專利名稱:一種半橋浪涌檢測保護電路及電磁加熱設備的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種半橋浪涌檢測保護電路及電磁加熱設備，所述的半橋浪涌檢測保護電路包括微控制單元MCU、第一IGBT驅(qū)動電路、第二IGBT驅(qū)動電路、半橋諧振電路、浪涌保護電路以及鉗位電路。本實用新型使用浪涌保護電路，當半橋諧振電路發(fā)生浪涌時，通過浪涌保護電路控制鉗位電路拉低IGBT上下橋臂驅(qū)動電路，關閉半橋諧振電路，使半橋諧振電路停止工作，對半橋諧振電路進行保護，且采用MCU中斷方式，以硬件保護和軟件保護相結(jié)合的方式，具有保護速度快的優(yōu)點。
【專利說明】
一種半橋浪涌檢測保護電路及電磁加熱設備
技術領域
[0001]本實用新型涉及浪涌檢測保護技術領域，具體涉及一種半橋浪涌檢測保護電路及電磁加熱設備。
【背景技術】
[0002]目前的半橋電磁加熱方案浪涌檢測都是以軟件為主，通過軟件中斷的方式保護電路。當電流或電壓浪涌發(fā)生時觸發(fā)電平，然后MCU檢測到中斷，進入中斷調(diào)用浪涌保護程序。這種方式在浪涌發(fā)生到保護需要一定的時間，保護速度比較慢。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種半橋浪涌檢測保護電路及電磁加熱設備，采用軟硬結(jié)合的方式進行浪涌檢測保護，具有保護速度快的優(yōu)點。
[0004]本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下:
[0005]本實用新型提供了一種半橋浪涌檢測保護電路，包括微控制單元MCU、第一IGBT驅(qū)動電路、第二 IGBT驅(qū)動電路、半橋諧振電路、浪涌保護電路以及鉗位電路；
[0006]所述M⑶分別與第一 IGBT驅(qū)動電路的輸入端以及第二 IGBT驅(qū)動電路的輸入端連接，所述第一 IGBT驅(qū)動電路的輸出端和第二 IGBT驅(qū)動電路的輸出端均與半橋諧振電路的輸入端連接，半橋諧振電路、浪涌保護電路以及鉗位電路依次電連接，所述鉗位電路的輸出端分別連接第一IGBT驅(qū)動電路的輸入端以及第二IGBT驅(qū)動電路的輸入端。
[0007]本實用新型的有益效果為:使用浪涌保護電路，當半橋諧振電路發(fā)生浪涌時，通過浪涌保護電路與鉗位電路拉低IGBT上下橋臂驅(qū)動電路，關閉半橋諧振電路，且采用MCU中斷方式，以硬件保護和軟件保護相結(jié)合的方式，具有保護速度快的優(yōu)點。
[0008]在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以作如下改進。
[0009]進一步的，所述半橋諧振電路為對稱半橋諧振電路或非對稱半橋諧振電路；
[0010]所述對稱半橋諧振電路包括上橋IGBT1、下橋IGBT2、第一諧振電容Cl、第二諧振電容C2以及線圈，所述上橋IGBTl的柵極與第一IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，所述上橋IGBTl的集電極與浪涌保護電路的輸入端連接，所述上橋IGBTl的發(fā)射極與下橋IGBT2的集電極連接，且所述上橋IGBTl與下橋IGBT2的公共端與第一 IGBT驅(qū)動電路的中線端連接，所述下橋IGBT2的柵極與第二 IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，所述第二 IGBT驅(qū)動電路的中線端接地以及所述下橋IGBT2的發(fā)射極接地，所述第一諧振電容Cl和第二諧振電容C2串接在所述上橋IGBTl的集電極和下橋IGBT2的發(fā)射極之間，所述線圈連接在所述第一諧振電容Cl和第二諧振電容C2的公共端與上橋IGBTI和下橋IGBT2的公共端之間；
