專(zhuān)利名稱(chēng)：介電陶瓷、其生產(chǎn)方法和多層陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及介電陶瓷、其生產(chǎn)方法和用該介電陶瓷形成的多層陶瓷電容器。具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及對(duì)介電陶瓷的介電常數(shù)的改進(jìn)，對(duì)由上述介電陶瓷形成并形成多層陶瓷電容器的介電陶瓷層的介電常數(shù)溫度性能的改進(jìn)，以及對(duì)其可靠性的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，多層陶瓷電容器的形成方法如下。
首先制備陶瓷生片，每一個(gè)陶瓷生片表面上都有導(dǎo)電材料，用于形成具有所需圖案的內(nèi)電極，每一個(gè)陶瓷生片都含有粉狀介電陶瓷原料。作為介電陶瓷，例如使用主要由BaTiO3構(gòu)成的陶瓷。
然后將包括上述具有導(dǎo)電材料的陶瓷生片的陶瓷生片相互層疊，然后將其彼此熱粘結(jié)，從而形成集成生迭片。
然后將這種生迭片焙燒，從而得到燒結(jié)迭片。在該迭片內(nèi)，用上述導(dǎo)電材料形成內(nèi)電極。
然后在迭片的外表面上形成與規(guī)定的內(nèi)電極電連接的外電極。例如，用下述方法形成每一個(gè)外電極將含粉狀導(dǎo)電金屬和玻璃料(glass frit)的導(dǎo)電膏涂布在迭片的外表面上，然后焙燒。
按照上述方法形成多層電容器。
作為上述用于形成內(nèi)電極的導(dǎo)電材料，為了盡可能降低多層陶瓷電容器的生產(chǎn)成本，近年來(lái)經(jīng)常使用相對(duì)便宜的賤金屬如鎳或銅。當(dāng)生產(chǎn)具有由賤金屬制成的內(nèi)電極的多層陶瓷電容器時(shí)，為了防止賤金屬在焙燒時(shí)氧化，焙燒必須在中性或還原性氣氛中進(jìn)行。
但是一般來(lái)說(shuō)，通過(guò)在中性或還原性氣氛中焙燒，由例如鈦酸鋇構(gòu)成的陶瓷極易被還原，結(jié)果會(huì)出現(xiàn)陶瓷被半導(dǎo)體化的問(wèn)題。
為了解決上述問(wèn)題，為了防止介電陶瓷材料被還原，人們已經(jīng)提出了各種技術(shù)(例如，參見(jiàn)日本未審公開(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)8-8137、2001-97772、2001-97773、5-217793、5-217794、4-25005和11-278930)。根據(jù)上述防止介電陶瓷材料還原的技術(shù)，可以用鎳等作為內(nèi)電極材料生產(chǎn)多層陶瓷電容器。
近年來(lái)，用于形成具有更高密度的電子電路的技術(shù)有了很大發(fā)展。因此，上述用于電子電路的多層陶瓷電容器越來(lái)越要求小型化，要求其電容越來(lái)越高。另外，在某些情況下可以用多層陶瓷電容器隔離或緩沖高速作業(yè)的微處理器電源，在這種情況下，因?yàn)橛性措娮釉诟咚龠\(yùn)行時(shí)產(chǎn)生大量的熱，所以要求微處理器周?chē)褂玫亩鄬犹沾呻娙萜髟诟邷貧夥罩幸哂袃?yōu)異的可靠性。
因此，即使形成多層陶瓷電容器的介電陶瓷層的厚度可以減小，也要求介電陶瓷材料具有低介電損耗、優(yōu)異的電絕緣性能和高可靠性。
盡管日本未審公開(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)8-8137、2001-97772和2001-97773中公開(kāi)的介電陶瓷材料具有高的相對(duì)介電常數(shù)，但是陶瓷中的晶粒長(zhǎng)得較大，當(dāng)介電陶瓷層厚度減小至如3μm或更小時(shí)，一個(gè)介電陶瓷層中的晶粒數(shù)目下降，結(jié)果會(huì)發(fā)生可靠性降低的問(wèn)題。
