一種陶瓷封裝基座的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種陶瓷封裝基座，包括陶瓷封裝基底、電極、封裝晶體和凸臺(tái)，所述電極涂覆在所述陶瓷封裝基底上，所述凸臺(tái)涂覆在所述電極上或者涂覆在所述陶瓷封裝基底上，所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間以所述凸臺(tái)為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極進(jìn)行點(diǎn)膠使得所述封裝晶體的一端通過(guò)膠固定在所述電極上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間封裝連接，所述封裝晶體的另一端與所述陶瓷封裝基底非接觸，使得所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間形成一定的角度。本實(shí)用新型簡(jiǎn)化了陶瓷封裝基座的結(jié)構(gòu)，有利于產(chǎn)品向小型化發(fā)展。
【專利說(shuō)明】
一種陶瓷封裝基座
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種封裝基座，尤其涉及一種陶瓷封裝基座。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的陶瓷封裝基座是由多層陶瓷膜片疊加而成，通常對(duì)上層陶瓷膜片沖方腔孔以便于石英晶體置于陶瓷基座中，由于晶體正常工作時(shí)需處于懸空的狀態(tài)，因此在制作電極時(shí)，通常制作兩層腔體結(jié)構(gòu)，如圖5和6所示，晶體固定在上層腔體上，避免晶體與腔體底部接觸，或者做成三點(diǎn)電極凸臺(tái)結(jié)構(gòu)，如圖7和8所示，通過(guò)在陶瓷封裝基座端部的左上部和左下部設(shè)置兩個(gè)互不連接的電極，右側(cè)設(shè)置一個(gè)長(zhǎng)電極，電極上均印刷凸臺(tái)，晶體固定在凸臺(tái)上，達(dá)到三點(diǎn)支撐狀態(tài)，使得晶體在工作時(shí)不與腔體底部接觸。
[0003]對(duì)于兩層腔體結(jié)構(gòu)，在陶瓷膜片上加工兩層腔體，增加了模具成本，延長(zhǎng)了加工時(shí)間，容易出現(xiàn)腔體塌陷、變形等產(chǎn)品缺陷，降低產(chǎn)品質(zhì)量，而且加工兩層腔體使得產(chǎn)品尺寸較厚，產(chǎn)品對(duì)小型化的晶體封裝適用性差;對(duì)于三點(diǎn)電極凸臺(tái)結(jié)構(gòu)，其中兩個(gè)電極對(duì)側(cè)的長(zhǎng)電極一般無(wú)鍍層保護(hù)，鎢層易發(fā)生氧化變色，氧化皮脫落到陶瓷封裝基座上會(huì)影響陶瓷封裝基座的使用性能。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于考慮上述問(wèn)題而提供一種能有效保證封裝晶體在工作時(shí)處于懸空狀態(tài)的陶瓷封裝基座。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:一種陶瓷封裝基座，包括陶瓷封裝基底、電極、封裝晶體和凸臺(tái)，所述電極涂覆在所述陶瓷封裝基底上，所述凸臺(tái)涂覆在所述電極上或者涂覆在所述陶瓷封裝基底上，所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間以所述凸臺(tái)為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極進(jìn)行點(diǎn)膠使得所述封裝晶體的一端通過(guò)膠固定在所述電極上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間封裝連接，所述封裝晶體的另一端與所述陶瓷封裝基底非接觸，使得所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間形成一定的角度之間形成一定的角度。
[0006]本實(shí)用新型所述陶瓷封裝基座，所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間以凸臺(tái)為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極進(jìn)行點(diǎn)膠，從而使得所述封裝晶體的一端通過(guò)膠固定在所述電極上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間封裝連接，而在對(duì)所述電極進(jìn)行點(diǎn)膠的過(guò)程中，所述封裝晶體的另一端以凸臺(tái)為軸發(fā)生細(xì)微的上翹，使得所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間形成一定的角度，有效保證封裝晶體在工作時(shí)處于懸空狀態(tài)。