[0011]所述非對稱半橋諧振電路包括上橋IGBTl、下橋IGBT2、第一諧振電容Cl以及線圈，所述上橋IGBTl的柵極與第一 IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，所述上橋IGBTl的集電極與浪涌保護電路的輸入端連接，所述上橋IGBTI的發(fā)射極與下橋IGBT2的集電極連接，且所述上橋IGBTl與下橋IGBT2的公共端與第一 IGBT驅(qū)動電路的中線端連接，所述下橋IGBT2的柵極與第二 IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，所述第二 IGBT驅(qū)動電路的中線端以及所述下橋IGBT2的發(fā)射極接地，所述第一諧振電容Cl串接在所述上橋IGBTI的集電極和下橋IGBT2的發(fā)射極之間，所述線圈連接在所述第一諧振電容CI連接下橋IGBT2的發(fā)射極的一端與上橋IGBTI和下橋IGBT2的公共端之間。
[0012]進一步的，所述浪涌保護電路為電壓浪涌保護電路，所述電壓浪涌保護電路包括電壓浪涌檢測電路和電壓浪涌比較電路，所述上橋IGBTl的集電極與第一諧振電容Cl的公共端與電壓浪涌檢測電路的In端連接，所述電壓浪涌檢測電路的out端與下橋IGBT2的發(fā)射極連接，所述電壓浪涌檢測電路的output端與電壓浪涌比較電路的In端連接，所述電壓浪涌比較電路的out端與所述鉗位電路的輸入端連接。
[0013]進一步的，所述浪涌保護電路為電流浪涌保護電路，所述電流浪涌保護電路包括電流浪涌檢測電路和電流浪涌比較電路，所述上橋IGBTl的集電極與第一諧振電容Cl的公共端與電流浪涌檢測電路的In端連接，所述電流浪涌檢測電路的out端與下橋IGBT2的發(fā)射極連接，所述電流浪涌檢測電路的output端與電流浪涌比較電路的In端連接，所述電流浪涌比較電路的out端與所述鉗位電路的輸入端連接。
[0014]進一步的，所述浪涌保護電路和所述鉗位電路之間設置有與門Ul，所述浪涌保護電路包括電壓浪涌保護電路和電流浪涌保護電路，所述電壓浪涌保護電路包括電壓浪涌檢測電路和電壓浪涌比較電路，所述電流浪涌保護電路包括電流浪涌檢測電路和電流浪涌比較電路，所述上橋IGBTl的集電極和第一諧振電容Cl的公共端與電壓浪涌檢測電路的In端連接，所述電壓浪涌檢測電路的output端與電壓浪涌比較電路的In端電連接，所述電壓浪涌比較電路的out端與與門Ul的一個輸入端電連接，所述電壓浪涌檢測電路的out端與所述電流浪涌檢測電路的In端電連接，所述電流浪涌檢測電路的output端與電流浪涌比較電路的In端電連接，所述電流浪涌檢測電路的out端接地，所述電流浪涌比較電路的out端與與門Ul的另一個輸入端電連接，所述與門Ul的輸出端與所述鉗位電路的輸入端電連接。
[0015]進一步的，還包括一電阻R0，所述電阻RO的一端與與門UlUl的輸出端以及M⑶電連接，所述電阻RO的另一端接VCC。
[0016]進一步的，所述電壓浪涌比較電路包括電壓比較器UA以及電阻Rl;
[0017]所述電壓比較器UA的正向輸入端與電壓浪涌閾值電壓源連接，所述電壓比較器UA的負向輸入端與所述電壓浪涌檢測電路的output端電連接，電壓比較器UA的一個電源端接VCC，電壓比較器UA的另一個電源端接地;電阻Rl的一端接VCC，另一端接電壓比較器UA的輸出端，電壓比較器UA的輸出端還與與門Ul的一個輸入端電連接。
[0018]進一步的，所述電流浪涌比較電路包括電壓比較器UB以及電阻R2;
[0019]所述電壓比較器UB的正向輸入端與所述電流浪涌閾值電壓源連接，所述電壓比較器UB的負向輸入端與所述電流浪涌檢測電路的output端電連接，電壓比較器UB的一個電源端接VCC，電壓比較器UB的另一個電源端接地；電阻R2的一端接VCC，另一端接電壓比較器UB的輸出端，所述電壓比較器UB的輸出端還與與門Ul的另一個輸入端電連接。
[0020]進一步的，所述鉗位電路包括第一二極管Dl和第二二極管D2，所述第一二極管Dl的負極與所述第二二極管D2的負極相連，所述第一二極管Dl的正極與第一 IGBT驅(qū)動電路的輸入端電連接，所述第二二極管D2的正極與第二 IGBT驅(qū)動電路的輸入端電連接，所述第一二極管Dl與第二二極管D2的公共端與與門Ul的輸出端電連接。
[0021]進一步的，還包括橋堆，所述橋堆的兩個AC端分別接電源，所述橋堆的V+端與上橋IGBTI的集電極連接，所述橋堆的V-端與電壓浪涌檢測電路的out端連接。
