專利名稱:一種低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，解決了傳統(tǒng)電池管理電路電池端消耗電流，從而提高了高壓選通時的精度，降低了能量損耗的技術問題。包括電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路，所述電池組電路分別與單通道高壓開關電路和偏置電壓電路相連接；電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與GND連接；電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與EN連接；單通道高壓開關電路與偏置電壓電路連接；單通道高壓開關電路與電池組電路相連接；電池組電路與偏置電壓連接。電池組電路提供電路運行的電壓電流，偏置電壓電路為電路提供電路所需的偏置電壓，單通道高壓開關電路對十二通路分別進行選通。
【專利說明】
一種低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種電池管理領域，特別是一種低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，主要應用于電池管理系統(tǒng)、高性能PMU(電池管理單元)以及儲能領域。
【背景技術】
[0002]節(jié)能和環(huán)保成為汽車工業(yè)發(fā)展的新目標，新一代電動汽車作為能源可多樣化配置的新型交通工具，以其零排放、低噪聲等優(yōu)點，引起人們的普遍關注并得到了極大的發(fā)展。但制約電動汽車發(fā)展的問題依然是儲能動力電池和應用技術。如何延長電池使用壽命、提高電池的能量效率和運行可靠性，是電動汽車能量管理系統(tǒng)必需解決的問題。電池管理系統(tǒng)主要通過對電池電壓、電流和溫度等參數(shù)進行測量，其中電池電壓參數(shù)對于電池的安全性尤為重要?，F(xiàn)有技術中電池通道選擇電路在其電池端都存在電流消耗，而本發(fā)明將提供一種低功耗高壓十二通道選擇電路，從而實現(xiàn)十二節(jié)串聯(lián)鋰電池的電壓選通，最高電壓可達60V，在選通過程中，電池端無電流消耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，它通過全新的單通道高壓開關電路，從而實現(xiàn)十二節(jié)鋰電池串聯(lián)時，各節(jié)電池電壓的選通，并且不從電池端消耗電流，提高了高壓選通時的精度，降低了能量損耗。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)包括電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路，所述電池組電路分別與單通道高壓開關電路和偏置電壓電路相連接;電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與GND連接;電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與EN連接;單通道高壓開關電路與偏置電壓電路連接;單通道高壓開關電路與電池組電路相連接;電池組電路與偏置電壓連接。電池組電路提供電路運行的電壓電流，偏置電壓電路為電路提供電路所需的偏置電壓，單通道高壓開關電路對十二通路分別進行選通。
[0005]所述單通道高壓開關電路包括八個N型DMOS管、三個P型DMOS管、七個N型MOS管、三個P型MOS管、三個齊納二極管、三個電阻和兩個反相器。
[0006]所述單通道高壓開關電路的第一N型DMOS管的源極、齊納二極管Dl的負極與電阻Rl的一端連接;齊納二極管Dl的正極、電阻Rl的另一端、第一 P型MOS管的漏極、第一 P型DMOS管的柵極與第五N型DMOS管的漏極連接；第五N型DMOS管的源極與第二 N型MOS管的漏極連接;第二 N型DMOS管的源極、齊納二極管D2的負極與電阻R2的一端連接;齊納二極管D2的正極、電阻R2的另一端、第一P型MOS管的柵極與第六N型DMOS管的漏極連接;第六N型DMOS管的柵極與反相器INVl的輸出端連接;第六N型DMOS管的源極與第三N型MOS管的漏極連接;第一P型DMOS管的漏極與第二 P型DMOS管的漏極連接;第二P型DMOS管的柵極、齊納二極管D3的正極、第三P型DMOS管的漏極與第七N型DMOS管的漏極連接;第七P型DMOS管的源極與第四N型MOS管的漏極連接;第三N型DMOS管的源極、第一 