移動終端及其nfc天線結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種移動終端及其NFC天線結(jié)構(gòu)，其中，所述移動終端的NFC天線結(jié)構(gòu)，包括鐵氧體和連接于所述鐵氧體上的NFC線圈，所述移動終端的金屬后殼包括上端部分與下端部分，上端部分與下端部分間具有單縫，所述NFC線圈和鐵氧體位于所述金屬后殼的內(nèi)側(cè)，所述NFC線圈不超出所述單縫的上邊緣，所述鐵氧體延伸至所述上端部分的內(nèi)側(cè)。
【專利說明】
移動終端及其NFC天線結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型涉及NFC領(lǐng)域，尤其涉及一種具有單縫的金屬后蓋的移動終端及其NFC 天線結(jié)構(gòu)?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]當(dāng)前NFC近場無線通信技術(shù)已普遍應(yīng)用于電子設(shè)備之間或電子設(shè)備和讀寫器之間的數(shù)據(jù)交換通訊。在很多設(shè)備上，由于單縫結(jié)構(gòu)金屬后殼結(jié)構(gòu)強度大，視覺效果和客戶體驗好，得到越來越多的應(yīng)用；同時單縫結(jié)構(gòu)金屬后殼通常會阻斷天線的輻射電磁場，由此帶來了對NFC天線的設(shè)計挑戰(zhàn)。[〇〇〇3]目前已有方案提出將NFC天線置于金屬后殼的單縫下方，例如:公告號 CN203466283U的專利，該專利將NFC天線置于單縫的正下方，NFC天線上的磁場可以通過頂部邊緣和縫隙形成回路，具體見圖1。但是該方案的最大缺陷是NFC天線會部分與上邊緣金屬重疊，而通常上邊緣金屬會做為其它天線使用，這樣處于其下方的NFC天線部分會對其它天線造成不利影響?！緦嵱眯滦蛢?nèi)容】
[0004]本實用新型要解決的技術(shù)問題是如何降低NFC天線部分對其他天線造成的不利影響。
[0005]為了解決這一技術(shù)問題，本實用新型提供了一種移動終端的NFC天線結(jié)構(gòu)，包括鐵氧體和連接于所述鐵氧體上的NFC線圈，所述移動終端的金屬后殼包括上端部分與下端部分，上端部分與下端部分間具有單縫，所述NFC線圈和鐵氧體位于所述金屬后殼的內(nèi)側(cè)，所述NFC線圈不超出所述單縫的上邊緣，所述鐵氧體延伸至所述上端部分的內(nèi)側(cè)。
[0006]可選的，所述鐵氧體僅部分覆蓋所述NFC線圈。
[0007]可選的，所述鐵氧體全部覆蓋所述NFC線圈。
[0008]可選的，所述鐵氧體的下邊緣與所述單縫的下邊緣齊平。
[0009]可選的，所述鐵氧體的上邊緣延伸至所述上端部分的頂端。
[0010]可選的，所述NFC線圈的上邊緣與所述單縫的上邊緣齊平。
[0011]本實用新型提供了一種移動終端，包括所述金屬后殼和本實用新型提供的NFC天線結(jié)構(gòu)。
[0012]可選的，所述上端部分與下端部分之間通過連接部連接，所述連接部將所述單縫截開。
[0013]可選的，所述連接部與所述NFC線圈重疊。
[0014]可選的，所述連接部位于與所述NFC線圈不重疊的位置。[〇〇15]本實用新型基于移動終端具有單縫金屬后殼環(huán)境，通過NFC天線線圈部分不超出單縫的上邊緣，同時鐵氧體延伸至上部金屬下方的設(shè)計來提高NFC天線性能。由于鐵氧體材料的特性使得對于工作在700MHz以上的其它天線影響可以忽略。
[0016]可見，本實用新型和現(xiàn)有的技術(shù)相比有如下優(yōu)點:
[0017]優(yōu)點一:現(xiàn)有技術(shù)的NFC天線置于單縫下方，NFC線圈超出單縫上邊緣的部分會對其它天線產(chǎn)生不利影響，但是本實用新型中NFC線圈沒有超出單縫上邊緣，不會干擾到其它天線。
[0018]優(yōu)點二:NFC天線線圈部分如果不超出單縫上邊緣性能會較差。這是因為NFC線圈遠離上邊緣會導(dǎo)致磁路增大，上部分金屬產(chǎn)生較多的漏磁，但是延伸鐵氧體后能有效約束磁場，減少漏磁，從而提高NFC天線性能。【附圖說明】
[0019]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中CN203466283U的專利中移動終端的示意圖；
[0020]1-NFC天線;2-主體部分;3-邊緣部分;4-細縫；
[0021]圖2是本實用新型一實施例中移動終端的NFC天線的布置示意圖；
