支撐制品的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種用于支撐LESD的制品，所述制品包括具有第一主表面和第二主表面的介電層，所述第一主表面在其上具有導電層，所述介電層具有從所述第二主表面延伸至所述第一主表面的至少三個通孔，所述導電層至少包括第一導電特征結構和第二導電特征結構，其中所述第一導電特征結構與至少第一通孔的開口相鄰，并且所述第二導電特征結構與至少第二通孔和第三通孔的開口相鄰。
【專利說明】
支撐制品
技術領域
[0001 ]本發(fā)明涉及柔性發(fā)光半導體器件以及相關的基板?！颈尘凹夹g】
[0002] 常規(guī)的發(fā)光半導體(LES)(包括發(fā)光二極管(LED)和激光二極管)和LES器件(LESD) 以及包含LESD的封裝件具有若干缺點。高功率LESD將生成大量的熱，這些熱必須加以管理。 熱管理處理因散熱和熱應力而產(chǎn)生的問題，目前這是限制發(fā)光二極管性能的關鍵因素。
[0003]一般來講，LES器件常常易于因自器件內(nèi)生成的熱以及就外部照明應用而言來自太陽光的熱的積聚而受損。過度的熱積聚可能導致LES器件中所用材料(諸如用于LESD的封裝劑)的劣化。當LESD被附接至柔性電路層合體(其也可包括其他電氣部件)時，散熱問題可能會大大增加?！緦嵱眯滦蛢?nèi)容】
[0004]本發(fā)明的至少一個方面通過穩(wěn)健的柔性LESD構造為當前和今后的高功率LESD構造提供了一種高成效比的熱管理解決方案。高功率LESD陣列的運行需要耗散大量熱的能力。根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例，可通過將LESD集成到具有柔性介電層的系統(tǒng)中來管理散熱，該柔性介電層采用通孔來實現(xiàn)更好的熱管理。在本發(fā)明的至少一些實施例中，為形成通孔，采用將介電層蝕穿的方法。
[0005]本發(fā)明的至少一個實施例中提供了一種支撐制品，其包括:具有第一主表面和第二主表面的介電層，該第一主表面在其上具有導電層，該介電層具有從第二主表面延伸至第一主表面的至少三個通孔，該導電層至少包括第一導電特征結構和第二導電特征結構， 其中第一導電特征結構與至少第一通孔的開口相鄰，并且第二導電特征結構與至少第二通孔和第三通孔的開口相鄰。
[0006]如本申請中所用:
[0007]“LES”是指發(fā)光半導體，包括發(fā)光二極管和激光二極管；
[0008]“LESD”是指發(fā)光半導體器件，包括發(fā)光二極管器件和激光二極管器件;LESD可為裸露LES管芯構造、完全封裝的LES構造或包括多于裸露管芯但少于用于完全的LES封裝件的全部部件的中間LES構造，使得術語LES和LESD可互換使用并且是指不同LES構造中的一者或全部；“分立LESD”通常是指“封裝的”并在連接到電源(諸如包括MCPCB、MIS等在內(nèi)的驅(qū)動電路)后即可發(fā)揮功能的一個或多個LESD?？蛇m用于本發(fā)明的實施例的分立LESD的實例包括:可購自德國歐司朗光電半導體公司(OSRAM Opto Semiconductors GmbH,Germany)的 Golden DRAGON LED;可購自美國飛利浦流明公司(Philips Lumileds Lighting Company, USA)的LUXE0N LED;和可購自美國科銳光電公司(Cree，Inc.，USA)的XLAMP LED;以及本文所述的分立LESD以及類似器件。
[0009]“支撐制品”是指一個或多個分立LESD附接到其的有電路的柔性制品;本發(fā)明的支撐制品的市售另選產(chǎn)品可包括金屬芯印刷電路板(MCPCB)、金屬絕緣基板(MIS)、Bergquist傳熱板和COOLAM傳熱基板；
[0010]“柔性LESD”通常是指具有一個或多個附接的分立LESD的支撐制品。
[0011]本發(fā)明的上述
【發(fā)明內(nèi)容】
并不旨在描述本發(fā)明的每個公開的實施例或每種實施方式。以下附圖和【具體實施方式】更具體地舉例說明這些例示性實施例?！靖綀D說明】
[0012]圖1示出了本發(fā)明的制品的一個實施例的側視圖。