N型MOS管的漏極和源極與第四N型DMOS管的源極連接;第二 P型MOS管的漏極與第三P型DMOS管的源極連接;第二 P型MOS管的柵極、第三P型DMOS管的柵極、第三P型MOS管的柵極和漏極與電阻R3的一端連接；電阻R3的另一端與第八N型DMOS管的漏極連接;第八N型DMOS管的源極與第六N型MOS管的漏極連接;第一 N型DMOS管的柵極、第二 N型DMOS管的柵極、第一 P型DMOS管的源極、第三N型DMOS管的漏極與輸入端VIN連接；齊納二極管D2的負極與偏置電壓Vb連接；第二P型DMOS管的源極、第四N型DMOS管的漏極與輸出端VOUT連接;第五N型DMOS管的柵極、反相器INVl的輸入端、第七N型DMOS管的柵極、第四N型DMOS管的柵極、第一 N型MOS管的源極、第三N型DMOS管的柵極與數(shù)字信號輸入端DIN連接;第八N型DMOS管的柵極、反相器INV2的輸入端與使能信號輸入端EN連接;第七N型MOS管的柵極和漏極、第六N型MOS管的柵極、第四N型MOS管的柵極、第三N型MOS管的柵極、第二 N型MOS管的柵極與偏置電流輸入端IBIAS連接;第一 N型DMOS管的漏極、第二N型DMOS管的漏極、第二P型MOS管的源極、第三P型MOS管的源極與電源電壓輸入端VDD連接;第七N型MOS管的源極、第六N型MOS管的源極、第五N型MOS管的源極、第四N型MOS管的源極、第三N型MOS管的源極、第二 N型MOS管的源極與地GND連接。
[0007]所述偏置電壓電路包括兩個P型MOS管、兩個P型DMOS管、兩個N型DMOS管、一個電阻、一個齊納二極管和一個反相器。所述偏置電壓電路的第一 P型MOS管的柵極和漏極、第二P型MOS管的柵極、第一P型DMOS管的柵極與電阻Rl的一端連接；電阻Rl的另一端與第一N型DMOS管的漏極連接;第一 P型DMOS管的源極與第二 P型MOS管的漏極連接;反相器INVl的輸出端與第二 N型DMOS管的柵極連接;第一 N型DMOS管的柵極、反相器INVl的輸入端與使能信號EN連接;第一 P型DMOS管的漏極、齊納二極管Dl的負極、第二 P型DMOS管的源極與輸出端VOUT連接;齊納二極管的正極、第二 P型DMOS管的柵極、第二 N型DMOS管的漏極與輸入端VIN連接；第一 N型DMOS管的源極與偏置電流輸入端IBIAS連接;第一 P型MOS管的源極、第二 P型MOS管的源極與電源VDD連接;第二 P型DMOS管的漏極、第二 N型DMOS管的源極與地GND連接。
[0008]所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)中所述的電池組電路包括，十二個MUX電路、一個BIAS電路。
[0009]所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)中所述的電池組電路中每個MUX電路都有一個VCELL連接端、一個DIN連接端、一個IBIAS連接端，一個VDD連接端、一個EN連接端、一個與GND連接端，還有一個VOUT輸出端;BIAS電路中有一個IBIAS連接端，一個VDD連接端、一個EN連接端、一個與GND連接端，還有一個VIN端口與VOUT相連。
[0010]低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)其電路中的電源為十二節(jié)鋰電池。
[0011]低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)中所述每個MUX電路中的VCELL與十二節(jié)串聯(lián)鋰電池的正極相連接，GND與十二節(jié)串聯(lián)鋰電池中最底端的電池負極連接。
[0012]本發(fā)明提供的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)可實現(xiàn)電池端不再消耗電流，從而提高了高壓選通時的精度，降低了能量損耗，更環(huán)保節(jié)能。
【附圖說明】

[0013]圖1是本發(fā)明功能模塊電路連接圖；
[0014]圖2是本發(fā)明單通道高壓開關電路結構圖；
[0015]圖3是本發(fā)明偏置電壓電路結構圖；
[0016]圖4是本發(fā)明電池組電路的連接圖。
【具體實施方式】
