專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別是，具有由薄膜半導(dǎo)體元件構(gòu)成的整流電路的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明也涉及使用具有整流電路的半導(dǎo)體器件的電子裝置。
背景技術(shù)：
近年，隨著通信技術(shù)的進(jìn)步，移動(dòng)電話被廣泛使用。將來，期望傳送動(dòng)畫和更多信息。另外，通過減少個(gè)人計(jì)算機(jī)的重量，已經(jīng)生產(chǎn)了適用于移動(dòng)通信的裝置。源于電子筆記本、被稱為PDA的信息終端也已大量生產(chǎn)并廣泛使用。隨著顯示器的發(fā)展，大多數(shù)攜帶式信息裝置都裝有一個(gè)平板顯示屏。
特別是，現(xiàn)在一種用薄膜晶體管構(gòu)成像素和驅(qū)動(dòng)器的顯示器得到廣泛使用，該薄膜晶體管通過稱為低溫多晶硅的技術(shù)用激光退火在玻璃上形成多晶硅。另外，使用低溫多晶硅技術(shù)的電路已得以發(fā)展，而且已經(jīng)公開了采用該技術(shù)的CPU、儲(chǔ)存電路等等。不久將實(shí)現(xiàn)在模擬電路中應(yīng)用低溫多晶硅的技術(shù)。
利用這樣的模擬電路，能夠檢測來自顯示器外部的非電量數(shù)據(jù)，例如聲音和壓力。聲音信號(hào)通過話筒轉(zhuǎn)換成電信號(hào)并被放大，然后通過整流電路或者是平滑電路轉(zhuǎn)換成直流電流?；谥绷麟娏鞯碾娢荒軝z測非電量數(shù)據(jù)。
在整流電路可由在絕緣基片上的薄膜晶體管構(gòu)成的情況下，可以更系統(tǒng)化地構(gòu)成使用低溫多晶硅的顯示器。
如圖3所示，整流電路通常由一個(gè)二極管和一個(gè)運(yùn)算放大器構(gòu)成。這樣的整流電路是眾所周知的，并在構(gòu)筑電子裝置的場合因其簡單的結(jié)構(gòu)而被頻繁地使用(參見非專利文獻(xiàn)1)，例如[非專利文獻(xiàn)1]Standard Text for OP-Amp Circuit Desing‘關(guān)于運(yùn)算放大器電路設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)文本’，CQ出版，316頁以下說明如圖3所示的電路的動(dòng)作。首先考慮這樣的情況，當(dāng)一個(gè)電位比電源309高的信號(hào)輸入到輸入端307時(shí)，運(yùn)算放大器301的反相輸入端的電位等于正相輸入端的電位，并由于正相輸入端連接電源309，因而正相輸入端的電位等于電源309的電位。由此，電流從輸入端307流向反相輸入端。電流經(jīng)二極管303流進(jìn)運(yùn)算放大器301的輸出端。運(yùn)算放大器301的輸出電位因二極管303的一正向電壓降VF(flash voltage)而低于電源309的電位。由于在該場合沒有電流流進(jìn)電阻305，電阻305的兩端的各電位等于電源309的電位。
接著來考慮另一種情況，當(dāng)一個(gè)電位比電源309低的信號(hào)輸入到輸入端307時(shí)，電流從運(yùn)算放大器301的輸出端經(jīng)二極管302、電阻305、電阻304流進(jìn)輸入端307。與輸入信號(hào)反相的信號(hào)輸出到電阻305和二極管302之間的連接點(diǎn)。圖4A表示輸入信號(hào)，圖4B表示整流后的輸出信號(hào)。參照號(hào)306指的是平滑電路，參照號(hào)308指的是輸出端。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述的常規(guī)整流電路當(dāng)由薄膜晶體管構(gòu)成并安裝于絕緣基片上時(shí)具有以下問題。
常規(guī)的整流電路基本上包括一個(gè)運(yùn)算放大器，因此在使用該電路時(shí)要求交流電流反饋。在薄膜晶體管的情況下，每個(gè)元件的電流容量都很小，因此要求大的元件去改善電流容量?？墒牵叽绲脑黾釉斐杉纳娙莸脑黾硬⑹拐袷幉环€(wěn)定，其結(jié)果，不能得到交流電流的反饋。
因此，在由常規(guī)薄膜晶體管構(gòu)成常規(guī)整流電路的情況下，為了解決振蕩問題在整流電路中需要連接許多電容去阻止振蕩。從而降低了頻率特性，得到了圖4所示的整流波形，該波形圖不是所期望的。
鑒于上述問題，本發(fā)明提供一種整流電路，目的在于通過薄膜元件來實(shí)現(xiàn)裝有整流電路的半導(dǎo)體器件。該整流電路具有放大功能、波形整形功能，以整形放大信號(hào)的波形以及開關(guān)功能，由波形整形的信號(hào)控制。