[0022]進一步的，還包括橋堆，所述橋堆的兩個AC端分別接電源，所述橋堆的V+端與上橋IGBTl的集電極連接，所述橋堆的V-端與電流浪涌檢測電路的In端連接。
[0023]進一步的，還包括橋堆，所述橋堆的兩個AC端分別接電源，所述橋堆的V+端與上橋IGBTl的集電極連接，所述橋堆的V-端與電壓浪涌檢測電路的out端以及電流浪涌檢測電路的I η端電連接。
[0024]本實用新型還提供了一種電磁加熱設備，包括一種半橋浪涌檢測保護電路。
【附圖說明】

[0025]圖1為本實用新型實施例1的一種半橋浪涌檢測保護電路連接示意圖；
[0026]圖2為實施例1中半橋諧振電路為對稱半橋諧振電路的電路連接示意圖；
[0027]圖3為實施例中半橋諧振電路為非對稱半橋諧振電路的電路連接示意圖；
[0028]圖4為圖2中帶有電壓浪涌比較電路的具體電路和電流浪涌比較電路的具體電路的連接示意圖；
[0029]圖5為半橋浪涌檢測保護電路的工作原理圖。
[0030]附圖中，各部件的標號如下:
[0031]1、半橋諧振電路，2、浪涌保護電路，21、電壓浪涌檢測電路，22、電壓浪涌比較電路，23、電流浪涌檢測電路，24、電流浪涌比較電路，3、橋堆。
【具體實施方式】
[0032]以下結(jié)合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。
[0033]實施例1、一種半橋浪涌檢測保護電路。
[0034]參見圖1，本實施例提供的半橋浪涌檢測保護電路包括微控制單元MCU、第一IGBT驅(qū)動電路、第二 IGBT驅(qū)動電路、半橋諧振電路1、浪涌保護電路2以及鉗位電路;所述MCU單元分別與第一 IGBT驅(qū)動電路的輸入端以及第二 IGBT驅(qū)動電路的輸入端連接，所述第一 IGBT驅(qū)動電路的輸出端和第二 IGBT驅(qū)動電路的輸出端均與半橋諧振電路I的輸入端連接，半橋諧振電路1、浪涌保護電路2以及鉗位電路依次電連接，所述鉗位電路的輸出端分別連接第一IGBT驅(qū)動電路的輸入端以及第二 IGBT驅(qū)動電路的輸入端。
[0035]其中，所述半橋諧振電路I為對稱半橋諧振電路或非對稱半橋諧振電路;參見圖2，所述對稱半橋諧振電路包括上橋IGBTl、下橋IGBT2、第一諧振電容Cl、第二諧振電容C2以及線圈，所述上橋IGBTl的柵極與第一IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，且所述上橋IGBTl與下橋IGBT2的公共端與第一 IGBT驅(qū)動電路的中線端連接，所述上橋IGBTl的集電極與浪涌檢測電路的輸入端連接，所述上橋IGBTl的發(fā)射極與下橋IGBT2的集電極連接，所述下橋IGBT2的柵極與第二 IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，第二 IGBT驅(qū)動電路的中線端以及所述下橋IGBT2的發(fā)射極接地，第一諧振電容Cl和第二諧振電容C2串接在所述上橋IGBTl的集電極和下橋IGBT2的發(fā)射極之間，所述線圈連接在所述第一諧振電容Cl和第二諧振電容C2的公共端與上橋IGBTl和下橋IGBT2的公共端之間。參見圖3，所述非對稱半橋諧振電路包括上橋IGBTl、下橋IGBT2、第一諧振電容Cl以及線圈，所述上橋IGBTl的柵極與第一IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，且所述上橋IGBTI與下橋IGBT2的公共端與第一 IGBT驅(qū)動電路的中線端連接，所述上橋IGBTl的集電極與浪涌檢測電路的輸入端連接，所述上橋IGBTl的發(fā)射極與下橋IGBT2的集電極連接，所述下橋IGBT2的柵極與第二 IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，第二 IGBT驅(qū)動電路的中線端以及所述下橋IGBT2的發(fā)射極接地，第一諧振電容Cl串接在所述上橋IGBTI的集電極和下橋IGBT2的發(fā)射極之間，所述線圈連接在所述第一諧振電容Cl連接下橋IGBT2的發(fā)射極的一端與上橋IGBTI和下橋IGBT2的公共端之間。
