群，與此鄰近的區(qū)域內(nèi)兩列清洗機(jī)群形成清洗模塊，從而可根據(jù)晶元的處理工藝在兩列研磨盤群和兩列清洗機(jī)群中選擇性地(selectively)移動(dòng)的同時(shí)靈活變更對(duì)晶元的處理工藝。[0023]比如，在所述第一研磨盤群完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，可在所述第一清洗機(jī)群中進(jìn)行清洗工藝;在所述第二研磨盤群完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，可在所述第二清洗機(jī)群中進(jìn)行清洗工藝。此外，在所述第一研磨盤群完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，可在所述第二清洗機(jī)群中進(jìn)行清洗工藝，在所述第二研磨盤群完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，也能夠在所述第一清洗機(jī)群中進(jìn)行清洗工藝。[0024]另外，一個(gè)晶元能夠僅在所述第一研磨盤群和所述第二研磨盤群中的某一個(gè)中進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，一個(gè)晶元也能夠循環(huán)所述第一研磨盤群和所述第二研磨盤群的同時(shí)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝。[0025]如此，如所述排列的晶元處理裝置在CMP工藝后進(jìn)行清洗工藝時(shí)，能夠確保對(duì)晶元處理工藝引入多種工藝變量的靈活性(flexibility)，因此，實(shí)現(xiàn)了利用一個(gè)裝置能夠進(jìn)行多種處理工藝，從而獲得減少現(xiàn)場(chǎng)的占用空間的同時(shí)提高生產(chǎn)效率的有利效果。[0026]在此，所述第一列、所述第二列中的某一個(gè)以上可排列為直線，所述第一列、所述第二列中的某一個(gè)以上也可排列為曲線。[0027]另外，因并列所述第一列、所述第二列比較省空間，所以是優(yōu)選的。此外，為了使晶元的移送工藝更加均勻，可將所述第一列、所述第二列對(duì)稱排列。[0028]另外，所述第一清洗機(jī)群和所述第二清洗機(jī)群可分別對(duì)不同晶元獨(dú)立進(jìn)行清洗工-H-O[0029]在此，還包括:第一移送單元，其沿所述第一清洗機(jī)群移動(dòng)晶元;第二移送單元，其沿所述第二清洗機(jī)群移動(dòng)晶元。[0030]然后，所述第一列和所述第三列按同一個(gè)方向排列，所述第二列和所述第四列按同一個(gè)方向排列，使現(xiàn)場(chǎng)占用的空間最小化，從化學(xué)機(jī)械研磨模塊移動(dòng)到清洗模塊的過(guò)程中不需要轉(zhuǎn)換方向，實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確、迅速的移送控制。[0031]另外，所述第一列和所述第三列的排列方向也可以互不相同。比如，第一列按垂直方向排列，第三列按水平方向排列?；蛘?，第一列按曲線路徑排列，第三列按直線方向排列。同樣，第二列和第四列的排列方向也可以互不相同。[0032]另外，所述第一清洗機(jī)群和所述第二清洗機(jī)群可分別對(duì)不同晶元獨(dú)立進(jìn)行清洗工-H-ο[0033]如此，通過(guò)將第一研磨盤群和第二研磨盤群排成分別并列的兩列，使化學(xué)機(jī)械研磨模塊設(shè)置在矩形機(jī)架上，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)占用空間的最小化，從而能夠排列更多的研磨盤。同時(shí)，各列的研磨盤群凸出機(jī)架的外側(cè)，易于各列研磨盤的維修和養(yǎng)護(hù)。[0034]在所述化學(xué)機(jī)械研磨模塊和所述清洗模塊鄰接的區(qū)域，包括:第一翻轉(zhuǎn)機(jī)(afirstturner)，其在晶元從所述第一列被送往所述第三列的所述第一清洗機(jī)群之前，將晶元翻轉(zhuǎn)180度;第二翻轉(zhuǎn)機(jī)，其在晶元從所述第二列被送往所述第四列的所述第二清洗機(jī)群之前，將晶元翻轉(zhuǎn)180度。[0035]此時(shí)，所述第一列和所述第二列直線排列，在更小的現(xiàn)場(chǎng)空間內(nèi)放更多的研磨盤。[0036]本實(shí)用新型還提供了一種晶元的多步驟清洗機(jī)，作為對(duì)完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元依次進(jìn)行清洗的裝置，包括:[0037]第一清洗機(jī)，其對(duì)完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元進(jìn)行清洗；[0038]第二清洗機(jī)，其向所述晶元的表面提供有機(jī)溶劑，以去除晶元表面附著的有機(jī)異物；[0039]移送單元，其移動(dòng)所述晶元。[0040]進(jìn)一步的，所述第二清洗機(jī)向所述晶元的表面提供加熱至50°C以上的有機(jī)溶劑，以去除晶元表面附著的有機(jī)異物。[0041]進(jìn)一步的，所述第二清洗機(jī)以非接觸方式向所述晶元的表面噴射有機(jī)溶劑。[0042]進(jìn)一步的，所述第二清洗機(jī)在使所述晶元旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，使噴射所述有機(jī)溶劑的噴嘴的移動(dòng)具有晶元的半徑方向成分的同時(shí)進(jìn)行噴射。[0043]進(jìn)一步的，所述第二清洗機(jī)噴射的所述有機(jī)溶劑包含硫酸，以非接觸方式向所述晶元的表面噴射有機(jī)溶劑。[0044]進(jìn)一步的，所述第一清洗機(jī)向晶元的研磨面表面噴射冷卻狀態(tài)的二氧化碳?xì)怏w。[0045]進(jìn)一步的，所述第一清洗機(jī)向所述晶元提供溶解無(wú)機(jī)物的無(wú)機(jī)溶劑和溶解有機(jī)物的有機(jī)溶劑中的某一個(gè)以上，去除在所述晶元表面殘留的異物。[0046]進(jìn)一步的，緩沖機(jī)，其在所述第二清洗機(jī)清洗的所述晶元被送到進(jìn)行下一個(gè)工藝的處理機(jī)之前，用于放置所述晶元，[0047]從而在所述第二清洗機(jī)被高溫有機(jī)溶劑加熱的所述晶元，在所述緩沖機(jī)得到冷卻。[0048]進(jìn)一步的，所述處理機(jī)為干燥模塊，其干燥所述晶元。[0049]進(jìn)一步的，所述晶元為完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，所述緩沖機(jī)設(shè)置有放置兩個(gè)以上晶元的空間。[0050]進(jìn)一步的，所述晶元為完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，所述緩沖機(jī)設(shè)置有上下放置兩個(gè)以上晶元的空間，所述緩沖機(jī)能夠上下移動(dòng)。[0051]進(jìn)一步的，所述晶元為完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，所述移送單元從所述第二清洗機(jī)在一定高度將所述晶元放置在所述緩沖機(jī)。