根據(jù)本發(fā)明，在擁有整流電路的半導(dǎo)體器件中，在絕緣基片上用薄膜晶體管構(gòu)成該整流電路，該整流電路包括放大電路，波形整形電路，用以對(duì)放大電路的輸出信號(hào)的波形整形，以及開關(guān)電路，由波形整形電路的輸出信號(hào)控制。
根據(jù)本發(fā)明，在擁有整流電路的半導(dǎo)體器件中，在絕緣基片上用薄膜晶體管構(gòu)成該整流電路，該整流電路包括放大電路，波形整形電路，用以對(duì)放大電路的輸出信號(hào)的波形整形，開關(guān)電路，由波形整形電路的輸出信號(hào)控制，以及連接到開關(guān)電路的電阻。
根據(jù)本發(fā)明，在擁有整流電路的半導(dǎo)體器件中，在絕緣基片上用薄膜晶體管構(gòu)成該整流電路，該整流電路包括輸入端，電源，放大電路，波形整形電路，用以對(duì)放大電路的輸出信號(hào)的波形整形，開關(guān)電路，由波形整形電路的輸出信號(hào)控制，以及緩沖放大器；該電源連接到開關(guān)電路的第1端，該輸入端連接到開關(guān)電路的第2端和放大電路。
根據(jù)本發(fā)明，在擁有整流電路的半導(dǎo)體器件中，在絕緣基片上用薄膜晶體管構(gòu)成該整流電路，該整流電路包括第1輸入端，第2輸入端，放大電路，波形整形電路，用以對(duì)放大電路的輸出信號(hào)的波形整形，開關(guān)電路，由波形整形電路的輸出信號(hào)控制，以及緩沖放大器；該第1輸入端連接到開關(guān)電路的第1端和放大電路的第1輸入端，該第2輸入端連接到開關(guān)電路的第2端和放大電路的第2輸入端。
在本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)中，開關(guān)電路是模擬開關(guān)電路。
在本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)中，模擬開關(guān)電路由一個(gè)N型薄膜晶體管和一個(gè)P型薄膜晶體管構(gòu)成，進(jìn)一步，N型薄膜晶體管和P型晶體管的各自的柵極寬度大致相等。
在本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)中，波形整形電路是反相電路。
本發(fā)明提供一種包括上述半導(dǎo)體器件的電子裝置。
如上所述，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，通過使用在絕緣基片上的薄膜晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)具有更優(yōu)越的頻率特性的整流電路，以便放大輸入信號(hào)并對(duì)該信號(hào)的波形整形來控制輸入信號(hào)的轉(zhuǎn)換。


圖1是示意本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中的整流電路的實(shí)施方式的圖。
圖2是示意本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中的整流電路的實(shí)施方式的圖。
圖3是示意傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件中的整流電路的例子的圖。
圖4A至圖4C是示意整流電路波形的圖。
圖5是示意本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中的整流電路的實(shí)施例的圖。
圖6是示意本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中的整流電路的實(shí)施例的圖。
圖7A和圖7B是示意應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的電子裝置的圖。
圖8是示意本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中的整流電路的實(shí)施例的圖。
圖9是示意本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的圖。
圖10是示意實(shí)施例1中測得的整流電路的波形的圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
實(shí)施方式1圖1示意本發(fā)明的第1實(shí)施方式。如圖1所示的實(shí)施方式具有放大電路101、波形整形電路102、電阻103、開關(guān)104、緩沖放大器105、平滑電路106，輸入端107、輸出端108。該電路由一個(gè)薄膜晶體管(簡稱TFT)構(gòu)成。以下來說明該實(shí)施方式的動(dòng)作。