[0007]作為對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述電極設(shè)置為兩個(gè)，分別涂覆在所述陶瓷封裝基底端部的左上部和左下部，所述兩個(gè)電極之間相互間隔沒(méi)有連通。
[0008]作為對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述電極和凸臺(tái)的形狀分別為三角形、橢圓形、圓形、跑道形或多邊形中的至少一種。即所述電極和凸臺(tái)的形狀各自獨(dú)立，均可以為三角形、橢圓形、圓形、跑道形或多邊形中的至少一種，所述電極和凸臺(tái)的形狀可以相同或不同。優(yōu)選地，所述電極和凸臺(tái)的形狀相同。
[0009]作為對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)，涂覆在電極上的所述凸臺(tái)的材料為金屬漿料;涂覆在陶瓷封裝基底上的所述凸臺(tái)的材料為陶瓷漿料。
[0010]作為對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間形成的角度為0.2?90° O
[0011]作為對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間形成的角度為0.8?60° O
[0012]作為對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間形成的角度為I?10°。
[0013]作為對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述膠的材料為銀膠。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)用新型的效果在于:
[0015]1.通過(guò)利用凸臺(tái)在晶體封裝點(diǎn)膠過(guò)程中作為一個(gè)支點(diǎn)，使封裝晶體隨著點(diǎn)膠動(dòng)作的進(jìn)行，以凸臺(tái)支點(diǎn)為軸發(fā)生細(xì)微的上翹，從而避免與陶瓷封裝基底底部發(fā)生接觸，保證了封裝晶體在正常工作時(shí)處于懸空狀態(tài)；
[0016]2.取消三點(diǎn)電極設(shè)計(jì)中的兩個(gè)電極對(duì)側(cè)的長(zhǎng)電極，減少了電極數(shù)量，杜絕由于裸露長(zhǎng)電極氧化而影響陶瓷封裝基座的使用；
[0017]3.簡(jiǎn)化了陶瓷封裝基座的結(jié)構(gòu)，有利于產(chǎn)品向小型化發(fā)展；
[00?8] 4.在晶體封裝過(guò)程中易于進(jìn)彳丁工藝控制，提尚封裝廣品的良率，而且適應(yīng)晶體封裝廠家的實(shí)際操作情況，能完美地兼容晶體封裝廠家現(xiàn)有的點(diǎn)膠工藝。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為本實(shí)用新型的陶瓷封裝基座的一種實(shí)施例的主視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2為圖1所示陶瓷封裝基座的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖3為本實(shí)用新型的陶瓷封裝基座的另一種實(shí)施例的主視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖4為圖3所示陶瓷封裝基座的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖5為現(xiàn)有的陶瓷封裝基座的兩層腔體的主視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖6為圖5所示陶瓷封裝基座的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖7為現(xiàn)有的陶瓷封裝基座的三點(diǎn)電極凸臺(tái)的主視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖8為現(xiàn)有的陶瓷封裝基座的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖中，1、陶瓷封裝基座;2、陶瓷封裝基底;3、電極;4、膠;5、封裝晶體;6、凸臺(tái)。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為更好的說(shuō)明本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)，下面將結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0029]實(shí)施例1