[0052]進(jìn)一步的，所述晶元為完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，所述緩沖機(jī)設(shè)置成能夠往返移動(dòng)，從而使所述緩沖機(jī)從所述第二清洗機(jī)接受所述晶元后，能夠向下一個(gè)所述處理機(jī)提供所述晶元。[0053]進(jìn)一步的，所述晶元為完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，所述緩沖機(jī)為了保持放置中的晶元的濕潤(rùn)狀態(tài)而提供液體。[0054]另外，本實(shí)用新型提供晶元的多步驟清洗機(jī)，其作為對(duì)化學(xué)機(jī)械研磨工藝后的晶元依次進(jìn)行清洗的裝置，特征在于包括:第一清洗機(jī)，其清洗化學(xué)機(jī)械研磨工藝后的晶元；第二清洗機(jī)，其向所述晶元表面提供有機(jī)溶劑(organicsolvent)，去除晶元表面上附著的有機(jī)異物;移送單元(transferunit)，其移動(dòng)所述晶元。[0055]這是為了:不但包括去除化學(xué)機(jī)械研磨工藝結(jié)束后殘留在晶元表面的無(wú)機(jī)異物的第一清洗機(jī)，還包括去除晶元表面殘留的有機(jī)異物的第二清洗機(jī)，由此，能夠在一個(gè)處理單元內(nèi)全部完成無(wú)機(jī)異物和有機(jī)異物的去除。[0056]此時(shí)，為了使在第一清洗機(jī)進(jìn)行第一清洗工藝后的晶元，在第二清洗機(jī)中進(jìn)行第二清洗工藝，可將第一清洗機(jī)和第二清洗機(jī)依次排列。但是，根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)，也可以是在第二清洗機(jī)進(jìn)行第二清洗工藝后，在第一清洗機(jī)進(jìn)行第一清洗工藝，也可以是在第一清洗機(jī)進(jìn)行第一清洗工藝后，在第二清洗機(jī)進(jìn)行第二清洗工藝。[0057]此時(shí)，所述第二清洗機(jī)向所述晶元的表面提供加熱到50°C以上的有機(jī)溶劑，去除附著在晶兀表面的有機(jī)異物，從而提尚去除在晶兀表面殘留的有機(jī)異物的效率。[0058]然后，所述第二清洗機(jī)以非接觸方式向所述晶元表面噴射有機(jī)溶劑，有效縮短了向在晶元整個(gè)表面殘留的有機(jī)異物提供有機(jī)溶劑的時(shí)間，從而縮短了去除有機(jī)異物的清洗時(shí)間。為此，所述第二清洗機(jī)在所述晶元旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，使噴射所述有機(jī)溶劑的噴嘴的移動(dòng)具有晶元的半徑方向成分的同時(shí)進(jìn)行噴射，以完成清洗。[0059]此時(shí)，所述第二清洗機(jī)噴射的所述有機(jī)溶劑包含硫酸，從而能夠更加切實(shí)有效地去除晶元表面殘留的有機(jī)異物。[0060]另外，所述第一清洗機(jī)向所述晶元提供，溶解無(wú)機(jī)物的無(wú)機(jī)溶劑和溶解有機(jī)物的有機(jī)溶劑中一個(gè)以上，以去除在所述晶元表面殘留的異物。[0061]重要的是，本實(shí)用新型包括緩沖機(jī)，所述緩沖機(jī)在所述第二清洗機(jī)經(jīng)過(guò)清洗的所述晶元被送往下一個(gè)處理機(jī)(包括在清洗機(jī))進(jìn)行下一個(gè)工藝之前，用于放置所述晶元，從而使在所述第二清洗機(jī)被高溫有機(jī)溶劑加熱的所述晶元在所述緩沖機(jī)得到冷卻。[0062]由此，在第二清洗機(jī)被加熱的晶元無(wú)需占用第二清洗艙內(nèi)的空間，還節(jié)省了在下一個(gè)處理機(jī)冷卻被加熱的晶元所需要的時(shí)間，因此實(shí)現(xiàn)了第二清洗機(jī)和處理機(jī)分別對(duì)晶元進(jìn)行連續(xù)的清洗及處理工藝，使多步驟清洗工藝的等待時(shí)間最小化，縮短了清洗時(shí)間并有效縮短了清洗工藝的時(shí)間。[0063]此時(shí)，所述處理機(jī)可以是用于涮洗、干燥所述晶元的干燥機(jī)，也可以是檢測(cè)晶元的檢測(cè)機(jī)。[0064]然后，所述緩沖機(jī)優(yōu)選設(shè)置能夠放置兩個(gè)以上晶元的空間。由此，在更短的時(shí)間內(nèi)，經(jīng)過(guò)第二清洗機(jī)完成第二清洗工藝的兩個(gè)以上的晶元在緩沖機(jī)上等待，從而使第二清洗機(jī)能夠進(jìn)行連續(xù)的第二清洗工藝。在此，所述緩沖機(jī)優(yōu)選設(shè)置能夠上下放置兩個(gè)以上晶元的空間，從而使其占用空間更小。[0065]然后，所述緩沖機(jī)可上下移動(dòng)，即便移送單元以一定高度接近第一緩沖機(jī)，也能夠使多個(gè)晶元無(wú)重復(fù)地分別放置在第一緩沖機(jī)的各層，能夠?qū)⒃摼г谱?。[0066]然后，所述緩沖機(jī)從所述第二清洗機(jī)接收所述晶元，為了縮短第二清洗機(jī)清洗后的所述晶元送往進(jìn)行下一個(gè)處理工藝的處理機(jī)時(shí)的移送路徑，可設(shè)置為可進(jìn)行往返運(yùn)動(dòng)。由此，在緩沖機(jī)上放置晶元時(shí)，使第一緩沖機(jī)移動(dòng)到接近第二清洗機(jī)的位置，從緩沖機(jī)移送晶元至處理單元時(shí)，緩沖機(jī)移動(dòng)到接近處理單元的位置，從而使移送晶元的移送單元的移動(dòng)路徑最小化，提高工藝效率。[0067]然后，所述緩沖機(jī)優(yōu)選供給純水等液體，使放置中的晶元保持濕潤(rùn)的狀態(tài)。由此，防止等待清洗期間晶元因干燥而受損。[0068]如上所述，因?yàn)榈诙逑礄C(jī)進(jìn)行第二清洗工藝所需的時(shí)間比處理模塊進(jìn)行處理工藝所需的時(shí)間短，所以在緩沖機(jī)上放置晶元時(shí)，根據(jù)第二清洗工藝所需的時(shí)間和處理工藝所需的時(shí)間比例，調(diào)整第二清洗機(jī)和處理模塊的數(shù)量。[0069]與此類似，進(jìn)行第一清洗工藝的第一清洗機(jī)和進(jìn)行第二清洗工藝的第二清洗機(jī)之間，也可以另行設(shè)置緩沖機(jī)，在第一清洗工藝和第二清洗工藝的工藝時(shí)間差期間在緩沖機(jī)進(jìn)行等待，從而使每個(gè)清洗模塊能夠連續(xù)對(duì)晶元進(jìn)行清洗工藝。根據(jù)第一清洗機(jī)和第二清洗機(jī)進(jìn)行清洗所需的時(shí)間比例，調(diào)整其個(gè)數(shù)。[0070]比如，第一清洗時(shí)間為30秒左右、第二清洗時(shí)間為45秒左右時(shí)，第一清洗機(jī)和第二清洗機(jī)的配置數(shù)量比例為2:3(兩個(gè)和三個(gè))，從而使晶元在第一清洗機(jī)和第二清洗機(jī)不進(jìn)行清洗工藝而等待的時(shí)間最小化。換句話說(shuō)，所述第一清洗機(jī)和所述第二清洗機(jī)的處理有時(shí)間差時(shí)，處理時(shí)間長(zhǎng)的清洗模塊的數(shù)量多于處理時(shí)間短的。[0071]然后，所述第一清洗機(jī)、所述第二清洗機(jī)、所述處理模塊中的某一個(gè)以上包括涮洗工藝和干燥工藝中的某一個(gè)以上。換句話說(shuō)，本說(shuō)明書及實(shí)用新型登記權(quán)利要求范圍記載的“清洗機(jī)”、“處理機(jī)”及與此類似的術(shù)語(yǔ)不局限于晶元的清洗，包括全部對(duì)晶元進(jìn)行涮洗，或清洗及涮洗后干燥的機(jī)器。