[0013]圖2示出了圖1的實施例的頂視圖。[〇〇14]圖3示出了圖1的實施例的底視圖。
[0015]圖4示出了本發(fā)明的制品的一個實施例的側視圖。
[0016]圖5示出了本發(fā)明的制品的一個實施例的側視圖。[〇〇17]圖6示出了本發(fā)明的制品的一個實施例的側視圖。
[0018]圖7示出了本發(fā)明的制品的一個實施例的頂視圖。
[0019]圖8示出了本發(fā)明的制品的一個實施例的頂視圖。
[0020]圖9示出了本發(fā)明的制品的一個實施例的頂視圖。【具體實施方式】
[0021]在以下說明中，參考形成本說明的一部分的附圖，并且其中以圖示方式示出了若干具體實施例。應當理解，在不脫離本發(fā)明的范圍或?qū)嵸|(zhì)的前提下，可以設想出其他實施例并進行實施。因此，以下的【具體實施方式】不具有限制性意義。
[0022]除非另外指明，否則本說明書和權利要求中使用的表示特征結構尺寸、數(shù)量和物理特性的所有數(shù)字均應該理解為在所有情況下均是由術語“約”來修飾的。因此，除非有相反的說明，否則上述說明書和所附權利要求中列出的數(shù)值參數(shù)均為近似值，根據(jù)本領域的技術人員利用本文所公開的教導內(nèi)容尋求獲得的所需特性，這些近似值可以變化。通過端值表示的數(shù)值范圍包括該范圍內(nèi)的所有數(shù)字(如，1到5包括1、1.5、2、2.7 5、3、3.80、4和5)以及該范圍內(nèi)的任何范圍。
[0023]除非另外指明，否則術語“涂層”、“涂布”、“經(jīng)涂布的”等不限于特定類型的施涂方法，諸如噴涂、浸涂、覆墨等，并可指通過適于所述材料的任何方法而沉積的材料，所述方法包括沉積法諸如氣相沉積法、電鍍法、涂布法等。
[0024]如本文所述的本發(fā)明的示例性實施例可涉及包括通孔的支撐制品，該通孔一直延伸穿過介電層，從而形成穿過介電層的開口。盡管本文的實施例通常描述的是單個LESD或在支撐制品上用于附接LESD的單個位點，但應當理解，本發(fā)明涵蓋多個LESD以及具有用于附接LESD的多個位點的支撐制品。另外，例如，本文的實施例可包括與附接的LESD相鄰的貫穿介電層的附加的通孔，以提供附加的散熱功能。[〇〇25]圖1示出了支撐制品2的一個實施例的側視圖，其中三個通孔10a、10b和10c(在一些情況下統(tǒng)稱為通孔10)從介電層12的第二表面延伸至第一表面。在大多數(shù)實施例中，第二表面處的通孔開口大于第一表面處的通孔開口。這通常歸因于通孔的傾斜側壁。傾斜側壁通常是由用于形成通孔的蝕刻方法形成的。然而，傾斜側壁也可由特定的鉆孔方法形成。導電層16位于介電層12的第一表面上。在許多實施例中，介電層12的第二表面上不存在導電層。然而，制品可具有位于介電層的第二表面上的導電層。導電層16被圖案化在介電層12的第一表面上并且包括彼此電隔離的導電特征結構18a和導電特征結構18b(在一些情況下統(tǒng)稱為導電特征結構18)。導電特征結構18a大體位于通孔10a上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔l〇a中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18b大體位于兩個通孔10b和10c上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔l〇b和通孔10c中的任何導電和導熱材料。
[0026]圖2和圖3分別不出了圖1的支撐制品2的頂視圖和底視圖。[〇〇27]如圖4-5所示，通孔10可包含導電材料20,其可為任何導電材料，諸如焊膏、焊料球、銀膏、銅等。圖4示出了一個實施例，其中導電材料20與介電層12的第二表面基本上共面。圖5示出了一個實施例，其中導電材料20不一直延伸至介電層12的第二表面。在圖5的實施例中，導電材料20可從介電層12的第二表面凹進任何合適的距離。圖6示出了一個實施例，其中導電材料20延伸超過介電層12的第二表面。在圖6的實施例中，導電材料20可延伸超過介電層12的第二表面任何合適的距離。在一些實施例中，合適的距離介于0微米和約 100微米之間。[〇〇28]支撐制品2適合與各種類型的LESD—起使用。圖5還示出了一個實施例，其中倒裝芯片LESD 24附接至支撐制品2的導電特征結構18a和導電特征結構18b。圖6還示出了一個實施例，其中線焊LESD 25的底部觸點附接至導電特征結構18b并且頂部觸點線焊至導電特征結構18b。導電特征結構18與通孔10中的導電材料20充當LESD的陽極和陰極。在所示實施例中，導電特征結構18a與通孔10a—起充當陽極或陰極，而導電特征結構18b與通孔1 Ob和通孔10c—起充當相對的電極。