[0017]如圖1，本發(fā)明的一個實施例中所提供的低功耗高壓12通道選擇系統(tǒng)包括電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路，所述電池組電路分別與單通道高壓開關電路和偏置電壓電路相連接;電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與GND連接;電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與EN連接;單通道高壓開關電路與偏置電壓電路連接;單通道高壓開關電路與電池組電路相連接;電池組電路與偏置電壓連接。電池組電路提供電路運行的電壓電流，偏置電壓電路為電路提供電路所需的偏置電壓，單通道高壓開關電路對十二通路分別進行選通。
[0018]如圖2，所述單通道高壓開關電路包括八個N型DMOS管、三個P型DMOS管、七個N型MOS管、三個P型MOS管、三個齊納二極管、三個電阻和兩個反相器。所述單通道高壓開關電路的第一 N型DMOS管的源極、齊納二極管Dl的負極與電阻Rl的一端連接;齊納二極管Dl的正極、電阻Rl的另一端、第一 P型MOS管的漏極、第一 P型DMOS管的柵極與第五N型DMOS管的漏極連接;第五N型DMOS管的源極與第二 N型MOS管的漏極連接;第二 N型DMOS管的源極、齊納二極管D2的負極與電阻R2的一端連接;齊納二極管D2的正極、電阻R2的另一端、第一 P型MOS管的柵極與第六N型DMOS管的漏極連接;第六N型DMOS管的柵極與反相器INVl的輸出端連接;第六N型DMOS管的源極與第三N型MOS管的漏極連接;第一 P型DMOS管的漏極與第二 P型DMOS管的漏極連接;第二 P型DMOS管的柵極、齊納二極管D3的正極、第三P型DMOS管的漏極與第七N型DMOS管的漏極連接;第七P型DMOS管的源極與第四N型MOS管的漏極連接;第三N型DMOS管的源極、第一 N型MOS管的漏極和源極與第四N型DMOS管的源極連接;第二 P型MOS管的漏極與第三P型DMOS管的源極連接;第二 P型MOS管的柵極、第三P型DMOS管的柵極、第三P型MOS管的柵極和漏極與電阻R3的一端連接;電阻R3的另一端與第八N型DMOS管的漏極連接;第八N型DMOS管的源極與第六N型MOS管的漏極連接;第一 N型DMOS管的柵極、第二 N型DMOS管的柵極、第一 P型DMOS管的源極、第三N型DMOS管的漏極與輸入端VIN連接;齊納二極管D2的負極與偏置電壓Vb連接;第二 P型DMOS管的源極、第四N型DMOS管的漏極與輸出端VOUT連接;第五N型DMOS管的柵極、反相器INVl的輸入端、第七N型DMOS管的柵極、第四N型DMOS管的柵極、第一 N型MOS管的源極、第三N型DMOS管的柵極與數(shù)字信號輸入端DIN連接;第八N型DMOS管的柵極、反相器INV2的輸入端與使能信號輸入端EN連接;第七N型MOS管的柵極和漏極、第六N型MOS管的柵極、第四N型MOS管的柵極、第三N型MOS管的柵極、第二 N型MOS管的柵極與偏置電流輸入端IBIAS連接;第一 N型DMOS管的漏極、第二 N型DMOS管的漏極、第二 P型MOS管的源極、第三P型MOS管的源極與電源電壓輸入端VDD連接;第七N型MOS管的源極、第六N型MOS管的源極、第五N型MOS管的源極、第四N型MOS管的源極、第三N型MOS管的源極、第二N型MOS管的源極與地GND連接。
[0019]如圖3，所述偏置電壓電路包括兩個P型MOS管、兩個P型DMOS管、兩個N型DMOS管、一個電阻、一個齊納二極管和一個反相器。所述偏置電壓電路的第一 P型MOS管的柵極和漏極、第二P型MOS管的柵極、第一P型DMOS管的柵極與電阻Rl的一端連接;電阻Rl的另一端與第一N型DMOS管的漏極連接;第一 P型DMOS管的源極與第二 P型MOS管的漏極連接;反相器INVl的輸出端與第二N型DMOS管的柵極連接;第一N型DMOS管的柵極、反相器INVl的輸入端與使能信號EN連接;第一 P型DMOS管的漏極、齊納二極管Dl的負極、第二 P型DMOS管的源極與輸出端VOUT連接;齊納二極管的正極、第二 P型DMOS管的柵極、第二 N型DMOS管的漏極與輸入端VIN連接;第一 N型DMOS管的源極與偏置電流輸入端IBIAS連接;第一 P型MOS管的源極、第二 P型MOS管的源極與電源VDD連接;第二 P型DMOS管的漏極、第二 N型DMOS管的源極與地GND連接。
[0020]所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)中所述的電池組電路包括，十二個MUX電路、一個BIAS電路。所述的電池組電路中每個MUX電路都有一個VCELL連接端、一個DIN連接端、一個IBIAS連接端，一個VDD連接端、一個EN連接端、一個與GND連接端，還有一個VOUT輸出端;BIAS電路中有一個IBIAS連接端，一個VDD連接端、一個EN連接端、一個與GND連接端，還有一個VIN端口與VOUT相連。