比如，“第一清洗機(jī)”和“處理機(jī)”也可以由對(duì)晶元進(jìn)行涮洗或干燥的機(jī)器組成。[0072]根據(jù)本實(shí)用新型，設(shè)置于機(jī)架上的第一研磨盤群和第二研磨盤群排成分別并行的兩個(gè)列，從而使化學(xué)機(jī)械研磨模塊設(shè)置于矩形機(jī)架上，使現(xiàn)場(chǎng)占用的空間最小化，能夠布置更多的研磨盤。同時(shí)，各列的研磨盤群凸出機(jī)架的外側(cè)，有利于維修保養(yǎng)各列的研磨盤。[0073]換句話說(shuō)，根據(jù)本實(shí)用新型，第一研磨盤群和第二研磨盤群分別并列排成直線，從第一研磨盤群和第二研磨盤群被移送的晶元無(wú)需轉(zhuǎn)換方向，直接通過(guò)直線排列的第一移送單元和第二移送單元進(jìn)入并列直線排列的第一清洗機(jī)群和第二清洗機(jī)群，完成CMP工藝和清洗工藝，由此，最小化在現(xiàn)場(chǎng)處理裝置的占用空間，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝和清洗工藝過(guò)程中不需要轉(zhuǎn)換晶元的方向，從而達(dá)到移送控制的簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確、迅速目的。[0074]重要的是，本實(shí)用新型在CMP處理后進(jìn)行清洗工藝時(shí)，能夠確保對(duì)晶元的處理工藝引入多種工藝變量的靈活性，因此，能夠利用一個(gè)裝置進(jìn)行多種處理工藝，使現(xiàn)場(chǎng)的占用空間最小化的同時(shí)，提尚了生廣效率。[0075]此外，本實(shí)用新型提供一種晶元的多步驟清洗機(jī)，作為對(duì)化學(xué)機(jī)械研磨處理后的晶元依次進(jìn)行清洗的裝置，其包括:第一清洗機(jī)，其對(duì)化學(xué)機(jī)械研磨工藝后的晶元進(jìn)行清洗;第二清洗機(jī)，其向所述晶元表面提供有機(jī)溶劑去除晶元表面附著的有機(jī)異物；移送單元，其移動(dòng)所述晶元;緩沖機(jī)，其在所述晶元經(jīng)過(guò)第二清洗機(jī)清洗后，被送往進(jìn)行下一個(gè)工藝的處理機(jī)器之前，放置所述晶元。從而包括去除化學(xué)機(jī)械研磨工藝結(jié)束后殘留于晶元表面的無(wú)機(jī)異物的第一清洗機(jī)以外，還包括去除殘留于晶元表面的有機(jī)異物的第二清洗機(jī)，由此，不但能夠在一個(gè)處理工藝內(nèi)全部完成無(wú)機(jī)異物和有機(jī)異物的去除，而且清洗模塊不需要等待被加熱的晶元冷卻，實(shí)現(xiàn)了晶元的連續(xù)供給并對(duì)晶元進(jìn)行清洗工藝，因此，不但提高了清洗狀態(tài)，還縮短了清洗一個(gè)晶元需要的工藝時(shí)間。[0076]換句話說(shuō)，除了包括去除化學(xué)機(jī)械研磨工藝結(jié)束后殘留于晶元表面的無(wú)機(jī)異物的清洗模塊以外，還包括去除殘留于晶元表面的有機(jī)異物的第二清洗機(jī)，因此，在一個(gè)處理工藝內(nèi)全部完成無(wú)機(jī)異物和有機(jī)異物的去除，提高了晶元的清洗狀態(tài)。[0077]此外，本實(shí)用新型具有以下有利效果:通過(guò)非接觸式噴射方式供給高溫加熱的有機(jī)溶劑，有利于更加干凈地去除晶元表面殘留的有機(jī)異物。[0078]更重要的是，本實(shí)用新型的目的在于:通過(guò)在緩沖機(jī)內(nèi)完成對(duì)第二清洗機(jī)的高溫清洗工藝后所需的冷卻工藝，使第二清洗機(jī)能夠連續(xù)清洗晶元，提高單位時(shí)間內(nèi)的晶元清洗數(shù)量。[0079]然后，本實(shí)用新型具有以下有利效果:能夠上下移動(dòng)的緩沖機(jī)上設(shè)置能夠上下放置兩個(gè)以上晶元的空間，使移動(dòng)晶元的移送單元不需要上下移動(dòng)只需要水平移動(dòng)，在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)內(nèi)占用較小的空間，還不需要重復(fù)就能放置兩個(gè)以上的晶元。[0080]此外，本實(shí)用新型使緩沖機(jī)在清洗模塊和處理機(jī)之間(包括方便向清洗模塊供給晶元的位置)往返運(yùn)動(dòng)，在緩沖機(jī)上放置晶元時(shí)，緩沖機(jī)移向接近某一個(gè)清洗模塊的位置，將緩沖機(jī)上的晶元供給到另一個(gè)清洗模塊或處理機(jī)時(shí)，緩沖機(jī)移向接近另一個(gè)清洗模塊或處理機(jī)的位置，從而最小化移送晶元的移送單元的移動(dòng)路徑，進(jìn)一步提高工藝效率。[0081]由此，本實(shí)用新型具有以下有利效果:設(shè)置第二清洗機(jī)完成去除有機(jī)異物的清洗工藝后用于放置晶元的緩沖機(jī)，從而使去除異物的多步驟清洗工藝的等待時(shí)間最小化，使各個(gè)清洗模塊能夠連續(xù)進(jìn)行晶元清洗工藝，縮短清洗時(shí)間，提高了清洗工藝效率?！靖綀D說(shuō)明】[0082]圖1是示出與本實(shí)用新型形成對(duì)比的進(jìn)行CMP工藝和清洗工藝的基板處理裝置的構(gòu)成的平面圖。[0083]圖2是依次示出利用圖1的清洗機(jī)的清洗方法的順序圖。[0084]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的經(jīng)CMP工藝后的晶元的多步驟清洗機(jī)的平面圖。[0085]圖4是圖3的緩沖(buffer)機(jī)的立體圖。[0086]圖5是依次示出利用圖3的清洗機(jī)的清洗方法的順序圖。[0087]圖6a至圖6e是示出根據(jù)利用圖3的清洗機(jī)的清洗步驟的構(gòu)成的平面圖。[0088]圖7是示出在本實(shí)用新型的第二清洗機(jī)中向旋轉(zhuǎn)的晶元表面噴射有機(jī)溶劑的構(gòu)成的平面圖。[0089]圖8a及圖8b是設(shè)置于CMP模塊和清洗模塊之間的翻轉(zhuǎn)機(jī)的側(cè)面圖及平面圖。[0090]圖9至圖11是根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)配置了CMP模塊和清洗模塊的晶元處理裝置的平面圖。【具體實(shí)施方式】[0091]以下參考附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。說(shuō)明本實(shí)用新型的過(guò)程中，為了使本實(shí)用新型的要旨清晰明了，省略對(duì)公知的功能或構(gòu)成進(jìn)行具體說(shuō)明。[0092]如圖所示，根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的基板處理裝置100包括:化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl，其進(jìn)行晶元W的多步驟CMP工藝;清洗模塊X2，其進(jìn)行多步驟清洗工藝。[0093]所述化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl包括第一研磨盤群PGl和第二研磨盤群PG2，所述第一研磨盤群PGl使得多個(gè)研磨盤P排列成直線形態(tài)的第一列，所述第二研磨盤群PG2，使得多個(gè)研磨盤P排列成直線形態(tài)的第二列。