[0036]所述的浪涌保護電路2包括三種情況，第一種情況是浪涌保護電路2為電壓浪涌保護電路，第二種情況是浪涌保護電路2為電流浪涌保護電路，第三種情況是浪涌保護電路2包括電壓浪涌保護電路和電流浪涌保護電路。
[0037]當浪涌保護電路2為電壓浪涌保護電路時，所述電壓浪涌保護電路包括電壓浪涌檢測電路21和電壓浪涌比較電路22，所述上橋IGBTl的集電極與第一諧振電容Cl的公共端與電壓浪涌檢測電路21的In端連接，所述電壓浪涌檢測電路21的out端與下橋IGBT2的發(fā)射極連接，所述電壓浪涌檢測電路21的output端與電壓浪涌比較電路22的In端連接，所述電壓浪涌比較電路22的out端與鉗位電路的輸入端電連接。當浪涌保護電路2為電流浪涌保護電路時，所述電流浪涌保護電路包括電流浪涌檢測電路23和電流浪涌比較電路24，所述上橋IGBTl的集電極和第一諧振電容Cl的公共端與電流浪涌檢測電路23的In端連接，所述電流浪涌檢測電路23的out端與下橋IGBT2的發(fā)射極連接，所述電流浪涌檢測電路23的output端與電流浪涌比較電路24的In端連接，所述電流浪涌比較電路24的out端與鉗位電路的輸入端電連接當浪涌保護電路2包括電壓浪涌保護電路和電流浪涌保護電路時，在所述浪涌保護電路和所述鉗位電路之間設置有與門Ul，所述電壓浪涌保護電路包括電壓浪涌檢測電路21和電壓浪涌比較電路22，所述電流浪涌保護電路包括電流浪涌檢測電路23和電流浪涌比較電路24，所述上橋IGBTl的集電極和第一諧振電容Cl的公共端與電壓浪涌檢測電路21的In端連接，所述電壓浪涌檢測電路21的output端與電壓浪涌比較電路22的In端電連接，所述電壓浪涌比較電路22的out端與與門Ul的一個輸入端電連接，所述電壓浪涌檢測電路21的out端與所述電流浪涌檢測電路23的In端電連接，所述電流浪涌檢測電路23的output端與電流浪涌比較電路24的In端電連接，所述電流浪涌檢測電路23的out端接地，所述電流浪涌比較電路24的out端與與門Ul的另一個輸入端電連接，所述與門Ul的輸出端與所述鉗位電路的輸入端電連接。
[0038]本實施例還包括一電阻RO，所述電阻RO的一端與與門UlUl的輸出端以及M⑶電連接，所述電阻RO的另一端接VCC。
[0039]參見圖4，上述中的電壓浪涌比較電路22包括電壓比較器UA以及電阻Rl;所述電壓比較器UA的正向輸入端與電壓浪涌閾值電壓源連接，所述電壓比較器UA的負向輸入端與所述電壓浪涌檢測電路21的output端電連接，電壓比較器UA的一個電源端接VCC，電壓比較器UA的另一個電源端接地；電阻Rl的一端接VCC，另一端接電壓比較器UA的輸出端，電壓比較器UA的輸出端還與與門Ul的一個輸入端電連接。
[0040]同樣的，上述中的電流浪涌比較電路24包括電壓比較器UB以及電阻R2;所述電壓比較器UB的正向輸入端與所述電流浪涌閾值電壓源連接，所述電壓比較器UB的負向輸入端與所述電流浪涌檢測電路23的output端電連接，電壓比較器UB的一個電源端接VCC，電壓比較器UB的另一個電源端接地；電阻R2的一端接VCC，另一端接電壓比較器UB的輸出端，所述電壓比較器UB的輸出端還與與門Ul的另一個輸入端電連接。
[0041]上述的鉗位電路包括第一二極管Dl和第二二極管D2，所述第一二極管Dl的負極與所述第二二極管D2的負極相連，所述第一二極管Dl的正極與第一 IGBT驅(qū)動電路的輸入端電連接，所述第二二極管D2的正極與第二 IGBT驅(qū)動電路的輸入端電連接，所述第一二極管Dl與第二二極管D2的公共端與與門Ul的輸出端電連接。
[0042]本實施例提供的半橋浪涌檢測保護電路還包括橋堆3，當浪涌保護電路2為電壓浪涌保護電路時，所述橋堆3的兩個AC端分別接電源，所述橋堆3的V+端與上橋IGBTl的集電極連接，所述橋堆3的V-端與電壓浪涌檢測電路21的out端連接。當浪涌保護電路2為電流浪涌保護電路時，所述橋堆3的兩個AC端分別接電源，所述橋堆3的V+端與上橋IGBTl的集電極連接，所述橋堆3的V-端與電流浪涌檢測電路23的In端連接。當浪涌保護電路2同時包括電壓浪涌保護電路和電流浪涌保護電路時，所述橋堆3的兩個AC端分別接電源，所述橋堆3的V+端與上橋IGBTl的集電極連接，所述橋堆3的V-端與電壓浪涌檢測電路21的out端以及電流浪涌檢測電路23的In端電連接。