[0021]所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)其電路中的電源為十二節(jié)鋰電池。VCELL與十二節(jié)串聯(lián)鋰電池的正極相連接，GND與十二節(jié)串聯(lián)鋰電池中最底端的電池負極連接。所述低功耗高壓十二通道選擇電路中第一選擇通道的開關處于通路狀態(tài)，其余剩下的十一處開關處于斷路狀態(tài)。從而實現(xiàn)只有第一輸出端有輸出電壓。
[0022]本發(fā)明的另一個實施例中所提供的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)包括電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路，所述電池組電路分別與單通道高壓開關電路和偏置電壓電路相連接;電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與GND連接;電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與EN連接;單通道高壓開關電路與偏置電壓電路連接;單通道高壓開關電路與電池組電路相連接;電池組電路與偏置電壓連接。電池組電路提供電路運行的電壓電流，偏置電壓電路為電路提供電路所需的偏置電壓，單通道高壓開關電路對十二通路分別進行選通。
[0023 ] 所述單通道高壓開關電路包括八個N型DMOS管、三個P型DMOS管、七個N型MOS管、三個P型MOS管、三個齊納二極管、三個電阻和兩個反相器。所述單通道高壓開關電路的第一 N型DMOS管的源極、齊納二極管DI的負極與電阻Rl的一端連接;齊納二極管DI的正極、電阻Rl的另一端、第一 P型MOS管的漏極、第一 P型DMOS管的柵極與第五N型DMOS管的漏極連接;第五N型DMOS管的源極與第二 N型MOS管的漏極連接;第二 N型DMOS管的源極、齊納二極管D2的負極與電阻R2的一端連接;齊納二極管D2的正極、電阻R2的另一端、第一 P型MOS管的柵極與第六N型DMOS管的漏極連接;第六N型DMOS管的柵極與反相器INVl的輸出端連接;第六N型DMOS管的源極與第三N型MOS管的漏極連接;第一 P型DMOS管的漏極與第二 P型DMOS管的漏極連接;第二 P型DMOS管的柵極、齊納二極管D3的正極、第三P型DMOS管的漏極與第七N型DMOS管的漏極連接;第七P型DMOS管的源極與第四N型MOS管的漏極連接;第三N型DMOS管的源極、第一N型MOS管的漏極和源極與第四N型DMOS管的源極連接;第二 P型MOS管的漏極與第三P型DMOS管的源極連接;第二 P型MOS管的柵極、第三P型DMOS管的柵極、第三P型MOS管的柵極和漏極與電阻R3的一端連接;電阻R3的另一端與第八N型DMOS管的漏極連接;第八N型DMOS管的源極與第六N型MOS管的漏極連接;第一 N型DMOS管的柵極、第二 N型DMOS管的柵極、第一 P型DMOS管的源極、第三N型DMOS管的漏極與輸入端VIN連接;齊納二極管D2的負極與偏置電壓Vb連接;第二 P型DMOS管的源極、第四N型DMOS管的漏極與輸出端VOUT連接;第五N型DMOS管的柵極、反相器INVl的輸入端、第七N型DMOS管的柵極、第四N型DMOS管的柵極、第一 N型MOS管的源極、第三N型DMOS管的柵極與數(shù)字信號輸入端DIN連接;第八N型DMOS管的柵極、反相器INV2的輸入端與使能信號輸入端EN連接;第七N型MOS管的柵極和漏極、第六N型MOS管的柵極、第四N型MOS管的柵極、第三N型MOS管的柵極、第二 N型MOS管的柵極與偏置電流輸入端IBIAS連接;第一 N型DMOS管的漏極、第二 N型DMOS管的漏極、第二 P型MOS管的源極、第三P型MOS管的源極與電源電壓輸入端VDD連接;第七N型MOS管的源極、第六N型MOS管的源極、第五N型MOS管的源極、第四N型MOS管的源極、第三N型MOS管的源極、第二N型MOS管的源極與地GND連接。