如圖3所示，第一列的第一研磨盤群PGl和第二列的第二研磨盤群PG2并列排列，晶元搬運(yùn)器(Carrier)Cr夾住晶元W的狀態(tài)下，一邊在各個(gè)研磨盤群PGl、PG2中排列的研磨盤P上移動(dòng)，一邊分步進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝。[0094]晶元搬運(yùn)器Cr沿著規(guī)定的路徑R移動(dòng)的方式及晶元搬運(yùn)器Cr的詳細(xì)構(gòu)成，公開在本【申請(qǐng)人】經(jīng)過(guò)申請(qǐng)而獲得授權(quán)的的韓國(guó)專利登記公報(bào)第10-118854號(hào)，并納入為本說(shuō)明書的一部分。[0095]如此，第一研磨盤群PGl和第二研磨盤群PG2排成分別并列的兩個(gè)列，第一清洗機(jī)群CGl和第二清洗機(jī)群CG2排成分別并列的兩個(gè)列，由此，使化學(xué)機(jī)械研磨模塊被布置在矩形機(jī)架(frame)上，因此現(xiàn)場(chǎng)的占用空間最小化，從而能夠布置更多的研磨盤P。此外，第一研磨盤群PGl和第二研磨盤群PG2排成互相對(duì)稱的兩個(gè)列，第一清洗機(jī)群CGl和第二清洗機(jī)群CG2排成互相對(duì)稱的兩個(gè)列，從而使沿著所述群PG1、PG2、CG1、CG2移動(dòng)控制晶元的構(gòu)成變得簡(jiǎn)單化并變得容易控制。[0096]此外，各列的研磨盤群PGl、PG2不在機(jī)架的里側(cè)而凸出在外側(cè)，因此，方便操作人員對(duì)研磨盤群PGl、PG2的研磨盤P分別進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)。[0097]另外，一邊晶元搬運(yùn)器Cr沿著規(guī)定的路徑R在多個(gè)研磨盤P上移動(dòng)，一邊在各個(gè)研磨盤P上進(jìn)行CMP工藝。此時(shí)，CMP工藝可在相同條件下進(jìn)行，也可以在不同種類的研磨液或不同研磨速度的條件下進(jìn)行。[0098]另外，被晶元搬運(yùn)器Cr搬運(yùn)的晶元可以只在第一研磨盤群PGl或第二研磨盤群PG2上排列的研磨盤P上，相互區(qū)分開進(jìn)行CMP處理。由此，能夠使占用較小空間的化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl中的CMP工藝更加均勻，有利于提高生產(chǎn)效率。但是，根據(jù)不同情況，雖然沒有在圖中進(jìn)行圖示，被晶元搬運(yùn)器Cr搬運(yùn)的晶元可以都經(jīng)過(guò)第一研磨盤群PGl和第二研磨盤群PG2，在一部以上的研磨盤P上進(jìn)行CMP工藝。由此，可利用一種研磨盤P布局，進(jìn)行多種形態(tài)的CMP工藝。[0099]與此類似，其構(gòu)成可以為:對(duì)在第一研磨盤群PGl經(jīng)過(guò)CMP工藝的晶元，在第一清洗機(jī)群CGl進(jìn)行清洗工藝，并對(duì)在第二研磨盤群PG2經(jīng)歷CMP工藝的晶元在第二清洗機(jī)群CG2進(jìn)行清洗工藝。同時(shí)，如圖10所示，其構(gòu)成可以為:將在第一研磨盤群PGl經(jīng)過(guò)CMP工藝的晶元，交叉移動(dòng)到第二清洗機(jī)群CG2進(jìn)行清洗工藝，并將在第二研磨盤群PG2經(jīng)過(guò)CMP工藝的晶元，交叉移動(dòng)到第一清洗機(jī)群CGl進(jìn)行清洗工藝。由此，通過(guò)排列兩個(gè)列研磨盤群PGl、PG2并排列兩個(gè)列清洗機(jī)群CGl、CG2，在CMP工藝后進(jìn)行清洗工藝時(shí)，確保能夠?qū)г猈處理工藝引入多種工藝變數(shù)的靈活性，因此，能夠利用一套裝置進(jìn)行多種處理工藝，從而不但節(jié)省現(xiàn)場(chǎng)占用的空間，還有效提高生產(chǎn)效率。[0100]此時(shí)，第一清洗機(jī)群CGl和第二清洗機(jī)群CG2能夠獨(dú)立對(duì)不同的晶元分步進(jìn)行清洗處理。[0101]如圖3所示，晶元W在化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl經(jīng)過(guò)直線排列的第一研磨盤群PGl和第二研磨盤群?62之后，不需要轉(zhuǎn)換方向進(jìn)入清洗模塊乂2，被夾具(81^口口61')61'1、612、613、Gr4、Go夾著的狀態(tài)下分別沿直線路徑Rx被移送單元直線移動(dòng)的過(guò)程中，經(jīng)過(guò)直線排列的第一清洗機(jī)群CGl和第二清洗機(jī)群CG2時(shí)被清洗，從而從化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl移動(dòng)到清洗模塊X2的過(guò)程中不需要轉(zhuǎn)換方向，因此控制變得簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確、而迅速。[0102]另外，圖3中舉的構(gòu)成的列子是，第一研磨盤群PGl和第二研磨盤群PG2均形成直線形態(tài)的列，同時(shí)均為直線排列的第一清洗機(jī)群CGl、第二清洗機(jī)群CG2與研磨盤群PGl、PG2連接的形式(包括間歇性間斷)。但也可以是，如圖9所示，第一研磨盤群PGl和第二研磨盤群PG2形成曲線形態(tài)的列，直線排列的第一清洗機(jī)群CGl、第二清洗機(jī)群CG2與研磨盤群PGl、PG2連接的形式(包括間歇性間斷)。反之，雖然沒有在圖上圖示，第一研磨盤群PGl和第二研磨盤群PG2直線排列，曲線排列的第一清洗機(jī)群CG1、第二清洗機(jī)群CG2與研磨盤群PG1、PG2連接的形式(包括間歇性間斷)?；蜓心ケP群PGl、PG2形成的列和清洗機(jī)群CGl、CG2形成的列，不采用圖11中所示的連接形式，而采用需要另外移動(dòng)的構(gòu)成。[0103]此外，在圖3中舉的列子是，第一研磨盤群PGl和第二研磨盤群PG2形成的列，沿與第一清洗機(jī)群CGl和第二清洗機(jī)群CG2形成的列平行的水平方向排列的構(gòu)成。但也可以是，如圖11所示，第一研磨盤群PGl和第二研磨盤群PG2形成的列向與第一清洗機(jī)群CGl和第二清洗機(jī)群CG2形成的列垂直或傾斜的方向排列。[0104]另外，晶元搬運(yùn)器Cr沿著規(guī)定的路徑R移動(dòng)的過(guò)程中，在多個(gè)研磨盤P上進(jìn)行多步驟CMP工藝，則成為晶元W的研磨面朝向底面的狀態(tài)。但是，將化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl完成CMP工藝后的晶元的研磨面的朝向和在清洗模塊X2的清洗工藝中的晶元的研磨面的朝向設(shè)置成不一樣，有利于各個(gè)工藝的順利進(jìn)行，因而是優(yōu)選的。[0105]為此，化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl和清洗模塊X2之間的區(qū)域內(nèi)設(shè)置:第一翻轉(zhuǎn)機(jī)80，從第一列的第一研磨盤群PGl將晶元W送到第三列的第一清洗機(jī)群CGl之前，其將晶元W翻轉(zhuǎn)180度;第二翻轉(zhuǎn)機(jī)80，從第二列的第二研磨盤群PG2將晶元W送到第四列的第二清洗機(jī)群CG2之前，其將晶元W翻轉(zhuǎn)180度。