首先，輸入到輸入端107的信號(hào)由放大電路101來放大。放大電路101的輸出輸入到波形整形電路102，從而，波形被整形為邏輯信號(hào)。波形已被整形的信號(hào)作為控制信號(hào)輸入到開關(guān)104，以便接通/斷開開關(guān)104。除了放大電路101，輸入到輸入端107的信號(hào)也輸入到電阻103。
當(dāng)開關(guān)104斷開時(shí)，信號(hào)經(jīng)電阻103輸入到緩沖放大器105。緩沖放大器105的輸入阻抗最好設(shè)定為比電阻103的阻值高的值以減少因電阻103的損耗，因此，輸入的信號(hào)經(jīng)緩沖放大器105輸入到平滑電路106。
當(dāng)開關(guān)104接通時(shí)，緩沖放大器105的輸入連接電源109，因此從緩沖放大器105只輸出直流電平。其波形對(duì)應(yīng)于圖4B。整流的波形通過平滑電路106平滑，然后，輸出到輸出端108。
根據(jù)該實(shí)施方式，其方法是通過使用頻率特性不劣化的TFT，用在絕緣基片上結(jié)構(gòu)成的不帶反饋的放大電路、波形整形電路、電阻以及開關(guān)構(gòu)成一個(gè)整流電路。
因此，能夠得到將例如顯示部分和整流電路集成在一塊絕緣基片上的半導(dǎo)體器件。
實(shí)施方式2
圖2示意本發(fā)明的第2實(shí)施方式。如圖2所示的實(shí)施方式具有放大電路201、波形整形電路202、開關(guān)204、緩沖放大器205、平滑電路206、輸入端207以及輸出端208。以下來說明該實(shí)施方式的動(dòng)作。
首先，輸入到輸入端207的信號(hào)由放大電路201來放大。放大電路201的輸出輸入到波形整形電路202，從而，波形被整形為邏輯信號(hào)。波形已被整形的信號(hào)作為控制信號(hào)輸入到開關(guān)204，以便切換開關(guān)204的連接。除了放大電路201，輸入到輸入端207的信號(hào)也輸入到開關(guān)204。
當(dāng)開關(guān)204連接到‘B’時(shí)，輸入信號(hào)依序輸入到緩沖放大器205和平滑電路206。
當(dāng)開關(guān)204連結(jié)到‘A’時(shí)，緩沖放大器205的輸入連接到電源209，因此從緩沖放大器205只輸出直流電平。其波形對(duì)應(yīng)于圖4B。整流的波形通過平滑電路206而使之平滑，然后，輸出到輸出端208。
根據(jù)該實(shí)施方式，其方法是通過使用頻率特性不劣化的TFT，用在絕緣基片上結(jié)構(gòu)成的不帶反饋的放大電路、波形整形電路、電阻以及開關(guān)構(gòu)成一個(gè)整流電路。
因此，能夠得到將例如顯示部分和整流電路集成在一塊絕緣基片上的半導(dǎo)體器件。
實(shí)施例1圖5示意本發(fā)明的第1實(shí)施例，更詳細(xì)地示意圖1所示的第一實(shí)施方式。如圖5所示的實(shí)施方式具有放大電路501、波形整形電路502、電阻503、模擬開關(guān)TFT 517和518、緩沖放大器505、平滑電路506、輸入端507以及輸出端508。進(jìn)一步，放大電路501具有TFT510至513以及電流源514，波形整形電路502具有反相器515和516，平滑電路506具有電阻519和電容520。以下來說明該實(shí)施例的動(dòng)作。
輸入到輸入端507的信號(hào)由放大電路501來放大。放大電路501具有一個(gè)由TFT512和513構(gòu)成的差分電路以及一個(gè)由TFT510和511構(gòu)成的電流鏡電路。當(dāng)一個(gè)電位高于電源509的電位的信號(hào)輸入到輸入端507時(shí)，TFT512、510以及511上的電流的總和大于TFT513上的電流。其結(jié)果，從放大電路501輸出高電平(Hi)。當(dāng)一個(gè)電位低于電源509的電位的信號(hào)輸入到輸入端507時(shí)，TFT512、510以及511上的電流的總和小于TFT513上的電流。其結(jié)果，從放大電路501輸出低電平(Lo)。
放大電路501的輸出輸入到波形整形電路502，從而，波形被整形為邏輯信號(hào)。在該實(shí)施例中，波形整形電路502由反相器構(gòu)成。波形已被整形的信號(hào)作為控制信號(hào)輸入到模擬開關(guān)TFT517和518，以便接通/斷開模擬開關(guān)TFT517和518。
當(dāng)放大電路501的輸出為高(Hi)，斷開模擬開關(guān)TFT517和518。當(dāng)放大電路501的輸出為低(Lo)，接通模擬開關(guān)TFT517和518。除了放大電路501，輸入到輸入端507的信號(hào)也輸入到電阻503。
當(dāng)斷開模擬開關(guān)TFT517和518，信號(hào)經(jīng)電阻503輸入到緩沖放大器505。緩沖放大器505的輸入阻抗最好設(shè)定為比電阻503的阻值更高的值以減少因電阻503的損耗，由此，輸入的信號(hào)經(jīng)緩沖放大器505輸入到平滑電路506。