[0030]如圖1和2所示，本實(shí)用新型提供了一種陶瓷封裝基座I，包括陶瓷封裝基底2、電極3、膠4、封裝晶體5和凸臺(tái)6。所述電極3有兩個(gè)，所述電極3的形狀為為四邊形結(jié)構(gòu)，分別涂覆在陶瓷封裝基底2端部的左上部和左下部，兩個(gè)電極3之間相互間隔，沒(méi)有連通;所述凸臺(tái)6涂覆在電極3上，所述凸臺(tái)6的形狀為四邊形結(jié)構(gòu)，其材料為金屬漿料;所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間以所述凸臺(tái)6為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極3進(jìn)行點(diǎn)膠4使得所述封裝晶體5的一端通過(guò)膠4固定在所述電極3上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間封裝連接;所述膠4的材料為銀膠;所述封裝晶體5的另一端與所述陶瓷封裝基底2非接觸，使得所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間形成0.2°的傾斜角度。點(diǎn)膠封裝過(guò)程中封裝晶體5以凸臺(tái)6為軸發(fā)生細(xì)微的上翹，封裝晶體5與陶瓷封裝基底2之間形成0.2°的傾斜角度，從而避免與腔體底部發(fā)生接觸，保證了晶體在正常工作時(shí)處于懸空狀態(tài)。
[0031]實(shí)施例2
[0032]如圖1和2所示，本實(shí)用新型提供了一種陶瓷封裝基座I，包括陶瓷封裝基底2、電極3、膠4、封裝晶體5和凸臺(tái)6。所述電極3有兩個(gè)，所述電極3的形狀為為三角形結(jié)構(gòu)，分別涂覆在陶瓷封裝基底2端部的左上部和左下部，兩個(gè)電極3之間相互間隔，沒(méi)有連通;所述凸臺(tái)6涂覆在電極3上，所述凸臺(tái)6的形狀為三角形結(jié)構(gòu)，其材料為金屬漿料;所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間以所述凸臺(tái)6為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極3進(jìn)行點(diǎn)膠4使得所述封裝晶體5的一端通過(guò)膠4固定在所述電極3上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間封裝連接;所述膠4的材料為銀膠;所述封裝晶體5的另一端與所述陶瓷封裝基底2非接觸，使得所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間形成60°的傾斜角度。點(diǎn)膠封裝過(guò)程中封裝晶體5以凸臺(tái)6為軸發(fā)生上翹，封裝晶體5與陶瓷封裝基底2之間形成60°的傾斜角度，從而避免與腔體底部發(fā)生接觸，保證了晶體在正常工作時(shí)處于懸空狀態(tài)。
[0033]實(shí)施例3
[0034]如圖1和2所示，本實(shí)用新型提供了一種陶瓷封裝基座I，包括陶瓷封裝基底2、電極3、膠4、封裝晶體5和凸臺(tái)6。所述電極3有兩個(gè)，所述電極3的形狀為為橢圓形結(jié)構(gòu)，分別涂覆在陶瓷封裝基底2端部的左上部和左下部，兩個(gè)電極3之間相互間隔，沒(méi)有連通;所述凸臺(tái)6涂覆在電極3上，所述凸臺(tái)6的形狀為橢圓形結(jié)構(gòu)，其材料為金屬漿料;所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間以所述凸臺(tái)6為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極3進(jìn)行點(diǎn)膠4使得所述封裝晶體5的一端通過(guò)膠4固定在所述電極3上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間封裝連接;所述膠4的材料為銀膠;所述封裝晶體5的另一端與所述陶瓷封裝基底2非接觸，使得所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間形成10°的傾斜角度。點(diǎn)膠封裝過(guò)程中封裝晶體5以凸臺(tái)6為軸發(fā)生細(xì)微的上翹，封裝晶體5與陶瓷封裝基底2之間形成10°的傾斜角度，從而避免與腔體底部發(fā)生接觸，保證了晶體在正常工作時(shí)處于懸空狀態(tài)。
[0035]實(shí)施例4
[0036]如圖1和2所示，本實(shí)用新型提供了一種陶瓷封裝基座I，包括陶瓷封裝基底2、電極3、膠4、封裝晶體5和凸臺(tái)6。所述電極3有兩個(gè)，所述電極3的形狀為為跑道形結(jié)構(gòu)，分別涂覆在陶瓷封裝基底2端部的左上部和左下部，兩個(gè)電極3之間相互間隔，沒(méi)有連通;所述凸臺(tái)6涂覆在電極3上，所述凸臺(tái)6的形狀為跑道形結(jié)構(gòu)，其材料為金屬漿料;所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間以所述凸臺(tái)6為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極3進(jìn)行點(diǎn)膠4使得所述封裝晶體5的一端通過(guò)膠4固定在所述電極3上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間封裝連接;所述膠4的材料為銀膠;所述封裝晶體5的另一端與所述陶瓷封裝基底2非接觸，使得所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間形成1°的傾斜角度。點(diǎn)膠封裝過(guò)程中封裝晶體5以凸臺(tái)6為軸發(fā)生細(xì)微的上翹，封裝晶體5與陶瓷封裝基底2之間形成1°的傾斜角度，從而避免與腔體底部發(fā)生接觸，保證了晶體在正常工作時(shí)處于懸空狀態(tài)。