[0106]所述晶元翻轉(zhuǎn)機(jī)80設(shè)置于化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl和清洗模塊X2鄰接的區(qū)域，包括:第一翻轉(zhuǎn)機(jī)80，從第一列的第一研磨盤群PGl將晶元送到第三列的第一清洗機(jī)群CGl之前，其將晶元W翻轉(zhuǎn)180度;第二翻轉(zhuǎn)機(jī)80，從第二列的第二研磨盤群PG2將晶元W送到第四列的第二清洗機(jī)群CG2之前，其將晶元W翻轉(zhuǎn)180度。[0107]由此，從研磨裝置群PGl、PG2完成多步驟CMP工藝的晶元W，通過(guò)搬運(yùn)器Cr直線移動(dòng)而送到晶元翻轉(zhuǎn)機(jī)80，通過(guò)與晶元W的邊緣接觸而夾住晶元W的夾具81來(lái)夾起晶元W，夾具81被翻轉(zhuǎn)180度，然后移動(dòng)到清洗單元X2，使晶元W的研磨面朝上。根據(jù)情況可以是，被夾具811夾著的狀態(tài)下等待移送到清洗模塊X2;也可以是，放置臺(tái)83沿柱子82向上下方向Sld移動(dòng)，從夾具811接收晶元W，使晶元W在放置臺(tái)83上等待。[0108]為此，晶元翻轉(zhuǎn)機(jī)80包括:夾具操作裝置M，其不上下移動(dòng)夾具81的位置，而使夾具部件811在原地水平移動(dòng)而夾起或放下晶元W，并使夾具部件811在原地翻轉(zhuǎn)180度;液體供給部815，其設(shè)置于夾具部件811，用于噴射或流出純水等液體。[0109]在此，如圖8a及圖8b所示，夾具81包括:一對(duì)夾具部件811；起動(dòng)部件813，其從夾具部件811的一端部向一方延伸；殼(casing)118，其收納起動(dòng)部件813的一部分。夾具81可構(gòu)成為對(duì)殼118以合頁(yè)(hinge)的形態(tài)旋轉(zhuǎn)并夾起晶元W，并且根據(jù)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，為了始終一定地維持晶元W的夾起位置的同時(shí)維持更加堅(jiān)固地夾住的狀態(tài)，夾具部件811相對(duì)殼118沿表示為811d的方向進(jìn)行往返運(yùn)動(dòng)并夾起晶元W。[0110]然后，夾具操作裝置M起如下作用:使起動(dòng)部件813相對(duì)殼118以圖8b為基準(zhǔn)向上下方向(從殼插入于或拔出的方向)移動(dòng)，從而使夾具部件811沿相互接近或遠(yuǎn)離的方向811d移動(dòng)，使夾具部件811能夠夾起晶元W或放下夾起的晶元W。[0111]為了使起動(dòng)部件813在殼118內(nèi)沿相反的方向移動(dòng)，在殼118內(nèi)部形成壓力艙(chamber)，通過(guò)控制壓力艙內(nèi)部的壓力，使起動(dòng)部件813可根據(jù)空壓或液壓被插入或拔出。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)形態(tài)，具有相反方向的螺紋的螺紋棒(未圖示)在殼818內(nèi)部設(shè)置成與起動(dòng)部件813的螺紋吻合，通過(guò)夾具操作裝置M使螺紋棒旋轉(zhuǎn)，使起動(dòng)部件813向相互相反方向移動(dòng)。如此，通過(guò)多種構(gòu)成，通過(guò)起動(dòng)部件813的往返運(yùn)動(dòng)，能夠使夾具部件811向相互相反方向移動(dòng)。如此，通過(guò)起動(dòng)部件813的直線形態(tài)的往返運(yùn)動(dòng)，對(duì)利用夾具部件811夾起或放下晶元W的狀態(tài)進(jìn)行解除，從而有始終在一定位置夾住晶元W的邊緣而獲得穩(wěn)定的夾起狀態(tài)的優(yōu)點(diǎn)。[0112]重要的是，液體供給機(jī)815設(shè)置于夾具部件811，從液體供給部L接收純水或清洗液等液體，向夾具部件811所夾著的晶元W的研磨面，以噴射或流出的方式提供純水等液體97，維持晶元W研磨面的濕潤(rùn)狀態(tài)。如此，因?yàn)槊總€(gè)單位晶元的化學(xué)機(jī)械研磨工藝所需的時(shí)間和清洗工藝所需的時(shí)間具有時(shí)間差，所以完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元被送到下一個(gè)清洗工藝之前出現(xiàn)等待的時(shí)間，維持晶元W研磨面的濕潤(rùn)狀態(tài)是為了，防止在所述等待時(shí)間內(nèi)晶元的研磨面因干燥而受損。因此，通過(guò)如上所述地在夾具81中設(shè)置液體供給機(jī)815，防止晶元W的研磨面在等待送往清洗工藝的等待期間因干燥而受損。[0113]由液體供給機(jī)815供給液體97時(shí)，晶元W的狀態(tài)可以水平或垂直，但是為了用較少的液體97從晶元W的表面去除附著于晶元W表面的大的異物，可在晶元W垂直豎立或具有垂直方向成分的傾斜狀態(tài)下，從液體供給機(jī)815供給液體97。[0114]另外，基板處理裝置100的清洗模塊X2作為CMP工藝后晶元的多步驟清洗機(jī)，作為對(duì)經(jīng)歷化學(xué)機(jī)械研磨(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)工藝的晶元W進(jìn)行依次清洗的裝置，包括:第一清洗機(jī)Cl、C2，其對(duì)經(jīng)歷化學(xué)機(jī)械研磨工藝后的晶元W進(jìn)行第一清洗工藝，以去除無(wú)機(jī)異物;第二清洗機(jī)C3，其對(duì)在第一清洗機(jī)Cl、C2完成清洗工藝后的晶兀W進(jìn)行第二清洗工藝，以去除有機(jī)異物;第三清洗機(jī)C4，其對(duì)在第二清洗機(jī)C3完成第二清洗工藝后的晶元W進(jìn)行涮洗干燥工藝;第一緩沖機(jī)10，其在第一清洗機(jī)Cl、C2完成第一清洗工藝后的晶元被送到第二清洗機(jī)C3之前，用于放置1x晶元;第二緩沖機(jī)10’，其在第二清洗機(jī)C3完成第二清洗工藝后的晶元W被送到第三清洗機(jī)C4之前，用于放置1x晶元;移送單元Go，其使晶元W在各清洗機(jī)Cl、C2、C3及緩沖機(jī)10、10’之間移動(dòng)。[0115]所述清洗機(jī)C(C:C1、C2、C3、C4)可進(jìn)行多種類型的清洗工藝。比如，在第一清洗機(jī)C1、C2中進(jìn)行接觸式的第一清洗工藝，所述接觸式的第一清洗工藝，使晶元位于一對(duì)旋轉(zhuǎn)的刷子之間的狀態(tài)下，以常溫供給無(wú)機(jī)溶劑和包含SCl的有機(jī)溶劑而進(jìn)行清洗。由此，通過(guò)摩擦清洗，去除化學(xué)機(jī)械研磨工藝中附著于晶元W研磨面上的研磨液和異物等。第一清洗機(jī)C1、C2進(jìn)行的第一清洗工藝相對(duì)需要較長(zhǎng)的時(shí)間，因此，其排列數(shù)量多于需要時(shí)間相對(duì)較短的第二清洗模塊。[0116]然后，如圖7所示，在第二清洗機(jī)C3中在將晶元W放置于放置臺(tái)75上旋轉(zhuǎn)77的狀態(tài)下，通過(guò)非接觸式的清洗方式去除附著于晶元W研磨面的有機(jī)異物，所述非接觸式的清洗方式為，通過(guò)以具有徑向成分的方式進(jìn)行旋回移動(dòng)58的噴嘴(未圖示)向晶元W研磨面噴射加熱至50°(:至100°(:高溫的有機(jī)溶劑56。