[0029]圖7-9示出了另選的實施例，其中支撐制品2包括五個通孔。
[0030]圖7示出了支撐制品2的一個實施例，其中五個通孔11a、11b、11c、lid和lie(在一些情況下統(tǒng)稱為通孔11)從介電層12的第二表面延伸至第二表面。導電特征結構18a和導電特征結構18b(在一些情況下統(tǒng)稱為導電特征結構18)被圖案化在介電層12的第一表面上， 并且彼此電隔離。導電特征結構18a大體位于通孔11a和通孔lib上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔11a和通孔lib中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18b大體位于通孔 11c、通孔lid和通孔lie上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔11c、通孔lid和通孔lie中的任何導電和導熱材料。[〇〇31]圖8示出了類似于圖7的支撐制品2的一個實施例。在圖8中，導電特征結構18a大體位于通孔1 la和通孔1 lb上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔1 la和通孔1 lb中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18b大體位于通孔11c和通孔lid上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔11c和通孔lid中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18c大體位于通孔lie上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔lie中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18a、導電特征結構18b和導電特征結構18c彼此電隔離。[〇〇32]圖9示出了類似于圖8的支撐制品2的一個實施例。在圖9中，導電特征結構18a大體位于通孔1 la和通孔1 lb上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔1 la和通孔1 lb中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18b大體位于通孔11c和通孔lie上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔11c和通孔lie中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18c大體位于通孔lid上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔lid中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18a、導電特征結構18b和導電特征結構18c彼此電隔離。圖9也示出導電特征結構18a-18c不局限于任何特定的形狀。它們可為適合支撐制品2預期用途的任何形狀。