[0043]采用本實施例提供的半橋浪涌檢測保護電路的工作原理為:微控制單元MCU輸出PffMl和PWM2分別控制第一 IGBT驅(qū)動電路和第二 IGBT驅(qū)動電路工作，可以參見圖5，在同一時間，M⑶輸出的PffMl和PWM2的信號電平狀態(tài)正好相反，即當M⑶輸出的PffMl為高電平狀態(tài)時，輸出的PWM2為低電平，或者，當MCU輸出的PffMl為低電平狀態(tài)時，輸出的PWM2為高電平狀態(tài)。第一 IGBT驅(qū)動電路和第二 IGBT驅(qū)動電路驅(qū)動半橋諧振電路工作，當半橋諧振電路正常工作時，電壓比較器UA與電壓比較器UB輸出高電平；當電壓浪涌出現(xiàn)時，電壓浪涌檢測電路的輸出電壓大于電壓比較器UA的電壓浪涌閾值電壓，電壓比較器UA輸出低電平，與門Ul也輸出低電平；當電流浪涌出現(xiàn)時，電流浪涌檢測電路的輸出電壓大于電壓比較器UB的電壓浪涌閾值電壓，電壓比較器UB輸出低電平，與門Ul也輸出低電平;如果同時出現(xiàn)電壓浪涌和電流浪涌，電壓比較器UA和電流比較器UB都輸出低電平，與門Ul也會輸出低電平。當與門UI的輸出口為低電平時，第一二極管Dl和第二二極管D2均導通，PWMl和PWM2會一直被鉗位為低電平，上橋IGBTl和下橋IGBT2會停止工作，起到了硬件快速保護的作用。同時，微控制單元MCU外部中斷口 INTO會產(chǎn)生相應的外部中斷，調(diào)用浪涌保護程序，通過軟件保護電路，從而達到了硬件保護和軟件保護結(jié)合的方式進行電路的保護，具有保護速度快的優(yōu)點。
[0044]實施例2、一種電磁加熱設備。
[0045]本實施例提供的電磁加熱設備包括實施例1的半橋浪涌檢測保護電路，具體的實現(xiàn)原理可參見實施例1，在此不再贅述。
[0046]本實用新型提供的一種半橋浪涌檢測保護電路及電磁加熱設備，使用浪涌保護電路，當半橋諧振電路發(fā)生浪涌時，通過與門與鉗位電路拉低IGBT上下橋臂驅(qū)動電路，關閉半橋諧振電路，且采用MCU中斷方式，以硬件保護和軟件保護相結(jié)合的方式，具有保護速度快的優(yōu)點；在整個電路中可設置單獨的電壓浪涌保護電路或電流浪涌保護電路，也可同時設置電壓浪涌保護電路和電流浪涌保護電路，適用于多種情況;在電路中設計橋堆，將輸入的交流電壓整流為直流電壓，適合各部分電路使用；另外，為MCU設計一并聯(lián)電阻，起到分流的作用，進而起到保護MCU的作用。
[0047]在本說明書的描述中，參考術語“實施例一”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體方法、裝置或者特點包含于本實用新型的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、方法、裝置或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進行結(jié)合和組合。
[0048]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，包括微控制單元MCU、第一 IGBT驅(qū)動電路、第二 IGBT驅(qū)動電路、半橋諧振電路(1)、浪涌保護電路(2)以及鉗位電路； 所述M⑶分別與第一 IGBT驅(qū)動電路的輸入端以及第二 IGBT驅(qū)動電路的輸入端連接，所述第一 IGBT驅(qū)動電路的輸出端和第二 IGBT驅(qū)動電路的輸出端均與半橋諧振電路(I)的輸入端連接，半橋諧振電路(I)、浪涌保護電路(2)以及鉗位電路依次電連接，所述鉗位電路的輸出端分別連接第一 IGBT驅(qū)動電路的輸入端以及第二 IGBT驅(qū)動電路的輸入端。2.