此時(shí)，有機(jī)溶劑中含有硫酸(HS)，從而去除附著于晶元W表面的有機(jī)物。[0117]如此，在一個(gè)處理單元X2內(nèi)，除了包括去除化學(xué)機(jī)械研磨工藝后的晶元W表面殘留的無(wú)機(jī)異物的第一清洗機(jī)C1、C2以外，還包括去除在晶元W表面殘留的有機(jī)異物的第二清洗機(jī)C3，因此，能夠在一個(gè)處理單元X2內(nèi)全部去除無(wú)機(jī)異物和有機(jī)異物，獲得更加提高晶元的清洗狀態(tài)的效果。而且，將包含硫酸(HS)的有機(jī)溶劑加熱至50°C以上，向晶元W研磨面以非接觸式的噴射方式提供，從而具有能夠在短時(shí)間內(nèi)有效去除在晶元表面殘留的有機(jī)異物的有利效果。[0118]另外，所述第二清洗機(jī)C3可以構(gòu)成為二氧化碳噴槍(C02blaster)形態(tài)，所述二氧化碳噴槍將二氧化碳?xì)怏w冷卻后以如圖7所示噴嘴噴射形態(tài)向晶元W表面噴射。緩沖機(jī)10’起到使冷卻的晶元W恢復(fù)到常溫的作用。因?yàn)闃?gòu)成為將二氧化碳?xì)怏w冷卻后用噴嘴噴射到晶元W表面，所以可具有如下優(yōu)點(diǎn):二氧化碳?xì)怏w在大氣中噴射為微小的冰晶形態(tài)，從而以與殘留在晶元表面的異物一起汽化的形態(tài)能夠在更短的時(shí)間內(nèi)清洗晶元W表面。[0119]根據(jù)圖3所示的構(gòu)成，第一清洗機(jī)C1、C2進(jìn)行第一清洗工藝所需的時(shí)間為第二清洗機(jī)C3進(jìn)行第二清洗工藝所需的時(shí)間的約兩倍，因此，優(yōu)選每設(shè)一個(gè)第二清洗機(jī)C3時(shí)，設(shè)置兩個(gè)第一清洗機(jī)Cl、C2。[0120]第三清洗機(jī)C4可以進(jìn)行涮洗及干燥的第三清洗工藝(本實(shí)用新型中“清洗工藝”包括干燥及涮洗工藝)。但是，本實(shí)用新型不局限于這些清洗形式，可以設(shè)置且排列多種形態(tài)的清洗模塊。[0121]所述緩沖機(jī)10、10’包括:第一緩沖機(jī)10，其在第一清洗機(jī)C1、C2完成第一清洗工藝后的晶元W被送到第二清洗機(jī)C3之前，用于放置1x晶元;第二緩沖機(jī)10’，其在第二清洗機(jī)C3完成第二清洗工藝后的晶元W被送到第三清洗機(jī)C4之前，用于放置1x晶元。[0122]如圖4所示，所述緩沖機(jī)10、10’包括:放置腳(pin)ll，其以能夠使晶元W保持狀態(tài)穩(wěn)定的最少數(shù)量支撐晶元W;多層支撐板12，其固定有放置腳11，以便能夠上下放置1x晶元W;支撐柱13，其將撐板12進(jìn)行上下位置固定;基底(base)14，其固定支撐柱13;驅(qū)動(dòng)部14a，其通過(guò)上下移動(dòng)基底14，上下調(diào)整放置腳11的位置;純水供給部15，其通過(guò)用于供給純水的栗15a，向放置在放置腳11上的晶元W表面供給純水。[0123]如此，緩沖機(jī)10、10’以通過(guò)驅(qū)動(dòng)部15能夠上下移動(dòng)的方式設(shè)置，因此，移送單元Go以相同高度向緩沖機(jī)10、10’供給晶元W時(shí)，也能夠分別放置到位于不同層的放置腳11上。[0124]此外，由純水供給部15向放置在緩沖機(jī)10、10’的晶元W表面涂布純水，因此，能夠持續(xù)保持晶元W的濕潤(rùn)狀態(tài)。由此，防止晶元W因干燥而受損。純水供給部15設(shè)置于緩沖機(jī)10、10’的各層，向放置在各層的晶元W表面持續(xù)提供純水，雖然圖上沒有圖示，尤其為了晶元W的研磨面保持濕潤(rùn)的狀態(tài)，在晶元W的上面和底面均涂布純水。純水供給部15的構(gòu)成全部包括以噴流(jet)形式噴射純水，以及以噴霧(spray)形式在較廣范圍內(nèi)涂布純水，并且雖然沒有圖示，但也可包括浸漬(dipping)于純水的構(gòu)成。[0125]此外，各個(gè)緩沖機(jī)10、10’設(shè)置為能夠在鄰近的清洗單元C1、C2、C3、C4之間往返。具體地，將在第一清洗機(jī)Cl、C2完成第一清洗工藝的晶元W，在第一緩沖機(jī)10臨時(shí)放置后供給給第二清洗機(jī)C3，因此，第一緩沖機(jī)10設(shè)置成能夠在第一清洗機(jī)Cl、C2和第二清洗機(jī)C3之間沿往返移動(dòng)的路徑進(jìn)行往返運(yùn)動(dòng)10d。然后，將在第二清洗機(jī)C3完成第二清洗工藝的晶元W，在第二緩沖機(jī)10’臨時(shí)放置后供給到第三清洗機(jī)C4，因此，第二緩沖機(jī)10’設(shè)置成能夠在第二清洗機(jī)C3和第三清洗機(jī)C4之間沿往返移動(dòng)的路徑往返運(yùn)動(dòng)。由此，在緩沖機(jī)1、1’上放置晶元W時(shí)，緩沖機(jī)1、1’移動(dòng)到鄰近某一個(gè)清洗機(jī)Cl、C2、C3的位置接收晶元W，然后移動(dòng)到鄰近另一個(gè)清洗機(jī)C3或處理機(jī)C4的位置供給晶元W，從而使移送晶元W的移送單元Go的移動(dòng)路徑最小化，提高工藝效率。[0126]此時(shí)，因第一清洗機(jī)C1、C2為多個(gè)，所以第一緩沖機(jī)10優(yōu)選構(gòu)成為在多個(gè)第一清洗機(jī)C1、C2和第二清洗機(jī)C3之間往來(lái)。由此，對(duì)移送單元Go為了將晶元放置到緩沖機(jī)10、10’上而接近的路徑，或?yàn)榱藢⒎胖迷诰彌_機(jī)10、10’上的晶元移動(dòng)到下一個(gè)清洗單元而接近的路徑進(jìn)行最小化。從而，有效縮短了進(jìn)行晶元多步驟清洗工藝的時(shí)間。[0127]另外，緩沖機(jī)10、10’沿導(dǎo)軌(guiderail)R的往返運(yùn)動(dòng)可采用絲杠(leadscrew)等公開的多種形式。只是，第一緩沖機(jī)10和第二緩沖機(jī)10’在一個(gè)導(dǎo)軌R上移動(dòng)時(shí)，為了使第一緩沖機(jī)10和第二緩沖機(jī)10’能夠獨(dú)立移動(dòng)，優(yōu)選通過(guò)設(shè)置在基底14或其下面的結(jié)構(gòu)物(未圖示)上的直線電機(jī)(Iinearmotor)往返運(yùn)動(dòng)。[0128]所述移送單元Go包括:第一夾具Grl、Gr2，其從化學(xué)機(jī)械研磨模塊Xl將完成CMP工藝的晶元W送到第一清洗機(jī)Cl、C2，將在第一清洗機(jī)Cl、C2完成第一清洗工藝的晶元W送到第一緩沖機(jī)10;第二夾具Gr3，其夾起放置在第一緩沖機(jī)10的晶元W送到第二清洗機(jī)C3，將在第二清洗機(jī)C3完成第二清洗工藝的晶元W送到第二緩沖機(jī)10’；第三夾具Gr4，其夾起放置在第二緩沖機(jī)10’上的晶元W送到第三清洗機(jī)C4，將在第三清洗機(jī)C4完成第三清洗工藝的晶元W送到下一個(gè)工藝;導(dǎo)軌，其引導(dǎo)夾具Gr1、Gr2、Gr3沿著沿所述模塊C、10、10’的移動(dòng)路徑Rx做直線運(yùn)動(dòng)。[0129]然后，移送單元Go的夾具Grl、Gr2、Gr3設(shè)置成，能夠沿著相對(duì)導(dǎo)軌Rx進(jìn)行往返運(yùn)動(dòng)的導(dǎo)線(guideIine)Gx進(jìn)行往返運(yùn)動(dòng)98d。