當(dāng)接通模擬開關(guān)TFT517和518，緩沖放大器505的輸入連接到電源509，由此從緩沖放大器505只輸出直流電平。其波形對(duì)應(yīng)于圖4B。整流的波形通過由電阻519和電容520構(gòu)成的平滑電路506而使之平滑，然后，輸出到輸出端508。
為了防止開關(guān)TFT的柵極電容對(duì)控制信號(hào)的影響，P型TFT518與N型TFT517的各自的柵極寬度較佳地為大致相等。
根據(jù)該實(shí)施方式，其方法是通過使用頻率特性不劣化的TFT在絕緣基片上結(jié)構(gòu)成的不帶反饋的放大電路、波形整形電路、電阻以及開關(guān)構(gòu)成一個(gè)整流電路。
因此，能夠得到將例如顯示部分和整流電路集成在一塊絕緣基片上的半導(dǎo)體器件。
圖10示意輸入的正弦波及經(jīng)過半波整流后的輸出波，它們被提供以檢驗(yàn)圖5所示第1實(shí)施例中所述電路的動(dòng)作。該輸入波是一個(gè)1kHz，1Vpp的正弦波信號(hào)，輸入到輸入端507，而輸出波是一個(gè)從輸出端508輸出的信號(hào)。
在正弦波的每第二個(gè)半周期期間，輸出波為恒定電位。也就是說，當(dāng)正弦波處于正相的半周時(shí)，輸出與正弦波相同的波形，而當(dāng)正弦波處于反相的另一半周時(shí)，輸出恒定電位。
采用此方式，可以實(shí)現(xiàn)具有較佳頻率特性的整流電路，不會(huì)鈍化(dulling)輸出波形，由此保證本發(fā)明的效果。
圖6示意本發(fā)明的第2實(shí)施例，更詳細(xì)地示意圖2所示的實(shí)施方式。如圖6所示的實(shí)施方式具有放大電路601，波形整形電路602、模擬開關(guān)TFT617至620、緩沖放大器605、平滑電路606、輸入端607以及輸出端608。進(jìn)一步，放大電路601具有TFT610至613以及電流源614，波形整形電路602具有反相器615和616，平滑電路606具有電阻621和電容622。以下來說明該實(shí)施例的動(dòng)作。
輸入到輸入端607的信號(hào)由放大電路601來放大。放大電路601具有一個(gè)由TFT612和613構(gòu)成的差分電路以及一個(gè)由TFT610和611構(gòu)成的電流鏡電路。當(dāng)一個(gè)電位高于電源609的電位的信號(hào)輸入到輸入端607時(shí)，TFT612、610以及611上的電流的總和大于TFT613上的電流。其結(jié)果，從放大電路601輸出高平(Hi)。當(dāng)一個(gè)電位低于電源609的電位的信號(hào)輸入到輸入端607時(shí)，TFT612、610以及611上的電流的總和小于TFT613上的電流。其結(jié)果，從放大電路601輸出低平(Lo)。
放大電路601的輸出輸入到波形整形電路602，從而，波形被整形為邏輯信號(hào)。在該實(shí)施例中，波形整形電路602由反相器構(gòu)成。波形已被整形的信號(hào)作為控制信號(hào)輸入到模擬開關(guān)TFT617至620，以便接通/斷開模擬開關(guān)TFT617和620。
當(dāng)放大電路601的輸出為高(Hi)，斷開模擬開關(guān)TFT617和618而接通TFT619和620。當(dāng)放大電路601的輸出為低(Lo)，接通模擬開關(guān)TFT617和618，而斷開TFT619和620。除了放大電路601，輸入到輸入端607的信號(hào)也輸入到模擬開關(guān)TFT617和618。
當(dāng)接通模擬開關(guān)TFT617和618而斷開TFT619和620時(shí)，信號(hào)依序輸入到緩沖放大器605和平滑電路606。當(dāng)斷開模擬開關(guān)TFT617和618而接通TFT619和620時(shí)，緩沖放大器605的輸入連接電源609，因此從緩沖放大器605只輸出直流電平。其波形對(duì)應(yīng)于圖4B。整流的波形通過由電阻621和電容622構(gòu)成的平滑電路606而使之平滑，然后，輸出到輸出端608。
為了防止開關(guān)TFT柵極電容對(duì)控制信號(hào)的影響，模擬開關(guān)電路的P型TFT618和619與N型TFT617和620的各自的柵極寬度較佳地為大致相等。
根據(jù)該實(shí)施方式，其方法是，通過使用頻率特性不劣化的TFT在絕緣基片上結(jié)構(gòu)成的不帶反饋的放大電路、波形整形電路、電阻以及開關(guān)來構(gòu)成一個(gè)整流電路。
因此，能夠得到將例如顯示部分和整流電路集成在一塊絕緣基片上的半導(dǎo)體器件。
