一種由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件，其器件結(jié)構(gòu)由P型襯底；P型襯底上的BN+埋層和高壓N阱（HV Nwell）；以及位于高壓N阱（HV Nwell）中的P?body、P?base、P?base、P?body；位于P?body之中的P+擴(kuò)散區(qū)、N+擴(kuò)散區(qū)、P+擴(kuò)散區(qū)；位于P?base之中的P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)、N+擴(kuò)散區(qū)；位于P?base之中的P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)、N+擴(kuò)散區(qū)；位于P?body之中的N+擴(kuò)散區(qū)、P+擴(kuò)散區(qū)、P+擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成。本實(shí)用新型為可控硅靜電防護(hù)器件，具有雙向泄放靜電的能力和基本對(duì)稱的正反向靜電防護(hù)特性；采用二極管反偏的擊穿電壓觸發(fā)SCR的開啟，有效地降低了SCR的觸發(fā)電壓；在版圖的布局上將觸發(fā)用二極管嵌入到SCR結(jié)構(gòu)中，較大地節(jié)省了器件面積。
【專利說(shuō)明】
一種由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型電路靜電防護(hù)器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及一種可泄放正靜電脈沖和負(fù)靜電脈沖、具有低觸發(fā)、低漏電、泄放電荷能力強(qiáng)的雙向可控硅器件。【背景技術(shù)】
[0002]靜電放電(Electro-static Discharge，ESD)是一種無(wú)處不在的現(xiàn)象，可能發(fā)生在任何兩個(gè)物體之間。它一般由物體的摩擦、碰撞、電感應(yīng)等方式產(chǎn)生，通過人體接觸、金屬機(jī)械設(shè)備接觸、生產(chǎn)線上的電磁場(chǎng)等途徑進(jìn)入芯片內(nèi)，其放電波形具有放電速度快、瞬時(shí)電壓高的特點(diǎn)。靜電放電對(duì)芯片的正常工作造成了巨大的威脅，嚴(yán)重時(shí)將燒毀芯片。且隨著芯片向小型化、高密度和多功能化的發(fā)展，芯片對(duì)靜電放電也愈來(lái)愈敏感，僅美國(guó)的電子產(chǎn)業(yè)每年因靜電放電造成的經(jīng)濟(jì)損失就高達(dá)數(shù)百億美元，可見提高芯片對(duì)靜電放電的防護(hù)能力是重要而迫切的。
[0003] 可控娃器件(Silicon Controlled Rectifier，SCR)是一種芯片內(nèi)用于ESD防護(hù)的常規(guī)器件結(jié)構(gòu)如圖1所示(圖1為雙向SCR)，它具有極好地釋放靜電的能力。它與二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，因其自身的正反饋機(jī)制而具有電流泄放能力強(qiáng)、單位面積泄放效率高、導(dǎo)通電阻小、魯棒性強(qiáng)、防護(hù)級(jí)別高的優(yōu)點(diǎn)，能夠在半導(dǎo)體平面工藝上，以較小的芯片面積達(dá)成較高的靜電防護(hù)等級(jí)。[00〇4]觸發(fā)電壓(Trigger voltage)指的是使得SCR結(jié)構(gòu)開啟時(shí)需要的電壓。一般普通的 SCR具有較高的觸發(fā)電壓，其觸發(fā)電壓很可能大于一些在較低電壓下工作的電路的耐壓。所以對(duì)于耐壓需求低的電路，為了保證內(nèi)部電路在SCR結(jié)構(gòu)開啟并泄放電流之前不被損壞，我們不能僅僅使用普通的SCR器件進(jìn)行靜電防護(hù)。
[0005] 維持電壓(Holding voltage)指的是SCR結(jié)構(gòu)在泄放電流時(shí)所保持的電壓。如圖1 所示，為了使ESD保護(hù)器件可以在正常泄放ESD電流或噪聲干擾消失后可以自動(dòng)關(guān)斷，恢復(fù)正常工作，維持電壓一般設(shè)置為高于VDD的電壓。在現(xiàn)有的SCR結(jié)構(gòu)圖中提高維持電壓的辦法就是增加圖1中“S”的距離，但是這樣就會(huì)造成面積的增加，若可以有效的利用這些增加的面積，就可以減小器件面積的浪費(fèi)。
