一種晶片清洗裝置的制造方法
【專利摘要】藍(lán)寶石晶片生產(chǎn)加工過程中，晶片表面留有許多微粒，為清洗晶片表面的微粒，本實(shí)用新型提供一種晶片清洗裝置，屬于藍(lán)寶石晶片加工技術(shù)設(shè)備領(lǐng)域，包括高科技墊板、高級潔凈無塵布和噴水裝置，所述高級潔凈無塵布設(shè)置于高科技墊板上，所述晶片固定于高級潔凈無塵布上，所述噴水裝置設(shè)置于晶片上方，還包括納米級海綿，所述納米級海綿用于擦除晶片表面顆粒。本實(shí)用新型采用高級潔凈無塵布和納米級海綿，在水的沖洗下，配合擦拭晶片表面。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，方便實(shí)用，簡捷有效，可完全去除晶片表面的微塵顆粒，為晶片的進(jìn)一步加工使用提供質(zhì)量保障。
【專利說明】
一種晶片清洗裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于藍(lán)寶石晶片加工技術(shù)設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種清除晶片加工過程中所產(chǎn)生顆粒的晶片清洗裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]藍(lán)寶石晶片在生產(chǎn)加工過程中，晶片表面產(chǎn)生大量微粒?，F(xiàn)有技術(shù)中，去除晶片表面的顆粒主要靠人工方法處理，人工處理費(fèi)時(shí)、費(fèi)力，而且清洗顆粒不徹底，清洗后容易造成二次污染，加大了后續(xù)晶片加工的難度，影響了晶片質(zhì)量。且人工處理效率低，晶片清洗成本高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種簡潔有效清除晶片表面微粒的晶片清洗裝置。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種晶片清洗裝置，用于清洗晶片表面微粒，其特征在于:包括高科技墊板、高級潔凈無塵布和噴水裝置，所述高級潔凈無塵布設(shè)置于高科技墊板上，所述晶片固定于高級潔凈無塵布上，所述噴水裝置設(shè)置于晶片上方。
[0005]優(yōu)選的，還包括納米級海棉，所述納米級海棉用于擦除晶片表面顆粒。
[0006]優(yōu)選的，所述高科技墊板上設(shè)置有突起。
[0007]優(yōu)選的，還包括一支架，所述高科技墊板傾斜設(shè)置于支架內(nèi)。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型采用高級潔凈無塵布和納米級海棉，在水的沖洗下，配合擦拭晶片表面。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，方便實(shí)用，簡捷有效，可完全去除晶片表面的微塵顆粒，為晶片的進(jìn)一步加工使用提供質(zhì)量保障。
【附圖說明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是圖1中A部放大圖。
[00?1 ]圖中標(biāo)記為:1、晶片；2、尚科技塾板;3、尚級潔凈無塵布;4、嗔水裝置;5、納米級海棉;6、突起;7、支架。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖實(shí)施例，對本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述:
[0013]如圖1所示，一種晶片清洗裝置，用于清洗晶片I表面微粒，包括高科技墊板2、高級潔凈無塵布3和噴水裝置4，高級潔凈無塵布3設(shè)置于高科技墊板2上，晶片I固定于高級潔凈無塵布3上，噴水裝置4設(shè)置于晶片上方。還包括納米級海棉5，納米級海棉5用于擦除晶片I表面顆粒。高科技墊板2上設(shè)置有突起6，高科技墊板2傾斜設(shè)置于支架，7內(nèi)。
[0014]本實(shí)用新型工作原理和工作過程如下:將高科技墊板2傾斜設(shè)置于支架6內(nèi)，然后在高科技墊板2表面突起6上鋪設(shè)高級潔凈無塵布3，將晶片I固定于高級潔凈無塵布3上，晶片I上方的噴水裝置4噴水清洗晶片，最后用納米級海棉5擦拭晶片I，將晶片I正反面的臟污與顆粒擦拭潔凈，達(dá)到表面無塵的效果。
[0015]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非是對本實(shí)用新型作其它形式的限制，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或改型為等同變化的等效實(shí)施例。但是凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與改型，仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片清洗裝置，用于清洗晶片(I)表面微粒，其特征在于:包括高科技墊板(2)、高級潔凈無塵布(3)和噴水裝置(4)，所述高級潔凈無塵布(3)設(shè)置于高科技墊板(2)上，所述晶片固定于高級潔凈無塵布(3)上，所述噴水裝置(4)設(shè)置于晶片上方。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗裝置，其特征在于:還包括納米級海棉(5)，所述納米級海棉(5 )用于擦除晶片(I)表面顆粒。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片清洗裝置，其特征在于:所述高科技墊板(2)上設(shè)置有突起(6)04.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片清洗裝置，其特征在于:還包括一支架(6)，所述高科技墊板(2)傾斜設(shè)置于支架(7)內(nèi)。
【文檔編號】H01L21/67GK205609480SQ201620084055
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年1月28日
【發(fā)明人】王鑫
【申請人】青島鑫嘉星電子科技股份有限公司