實(shí)施例3圖8表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式，并表示全波整流電路的一個(gè)實(shí)施例。如圖8所示的實(shí)施方式具有放大電路801、波形整形電路802、開關(guān)804、緩沖放大器805、平滑電路806、輸入端807和809以及輸出端808。以下來說明該實(shí)施方式的動(dòng)作。
相互反相的信號(hào)分別輸入到輸入端807和809，然后由放大電路801放大。放大電路801是一個(gè)差分輸入型放大電路。放大電路801的輸出輸入到波形整形電路802，從而，波形被整形為邏輯信號(hào)。波形已被整形的信號(hào)作為控制信號(hào)輸入到開關(guān)804以切換開關(guān)804的連接。除了放大電路801，輸入到輸入端807和809的信號(hào)也輸入到開關(guān)804。
當(dāng)開關(guān)804連接‘A’時(shí)，輸入端807的輸入信號(hào)依序輸入到緩沖放大器805和平滑電路806。
當(dāng)開關(guān)804連接‘B’時(shí)，輸入端809的輸入信號(hào)依序輸入到緩沖放大器805和平滑電路806。全波整流波形通過平滑電路806而使之平滑，然后，輸出到輸出端808。
根據(jù)該實(shí)施方式，其方法是通過使用頻率特性不劣化的TFT在絕緣基片上結(jié)構(gòu)成的不帶反饋放大電路、波形整形電路、電阻以及開關(guān)來構(gòu)成一個(gè)整流電路。
因此，能夠得到將例如顯示部分和整流電路集成在一塊絕緣基片上的半導(dǎo)體器件。
實(shí)施例4圖9示意擁有液晶顯示部分的半導(dǎo)體器件901。半導(dǎo)體器件901具有TFT基片907、在該TFT基片907上形成的反向基片(counter substrate)908、源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路902、柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路903、像素部分904、聲音信號(hào)電路905以及FPC906。聲音信號(hào)電路905用于操作揚(yáng)聲器，它具有主放大器909、前置放大器910以及整流電路911。
在聲音信號(hào)電路905中，從外部輸入一個(gè)小的聲音信號(hào)并放大去操作揚(yáng)聲器。在整流電路911中，整流輸入的聲音信號(hào)以檢測信號(hào)電平。在該情況下，例如，聲音音量能夠自動(dòng)調(diào)節(jié)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，具有較佳的頻率特性的整流電路通過用TFT在絕緣基片上構(gòu)成。如上所述的只是整流聲音信號(hào)的情況，可是，根據(jù)本發(fā)明，如同聲音信號(hào)一樣，也可以整流其它的信號(hào)，并能夠構(gòu)造傳感器以及類似的器件。
實(shí)施例5如上所述構(gòu)成的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件能應(yīng)用于各種各樣的電子裝置。以下來說明使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的電子裝置。
這樣的電子裝置包括攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、頭戴式顯示器(護(hù)目鏡型顯示器)，游戲機(jī)、車載導(dǎo)航系統(tǒng)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、攜帶式信息終端(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、電子書等)、電視機(jī)以及其它類似裝置。
圖7A說明便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)，其中包括本體3201、外殼3202、顯示部分3203、鍵盤3204、外部連接插口3205、鼠標(biāo)3206以及其它類似部分。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件能夠應(yīng)用到顯示部分3203和其它類似部分。本發(fā)明的擁有整流電路的半導(dǎo)體器件能夠構(gòu)成更系統(tǒng)化的電子裝置。
圖7B說明便攜式信息終端，其中包括本體3301、顯示部分3302、操作鍵3304、紅外端口3305等等。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件能夠應(yīng)用到顯示部分3302等等。本發(fā)明的擁有整流電路的半導(dǎo)體器件能夠構(gòu)成更系統(tǒng)化的電子裝置。