[0006] TVS瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor)是一種在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新產(chǎn)品，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，雖然它在電路中的表示符號(hào)與普通二極管一樣，但是它卻有獨(dú)特的性能，當(dāng)TVS的兩端在受瞬間的高能量沖擊時(shí)，它能以極高的速度(最高達(dá)1/(1〇~12)秒)使其阻抗驟然降低，同時(shí)吸收一個(gè)大電流，將其兩端間的電壓箝位在一個(gè)預(yù)定的數(shù)值上，從而確保后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊而損壞。[00〇7]達(dá)林頓管(Darlington tube)又稱復(fù)合管，用于把很微小的信號(hào)放大成較大的信號(hào)。如圖2所示為正偏二極管低壓觸發(fā)的雙向可控硅器件等效電路，這種結(jié)構(gòu)相比于反偏二極管低壓觸發(fā)的雙向可控硅器件等效電路，為了達(dá)到合適的觸發(fā)電壓，需要依靠N個(gè)正偏二極管的正偏電壓累加到大于電路的工作電壓，從而保證電路的正常工作(N取決于所設(shè)計(jì)的觸發(fā)電壓，例如，按每個(gè)二極管正向?qū)ǖ碾妷簽?.7伏，12伏左右的觸發(fā)電壓大概需要17 個(gè)二極管)。所以正偏二極管低壓觸發(fā)的雙向可控硅器件不能有效地減小版圖面積的使用， 而且較多的二極管集成在一起很可能形成達(dá)林頓管的結(jié)構(gòu)，造成較大的漏電或其它危害導(dǎo)致器件失效。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實(shí)用新型由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件，本實(shí)用新型CR結(jié)構(gòu)以滿足ESD的高效泄放，同時(shí)要解決SCR觸發(fā)電壓過高的問題和為了提高維持電壓而導(dǎo)致面積增大的問題，以及解決較多的二極管結(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生的達(dá)林頓管效應(yīng)，以保證所設(shè)計(jì)的ESD保護(hù)器件可以在低觸發(fā)、高維持電壓、穩(wěn)定性好的條件下良好工作， 完成ESD的泄放。
[0009]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型術(shù)方案是:一種由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件，包括:P型半導(dǎo)體襯底、形成于P型半導(dǎo)體襯底上的BN+埋層以及形成于BN+埋層上的高壓 N阱，所述的高壓N阱內(nèi)從左到右依次設(shè)有第一P-body區(qū)、第一P-base區(qū)、第二P-base區(qū)、第二 P-body 區(qū)；
[0010]第一P-body區(qū)內(nèi)橫向上從左至右依次為第一P+注入?yún)^(qū)、第一N+注入?yún)^(qū)，縱向上第一 N+注入?yún)^(qū)與第五P+注入?yún)^(qū)交替分布，第一 N+注入?yún)^(qū)與第五P+注入?yún)^(qū)之間無(wú)間距，第一 P+ 注入?yún)^(qū)與第一N+注入?yún)^(qū)、第五P+注入?yún)^(qū)存在一定間距，第一P+注入?yún)^(qū)與第一N+注入?yún)^(qū)接到陽(yáng)極；
[0011] 第一P-base區(qū)內(nèi)從左至右依次為第二環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第二N+注入?yún)^(qū)，第二環(huán)形P+ 注入?yún)^(qū)與第二N+注入?yún)^(qū)之間有一定間隔(第一 P-base區(qū)內(nèi)的整個(gè)結(jié)構(gòu)組成了一個(gè)二極管)； [〇〇12] 第二P-base區(qū)內(nèi)從左至右依次為第三環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第三N+注入?yún)^(qū)，第三環(huán)形P+ 注入?yún)^(qū)與第三N+注入?yún)^(qū)之間有一定間隔(第二P-base區(qū)內(nèi)的整個(gè)結(jié)構(gòu)組成了一個(gè)二極管)； [〇〇13] 第二P-body區(qū)內(nèi)橫向上從左至右依次為第四P+注入?yún)^(qū)、第四N+注入?yún)^(qū)，縱向上第四N+注入?yún)^(qū)與第六P+注入?yún)^(qū)交替分布，第四N+注入?yún)^(qū)與第六P+注入?yún)^(qū)之間無(wú)間距，第四P+ 注入?yún)^(qū)與第四N+注入?yún)^(qū)、第六P+注入?yún)^(qū)存在一定間距，第四P+注入?yún)^(qū)與第四N+注入?yún)^(qū)接到陰極。