[0022]圖3以及圖7至圖10分別是本實用新型一實施例中移動終端的示意圖；
[0023]圖4和圖6分別是本實用新型一實施例中移動終端的剖面示意圖；
[0024]圖5是與本實用新型對比的移動終端的剖面示意圖；
[0025]圖中，1-金屬后殼；11-上端部分；12-下端部分;2-單縫;3-NFC線圈；4-鐵氧體;5-連接部?！揪唧w實施方式】
[0026]以下將結(jié)合圖2至圖10對本實用新型提供的移動終端及其NFC天線結(jié)構(gòu)進行詳細的描述，其為本實用新型可選的實施例，可以認為，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不改變本實用新型精神和內(nèi)容的范圍內(nèi)，能夠?qū)ζ溥M行修改和潤色。[〇〇27]請參考圖2至圖10,本實用新型提供了一種移動終端的NFC天線結(jié)構(gòu)，包括鐵氧體4 和連接于所述鐵氧體4上的NFC線圈3,當(dāng)然，這種連接關(guān)系，或者說設(shè)置關(guān)系，并非指完全覆蓋，而可以是部分覆蓋，并通過其他部件進行安裝，所述移動終端的金屬后殼1包括上端部分11與下端部分12,上端部分11與下端部分12間具有單縫2,所述NFC線圈3和鐵氧體4位于所述金屬后殼1的內(nèi)側(cè)，其如何實現(xiàn)這個位置的安裝，本領(lǐng)域自有解決方案，本實用新型不對其進行展開敘述，所述NFC線圈3不超出所述單縫2的上邊緣，所述鐵氧體4延伸至所述上端部分11的內(nèi)側(cè)。NFC線圈3和鐵氧體4的位置可以微調(diào)，但是鐵氧體4必須超出NFC線圈3上邊緣，超出部分越大越好。
[0028]有關(guān)所述鐵氧體4的位置，做如下闡述:
[0029]有關(guān)鐵氧體4相對于NFC線圈3的位置，在本實用新型可選的實施例中，比如圖3、圖 8圖9和圖10示意的實施例中，所述鐵氧體4僅部分覆蓋所述NFC線圈3。在其他可選實施例中，比如圖4至圖7各圖示意的實施例中，所述鐵氧體4全部覆蓋所述NFC線圈。
[0030]有關(guān)鐵氧體4相對于金屬后殼1的位置，在本實用新型可選的實施例中，如圖3、圖9 和圖10示意，所述鐵氧體4的下邊緣與所述單縫的下邊緣齊平。在本實用新型優(yōu)選的實施例中，所述鐵氧體4的上邊緣延伸至所述上端部分11的頂端。
[0031]具體來說，相較于圖3而言，圖7是一種鐵氧體分布的變化例，與圖3相比，圖7的鐵氧體下邊緣完全與NFC線圈重疊，即實現(xiàn)了完全覆蓋，這樣性能比圖3示意的實施例較差。
[0032]相較于圖3而言，圖8也是一種鐵氧體分布的變化例，與圖3相比，圖8的鐵氧體上邊緣沒有到手機頂部，下邊緣也沒有完全覆蓋NFC線圈，這樣性能比圖3示意的實施例較差。
[0033]有關(guān)所述NFC線圈3的位置，其只要滿足上端不高于單縫2的上邊緣即可，當(dāng)然，在本實用新型優(yōu)選的實施例中，參考圖4以外的各實施例，所述NFC線圈3的上邊緣與所述單縫 2的上邊緣齊平。NFC線圈3上邊緣與單縫2的上邊緣齊平，這樣NFC線圈3和上端部分11不產(chǎn)生重疊。
[0034]基于以上闡述，鐵氧體4上邊緣與手機的頂部齊平，鐵氧體4下邊緣和單縫2的下邊緣齊平。一般具有單縫結(jié)構(gòu)后殼的手機中上端部分11會用于其它天線，例如:GPS/WIFI/ Aux。由于鐵氧體4材料的特性使得對于工作在700MHz以上的其它天線影響可以忽略。
[0035]為了體現(xiàn)本實用新型的效果，列舉了圖4和圖6,圖4描述的是圖1方案的截面磁場分布，可以看出靠近開縫的NFC線圈3產(chǎn)生的磁場圍繞上端部分11形成回路。這個方案是公告號CN203466283U的專利里面提出的NFC方案。該方案中產(chǎn)生磁場的NFC線圈會對其它天線產(chǎn)生不利影響。圖6描述的是本實用新型圖3方案的截面磁場分布，其在圖5的基礎(chǔ)上延伸鐵氧體4至手機頂部，這樣能將磁場約束在鐵氧體4內(nèi)部，有效降低了磁路增大導(dǎo)致的漏磁，從而顯著增強NFC性能。
[0036]與之相對的，如圖5所示的方案描述的是將NFC線圈3遠離上端部分11，降低對其它天線的不利影響，但是NFC線圈3自身產(chǎn)生的磁場強度減弱了。這是由于NFC線圈下方磁路增大漏磁較多所導(dǎo)致。