[0033]在支撐制品2的另選實施例中(未示出)，導電特征結構18a大體位于通孔11a和通孔lib上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔11a和通孔lib中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18b大體位于通孔11c上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔11c中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18c大體位于通孔lid和通孔lie上方，并且將電連接和熱連接到位于通孔11 d和通孔11 e中的任何導電和導熱材料。導電特征結構18a、導電特征結構18b 和導電特征結構18c彼此電隔離。[〇〇34] 在一些實施例中，可在導電層16上方施加阻焊層(未示出)，從而為LESD保留開口。 可任選地使用反光性阻焊層(未示出)。
[0035]在另選的實施例中，可存在電連接和任選地熱連接到導電特征結構18的任何數(shù)量的通孔10,前提是至少兩個相鄰的導電特征結構彼此電隔離并且適用于安裝LESD(包括倒裝芯片LESD和線焊LESD)。
[0036]用于本發(fā)明的合適的介電層包括聚酯、聚碳酸酯、液晶聚合物和聚酰亞胺。優(yōu)選聚酰亞胺。合適的聚酰亞胺包括可以商品名KAPT0N購自杜邦公司(DuPont)、以APICAL購自鐘淵德克薩斯公司(Kaneka Texas corporat1n)、以 SKC Kolon PI 購自 SKC Kolon PI 公司 (SKC Kolon PI Inc.)以及以UPILEX和UPISEL購自日本的宇部興產(chǎn)株式會社(Ube-Nitto Kasei Industries，Japan)的那些。最優(yōu)選的是以商品名UPILEX S、UPILEX SN和UPISEL VT 購自宇部興產(chǎn)株式會社(Ube-Nitto Kasei Industries)的聚酰亞胺。這些聚酰亞胺由下述單體制得，例如聯(lián)苯四羧酸二酐(BBDA)和苯二胺(PDA)。在至少一個實施例中，介電層的厚度優(yōu)選為50微米或更小，但也可為適用于具體應用的任何厚度。
[0037]介電層(基板)可初始包覆于具有導電層的一側。如果導電層要形成電路，則可對其進行預圖案化，或者可在制造支撐制品的過程中對其進行圖案化。導電層可為任何合適的材料，包括銅、金、鎳/金、銀、鋁和不銹鋼，但通常為銅。導電層可通過任何合適的方式(諸如濺射、電鍍、化學氣相沉積)進行施加，或者可層合至介電層或使用粘合劑附接。
[0038]可使用任何合適的方法諸如化學蝕刻、等離子體蝕刻、聚焦離子束蝕刻、激光燒蝕、壓花、微復制、注塑和沖壓在介電層中形成通孔。在一些實施例中可能優(yōu)選化學蝕刻?？墒褂萌魏魏线m的蝕刻劑并可根據(jù)介電層材料變化。合適的蝕刻劑可包括堿金屬鹽，例如氫氧化鉀;具有增溶劑(例如，胺)和醇類(諸如，乙二醇)中的一者或二者的堿金屬鹽。用于本發(fā)明的一些實施例的合適的化學蝕刻劑包括K0H/乙醇胺/乙二醇蝕刻劑，諸如在美國專利公開2007-0120089-A1中更詳細地描述的那些，該專利公開以引用方式并入本文。用于本發(fā)明的一些實施例的其他合適的化學蝕刻劑包括K0H/甘氨酸蝕刻劑，諸如在共同待審的美國臨時專利申請61/409791中更詳細地描述的那些，該臨時專利申請以引用方式并入本文。蝕亥丨J之后，可利用堿性K0H/高錳酸鉀(PPM)溶液(例如，約0.7重量％至約1.0重量％的1((^溶液和約3重量％的1^11〇4溶液)來處理介電層。
[0039]由化學蝕刻導致的側壁角有所不同，并且最依賴于蝕刻速率，其中較慢的蝕刻速率導致較淺的側壁角。由化學蝕刻導致的典型側壁角為約5°至約60°，并且在至少一個實施例中，為約25°至約28°。出于本專利申請的目的，傾斜側壁指不垂直于介電層的水平面的側壁。具有傾斜側壁的通孔或腔也可使用諸如壓印、微復制和注塑的方法制得。具有傾斜側壁的通孔也可通過諸如沖壓、等離子體蝕刻、聚焦離子束蝕刻和激光燒蝕的方法制得;然而，在采用這些方法時，側壁通常具有更大的角度，例如，最高至90°。