[〇〇14] 正向路徑的第二環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第三環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第五P+注入?yún)^(qū)均接到一起;反向路徑的第二環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第三環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第六P+注入?yún)^(qū)均接到一起;正向路徑的第二N+注入?yún)^(qū)、第三N+注入?yún)^(qū)與反向路徑的第二N+注入?yún)^(qū)、第三N+注入?yún)^(qū)均接到一起。
[0015]與現(xiàn)有的器件相比，本實(shí)用新型點(diǎn):[〇〇16] 1、相比于現(xiàn)有的正偏二極管觸發(fā)SCR器件，本實(shí)用新型偏二極管觸發(fā)SCR的結(jié)構(gòu)， 避免了太多二極管結(jié)構(gòu)可能形成的達(dá)林頓管效應(yīng)，保證了該器件有較高的穩(wěn)定性；
[0017] 2、相比于現(xiàn)有的SCR器件，本實(shí)用新型原有的反向擊穿PN結(jié)轉(zhuǎn)移到了反偏二極管的反向擊穿PN結(jié)上，從而降低了 SCR的觸發(fā)電壓，解決了原有的SCR觸發(fā)電壓較高的問題；
[0018] 3、相比于現(xiàn)有的SCR器件，為了得到較高的維持電壓而增加面積，本實(shí)用新型發(fā)電壓用的反偏二極管放在增加的面積處，合理的利用了版圖的面積，避免了面積的浪費(fèi)。【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為現(xiàn)有雙向SRC結(jié)構(gòu)剖面圖；[〇〇2〇]圖2為現(xiàn)有正偏二極管低壓觸發(fā)的雙向可控硅器件等效電路；[0021 ]圖3為本實(shí)用新型管觸發(fā)的雙向可控硅器件的版圖示意圖；[〇〇22]圖4為圖3中A1 — A1處的正向路徑的剖面圖；
[0023]圖5為圖3中A2—A2處的反向路徑的剖面圖；
[0024]圖6為本實(shí)用新型管低壓觸發(fā)的雙向可控硅器件等效電路?！揪唧w實(shí)施方式】
[0025]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。[0〇26]如圖3、圖4、圖5所不，一種適用于12V工作電壓的由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控娃器件，圖3為該器件的版圖示意圖，圖4為該器件正向路徑的剖面圖，圖5為該器件反向路徑的剖面圖；該器件包括5層，其中底層為P型襯底;第二層為設(shè)置在P型襯底上的BN+埋層200; 第三層為形成于BN+埋層上的高壓N阱(HV Nwell)300;第四層為位于高壓N阱(HV Nwell)中的四個(gè)注入?yún)^(qū):第一P-body 區(qū) 400、第一P-base 區(qū) 401、第二 P-base 區(qū) 402、第二 P-body 區(qū) 403; 第五層分別位于第一P-body區(qū)400、第一P_base區(qū)401、第二P_base區(qū)402、第二P_body區(qū)403 中，其中第一P+擴(kuò)散區(qū)500、第一N+擴(kuò)散區(qū)501、第五P+擴(kuò)散區(qū)508共同位于第一P-body區(qū)400 之中，其中第一N+擴(kuò)散區(qū)501、第五P+擴(kuò)散區(qū)508在縱向上交替相鄰分布均與第一P+擴(kuò)散區(qū) 