[0024]所述偏置電壓電路包括兩個P型MOS管、兩個P型DMOS管、兩個N型DMOS管、一個電阻、一個齊納二極管和一個反相器。所述偏置電壓電路的第一 P型MOS管的柵極和漏極、第二P型MOS管的柵極、第一P型DMOS管的柵極與電阻Rl的一端連接；電阻Rl的另一端與第一N型DMOS管的漏極連接;第一 P型DMOS管的源極與第二 P型MOS管的漏極連接;反相器INVl的輸出端與第二N型DMOS管的柵極連接;第一N型DMOS管的柵極、反相器INVl的輸入端與使能信號EN連接;第一 P型DMOS管的漏極、齊納二極管Dl的負極、第二 P型DMOS管的源極與輸出端VOUT連接;齊納二極管的正極、第二 P型DMOS管的柵極、第二 N型DMOS管的漏極與輸入端VIN連接；第一 N型DMOS管的源極與偏置電流輸入端IBIAS連接;第一 P型MOS管的源極、第二 P型MOS管的源極與電源VDD連接;第二 P型DMOS管的漏極、第二 N型DMOS管的源極與地GND連接。
[0025]如圖4所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)中所述的電池組電路包括，十二個MUX電路、一個BI AS電路。所述的電池組電路中每個MUX電路都有一個VCELL連接端、一個DIN連接端、一個IBIAS連接端，一個VDD連接端、一個EN連接端、一個與GND連接端，還有一個VOUT輸出端;BIAS電路中有一個IBIAS連接端，一個VDD連接端、一個EN連接端、一個與GND連接端，還有一個VIN端口與VOUT相連。
[0026]所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)其電路中的電源為十二節(jié)鋰電池。每個MUX電路中的VCELL與十二節(jié)串聯(lián)鋰電池的正極相連接，GND與十二節(jié)串聯(lián)鋰電池中最底端的電池負極連接。所述低功耗高壓十二通道選擇電路中第六選擇通道的開關處于通路狀態(tài)，其余剩下的十一處開關處于斷路狀態(tài)。從而實現(xiàn)第六輸出端具有輸出電壓。
[0027]本發(fā)明的另一個實施例中所提供的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)包括電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路，所述電池組電路分別與單通道高壓開關電路和偏置電壓電路相連接；電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與GND連接；電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與EN連接;單通道高壓開關電路與偏置電壓電路連接;單通道高壓開關電路與電池組電路相連接;電池組電路與偏置電壓連接。電池組電路提供電路運行的電壓電流，偏置電壓電路為電路提供電路所需的偏置電壓，單通道高壓開關電路對十二通路分別進行選通。
[0028]所述單通道高壓開關電路包括八個N型DMOS管、三個P型DMOS管、七個N型MOS管、三個P型MOS管、三個齊納二極管、三個電阻和兩個反相器。所述單通道高壓開關電路的第一 N型DMOS管的源極、齊納二極管DI的負極與電阻Rl的一端連接;齊納二極管DI的正極、電阻Rl的另一端、第一 P型MOS管的漏極、第一 P型DMOS管的柵極與第五N型DMOS管的漏極連接;第五N型DMOS管的源極與第二 N型MOS管的漏極連接;第二 N型DMOS管的源極、齊納二極管D2的負極與電阻R2的一端連接;齊納二極管D2的正極、電阻R2的另一端、第一 P型MOS管的柵極與第六N型DMOS管的漏極連接;第六N型DMOS管的柵極與反相器INVl的輸出端連接;第六N型DMOS管的源極與第三N型MOS管的漏極連接;第一 P型DMOS管的漏極與第二 P型DMOS管的漏極連接;第二 P型DMOS管的柵極、齊納二極管D3的正極、第三P型DMOS管的漏極與第七N型DMOS管的漏極連接;第七P型DMOS管的源極與第四N型MOS管的漏極連接;第三N型DMOS管的源極、第一N型MOS管的漏極和源極與第四N型DMOS管的源極連接;第二 P型MOS管的漏極與第三P型DMOS管的源極連接;第二P型MOS管的柵極、第三P型DMOS管的柵極、第三P型MOS管的柵極和漏極與電阻R3的一端連接；電阻R3的另一端與第八N型DMOS管的漏極連接;第八N型DMOS管的源極與第六N型MOS管的漏極連接;第一 N型DMOS管的柵極、第二 N型DMOS管的柵極、第一 P型DMOS管的源極、第三N型DMOS管的漏極與輸入端VIN連接;齊納二極管D2的負極與偏置電壓Vb連接;第二 P型DMOS管的源極、第四N型DMOS管的漏極與輸出端VOUT連接;第五N型DMOS管的柵極、反相器INVl的輸入端、第七N型DMOS管的柵極、第四N型DMOS管的柵極、第一 N型MOS管的源極、第三N型DMOS管的柵極與數(shù)字信號輸入端DIN連接;第八N型DMOS管的柵極、反相器INV2的輸入端與使能信號輸入端EN連接;第七N型MOS管的柵極和漏極、第六N型MOS管的柵極、第四N型MOS管的柵極、第三N型MOS管的柵極、第二 N型MOS管的柵極與偏置電流輸入端IBIAS連接;第一 N型DMOS管的漏極、第二 N型DMOS管的漏極、第二 P型MOS管的源極、第三P型MOS管的源極與電源電壓輸入端VDD連接;第七N型MOS管的源極、第六N型MOS管的源極、第五N型MOS管的源極、第四N型MOS管的源極、第三N型MOS管的源極、第二N型MOS管的源極與地GND連接。