多個(gè)導(dǎo)線Gx能夠相對(duì)導(dǎo)軌Rx進(jìn)行獨(dú)立的往返運(yùn)動(dòng)99(1，夾具61"1、612、613沿導(dǎo)軌1^進(jìn)行獨(dú)立的往返運(yùn)動(dòng)98(1。隨之，進(jìn)行獨(dú)立往返運(yùn)動(dòng)的夾具Grl、Gr2、Gr3及導(dǎo)軌Rx，通過(guò)直線電機(jī)等已公開的裝置驅(qū)動(dòng)往返運(yùn)動(dòng)。[0130]此時(shí)，導(dǎo)軌Rx水平排列，并且夾具Grl、Gr2、Gr3保持相同高度的同時(shí)水平移動(dòng)。即使與此相同，緩沖機(jī)10、10’一邊調(diào)整高度一邊收納放置晶元W，因此，能夠在多層的緩沖腳11上放置晶元。[0131]以下，根據(jù)如上所述地構(gòu)成的本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的、完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元的多步驟清洗機(jī)，將完成CMP工藝的晶元W供給到相對(duì)需要長(zhǎng)時(shí)間(比如28秒)的兩個(gè)第一清洗機(jī)Cl、C2，進(jìn)行第一清洗工藝SlOl;在第一清洗機(jī)C1、C2完成第一清洗工藝的晶元W，如果第二清洗機(jī)C3不是空的，則被送到第一緩沖機(jī)10放置在放置腳11上。此時(shí)，兩個(gè)第一清洗機(jī)C1、C2每完成第一清洗工藝，第一緩沖機(jī)10移動(dòng)到接近第一清洗機(jī)Cl、C2的位置，使第一夾具Grl、Gr2的移動(dòng)路徑最小化，并接收晶元W放置起來(lái)。[0132]然后，第二清洗機(jī)C3被空出來(lái)時(shí)，放置在第一緩沖機(jī)10上的晶元W被送往第二清洗機(jī)C3S102，在第二清洗機(jī)C3進(jìn)行第二清洗工藝。第二清洗機(jī)C2進(jìn)行的第二清洗工藝的時(shí)間，比第一清洗工藝的時(shí)間短(比如約15秒)，因此在兩個(gè)第一清洗機(jī)C1、C2完成第一清洗工藝的晶元，在一個(gè)第二清洗機(jī)C3進(jìn)行第二清洗工藝，并同時(shí)通過(guò)噴嘴噴射包含硫酸的有機(jī)溶劑，在短時(shí)間內(nèi)去除殘留在晶元W上的有機(jī)異物S103。[0133]然后，在第二清洗機(jī)C3完成第二清洗工藝后的晶元，如果第三清洗機(jī)C4沒有被空出來(lái)，則被送到第二緩沖機(jī)10’放置在放置腳11上S104。晶元放置到第二緩沖機(jī)10’上時(shí)，處于經(jīng)過(guò)第二清洗工藝的同時(shí)被加熱的有機(jī)溶劑加熱到溫度高于常溫的狀態(tài)，但在第二緩沖機(jī)10’放置的期間溫度降到接近常溫S105。由此，順利地進(jìn)入下一個(gè)處理機(jī)C4進(jìn)行涮洗干燥工藝、或?qū)г獱顟B(tài)進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)工藝。[0134]然后，第三清洗機(jī)C4完成另一個(gè)晶元的處理工藝(比如涮洗干燥工藝或檢測(cè)工藝)后，從第二緩沖機(jī)10’送到第二清洗機(jī)C4，在第二清洗機(jī)C4進(jìn)行處理工藝。[0135]如此，各個(gè)清洗機(jī)C1、C2、C3、C4完成清洗工藝后的晶元放置在緩沖機(jī)10、10’，因此，清洗機(jī)Cl、C2、C3能夠不間斷地連續(xù)進(jìn)行清洗工藝。在第二清洗機(jī)C3加熱的晶兀在緩沖機(jī)10’上冷卻，能夠順利進(jìn)行下一步的涮洗干燥工藝或檢測(cè)工藝，因此確保將殘留在晶元W上的有機(jī)物通過(guò)高溫有機(jī)溶劑清洗干凈，并能夠在更短的時(shí)間內(nèi)完成更多晶元的多步驟清洗工藝。[0136]對(duì)此具體說(shuō)明如下。首先向清洗機(jī)(:1工2、03工4供給晶元￥1、￥2、￥3，在各機(jī)器上完成規(guī)定的清洗工藝或處理工藝。換句話說(shuō)，在兩個(gè)第一清洗機(jī)C1、C2進(jìn)行第一晶元Wl的第一清洗工藝，在第二清洗機(jī)C3進(jìn)行第二晶兀W2的第二清洗工藝，在第二清洗機(jī)(?進(jìn)行第二晶元W3的第三清洗工藝(參照?qǐng)D6a)。作為參考，第一晶元Wl、第二晶元W2、第三晶元W3不是不同的晶元，為了說(shuō)明晶元的流水作業(yè)而賦予了不同的名字。[0137]此時(shí)，第一清洗機(jī)C1、C2進(jìn)行的第一晶元Wl的第一清洗工藝先于第二清洗機(jī)C3進(jìn)行的第二晶元W2的第二清洗工藝結(jié)束時(shí)，如圖6b所示，將在第一清洗機(jī)Cl、C2完成第一清洗工藝的第一晶元Wl送到第一緩沖機(jī)10放置。此時(shí)，第一晶元Wl以被第一夾具Grl、Gr2夾著的狀態(tài)，導(dǎo)軌Gx沿附圖標(biāo)號(hào)99d2標(biāo)出的方向移動(dòng)后，通過(guò)使第一夾具Grl、Gr2沿導(dǎo)軌Gx水平移動(dòng)98dl，從而在第一緩沖機(jī)10上放置第一晶元Wl。[0138]然后，如圖6c所示，第一夾具Grl、Gr2將即時(shí)完成CMP工藝的第O晶元WO送到第一清洗機(jī)C1、C2進(jìn)行第一清洗工藝。第一清洗機(jī)C1、C2進(jìn)行第一清洗工藝所需的時(shí)間比第二清洗機(jī)C3進(jìn)行第二清洗工藝所需的時(shí)間長(zhǎng)，因此，第一清洗機(jī)C1、C2的數(shù)量為兩個(gè)比第二清洗機(jī)C3的數(shù)量多，形成第一清洗工藝。雖然在第一清洗工藝中，提供無(wú)機(jī)溶劑清洗晶元，但也可以同時(shí)投入有機(jī)溶劑和無(wú)機(jī)溶劑清洗晶元。[0139]然后，當(dāng)?shù)诙逑礄C(jī)C3完成第二晶元W2的第二清洗工藝時(shí)，如圖6c所示，第二晶元W2被第二夾具Gr3送到第二緩沖機(jī)10’，放置在第一緩沖機(jī)10的第一晶元Wl被第二夾具Gr3送到第二清洗機(jī)C3，進(jìn)行第二清洗工藝(圖6d)。如圖7所示，在第二清洗機(jī)C3將加熱至50°C以上的包括硫酸的有機(jī)溶劑高壓噴射到晶元W表面，從而完全去除晶元W表面殘留的有機(jī)物。[0140]然后，如圖6d所示，在第二清洗機(jī)C3完成第二清洗工藝的晶元W2送到第二緩沖機(jī)10’，在第二緩沖機(jī)10’通過(guò)常溫冷卻，同時(shí)通過(guò)供給到晶元W2表面的純水保持濕潤(rùn)并被冷卻。此時(shí)，第二緩沖機(jī)10’上放置兩個(gè)以上的晶元W2，因此晶元W2不需要額外的冷卻時(shí)間，之前供給至第二緩沖機(jī)10’上的晶元經(jīng)過(guò)冷卻后被投入到涮洗干燥工藝或檢測(cè)工藝，因此，不延誤整體工藝需要的時(shí)間而進(jìn)展順利，從而縮短整體工藝時(shí)間。[0141]第三清洗機(jī)C4完成對(duì)第三晶元W3的第三清洗工藝后(圖6d)，放置在第二緩沖機(jī)10’等待的第二晶元W2被第三夾具Gr4送到第三清洗機(jī)C4進(jìn)行第三清洗工藝(圖6e)。