本發(fā)明的應(yīng)用范圍非常廣，除了便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)和便攜式信息終端，還能夠應(yīng)用到每個(gè)領(lǐng)域的電子裝置。在該實(shí)施例中的電子裝置也可以通過使用實(shí)施方式1和2以及實(shí)施例1至3來實(shí)現(xiàn)。
本申請(qǐng)是以2003年9月2日向日本專利局提交的第2003-310767號(hào)日本專利申請(qǐng)為基礎(chǔ)的，其內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。
雖然本發(fā)明通過參照附圖和實(shí)施方式已作了完整的描述，但應(yīng)當(dāng)理解，各種各樣的變化和變換對(duì)于本領(lǐng)域的熟練人員來說是很顯然的。因此，只要是這些變化和變換不脫離本發(fā)明的范圍，都應(yīng)當(dāng)包括在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括整流電路，所述整流電路具有電源，基于輸入信號(hào)形成邏輯信號(hào)的裝置，以及由邏輯信號(hào)控制的開關(guān)電路，其中，根據(jù)所述開關(guān)電路的動(dòng)作，或者輸出輸入信號(hào)或者輸出電源電壓，所述裝置和所述開關(guān)電路中的至少一個(gè)包括薄膜晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述開關(guān)電路是模擬開關(guān)電路。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述模擬開關(guān)電路由N型薄膜晶體管和P型薄膜晶體管構(gòu)成，進(jìn)一步，所述N型薄膜晶體管和所述P型薄膜晶體管的各自的柵極寬度大致相等。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件應(yīng)用于從包括攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、頭戴式顯示器、游戲機(jī)、車載導(dǎo)航系統(tǒng)，個(gè)人計(jì)算機(jī)、攜帶式信息終端和電視機(jī)的組中選擇的電子裝置。
5.一種半導(dǎo)體器件，包括在絕緣基片上的整流電路，所述整流電路具有放大電路，波形整形電路，用以對(duì)放大電路的輸出信號(hào)的波形進(jìn)行整形，以及開關(guān)電路，由所述波形整形電路的輸出信號(hào)控制；其中，所述放大電路、所述波形整形電路和所述開關(guān)電路的至少一個(gè)包括薄膜晶體管。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述開關(guān)電路是模擬開關(guān)電路。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述模擬開關(guān)電路由N型薄膜晶體管和P型薄膜晶體管構(gòu)成，進(jìn)一步，所述N型薄膜晶體管和所述P型薄膜晶體管的各自的柵極寬度大致相等。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述波形整形電路是反相電路。
9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件應(yīng)用于從包括攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、頭戴式顯示器、游戲機(jī)、車載導(dǎo)航系統(tǒng)，個(gè)人計(jì)算機(jī)、攜帶式信息終端和電視機(jī)的組中選擇的電子裝置。
10.一種半導(dǎo)體器件，包括在絕緣基片上的整流電路，所述整流電路具有放大電路，波形整形電路，用以對(duì)放大電路的輸出信號(hào)的波形進(jìn)行整形，開關(guān)電路，由所述波形整形電路的輸出信號(hào)控制，以及連接所述開關(guān)電路的電阻；其中，所述放大電路、所述波形整形電路和所述開關(guān)電路的至少一個(gè)包括薄膜晶體管。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述開關(guān)電路是模擬開關(guān)電路。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述模擬開關(guān)電路由N型薄膜晶體管和P型薄膜晶體管構(gòu)成，進(jìn)一步，所述N型薄膜晶體管和所述P型薄膜晶體管的各自的柵極寬度大致相等。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述波形整形電路是反相電路。