如權利要求1所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，所述半橋諧振電路(I)為對稱半橋諧振電路或非對稱半橋諧振電路； 所述對稱半橋諧振電路包括上橋IGBTl、下橋IGBT2、第一諧振電容Cl、第二諧振電容C2以及線圈，所述上橋IGBTI的柵極與第一 IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，所述上橋IGBTI的集電極與浪涌保護電路(2)的輸入端連接，所述上橋IGBTl的發(fā)射極與下橋IGBT2的集電極連接，且所述上橋IGBTl和下橋IGBT2的公共端與第一 IGBT驅(qū)動電路的中線端連接，所述下橋IGBT2的柵極與第二 IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，所述第二 IGBT驅(qū)動電路的中線端以及所述下橋IGBT2的發(fā)射極均接地，所述第一諧振電容Cl和第二諧振電容C2串接在所述上橋IGBTl的集電極和下橋IGBT2的發(fā)射極之間，所述線圈連接在所述第一諧振電容Cl和第二諧振電容C2的公共端與上橋IGBTI和下橋IGBT2的公共端之間； 所述非對稱半橋諧振電路包括上橋IGBTl、下橋IGBT2、第一諧振電容Cl以及線圈，所述上橋IGBTI的柵極與第一 IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，所述上橋IGBTI的集電極與浪涌保護電路(2)的輸入端連接，所述上橋IGBTI的發(fā)射極與下橋IGBT2的集電極連接，且所述上橋IGBTl與下橋IGBT2的公共端與第一 IGBT驅(qū)動電路的中線端連接，所述下橋IGBT2的柵極與第二 IGBT驅(qū)動電路的輸出端連接，所述第二 IGBT驅(qū)動電路的中線端以及所述下橋IGBT2的發(fā)射極接地，所述第一諧振電容Cl串接在所述上橋IGBTl的集電極和下橋IGBT2的發(fā)射極之間，所述線圈連接在所述第一諧振電容Cl連接下橋IGBT2的發(fā)射極的一端與上橋IGBTl和下橋IGBT2的公共端之間。3.如權利要求2所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，所述浪涌保護電路(2)為電壓浪涌保護電路，所述電壓浪涌保護電路包括電壓浪涌檢測電路(21)和電壓浪涌比較電路(22)，所述上橋IGBTl的集電極與第一諧振電容Cl的公共端與電壓浪涌檢測電路(21)的In端連接，所述電壓浪涌檢測電路(21)的out端與下橋IGBT2的發(fā)射極連接，所述電壓浪涌檢測電路(21)的output端與電壓浪涌比較電路(22)的In端連接，所述電壓浪涌比較電路(22)的out端與所述鉗位電路的輸入端連接。4.如權利要求2所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，所述浪涌保護電路(2)為電流浪涌保護電路，所述電流浪涌保護電路包括電流浪涌檢測電路(23)和電流浪涌比較電路(24)，所述上橋IGBTl的集電極與第一諧振電容Cl的公共端與電流浪涌檢測電路(23)的In端連接，所述電流浪涌檢測電路(23)的out端與下橋IGBT2的發(fā)射極連接，所述電流浪涌檢測電路(23)的output端與電流浪涌比較電路(24)的In端連接，所述電流浪涌比較電路(24)的out端與所述鉗位電路的輸入端連接。5.如權利要求2所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，所述浪涌保護電路(2)和所述鉗位電路之間設置有與門Ul，所述浪涌保護電路(2)包括電壓浪涌保護電路和電流浪涌保護電路，所述電壓浪涌保護電路包括電壓浪涌檢測電路(21)和電壓浪涌比較電路(22)，所述電流浪涌保護電路包括電流浪涌檢測電路(23)和電流浪涌比較電路(24)，所述上橋IGBTl的集電極和第一諧振電容Cl的公共端與電壓浪涌檢測電路(21)的In端連接，所述電壓浪涌檢測電路(21)的output端與電壓浪涌比較電路(22)的In端電連接，所述電壓浪涌比較電路(22)的out端與與門Ul的一個輸入端電連接，所述電壓浪涌檢測電路(21)的out端與所述電流浪涌檢測電路(23)的In端電連接，所述電流浪涌檢測電路(23)的output端與電流浪涌比較電路(24)的In端電連接，所述電流浪涌檢測電路(23)的out端接地，所述電流浪涌比較電路(24)的out端與與門Ul的另一個輸入端電連接，所述與門Ul的輸出端與所述鉗位電路的輸入端電連接。