[0029]所述偏置電壓電路包括兩個P型MOS管、兩個P型DMOS管、兩個N型DMOS管、一個電阻、一個齊納二極管和一個反相器。所述偏置電壓電路的第一 P型MOS管的柵極和漏極、第二P型MOS管的柵極、第一P型DMOS管的柵極與電阻Rl的一端連接；電阻Rl的另一端與第一N型DMOS管的漏極連接;第一P型DMOS管的源極與第二P型MOS管的漏極連接;反相器INVl的輸出端與第二 N型DMOS管的柵極連接;第一 N型DMOS管的柵極、反相器INVl的輸入端與使能信號EN連接；第一 P型DMOS管的漏極、齊納二極管Dl的負極、第二 P型DMOS管的源極與輸出端VOUT連接;齊納二極管的正極、第二 P型DMOS管的柵極、第二 N型DMOS管的漏極與輸入端VIN連接;第一 N型DMOS管的源極與偏置電流輸入端IBIAS連接;第一 P型MOS管的源極、第二 P型MOS管的源極與電源VDD連接;第二 P型DMOS管的漏極、第二 N型DMOS管的源極與地GND連接。
[0030]所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)中所述的電池組電路包括，十二個MUX電路、一個BIAS電路。所述的電池組電路中每個MUX電路都有一個VCELL連接端、一個DIN連接端、一個IBIAS連接端，一個VDD連接端、一個EN連接端、一個與GND連接端，還有一個VOUT輸出端;BIAS電路中有一個IBIAS連接端，一個VDD連接端、一個EN連接端、一個與GND連接端，還有一個VIN端口與VOUT相連。
[0031]所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)其電路中的電源為十二節(jié)鋰電池。每個MUX電路中的VCELL與十二節(jié)串聯(lián)鋰電池的正極相連接，GND與十二節(jié)串聯(lián)鋰電池中最底端的電池負極連接。所述低功耗高壓十二通道選擇電路中第十二選擇通道的開關處于通路狀態(tài)，其余剩下的十一處開關處于斷路狀態(tài)，從而實現(xiàn)第十二輸出端具有輸出電壓。
【主權項】
1.一種低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，包括電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路，其特征在于:所述電池組電路分別與單通道高壓開關電路和偏置電壓電路相連接；電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與GND連接;電池組電路、單通道高壓開關電路、偏置電壓電路與EN連接;單通道高壓開關電路與偏置電壓電路連接;單通道高壓開關電路與電池組電路相連接;電池組電路與偏置電壓連接。2.根據(jù)權利要求1所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，其特征在于:所述單通道高壓開關電路包括八個N型DMOS管、三個P型DMOS管、七個N型MOS管、三個P型MOS管、三個齊納二極管、三個電阻和兩個反相器。3.根據(jù)權利要求2所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，其特征在于:所述單通道高壓開關電路的第一 N型DMOS管的源極、齊納二極管Dl的負極與電阻Rl的一端連接;齊納二極管Dl的正極、電阻Rl的另一端、第一 P型MOS管的漏極、第一 P型DMOS管的柵極與第五N型DMOS管的漏極連接;第五N型DMOS管的源極與第二 N型MOS管的漏極連接;第二 N型DMOS管的源極、齊納二極管D2的負極與電阻R2的一端連接;齊納二極管D2的正極、電阻R2的另一端、第一 P型MOS管的柵極與第六N型DMOS管的漏極連接;第六N型DMOS管的柵極與反相器INVl的輸出端連接;第六N型DMOS管的源極與第三N型MOS管的漏極連接;第一P型DMOS管的漏極與第二P型DMOS管的漏極連接;第二 