[0142]根據(jù)如上所述地構(gòu)成的本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的晶元處理裝置100的清洗模塊X2的多步驟清洗機(jī)，使第二清洗機(jī)C3清洗后的晶元W，在被送到進(jìn)行下一個(gè)處理工藝的第三處理機(jī)C4之前，放置在放置晶元W的緩沖機(jī)10’上，因此，當(dāng)?shù)诙逑礄C(jī)C3完成第二清洗工藝時(shí)，能夠立即空出第二清洗機(jī)C3，使第二清洗機(jī)C3能夠連續(xù)對(duì)下一個(gè)晶元W進(jìn)行第二清洗工藝，因此，不但縮短了等待的時(shí)間提高工藝效率，而且，在第二清洗機(jī)C3為去除有機(jī)異物而噴射的高溫有機(jī)溶劑所加熱的晶元，在緩沖機(jī)10’上得到冷卻，解決了為了冷卻需要額外工藝時(shí)間的問題。[0143]由此，本實(shí)用新型對(duì)一個(gè)晶元，不但能夠干凈地去除無(wú)機(jī)異物和有機(jī)異物，還縮短了晶元的清洗干燥需要的工藝時(shí)間。[0144]然后，緩沖機(jī)10、10’具備能夠上下放置兩個(gè)以上晶元W的空間，并能夠上下移動(dòng)，因此，移送晶元W的移送單元Gr即使不進(jìn)行上下移動(dòng)而只進(jìn)行水平移動(dòng)，也能夠在占用較小的生產(chǎn)空間的同時(shí)，不需要重復(fù)就能放置兩個(gè)以上的晶元，由此，使控制變得簡(jiǎn)單，降低了發(fā)生工藝錯(cuò)誤的可能性。[0145]由此，使去除異物的多步驟清洗工藝的等待時(shí)間最小化，各個(gè)清洗機(jī)Cl、C2、C3、C4能夠連續(xù)對(duì)晶元進(jìn)行清洗工藝，以此縮短清洗時(shí)間，提高清洗工藝的效率。[0146]以上，通過(guò)優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了舉例說(shuō)明。但是，本實(shí)用新型不局限于這些特定的實(shí)施例，能夠在本實(shí)用新型中提出的技術(shù)思想，具體在實(shí)用新型登記權(quán)利要求范圍記載的范疇之內(nèi)，進(jìn)行多種形態(tài)的修改、變更、或改善。[0147]符號(hào)說(shuō)明[0148]W:晶元P:研磨盤[0149]C1，C2:第一清洗機(jī)C3:第二清洗機(jī)[0150]C4:第三清洗機(jī)Go:移送單元[0151]10:第一緩沖機(jī)10’:第二緩沖機(jī)[0152]11:放置腳12:支撐板[0153]13:支撐柱15:純水供給部[0154]56:有機(jī)溶劑【主權(quán)項(xiàng)】1.一種晶元的多步驟清洗機(jī)，作為對(duì)完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元依次進(jìn)行清洗的裝置，其特征在于，包括:第一清洗機(jī)，其對(duì)完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元進(jìn)行清洗；第二清洗機(jī)，其向所述晶元的表面提供有機(jī)溶劑，以去除晶元表面附著的有機(jī)異物；移送單元，其移動(dòng)所述晶元。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述第二清洗機(jī)向所述晶元的表面提供加熱至50°C以上的有機(jī)溶劑，以去除晶元表面附著的有機(jī)異物。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述第二清洗機(jī)以非接觸方式向所述晶元的表面噴射有機(jī)溶劑。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述第二清洗機(jī)在使所述晶元旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，使噴射所述有機(jī)溶劑的噴嘴的移動(dòng)具有晶元的半徑方向成分的同時(shí)進(jìn)行噴射。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述第二清洗機(jī)噴射的所述有機(jī)溶劑包含硫酸，以非接觸方式向所述晶元的表面噴射有機(jī)溶劑。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述第一清洗機(jī)向晶元的研磨面表面噴射冷卻狀態(tài)的二氧化碳?xì)怏w。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述第一清洗機(jī)向所述晶元提供溶解無(wú)機(jī)物的無(wú)機(jī)溶劑和溶解有機(jī)物的有機(jī)溶劑中的某一個(gè)以上，去除在所述晶元表面殘留的異物。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任意一項(xiàng)所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于，包括:緩沖機(jī)，其在所述第二清洗機(jī)清洗的所述晶元被送到進(jìn)行下一個(gè)工藝的處理機(jī)之前，用于放置所述晶元，從而在所述第二清洗機(jī)被高溫有機(jī)溶劑加熱的所述晶元，在所述緩沖機(jī)得到冷卻。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述處理機(jī)為干燥模塊，其干燥所述晶元。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述晶元為完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，所述緩沖機(jī)設(shè)置有放置兩個(gè)以上晶元的空間。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述晶元為完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，所述緩沖機(jī)設(shè)置有上下放置兩個(gè)以上晶元的空間，所述緩沖機(jī)能夠上下移動(dòng)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述晶元為完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，所述移送單元從所述第二清洗機(jī)在一定高度將所述晶元放置在所述緩沖機(jī)。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述晶元為完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，所述緩沖機(jī)設(shè)置成能夠往返移動(dòng)，從而使所述緩沖機(jī)從所述第二清洗機(jī)接受所述晶元后，能夠向下一個(gè)所述處理機(jī)提供所述晶元。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶元的多步驟清洗機(jī)，其特征在于:所述晶元為完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元，所述緩沖機(jī)為了保持放置中的晶元的濕潤(rùn)狀態(tài)而提供液體?！疚臋n編號(hào)】H01L21/67GK205564714SQ201521052655【公開日】2016年9月7日【申請(qǐng)日】2015年8月26日【發(fā)明人】樸鐘文,李昇奐,徐埈成,李承恩,尹勤植,安俊鎬,田英洙,崔光洛【申請(qǐng)人】K.C.科技股份有限公司