[0037]實(shí)施例5
[0038]如圖3和4所示，本實(shí)用新型提供了一種陶瓷封裝基座I，包括陶瓷封裝基底2、電極3、膠4、封裝晶體5和凸臺(tái)6。所述電極3有兩個(gè)，所述電極3的形狀為為圓形結(jié)構(gòu)，分別涂覆在陶瓷封裝基底2端部的左上部和左下部，兩個(gè)電極3之間相互間隔，沒(méi)有連通;所述凸臺(tái)6涂覆在陶瓷基底2上，所述凸臺(tái)6的形狀為圓形結(jié)構(gòu)，其材料為陶瓷漿料;所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間以所述凸臺(tái)6為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極3進(jìn)行點(diǎn)膠4使得所述封裝晶體5的一端通過(guò)膠4固定在所述電極3上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間封裝連接;所述膠4的材料為銀膠;所述封裝晶體5的另一端與所述陶瓷封裝基底2非接觸，使得所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間形成0.8°的傾斜角度。點(diǎn)膠封裝過(guò)程中封裝晶體5以凸臺(tái)6為軸發(fā)生細(xì)微的上翹，封裝晶體5與陶瓷封裝基底2之間形成0.8°的傾斜角度，從而避免與腔體底部發(fā)生接觸，保證了晶體在正常工作時(shí)處于懸空狀態(tài)。
[0039]實(shí)施例6
[0040]如圖3和4所示，本實(shí)用新型提供了一種陶瓷封裝基座I，包括陶瓷封裝基底2、電極3、膠4、封裝晶體5和凸臺(tái)6。所述電極3有兩個(gè)，所述電極3的形狀為為六邊形結(jié)構(gòu)，分別涂覆在陶瓷封裝基底2端部的左上部和左下部，兩個(gè)電極3之間相互間隔，沒(méi)有連通;所述凸臺(tái)6涂覆在陶瓷基底2上，所述凸臺(tái)6的形狀為六邊形結(jié)構(gòu)，其材料為陶瓷漿料;所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間以所述凸臺(tái)6為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極3進(jìn)行點(diǎn)膠4使得所述封裝晶體5的一端通過(guò)膠4固定在所述電極3上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間封裝連接;所述膠4的材料為銀膠;所述封裝晶體5的另一端與所述陶瓷封裝基底2非接觸，使得所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間形成90°的傾斜角度。點(diǎn)膠封裝過(guò)程中封裝晶體5以凸臺(tái)6為軸發(fā)生上翹，封裝晶體5與陶瓷封裝基底2之間形成90°的傾斜角度，從而避免與腔體底部發(fā)生接觸，保證了晶體在正常工作時(shí)處于懸空狀態(tài)。
[0041 ] 實(shí)施例7
[0042]如圖3和4所示，本實(shí)用新型提供了一種陶瓷封裝基座I，包括陶瓷封裝基底2、電極3、膠4、封裝晶體5和凸臺(tái)6。所述電極3有兩個(gè)，所述電極3的形狀為為八邊形結(jié)構(gòu)，分別涂覆在陶瓷封裝基底2端部的左上部和左下部，兩個(gè)電極3之間相互間隔，沒(méi)有連通;所述凸臺(tái)6涂覆在陶瓷基底2上，所述凸臺(tái)6的形狀為八邊形結(jié)構(gòu)，其材料為陶瓷漿料;所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間以所述凸臺(tái)6為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極3進(jìn)行點(diǎn)膠4使得所述封裝晶體5的一端通過(guò)膠4固定在所述電極3上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間封裝連接;所述膠4的材料為銀膠;所述封裝晶體5的另一端與所述陶瓷封裝基底2非接觸，使得所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間形成45°的傾斜角度。點(diǎn)膠封裝過(guò)程中封裝晶體5以凸臺(tái)6為軸發(fā)生上翹，封裝晶體5與陶瓷封裝基底2之間形成45°的傾斜角度，從而避免與腔體底部發(fā)生接觸，保證了晶體在正常工作時(shí)處于懸空狀態(tài)。