P型DMOS管的柵極、齊納二極管D3的正極、第三P型DMOS管的漏極與第七N型DMOS管的漏極連接;第七P型DMOS管的源極與第四N型MOS管的漏極連接;第三N型DMOS管的源極、第一 N型MOS管的漏極和源極與第四N型DMOS管的源極連接;第二 P型MOS管的漏極與第三P型DMOS管的源極連接;第二 P型MOS管的柵極、第三P型DMOS管的柵極、第三P型MOS管的柵極和漏極與電阻R3的一端連接；電阻R3的另一端與第八N型DMOS管的漏極連接；第八N型DMOS管的源極與第六N型MOS管的漏極連接;第一 N型DMOS管的柵極、第二 N型DMOS管的柵極、第一 P型DMOS管的源極、第三N型DMOS管的漏極與輸入端VIN連接;齊納二極管D2的負極與偏置電壓Vb連接;第二 P型DMOS管的源極、第四N型DMOS管的漏極與輸出端VOUT連接；第五N型DMOS管的柵極、反相器INVl的輸入端、第七N型DMOS管的柵極、第四N型DMOS管的柵極、第一 N型MOS管的源極、第三N型DMOS管的柵極與數(shù)字信號輸入端DIN連接;第八N型DMOS管的柵極、反相器INV2的輸入端與使能信號輸入端EN連接;第七N型MOS管的柵極和漏極、第六N型MOS管的柵極、第四N型MOS管的柵極、第三N型MOS管的柵極、第二N型MOS管的柵極與偏置電流輸入端IBIAS連接;第一 N型DMOS管的漏極、第二 N型DMOS管的漏極、第二 P型MOS管的源極、第三P型MOS管的源極與電源電壓輸入端VDD連接;第七N型MOS管的源極、第六N型MOS管的源極、第五N型MOS管的源極、第四N型MOS管的源極、第三N型MOS管的源極、第二N型MOS管的源極與地GND連接。4.根據(jù)權利要求1所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，其特征在于:所述偏置電壓電路包括兩個P型MOS管、兩個P型DMOS管、兩個N型DMOS管、一個電阻、一個齊納二極管和一個反相器。5.根據(jù)權利要求1所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，其特征在于:所述偏置電壓電路的第一 P型MOS管的柵極和漏極、第二 P型MOS管的柵極、第一 P型DMOS管的柵極與電阻Rl的一端連接;電阻Rl的另一端與第一N型DMOS管的漏極連接;第一P型DMOS管的源極與第二P型MOS管的漏極連接;反相器INVl的輸出端與第二 N型DMOS管的柵極連接;第一 N型DMOS管的柵極、反相器INVl的輸入端與使能信號EN連接;第一 P型DMOS管的漏極、齊納二極管Dl的負極、第二 P型DMOS管的源極與輸出端VOUT連接;齊納二極管的正極、第二 P型DMOS管的柵極、第二N型DMOS管的漏極與輸入端VIN連接;第一 N型DMOS管的源極與偏置電流輸入端IBIAS連接；第一 P型MOS管的源極、第二 P型MOS管的源極與電源VDD連接;第二 P型DMOS管的漏極、第二 N型DMOS管的源極與地GND連接。6.根據(jù)權利要求1所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，其特征在于:所述的電池組電路包括，十二個MUX電路、一個BIAS電路。7.根據(jù)權利要求6所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，其特征在于:所述的電池組電路中每個MUX電路都有一個VCELL連接端、一個D IN連接端、一個IBI AS連接端，一個VDD連接端、一個EN連接端、一個與GND連接端，還有一個VOUT輸出端;BIAS電路中有一個IBIAS連接端，一個VDD連接端、一個EN連接端、一個與GND連接端，還有一個VIN端口與VOUT相連。8.根據(jù)權利要求1至7中任一所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，其特征在于:其電路中的電源為十二節(jié)鋰電池。9.根據(jù)權利要求7所述的低功耗高壓十二通道選擇系統(tǒng)，其特征在于:其電路中的電源為十二節(jié)鋰電池，每個MUX電路中的VCELL與十二節(jié)串聯(lián)鋰電池的正極相連接，GND與十二節(jié)串聯(lián)裡電池中最底端的電池負極連接。
【文檔編號】H03K17/693GK205725018SQ201620373541
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年4月28日
【發(fā)明人】張龍, 孫權
【申請人】西安航天民芯科技有限公司