6.如權利要求1-5任一項所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，還包括電阻R0，所述電阻RO的一端與與門Ul的輸出端以及MCU電連接，所述電阻RO的另一端接VCC。7.如權利要求3或5所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，所述電壓浪涌比較電路(22)包括電壓比較器UA以及電阻Rl; 所述電壓比較器UA的正向輸入端與電壓浪涌閾值電壓源連接，所述電壓比較器UA的負向輸入端與所述電壓浪涌檢測電路(21)的output端電連接，電壓比較器UA的一個電源端接VCC，電壓比較器UA的另一個電源端接地;電阻Rl的一端接VCC，另一端接電壓比較器UA的輸出端，電壓比較器UA的輸出端還與與門Ul的一個輸入端電連接。8.如權利要求4或5所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，所述電流浪涌比較電路(24)包括電壓比較器UB以及電阻R2; 所述電壓比較器UB的正向輸入端與所述電流浪涌閾值電壓源連接，所述電壓比較器UB的負向輸入端與所述電流浪涌檢測電路(23)的output端電連接，電壓比較器UB的一個電源端接VCC，電壓比較器UB的另一個電源端接地；電阻R2的一端接VCC，另一端接電壓比較器UB的輸出端，所述電壓比較器UB的輸出端還與與門Ul的另一個輸入端電連接。9.如權利要求1所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，所述鉗位電路包括第一二極管Dl和第二二極管D2，所述第一二極管Dl的負極與所述第二二極管D2的負極相連，所述第一二極管Dl的正極與第一 IGBT驅(qū)動電路的輸入端電連接，所述第二二極管D2的正極與第二 IGBT驅(qū)動電路的輸入端電連接，所述第一二極管Dl與第二二極管D2的公共端與與門Ul的輸出端電連接。10.如權利要求3所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，還包括橋堆(3)，所述橋堆(3)的兩個AC端分別接電源，所述橋堆(3)的V+端與上橋IGBTl的集電極連接，所述橋堆(3)的V-端與電壓浪涌檢測電路(21)的out端連接。11.如權利要求4所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，還包括橋堆(3)，所述橋堆(3)的兩個AC端分別接電源，所述橋堆(3)的V+端與上橋IGBTl的集電極連接，所述橋堆(3)的V-端與電流浪涌檢測電路(23)的In端連接。12.如權利要求5所述的半橋浪涌檢測保護電路，其特征在于，還包括橋堆(3)，所述橋堆(3)的兩個AC端分別接電源，所述橋堆(3)的V+端與上橋IGBTl的集電極連接，所述橋堆(3)的V-端與電壓浪涌檢測電路(21)的out端以及電流浪涌檢測電路(23)的In端電連接。13.—種電磁加熱設備，其特征在于，包括權利要求1-12任一項所述的半橋浪涌檢測保護電路。
【文檔編號】H02H3/00GK205693327SQ201620324895
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年4月18日 公開號201620324895.9, CN 201620324895, CN 205693327 U, CN 205693327U, CN-U-205693327, CN201620324895, CN201620324895.9, CN205693327 U, CN205693327U
【發(fā)明人】馮江平, 區(qū)達理, 王志鋒, 劉志才, 馬志海
【申請人】佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司, 美的集團股份有限公司