一種植入導(dǎo)電球結(jié)構(gòu)的小功率整流元器件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種植入導(dǎo)電球結(jié)構(gòu)的小功率整流元器件，包括塑封環(huán)氧樹脂，塑封環(huán)氧樹脂內(nèi)設(shè)置有引線框架A和位于引線框架A下方的引線框架B；引線框架A的下表面焊接有芯片且芯片的正極朝下，引線框架B的上表面且對(duì)應(yīng)芯片的位置設(shè)置有導(dǎo)電球，導(dǎo)電球與芯片的正極點(diǎn)接觸以形成電流通路。本實(shí)用新型植入導(dǎo)電球，使得導(dǎo)電路徑更短，焊接更可靠，具有更好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，提升了產(chǎn)品的品質(zhì)；且不再使用昂貴的金絲，大大降低了原材料成本；植入的導(dǎo)電球與芯片是點(diǎn)接觸，因此可生產(chǎn)尺寸很小的芯片，植球工藝簡(jiǎn)單、成熟，對(duì)比金屬絲線焊接，其生產(chǎn)效率可提升8倍左右。
【專利說(shuō)明】
一種植入導(dǎo)電球結(jié)構(gòu)的小功率整流元器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種植入導(dǎo)電球結(jié)構(gòu)的小功率整流元器件，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]小功率的二極管和整流橋半導(dǎo)體元器件，如:S0D123、S0D323、MB、和ABS等，芯片正極和引腳間一般有以下三種焊接連接方式:1、金屬絲線焊接連接，如圖2所示;2、引線框架疊加焊接的連接方式，如圖1所示，其中和芯片正極接觸的引線框架，通常有一個(gè)被擠壓形成的凸臺(tái)平面或被折彎形成的彎折平面，平面投影形狀一般為規(guī)則四邊形或圓形;3、跳片(Clip)焊接連接方式，跳片上也有一個(gè)和芯片正極接觸的平面部分，其形成方法和引線框架疊加連接方式類似。
[0003]金屬絲線焊接工藝，如S0D123和S0D523等。對(duì)小功率二極管或整流元器件來(lái)說(shuō)，芯片尺寸一般小于30milX30mil，一般使用的是直徑Imil以下的金絲焊線。雖然，近年來(lái)出現(xiàn)了銅絲線和銀絲線，但是目前的生產(chǎn)工藝能力還不能提供Imil以下的銅絲線和銀絲線。并且金是一種稀有貴金屬，采用金絲線的焊接工藝，不僅生產(chǎn)原材料成本較高，而且生產(chǎn)工藝的效率也相對(duì)較低。
[0004]引線框架疊加和跳片焊接工藝，如:S0D123、MB、UMB等，由于引線框架沖壓制造工藝的局限性，和芯片正極接觸的平面(凸臺(tái)平面或彎折平面)，其長(zhǎng)和寬或直徑尺寸不能小于0.3mm，否則，加工難度非常大，品質(zhì)很不穩(wěn)定，因此，采用引線框架疊加和跳片焊接工藝的生產(chǎn)企業(yè)，無(wú)法生產(chǎn)出高品質(zhì)高良率30milX30mil以下小尺寸芯片的產(chǎn)品。30milX30mil的芯片，其正極有效焊接區(qū)域的長(zhǎng)和寬非常接近0.3mm，如果與芯片正極接觸的平面的長(zhǎng)和寬或直徑為0.3mm，那么與芯片接觸的引線框架平面很容易接觸到芯片邊緣的保護(hù)層，嚴(yán)重影響半導(dǎo)體元器件的品質(zhì)。對(duì)比金屬絲線焊接工藝，雖然引線框架疊加和跳片焊接工藝生產(chǎn)設(shè)備比較簡(jiǎn)單，生產(chǎn)效率較高，但很難生產(chǎn)小尺寸芯片的二極管和整流橋半導(dǎo)體器件，這就是小功率二極管幾乎都采用金屬絲焊接工藝的原因。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型為了克服以上技術(shù)的不足，提供了一種植入導(dǎo)電球結(jié)構(gòu)的小功率整流元器件，本實(shí)用新型所述小功率整流元器件是指整流元器件的芯片尺寸小于等于30mil X30milo
[0006]本實(shí)用新型克服其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
[0007]—種植入導(dǎo)電球結(jié)構(gòu)的小功率整流元器件，包括塑封環(huán)氧樹脂，塑封環(huán)氧樹脂內(nèi)設(shè)置有引線框架A和位于引線框架A下方的引線框架B;引線框架A的下表面焊接有芯片且芯片的正極朝下，引線框架B的上表面且對(duì)應(yīng)芯片的位置設(shè)置有導(dǎo)電球，導(dǎo)電球與芯片的正極點(diǎn)接觸以形成電流通路。