[0040]如果本發(fā)明的實施例中的通孔具有與一個開口相鄰的導電層，其可通過電沉積 (諸如電鍍)使導電材料積聚于導電層的面向通孔的表面上，從而向?qū)щ妼犹畛鋵щ姴牧稀?或者，可使用諸如焊料的導電材料填充導電層。[0041 ] 可以分批工藝或連續(xù)工藝制造分立LESD，例如常用于制造柔性電路的卷對卷工藝?？梢栽谌嵝曰迳习凑杖魏嗡璧膱D案形成LESD的陣列。然后可根據(jù)需要，例如通過壓印或通過裁切基板對LESD進行分割，例如分離成單獨的LESD、LESD的條帶或LESD的陣列。因此，可裝運柔性基板上LESD的整個卷軸而無需傳統(tǒng)的卷帶工藝，卷帶工藝中通常在承載帶的單獨的袋中傳送單獨的LESD。
[0042]也可以分批工藝或連續(xù)工藝制造支撐制品，諸如常用于制造柔性電路的卷對卷工藝?？墒褂肔ESD附接位點的任何所需圖案在柔性基板上形成支撐制品。然后，可根據(jù)需要， 例如通過壓印或通過裁切基板對支撐制品進行分割，例如分離，以提供單獨的LESD附接位點、LESD附接位點的條帶或LESD附接位點的陣列。[〇〇43]在形成具有單獨的LESD附接位點，LESD附接位點的條帶或LESD附接位點的陣列的支撐制品之前或之后，支撐制品可例如通過熱界面材料(TIM)(諸如導熱粘合劑)附接至附加的基板上。本發(fā)明的實施例中可使用任何合適的HM。根據(jù)實施例，可將TIM以液體、糊劑、 凝膠、固體等形式施加到支撐制品。施加TIM的合適方法取決于具體TIM的特性，但包括精密涂布、分配、絲網(wǎng)印刷、層合等。
[0044]用于固化可固化T頂?shù)暮线m方法包括UV固化、熱固化等。
[0045]TIM可例如以液體或半固體(諸如，凝膠或糊劑)形式涂布，或可以片材形式層合。 可使用T頂?shù)慕M合。在一些實施例中，HM也可以是基于粘合劑的。在此類實施例中，HM可在一側直接附著到支撐制品并在另一側直接附著到導熱基板。可將不具有粘合劑特性的HM 通過導熱粘合劑施加到基板制品和導熱基板中的一者或^■者?？墒紫葘IM施加到基板制品，然后將導熱基板施加到TIM，或者可首先將TIM施加到導電基板，然后將涂布有TIM的導電基板施加到基板制品。[〇〇46]—旦附接至支撐制品，就可進一步有利于將熱從LESD傳送走?？蓪⒅沃破犯浇又寥魏嗡璧幕澹@取決于其預期用途。附加的基板可為導熱和/或?qū)щ娀寤蛘呖蔀榘雽w、陶瓷或聚合物基板，其可具有或可不具有導熱性。例如，附加的基板可為柔性或剛性金屬基板，諸如銅或鋁、散熱器、介電基板、電路板等。[〇〇47]如果柔性LESD(包括支撐制品和分立LESD兩者)用作發(fā)光條帶，則可將其封閉在防水/防風雨的透明殼體中，如上所述。[〇〇48]如果柔性LESD為條帶或陣列形式，則分立LESD可電連接到條帶或陣列中的其他分立LESD中的一者或多者。也可使用例如直接晶圓鍵合或倒裝芯片工藝向支撐制品的頂面或底面添加諸如齊納二極管和肖特基二極管的附加的元件。也可將這些元件電連接至LESD。 [〇〇49]在本發(fā)明的至少一個實施例中，柔性LESD薄于常規(guī)的單個或多個LESD基臺，因為柔性LESD具有一個金屬層構造以及因為LESD坐置在支撐制品中兩個相鄰的用焊料填充的通孔上方。這使得本發(fā)明的柔性LESD能夠用于具有嚴格體積限制的應用中，諸如手機和相機閃光燈中。此外，本發(fā)明的支撐制品可撓曲或彎曲，從而易于根據(jù)需要裝配到非線性或非平面組件中。
[0050]雖然本文出于說明優(yōu)選實施例的目的對具體實施例進行了圖示和描述，但是本領域的普通技術人員應當理解，在不脫離本發(fā)明范圍的前提下，各種另選和/或等同具體實施可以取代示出和描述的具體實施例。本專利申請旨在涵蓋本文所討論的優(yōu)選實施例的任何改型或變型形式。因此，顯而易見，本發(fā)明僅受本發(fā)明權利要求書及其等同形式的限制。
【主權項】
1.一種支撐制品，其特征在于包括:具有第一主表面和第二主表面的介電層，所述第一主表面在其上具有導電層，所述介 電層具有從所述第二主表面延伸至所述第一主表面的至少三個通孔，所述導電層至少包括 第一導電特征結構和第二導電特征結構，其中所述第一導電特征結構與至少第一通孔的開 口相鄰，并且所述第二導電特征結構與至少第二通孔和第三通孔的開口相鄰，并且其中所 述第二主表面處的所述通孔開口大于所述第一主表面處的所述通孔開口。2.根據(jù)權利要求1所述的支撐制品，其特征在于所述至少三個通孔包含導電材料。3.根據(jù)權利要求2所述的支撐制品，其特征在于所述導電材料選自焊膏、焊料球、銀膏 和銅。