500存在一定間距；第二P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)502、第二N+擴(kuò)散區(qū)503存在間距，共同位于第一P-base區(qū)401之中，第三P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)504、第三N+擴(kuò)散區(qū)505存在間距，共同位于第二P-base402區(qū)之中；第四N+擴(kuò)散區(qū)506、第四P+擴(kuò)散區(qū)507、第六P+擴(kuò)散區(qū)509共同位于第二P-body403區(qū)之中，其中第四P+擴(kuò)散區(qū)507、第六P+擴(kuò)散區(qū)509在縱向上交替相鄰分布，均與第四N+擴(kuò)散區(qū)506存在一定間距；它們的電極連接方式為:第一P+擴(kuò)散區(qū)500、第一N+擴(kuò)散區(qū) 501接陽(yáng)極，第四N+擴(kuò)散區(qū)506、第四P+擴(kuò)散區(qū)507均接陰極，正向路徑的第二P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū) 502、第三P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)504、第五P+擴(kuò)散區(qū)508均接在Z點(diǎn)；反向路徑的第二P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū) 502、第三P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)504、第六P+擴(kuò)散區(qū)509均接在X點(diǎn)；正向路徑的第二N+擴(kuò)散區(qū)503、第三N+擴(kuò)散區(qū)505與反向路徑的第二N+擴(kuò)散區(qū)503、第三N+擴(kuò)散區(qū)505均接到Y(jié)點(diǎn)。
[0027]本實(shí)用新型板級(jí)靜電防護(hù)分立器件應(yīng)用，其等效電路如圖6所示(其中M為并聯(lián)二極管的個(gè)數(shù)，本實(shí)用新型2為例進(jìn)行舉例說(shuō)明，實(shí)際情況由觸發(fā)時(shí)所需電流來(lái)決定M的個(gè)數(shù))，由第一N+擴(kuò)散區(qū)501、第一P-body區(qū)400、N阱(HV Nwell)300構(gòu)成NPN型晶體管Q1，由第一P-body區(qū)400、N阱(HV Nwell)300、第二P-body區(qū)403構(gòu)成PNP型晶體管Q2,由N阱(HV Nwell)300、第二P-body區(qū)403、第四N+擴(kuò)散區(qū)506構(gòu)成NPN型晶體管Q3,由第一P+擴(kuò)散區(qū)500 到第一P_body區(qū)400構(gòu)成R1，由第二P-body區(qū)403到第四P+擴(kuò)散區(qū)507構(gòu)成R2，由第一P_base 區(qū)401、第二P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)502、第二N+擴(kuò)散區(qū)503和第二P-base區(qū)402、第三P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū) 504、第三N+擴(kuò)散區(qū)505構(gòu)成一組兩個(gè)同向并聯(lián)的二極管，再由圖4、圖5兩種不同的電路連接方法得到兩組反向串聯(lián)的二極管。[〇〇28]對(duì)于等效電路，當(dāng)ESD正脈沖加在陽(yáng)極時(shí)，脈沖通過R1，由于Q2處于反偏狀態(tài)，脈沖先通過正向路徑的二極管組，隨后脈沖加在反向路徑的二極管組上，等待ESD脈沖升至二極管的反向擊穿電壓，隨后脈沖通過反向路徑的二極管組，由Q3的基極到Q3的射極，開啟由Q2 與Q3構(gòu)成的SCR結(jié)構(gòu)，使得陽(yáng)極處絕大部分的ESD脈沖在通過R1后，由Q2與Q3構(gòu)成的SCR結(jié)構(gòu)將其泄放。同理，當(dāng)ESD負(fù)脈沖加在陽(yáng)極時(shí)，反向擊穿電壓加在正向路徑的二極管組上，由Q2 于Q1構(gòu)成的SCR結(jié)構(gòu)泄放ESD脈沖。[〇〇29]對(duì)于器件，當(dāng)ESD正脈沖加在陽(yáng)極時(shí)，脈沖通過第一 P+擴(kuò)散區(qū)500進(jìn)入第一 P-body區(qū)400,由于第一P-body區(qū)400到N阱(HV Nwell)300的PN結(jié)正偏，ESD脈沖輕易進(jìn)入N阱(HV Nwell)300中，但由于N阱(HV Nwell)300到第二P-body區(qū)403的PN結(jié)反偏，ESD脈沖要升至足夠高的電壓以至于N阱(HV Nwell)300與第二P-body區(qū)403之間的PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，ESD 脈沖才得以進(jìn)入第二P-body區(qū)403中，之后進(jìn)入第六P+擴(kuò)散區(qū)509以到達(dá)陰極，構(gòu)成一個(gè) PNPN型的SCR路徑，完成對(duì)ESD的泄放。