[0037]由上述所描述的實施方式來看，本實用新型所述鐵氧體延伸部分有效的約束了磁場，減少了磁路增大導(dǎo)致的漏磁，從而提高了 NFC系統(tǒng)的通信距離。[〇〇38]基于以上的NFC天線結(jié)構(gòu)，本實用新型還提供了一種移動終端，包括所述金屬后殼 1和本實用新型提供的NFC天線結(jié)構(gòu)。[〇〇39]在本實用新型可選的實施例中，請參考圖9和圖10,所述上端部分11與下端部分12 之間通過連接部5連接，所述連接部5將所述單縫2截開。在進一步的可選實施例中，如圖10 所示，所述連接部5與所述NFC線圈重疊?；蛘呷鐖D9所示，所述連接部5位于與所述NFC線圈3 不重疊的位置。
[0040]具體來說，圖9是一種外殼的變化例，與圖3相比，圖9的上下金屬之間存在連接部 5,且連接部5與NFC線圈3不重疊，這樣條件下本實用新型的NFC結(jié)構(gòu)一樣適用。圖10是一種外殼的變化例，與圖3相比，圖10的上下金屬之間存在連接部5,且連接部5與NFC線圈3重疊， 這樣條件下本實用新型的NFC結(jié)構(gòu)一樣適用。
[0041]綜上所述，本實用新型基于移動終端具有單縫金屬后殼環(huán)境，通過NFC天線線圈部分不超出單縫的上邊緣，同時鐵氧體延伸至上部金屬下方的設(shè)計來提高NFC天線性能。由于鐵氧體材料的特性使得對于工作在700MHz以上的其它天線影響可以忽略。
[0042]可見，本實用新型和現(xiàn)有的技術(shù)相比有如下優(yōu)點:[〇〇43]優(yōu)點一:現(xiàn)有技術(shù)的NFC天線置于單縫下方，NFC線圈超出單縫上邊緣的部分會對其它天線產(chǎn)生不利影響，但是本實用新型中NFC線圈沒有超出單縫上邊緣，不會干擾到其它天線。[〇〇44]優(yōu)點二:NFC天線線圈部分如果不超出單縫上邊緣性能會較差。這是因為NFC線圈遠離上邊緣會導(dǎo)致磁路增大，上部分金屬產(chǎn)生較多的漏磁，但是延伸鐵氧體后能有效約束磁場，減少漏磁，從而提高NFC天線性能。
[0045]此外，作為和鐵氧體材料具有類似性能的材料使用本實用新型的排布達到增強 NFC天線性能的做法視為本專利的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種移動終端的NFC天線結(jié)構(gòu)，包括鐵氧體和連接于所述鐵氧體上的NFC線圈，所述 移動終端的金屬后殼包括上端部分與下端部分，上端部分與下端部分間具有單縫，所述NFC 線圈和鐵氧體位于所述金屬后殼的內(nèi)側(cè)，其特征在于:所述NFC線圈不超出所述單縫的上邊 緣，所述鐵氧體延伸至所述上端部分的內(nèi)側(cè)。2.如權(quán)利要求1所述的移動終端的NFC天線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述鐵氧體僅部分覆蓋 所述NFC線圈。3.如權(quán)利要求1所述的移動終端的NFC天線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述鐵氧體全部覆蓋所 述NFC線圈。4.如權(quán)利要求1所述的移動終端的NFC天線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述鐵氧體的下邊緣與 所述單縫的下邊緣齊平。5.如權(quán)利要求1所述的移動終端的NFC天線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述鐵氧體的上邊緣延 伸至所述上端部分的頂端。6.如權(quán)利要求1所述的移動終端的NFC天線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述NFC線圈的上邊緣與 所述單縫的上邊緣齊平。7.—種移動終端，其特征在于:包括金屬后殼和如權(quán)利要求1至6任意之一所述的NFC天 線結(jié)構(gòu)。8.如權(quán)利要求7所述的移動終端，其特征在于:所述上端部分與下端部分之間通過連接 部連接，所述連接部將所述單縫截開。9.如權(quán)利要求8所述的移動終端，其特征在于:所述連接部與所述NFC線圈重疊。10.如權(quán)利要求8所述的移動終端，其特征在于:所述連接部位于與所述NFC線圈不重疊 的位置。
【文檔編號】H01Q7/08GK205583124SQ201620280642
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年4月6日
【發(fā)明人】黃參, 李維佳
【申請人】上海安費諾永億通訊電子有限公司, 電子科技大學(xué)