一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及到一種火工品半導(dǎo)體橋體的封裝結(jié)構(gòu)。一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上設(shè)置有電極引線1和芯片4，所述的電極引線1穿過(guò)陶瓷塞5設(shè)置，所述的芯片4固定設(shè)置在陶瓷塞5上，電極引線1從陶瓷塞5上伸出的部分與芯片4之間設(shè)置有金屬化導(dǎo)帶3，電極引線1通過(guò)金屬化導(dǎo)帶3與芯片4連接，金屬化導(dǎo)帶3與電極引線1和芯片4的連接部位均設(shè)置有導(dǎo)電連接體2。本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)在陶瓷塞制作金屬化導(dǎo)帶，金屬化導(dǎo)帶與電極引線和芯片的連接部位均設(shè)置有導(dǎo)電連接體，導(dǎo)電連接體能夠避免因裝藥壓力導(dǎo)致的電極引線斷裂、失效。
【專利說(shuō)明】
一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及到一種火工品半導(dǎo)體橋體的封裝結(jié)構(gòu)。
【【背景技術(shù)】】
[0002]半導(dǎo)體橋(Semiconductor Bridge，SCB)是利用半導(dǎo)體膜或金屬-半導(dǎo)體復(fù)合膜作為發(fā)火元件，相較于金屬橋絲發(fā)火品，以其具有發(fā)光能量低、響應(yīng)速度快、使用安全等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用。
[0003]SCB具有不同于一般金屬橋絲火工品的點(diǎn)火特性，這是由橋體本身決定的。橋體材料為重?fù)诫s硅，在受電激勵(lì)下，由于加熱作用，橋體材料從常溫、融化、汽化到形成等離子狀態(tài)，與超爆藥直接加壓接觸可引爆起爆藥，達(dá)到點(diǎn)火目的。
[0004]半導(dǎo)體橋的核心為半導(dǎo)體橋芯片，其結(jié)構(gòu)由高阻硅片或藍(lán)寶石基片上制作“H”形重?fù)诫s多晶硅作為橋體，橋體兩端通過(guò)蒸發(fā)金屬Al或Ni引出焊盤(pán)，焊盤(pán)與陶瓷塞電極通過(guò)Al絲鍵合實(shí)現(xiàn)電連接。再直接在半導(dǎo)體橋體表面進(jìn)行壓裝起爆點(diǎn)火藥，壓力一般為90Mpa，就形成了半導(dǎo)體橋起爆器。由于半導(dǎo)體橋?qū)崿F(xiàn)點(diǎn)火功能要與起爆藥直接緊密接觸，壓裝壓力一般為90Mpa，兩端的Al引線會(huì)受力發(fā)生塌落并承受很大的壓力，導(dǎo)致Al受損斷線，發(fā)生開(kāi)路失效。
【【實(shí)用新型內(nèi)容】】
[0005]為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可避免裝藥壓力導(dǎo)致的引線斷裂、失效。
[0006]—種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上設(shè)置有電極引線I和芯片4，所述的電極引線I穿過(guò)陶瓷塞5設(shè)置，所述的芯片4固定設(shè)置在陶瓷塞5上，電極引線I從陶瓷塞5上伸出的部分與芯片4之間設(shè)置有金屬化導(dǎo)帶3，電極引線I通過(guò)金屬化導(dǎo)帶3與芯片4連接，金屬化導(dǎo)帶3與電極引線I和芯片4的連接部位均設(shè)置有導(dǎo)電連接體2。
[0007]所述的導(dǎo)電連接體2涂覆在金屬化導(dǎo)帶3與電極引線I和芯片4的連接部位。
[0008]所述的導(dǎo)電連接體2為導(dǎo)電銀漿料。
[0009]所述的金屬化導(dǎo)帶3為鉬錳漿料。
[0010]所述的電極引線I和芯片4在陶瓷塞5的表面上對(duì)稱設(shè)置。
[0011]所述的芯片4設(shè)置在陶瓷塞5的中心位置。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果:
[0013]本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)在陶瓷塞制作金屬化導(dǎo)帶，金屬化導(dǎo)帶與電極引線和芯片的連接部位均設(shè)置有導(dǎo)電連接體，導(dǎo)電連接體能夠避免因裝藥壓力導(dǎo)致的電極引線斷裂、失效。
【【附圖說(shuō)明】】
[0014]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖1(a)為俯視圖，圖1 (b)為主視圖。
[0015]圖中，卜電極引線，2-導(dǎo)電連接體，3-金屬化導(dǎo)帶，4-芯片，5-陶瓷塞。
【【具體實(shí)施方式】】
[0016]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型或?qū)嵱眯滦瓦M(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0017]如圖1所示，本實(shí)用新型的一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上設(shè)置有電極引線I和芯片4，所述的電極引線I穿過(guò)陶瓷塞5設(shè)置，所述的芯片4固定設(shè)置在陶瓷塞5上，電極引線I從陶瓷塞5上伸出的部分與芯片4之間設(shè)置有金屬化導(dǎo)帶3，電極引線I通過(guò)金屬化導(dǎo)帶3與芯片4連接，金屬化導(dǎo)帶3與電極引線I和芯片4的連接部位均設(shè)置有導(dǎo)電連接體2。
[0018]在陶瓷塞5的上表面，芯片4與電極引線I之間采用絲網(wǎng)印刷方式，用導(dǎo)電漿料(鉬錳漿料)印制金屬化導(dǎo)帶3，通過(guò)高溫合金與陶瓷塞5形成結(jié)合緊密的導(dǎo)帶。在陶瓷塞5上安裝芯片4后，在芯片4的金屬化區(qū)和金屬化導(dǎo)帶3之間的連接部位，以及金屬化導(dǎo)帶3和電極引線I之間的連接部位均涂覆導(dǎo)電銀漿料，在150°C充氮環(huán)境下固化I小時(shí)，實(shí)現(xiàn)芯片5與外電極之間的導(dǎo)電連接。
[0019]本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)在陶瓷塞制作金屬化導(dǎo)帶，金屬化導(dǎo)帶與電極引線和芯片的連接部位均設(shè)置有導(dǎo)電連接體，導(dǎo)電連接體能夠避免因裝藥壓力導(dǎo)致的電極引線斷裂、失效。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括陶瓷塞(5)，陶瓷塞(5)上設(shè)置有電極引線(I)和芯片(4)，所述的電極引線(I)穿過(guò)陶瓷塞(5)設(shè)置，所述的芯片(4)固定設(shè)置在陶瓷塞(5)上，電極引線(I)從陶瓷塞(5)上伸出的部分與芯片(4)之間設(shè)置有金屬化導(dǎo)帶(3)，電極引線(I)通過(guò)金屬化導(dǎo)帶(3)與芯片(4)連接，金屬化導(dǎo)帶(3)與電極引線(I)和芯片(4)的連接部位均設(shè)置有導(dǎo)電連接體(2)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的導(dǎo)電連接體(2)涂覆在金屬化導(dǎo)帶(3)與電極引線(I)和芯片(4)的連接部位。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的導(dǎo)電連接體(2)為導(dǎo)電銀漿料。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的金屬化導(dǎo)帶(3)為鉬錳漿料。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的電極引線(I)和芯片(4)在陶瓷塞(5)的表面上對(duì)稱設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體橋的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的芯片(4)設(shè)置在陶瓷塞(5)的中心位置。
【文檔編號(hào)】H01L23/48GK205595322SQ201521139412
【公開(kāi)日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2015年12月31日
【發(fā)明人】王旗, 崔聰, 張文彬
【申請(qǐng)人】長(zhǎng)春半導(dǎo)體有限公司西安分公司