[0043]實(shí)施例8
[0044]如圖3和4所示，本實(shí)用新型提供了一種陶瓷封裝基座I，包括陶瓷封裝基底2、電極
3、膠4、封裝晶體5和凸臺(tái)6。所述電極3有兩個(gè)，所述電極3的形狀為為三角形結(jié)構(gòu)，分別涂覆在陶瓷封裝基底2端部的左上部和左下部，兩個(gè)電極3之間相互間隔，沒(méi)有連通;所述凸臺(tái)6涂覆在陶瓷基底2上，所述凸臺(tái)6的形狀為三角形結(jié)構(gòu)，其材料為陶瓷漿料;所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間以所述凸臺(tái)6為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極3進(jìn)行點(diǎn)膠4使得所述封裝晶體5的一端通過(guò)膠4固定在所述電極3上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間封裝連接;所述膠4的材料為銀膠;所述封裝晶體5的另一端與所述陶瓷封裝基底2非接觸，使得所述封裝晶體5與所述陶瓷封裝基底2之間形成5°的傾斜角度。點(diǎn)膠封裝過(guò)程中封裝晶體5以凸臺(tái)6為軸發(fā)生細(xì)微的上翹，封裝晶體5與陶瓷封裝基底2之間形成5°的傾斜角度，從而避免與腔體底部發(fā)生接觸，保證了晶體在正常工作時(shí)處于懸空狀態(tài)。
[0045]最后所應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陶瓷封裝基座，包括陶瓷封裝基底、電極、封裝晶體和凸臺(tái)，其特征在于，所述電極涂覆在所述陶瓷封裝基底上，所述凸臺(tái)涂覆在所述電極上或者涂覆在所述陶瓷封裝基底上，所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間以所述凸臺(tái)為支點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述電極進(jìn)行點(diǎn)膠使得所述封裝晶體的一端通過(guò)膠固定在所述電極上，實(shí)現(xiàn)所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間封裝連接，所述封裝晶體的另一端與所述陶瓷封裝基底非接觸，使得所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間形成一定的角度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷封裝基座，其特征在于，所述電極設(shè)置為兩個(gè)，分別涂覆在所述陶瓷封裝基底端部的左上部和左下部，所述兩個(gè)電極之間相互間隔沒(méi)有連通。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷封裝基座，其特征在于，所述電極和凸臺(tái)的形狀分別為橢圓形、圓形、跑道形或多邊形中的至少一種。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷封裝基座，其特征在于，所述多邊形為三角形。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷封裝基座，其特征在于，所述電極和凸臺(tái)的形狀相同。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷封裝基座，其特征在于，涂覆在電極上的所述凸臺(tái)的材料為金屬漿料;涂覆在陶瓷封裝基底上的所述凸臺(tái)的材料為陶瓷漿料。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷封裝基座，其特征在于，所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間形成的角度為0.2?90°。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陶瓷封裝基座，其特征在于，所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間形成的角度為0.8?60°。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陶瓷封裝基座，其特征在于，所述封裝晶體與所述陶瓷封裝基底之間形成的角度為I?10°。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷封裝基座，其特征在于，所述膠的材料為銀膠。
【文檔編號(hào)】H01L23/15GK205609495SQ201521143339
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2015年12月31日
【發(fā)明人】劉建偉
【申請(qǐng)人】潮州三環(huán)（集團(tuán)）股份有限公司