專利名稱：用于變頻器控制電路記憶體的保護(hù)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種用于變頻器控制電路記憶體的保護(hù)裝置。
背景技術(shù)：
變頻器用于工業(yè)生產(chǎn)中，由于實際應(yīng)用場合的工況不同，如當(dāng)電源電壓、電機(jī)型號、生產(chǎn)要求等因素改變時，需要調(diào)節(jié)變頻器的運行參數(shù)。而目前變頻器普遍采用串行口不易失存貯器記憶電機(jī)的運行參數(shù)，其存貯容量十分有限。對于由變頻器、控制器、PC機(jī)等組成的復(fù)雜控制系統(tǒng)而言，使用不同電機(jī)運行參數(shù)進(jìn)行控制可以達(dá)到更好的控制策略，更高的控制精度。為此，在變頻器的控制系統(tǒng)中需要采用大存貯容量的存貯器或記憶體以存貯變頻器的各種運行參數(shù)，滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求，這樣，確保存貯器或記憶體中的數(shù)據(jù)安全就顯得非常重要。然而，在實際生產(chǎn)中，由于電源電壓的波動往往會影響到CPU的正常運作，尤其是當(dāng)電壓的波動超出安全值時，有可能使得記憶體中的相關(guān)數(shù)據(jù)出現(xiàn)丟失的情況而影響生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題是旨在提供一種用于變頻器控制電路記憶體的保護(hù)裝置，以確保記憶體中的數(shù)據(jù)安全。
根據(jù)本實用新型，一種用于變頻器控制電路記憶體的保護(hù)裝置，所述的變頻器控制電路包括一控制CPU以及和所述的控制CPU相接的記憶體，其特征在于所述的保護(hù)裝置包括記憶保護(hù)電路以及與所述的記憶保護(hù)電路相接的充電電路，所述的記憶保護(hù)電路的控制輸入端與所述的控制CPU的片選信號輸出端相接，所述的記憶保護(hù)電路的控制輸出端與所述的記憶體的片選信號輸入端相接，所述的記憶保護(hù)電路和充電電路均與電源相接。
由于在控制CPU的片選信號輸出端與記憶體的片選信號輸入端之間安裝了本實用新型，當(dāng)電源電壓波動較大以至于電壓值低于安全值時，記憶保護(hù)電路監(jiān)測到該信號后，可以斷開控制CPU的控制信號，從而保護(hù)存貯器的數(shù)據(jù)本實用新型的目的、特征及優(yōu)點將通過實施例結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。


圖1是本實用新型所述的保護(hù)裝置的電路框圖；圖2是本實用新型所述的保護(hù)裝置的電路原理圖。
具體的實施方式參照圖1，一種用于變頻器控制電路記憶體的保護(hù)裝置，所述的變頻器控制電路包括一控制CPU1以及和所述的控制CPU1相接的記憶體2，所述的保護(hù)裝置包括記憶保護(hù)電路3以及與所述的記憶保護(hù)電路相接的充電電路4，所述的記憶保護(hù)電路3的控制輸入端與所述的控制CPU1的片選信號輸出端11相接，所述的記憶保護(hù)電路的控制輸出端與所述的記憶體2的片選信號輸入端21相接，所述的記憶保護(hù)電路3和充電電路4均與電源42相接。
所述的充電電路包括電池41，第一限流電阻R1，反向二極管D1，充電三極管Q1；還包括有三極管Q2，第二限流電阻R2，第一分壓電阻R3、第二分壓電阻R4；所述的電池41的負(fù)極接地，正極作為充電電路4的輸出端與所述的記憶保護(hù)電路3相接；第一限流電阻R1一端與電池41的正極相接，另一端與所述的反向二極管D1的負(fù)極相接；所述的充電三極管Q1的集電極與反向二極管D1的正極相接，其發(fā)射極接電源42；所述的第二限流電阻R2接在所述的充電三極管Q1的基極和三極管Q2的集電極之間；三極管Q2的發(fā)射極接地，所述的第一分壓電阻R3一端接電源42，另一端與三極管Q2的基極相接；所述的第二分壓電阻R4的一端接地，另一端與三極管Q2的基極相接。
所述的記憶保護(hù)電路采用型號為Max693電壓檢測芯片U1，電壓檢測芯片U1的CE IN腳作為所述的記憶保護(hù)電路的控制輸入端與控制CPU的片選信號輸出端11相接，電壓檢測芯片U1的CE OUT腳作為所述的記憶保護(hù)電路的控制輸出端與記憶體2的片選信號輸入端21相接，電壓檢測芯片U1的BATT腳與所述的充電電路4的輸出端相接，電壓檢測芯片U1的VOUT腳與電源42相接。