[0008]優(yōu)選的，所述引線框架B的上表面通過(guò)設(shè)置一球冠狀凹坑或通孔以固定導(dǎo)電球。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0010]1、本實(shí)用新型通過(guò)導(dǎo)電球?qū)崿F(xiàn)芯片正極與引線框架的連接，突破了支架沖壓凸點(diǎn)尺寸的限制，支架沖壓凸點(diǎn)的長(zhǎng)和寬或直徑的最小尺寸為0.3_左右，如再要生產(chǎn)更小尺寸的凸點(diǎn)，工藝將很不穩(wěn)定，加工難度非常大，尺寸和品質(zhì)也很難保證。
[0011]2、對(duì)比金屬絲線焊接，本實(shí)用新型植入導(dǎo)電球，使得導(dǎo)電路徑更短，焊接更可靠，具有更好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，提升了產(chǎn)品的品質(zhì);且不再使用昂貴的金絲，大大降低了原材料成本。
[0012]3、本實(shí)用新型植入的導(dǎo)電球與芯片是點(diǎn)接觸，因此可生產(chǎn)尺寸很小的芯片，植球工藝簡(jiǎn)單、成熟，對(duì)比金屬絲線焊接，其生產(chǎn)效率可提升8倍左右。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中采用引線框架疊加焊接工藝制造的整流元器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中采用金屬絲線焊接工藝制造的整流元器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖3是本實(shí)用新型采用植球焊接工藝制造的整流元器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖4是本實(shí)用新型將導(dǎo)電球固定于凹坑內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖中，1、引線框架A，2、引線框架B，3、塑封環(huán)氧樹脂，4、芯片，5、焊料，6、凸點(diǎn)，7、金屬絲線，8、導(dǎo)電球，22、凹坑或通孔。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為了便于本領(lǐng)域人員更好的理解本實(shí)用新型，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，下述僅是示例性的不限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0019]如圖3所示，本實(shí)用新型植入導(dǎo)電球結(jié)構(gòu)的小功率整流元器件，包括塑封環(huán)氧樹脂3，塑封環(huán)氧樹脂3內(nèi)設(shè)置有引線框架A I和位于引線框架A下方的引線框架B 2;引線框架AI的下表面通過(guò)焊料5焊接有芯片4且芯片的正極朝下，引線框架B 2的上表面且對(duì)應(yīng)芯片的位置設(shè)置一球冠狀凹坑或通孔22，如圖4所示，凹坑或通孔22內(nèi)沾涂上焊料5或助焊劑以固定導(dǎo)電球8，所述導(dǎo)電球8與芯片4的正極點(diǎn)接觸以形成電流通路。
[0020]以上僅描述了本實(shí)用新型的基本原理和優(yōu)選實(shí)施方式，本領(lǐng)域人員可以根據(jù)上述描述作出許多變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)應(yīng)該屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種植入導(dǎo)電球結(jié)構(gòu)的小功率整流元器件，其特征在于，包括塑封環(huán)氧樹脂(3)，塑封環(huán)氧樹脂(3)內(nèi)設(shè)置有引線框架A(I)和位于引線框架A(I)下方的引線框架B(2);引線框架A(I)的下表面焊接有芯片(4)且芯片的正極朝下，引線框架B(2)的上表面且對(duì)應(yīng)芯片的位置設(shè)置有導(dǎo)電球(8)，導(dǎo)電球(8)與芯片(4)的正極點(diǎn)接觸以形成電流通路。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流元器件，其特征在于，所述引線框架B(2)的上表面通過(guò)設(shè)置一球冠狀凹坑或通孔(22)以固定導(dǎo)電球(8)。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK205680678SQ201620576003
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月14日 公開號(hào)201620576003.4, CN 201620576003, CN 205680678 U, CN 205680678U, CN-U-205680678, CN201620576003, CN201620576003.4, CN205680678 U, CN205680678U
【發(fā)明人】孔凡偉, 朱坤恒, 段花山
【申請(qǐng)人】山東晶導(dǎo)微電子有限公司