但是這樣的觸發(fā)電壓較高，不利于對(duì)核心電路的保護(hù)，所以該器件的設(shè)計(jì)使得ESD脈沖再進(jìn)入第一P-body區(qū)400之后不但可以進(jìn)入N阱(HV Nwel 1)300之中，也可以進(jìn)入第五P+擴(kuò)散區(qū)508,再經(jīng)過導(dǎo)線Z進(jìn)入第二P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)502、第三P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)504,隨后進(jìn)入第一P-base區(qū)401、第二P-base區(qū)402,由于第一P-base區(qū)401 與第二N+擴(kuò)散區(qū)503、第二P-base區(qū)402與第三N+擴(kuò)散區(qū)505之間的PN結(jié)均為正偏，ESD脈沖可以輕易進(jìn)入正向路徑的第二N+擴(kuò)散區(qū)503、第三N+擴(kuò)散區(qū)505之中，再經(jīng)由導(dǎo)線Y進(jìn)入反向路徑的第二N+擴(kuò)散區(qū)503、第三N+擴(kuò)散區(qū)505之中，這時(shí)第二N+擴(kuò)散區(qū)503與第一P-base區(qū) 401、第三N+擴(kuò)散區(qū)505與第二P-base區(qū)402之間的PN結(jié)均為反偏，ESD脈沖需要升至擊穿電壓才可由第二N+擴(kuò)散區(qū)503、第三N+擴(kuò)散區(qū)505到第一 P-base區(qū)401、第二P-base區(qū)402,再進(jìn)入第二P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)502、第三P+環(huán)形擴(kuò)散區(qū)504,之后經(jīng)由導(dǎo)線X進(jìn)入第六P+擴(kuò)散區(qū)509,再進(jìn)入第二P-body區(qū)403。此時(shí)ESD脈沖已經(jīng)通過N阱(HV Nwel 1)300與第二P-body區(qū)403之間的PN結(jié)，從而觸發(fā)了SCR路徑，又由于第二N+擴(kuò)散區(qū)503與第一 P-base區(qū)401、第三N+擴(kuò)散區(qū) 505與第二P-base區(qū)402之間雪崩電壓要低于N阱(HV Nwell)300與第二P-body區(qū)403之間的雪崩擊穿電壓，因此不需要等待ESD脈沖升至N阱(HV Nwell)300與第二P-body區(qū)403之間的雪崩擊穿電壓便可泄放ESD脈沖。同理，當(dāng)ESD負(fù)脈沖加在陽(yáng)極時(shí)，通過擊穿正向路徑第二N+ 擴(kuò)散區(qū)503與第一 P-base區(qū)401、第三N+擴(kuò)散區(qū)505與第二P-base區(qū)402之間的PN結(jié)所需的較低電壓，代替了擊穿N阱(HV Nwell)300與第一P-body區(qū)400之間的PN結(jié)所需的較高電壓， 觸發(fā)SCR路徑的導(dǎo)通，從而完成對(duì)ESD脈沖的泄放。
[0030]相比之下，已有的雙向SCR結(jié)構(gòu)如圖1所示與本實(shí)用新型圖4、圖5所示，本實(shí)用新型增加了由第一P-base區(qū)401、第二環(huán)形P+擴(kuò)散區(qū)502、第二N+擴(kuò)散區(qū)503和第二P-base區(qū)402、 第三環(huán)形P+擴(kuò)散區(qū)504、第三N+擴(kuò)散區(qū)505組成的二極管，這一結(jié)構(gòu)降低了SCR的觸發(fā)電壓。