4.根據(jù)權利要求2所述的支撐制品，其特征在于至少一個所述通孔中的所述導電材料 與所述介電層的所述第二主表面共面。5.根據(jù)權利要求2所述的支撐制品，其特征在于至少一個所述通孔中的所述導電材料 不延伸至所述介電層的所述第二主表面。6.根據(jù)權利要求2所述的支撐制品，其特征在于至少一個所述通孔中的所述導電材料 延伸超出所述介電層的所述第二主表面。7.根據(jù)權利要求1所述的支撐制品，其特征在于所述第一導電特征結構和所述第二導 電特征結構包括電極。8.根據(jù)權利要求7所述的支撐制品，其特征在于所述第一導電特征結構為陽極，并且所 述第二導電特征結構為陰極。9.根據(jù)權利要求7所述的支撐制品，其特征在于所述第一導電特征結構為陰極，并且所 述第二導電特征結構為陽極。10.根據(jù)權利要求1所述的支撐制品，其特征在于還包括與所述第一導電特征結構和所 述第二導電特征結構電接觸的LESD。11.根據(jù)權利要求10所述的支撐制品，其特征在于所述LESD為倒裝芯片。12.根據(jù)權利要求10所述的支撐制品，其特征在于所述LESD為線焊芯片。13.根據(jù)權利要求1所述的支撐制品，其特征在于所述介電層為柔性的。14.根據(jù)權利要求1所述的支撐制品，其特征在于所述介電層為聚合物的。15.根據(jù)權利要求1至14中任一項所述的支撐制品，其特征在于所述介電層具有從所述 第二主表面延伸至所述第一主表面的至少四個通孔，所述第一導電特征結構與至少第一通 孔的開口相鄰，并且所述第二導電特征結構與至少第二通孔、第三通孔和第四通孔的開口 相鄰。16.根據(jù)權利要求1至14中任一項所述的支撐制品，其特征在于所述介電層具有從所述 第二主表面延伸至所述第一主表面的至少四個通孔，所述第一導電特征結構與至少第一通 孔和第二通孔的開口相鄰，并且所述第二導電特征結構與至少第三通孔和第四通孔的開口 相鄰。17.根據(jù)權利要求1至14中任一項所述的支撐制品，其特征在于所述介電層具有從所述 第二主表面延伸至所述第一主表面的至少五個通孔，所述第一導電特征結構與至少第一通 孔和第二通孔的開口相鄰，并且所述第二導電特征結構與至少第三通孔、第四通孔和第五 通孔的開口相鄰。18.根據(jù)權利要求1至14中任一項所述的支撐制品，其特征在于所述介電層具有從所述 第二主表面延伸至所述第一主表面的至少五個通孔，所述第一導電特征結構與至少通孔的 開口相鄰，并且所述第二導電特征結構與至少第二通孔、第三通孔和第四通孔的開口相鄰； 所述導電層包括與第五通孔相鄰的第三導電特征結構。19.根據(jù)權利要求1至14中任一項所述的支撐制品，其特征在于所述介電層具有從所述 第二主表面延伸至所述第一主表面的至少五個通孔，所述第一導電特征結構與至少第一 通孔和第二通孔的開口相鄰，并且所述第二導電特征結構與至少第三通孔和第四通孔的開 口相鄰;所述導電層包括與第五通孔相鄰的第三導電特征結構。
【文檔編號】H01L33/54GK205657081SQ201390001064
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2013年3月13日 公開號201390001064.2, CN 201390001064, CN 205657081 U, CN 205657081U, CN-U-205657081, CN201390001064, CN201390001064.2, CN205657081 U, CN205657081U, PCT/2013/30657, PCT/US/13/030657, PCT/US/13/30657, PCT/US/2013/030657, PCT/US/2013/30657, PCT/US13/030657, PCT/US13/30657, PCT/US13030657, PCT/US1330657, PCT/US2013/030657, PCT/US2013/30657, PCT/US2013030657, PCT/US201330657
【發(fā)明人】A·A·I·A·納拉格, R·帕拉尼斯瓦米, 陳美玲, A·E·弗洛
【申請人】3M創(chuàng)新有限公司