當(dāng)正常工作時，電源42經(jīng)過第一分壓電阻R3、第二分壓電阻R4分壓后使三極管Q2、充電三極管Q1導(dǎo)通，經(jīng)過第一限流電阻R1及反向二極管D1降壓后，對電池41充電。同時為電壓檢測芯片U1供電，控制CPU的片選信號通過電壓檢測芯片U1傳送至記憶體2，使其正常工作。
當(dāng)電源電壓波動較大時，電壓檢測芯片U1監(jiān)測到電壓低于安全值后，可以斷開控制CPU1的片選信號，從而保護(hù)記憶體的數(shù)據(jù)。
而在關(guān)機(jī)狀況下，電源42為零電壓，充電三極管Q1、三極管Q2均截止，反向二極管D1可以防止電池電經(jīng)充電三極管Q1流失；電壓檢測芯片U1由電池供電，同時關(guān)斷了記憶體的片選信號輸入，保護(hù)記憶體中已存貯的數(shù)據(jù)的安全。
由上所述，本實用新型使用電池41做為后備電源為記憶體供電，在電源電壓出現(xiàn)波動，甚至低于安全值時，仍然能夠保證已存貯數(shù)據(jù)的安全、可靠，在需要記憶體存貯大容量數(shù)據(jù)時，本實用新型的設(shè)置尤顯必要。實際上，本實用新型使用大容量的靜態(tài)存貯器做為記憶體后，還具有存貯速度快等優(yōu)點。
權(quán)利要求1.一種用于變頻器控制電路記憶體的保護(hù)裝置，所述的變頻器控制電路包括一控制CPU(1)以及和所述的控制CPU(1)相接的記憶體(2)，其特征在于所述的保護(hù)裝置包括記憶保護(hù)電路(3)以及與所述的記憶保護(hù)電路相接的充電電路(4)，所述的記憶保護(hù)電路(3)的控制輸入端與所述的控制CPU(1)的片選信號輸出端(11)相接，所述的記憶保護(hù)電路(3)的控制輸出端與所述的記憶體(2)的片選信號輸入端(21)相接，所述的記憶保護(hù)電路(3)和充電電路(4)均與電源(42)相接。
2.如權(quán)利要求1所述的用于變頻器控制電路記憶體的保護(hù)裝置，其特征在于所述的充電電路包括電池(41)，第一限流電阻R1，反向二極管D1，充電三極管Q1；還包括有三極管Q2，第二限流電阻R2，第一分壓電阻R3、第二分壓電阻R4；所述的電池(41)的負(fù)極接地，正極作為充電電路(4)的輸出端與所述的記憶保護(hù)電路(3)相接；第一限流電阻R1一端與電池(41)的正極相接，另一端與所述的反向二極管D1的負(fù)極相接；所述的充電三極管Q1的集電極與反向二極管D1的正極相接，其發(fā)射極接電源(42)；所述的第二限流電阻R2接在所述的充電三極管Q1的基極和三極管Q2的集電極之間；三極管Q2的發(fā)射極接地，所述的第一分壓電阻R3一端接電源(42)，另一端與三極管Q2的基極相接；所述的第二分壓電阻R4的一端接地，另一端與三極管Q2的基極相接。
3.如權(quán)利要求1所述的用于變頻器控制電路記憶體的保護(hù)裝置，其特征在于所述的記憶保護(hù)電路(3)采用型號為Max693的電壓檢測芯片U1，所述的電壓檢測芯片U1的CE IN腳作為所述的記憶保護(hù)電路的控制輸入端與控制CPU(1)的片選信號輸出端(11)相接，電壓檢測芯片U1的CE OUT腳作為所述的記憶保護(hù)電路的控制輸出端與記憶體(2)的片選信號輸入端(21)相接，電壓檢測芯片U1的BATT腳與所述的充電電路(4)的輸出端相接，電壓檢測芯片U1的VOUT腳與電源(42)相接。
專利摘要本實用新型公開了一種用于變頻器控制電路記憶體的保護(hù)裝置，旨在解決現(xiàn)有的變頻器控制電路記憶體中存貯量小、相關(guān)數(shù)據(jù)容易出現(xiàn)丟失的問題，包括記憶保護(hù)電路(3)以及與記憶保護(hù)電路相接的充電電路(4)，所述的記憶保護(hù)電路(3)的控制輸入端與變頻器的控制CPU(1)的片選信號輸出端相接，記憶保護(hù)電路的控制輸出端與記憶體(2)的片選信號輸入端相接；所述的記憶保護(hù)電路(3)使用型號為Max693電壓監(jiān)測芯片，使用電池(41)做為后備電源為記憶體(2)供電。在變頻器控制電路中采用本實用新型后，可以使得記憶體提供大容量存貯能力時還可以確保數(shù)據(jù)的高可靠性，此外，本實用新型還具有存貯速度快的優(yōu)點。
文檔編號H02M5/22GK2631117SQ0322607
公開日2004年8月4日 申請日期2003年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月8日
發(fā)明者孫毅 申請人:深圳市珊星電腦有限公司