[0031]另外在已有的雙向SCR結(jié)構(gòu)圖1中，為了提高SCR的維持電壓陰極的P-body區(qū)與陽(yáng)極的P-body區(qū)之間的距離“S”被增大，而本實(shí)用新型二極管組布局在增大的面積中，實(shí)現(xiàn)了版圖的面積的復(fù)用，避免了面積的浪費(fèi)。[〇〇32]與已有的正偏二極管觸發(fā)雙向可控硅靜電防護(hù)器件的等效電路圖2相比，本實(shí)用新型路圖6中使用反偏二極管觸發(fā)雙向可控硅，這使得二極管的使用數(shù)量大大減少，避免了結(jié)構(gòu)上形成達(dá)林頓管，保證了器件具有安全可靠的性能。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控娃器件，包括:P型半導(dǎo)體襯底、形成于P型半導(dǎo)體襯底上的BN+埋層以及形成于BN+埋層上的高壓N阱， 所述的高壓N阱內(nèi)從左到右依次設(shè)有第一P-body區(qū)、第一P-base區(qū)、第二P-base區(qū)、第二P-body 區(qū)；第一P-body區(qū)內(nèi)橫向從左到右依次設(shè)有第一P+注入?yún)^(qū)、第一N+注入?yún)^(qū)，縱向設(shè)有第五P +注入?yún)^(qū)與第一 N+注入?yún)^(qū)交替分布；第一 P-base區(qū)內(nèi)從左到右依次設(shè)有第二環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第二N+注入?yún)^(qū)；第二P-base區(qū)內(nèi)從左到右依次設(shè)有第三環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第三N+注入?yún)^(qū)；第二P-body區(qū)內(nèi)橫向從左到右依次設(shè)有第四P+注入?yún)^(qū)、第四N+注入?yún)^(qū)，縱向設(shè)有第六P +注入?yún)^(qū)與第四N+注入?yún)^(qū)交替分布；所述第一P+注入?yún)^(qū)、第一N+注入?yún)^(qū)連接陽(yáng)極，第四N+注入?yún)^(qū)和第四P+注入?yún)^(qū)連接陰極， 正向路徑的第二環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第三環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第五P+注入?yún)^(qū)均接到一起;反向路徑的 第二環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第三環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第六P+注入?yún)^(qū)均接到一起;正向路徑的第二N+注入 區(qū)、第三N+注入?yún)^(qū)與反向路徑的第二N+注入?yún)^(qū)、第三N+注入?yún)^(qū)均接到一起。2.如權(quán)利要求1所述的由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體 襯底接地。3.如權(quán)利要求1所述的由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件，其特征在于，第二環(huán)形P+ 注入?yún)^(qū)、第二N+注入?yún)^(qū)，第三環(huán)形P+注入?yún)^(qū)、第三N+注入?yún)^(qū)均存在間距分布。4.如權(quán)利要求1所述的由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件，其特征在于，第五P+注入 區(qū)與第一 N+注入?yún)^(qū)按照比例交替且無(wú)間距相鄰分布。5.如權(quán)利要求4所述的由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件，其特征在于，第五P+注入 區(qū)、第一 N+注入?yún)^(qū)均與第一 P+注入?yún)^(qū)存在間距分布。6.如權(quán)利要求1所述的由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件，其特征在于，第六P+注入 區(qū)與第四N+注入?yún)^(qū)按照比例交替且無(wú)間距相鄰分布。7.如權(quán)利要求6所述的由反偏二極管觸發(fā)的雙向可控硅器件，其特征在于，第六P+注入 區(qū)、第四N+注入?yún)^(qū)均與第四P+注入?yún)^(qū)存在間距分布。
【文檔編號(hào)】H01L27/07GK205582938SQ201620181864
【公開日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年3月10日
【發(fā)明人】汪洋, 董鵬, 周子杰, 金湘亮, 關(guān)健
【申請(qǐng)人】湖南靜芯微電子技術(shù)有限公司