14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件應(yīng)用于從包括攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、頭戴式顯示器、游戲機(jī)、車載導(dǎo)航系統(tǒng)，個(gè)人計(jì)算機(jī)、攜帶式信息終端和電視機(jī)的組中選擇的電子裝置。
15.一種半導(dǎo)體器件，包括在絕緣基片上的整流電路，所述整流電路具有輸入端，電源，放大電路，波形整形電路，用以對(duì)放大電路的輸出信號(hào)的波形進(jìn)行整形，開關(guān)電路，由所述波形整形電路的輸出信號(hào)控制，以及緩沖放大器；其中，所述電源連接到所述開關(guān)電路的第1端，所述輸入端連接到所述開關(guān)電路的第2端和所述放大電路，所述放大電路、所述波形整形電路和所述開關(guān)電路的至少一個(gè)包括薄膜晶體管。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述開關(guān)電路是模擬開關(guān)電路。
17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述模擬開關(guān)電路由N型薄膜晶體管和P型薄膜晶體管構(gòu)成，進(jìn)一步，所述N型薄膜晶體管和所述P型薄膜晶體管的各自的柵極寬度大致相等。
18.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述波形整形電路是反相電路。
19.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件應(yīng)用于從包括攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、頭戴式顯示器、游戲機(jī)、車載導(dǎo)航系統(tǒng)，個(gè)人計(jì)算機(jī)、攜帶式信息終端和電視機(jī)的組中選擇的電子裝置。
20.一種半導(dǎo)體器件，包括在絕緣基片上的整流電路，所述整流電路具有第1輸入端，第2輸入端，放大電路，波形整形電路，用以對(duì)放大電路的輸出信號(hào)的波形進(jìn)行整流，開關(guān)電路，由所述波形整形電路的輸出信號(hào)控制，以及緩沖放大器，其中，所述第1輸入端連接到所述開關(guān)電路的第1端和所述放大電路的第1輸入端，所述第2輸入端連接到所述開關(guān)電路的第2端和所述放大電路的第2輸入端，所述放大電路、所述波形整形電路和所述開關(guān)電路的至少一個(gè)包括薄膜晶體管。
21.權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述開關(guān)電路是模擬開關(guān)電路。
22.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述模擬開關(guān)電路由N型薄膜晶體管和P型薄膜晶體管構(gòu)成，進(jìn)一步，所述N型薄膜晶體管和所述P型薄膜晶體管的各自的柵極寬度大致相等。
23.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述波形整形電路是反相電路。
24.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件應(yīng)用于從包括攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、頭戴式顯示器、游戲機(jī)、車載導(dǎo)航系統(tǒng)，個(gè)人計(jì)算機(jī)、攜帶式信息終端和電視機(jī)的組中選擇的電子裝置。
全文摘要
通過在絕緣基片上形成的薄膜晶體管，利用運(yùn)算放大器和二極管的常規(guī)結(jié)構(gòu)構(gòu)成的整流電路，由于運(yùn)算放大器的低穩(wěn)定性和低高頻性能，不能展示出整流電路的特性。因此，為了整流高頻信號(hào)，整流電路需要使用絕緣基片外部的IC來構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，放大電路和波形整形電路由薄膜晶體管構(gòu)成，非整流信號(hào)由其信號(hào)來切換，因而，能夠?qū)崿F(xiàn)具有卓越高頻特性的整流電路。
文檔編號(hào)H02M7/217GK1591881SQ20041007694
公開日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2004年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月2日
發(fā)明者小山潤, 長多剛, 松嵜隆德 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所