因?yàn)槿毡疚磳徆_(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)5-217793、5-217794和4-25005中公開(kāi)的介電陶瓷材料用Ba-Si-Li或Ba-Si-B作為燒結(jié)助劑，因此會(huì)出現(xiàn)下述問(wèn)題介電陶瓷材料的性能隨焙燒條件變化很大，在高溫高濕度氣氛中的可靠性下降。
根據(jù)日本未審公開(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)11-278930中公開(kāi)的介電陶瓷材料，其中加入的稀土元素主要存在于晶粒晶界中，從而能夠改善高溫負(fù)載試驗(yàn)中的可靠性，還可以得到較高的相對(duì)介電常數(shù)。但是，根據(jù)日本未審公開(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)11-278930中公開(kāi)的這種介電陶瓷材料，與日本未審公開(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)8-8137、2001-97772和2001-97773中公開(kāi)的材料一樣，因?yàn)樘沾芍芯Я５拈L(zhǎng)大，當(dāng)介電陶瓷層厚度減小至如3μm或更小時(shí)，一個(gè)介電陶瓷層中的晶粒數(shù)目下降，結(jié)果會(huì)發(fā)生可靠性降低的問(wèn)題。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能夠滿(mǎn)足上述要求并且同時(shí)能夠解決上述問(wèn)題的介電陶瓷及其生產(chǎn)方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種用上述介電陶瓷形成的多層陶瓷電容器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)當(dāng)稀土元素Gd取代形成鈦酸鋇復(fù)合氧化物的一部分Ba并以固溶體形式包含在晶粒中時(shí)，盡管多層陶瓷電容器的介電陶瓷層厚度減小至如3μm或更小，其高溫負(fù)載條件下的可靠性也能夠得以改善，本發(fā)明因此而得以最終完成。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的介電陶瓷包含主要組分和附加組分，主要組分由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的鈦酸鋇基復(fù)合氧化物構(gòu)成，其中，0.995≤k≤1.015，0≤h≤0.03，0≤i≤0.03，0.015≤m≤0.035，0≤y＜0.05，0≤j＜0.05，0≤(y+j)＜0.05，0.015≤n≤0.035，Ba被Gd部分取代，Ti被Mg部分取代；附加組分含有Ma(Ma是Ba、Sr和Ca中的至少一種)、Mb(Mb是Mn和Ni中的至少一種)和Mc(Mc是Si或者包括Si和Ti)，其中，以100摩爾主要組分計(jì)，Ma的含量小于1.5摩爾(但是不包括0摩爾)，以100摩爾主要組分計(jì)，Mb的含量小于1.0摩爾(但是不包括0摩爾)，以100摩爾主要組分計(jì)，Mc的含量是0.5-2.0摩爾。
在本發(fā)明的介電陶瓷中，用通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示主要組分很重要。即，重要的是，Gd和Mg不是簡(jiǎn)單地作為附加組分包含在內(nèi)，Gd取代一部分Ba并以固溶體形式包含在主要組分中，Mg取代一部分Ti并以固溶體形式包含在主要組分中。例如，當(dāng)焙燒含煅燒的BaTiO3基化合物且其中簡(jiǎn)單地加入有Gd和/或Mg的材料時(shí)，大家都知道固溶體形式的Gd在Ba位不能充分存在，固溶體形式的Mg在Ti位不能充分存在。
本發(fā)明的介電陶瓷優(yōu)選還包括以100摩爾主要組分計(jì)0.5摩爾或更少的亞組分R2O3(R是除Gd、Y和Sc外的至少一種鑭系元素)。
另外，本發(fā)明的介電陶瓷優(yōu)選還包括以100摩爾主要組分計(jì)1摩爾或更少的Al2O3。
本發(fā)明還涉及上述介電陶瓷的生產(chǎn)方法。
首先，本發(fā)明的介電陶瓷的生產(chǎn)方法包括第一個(gè)步驟得到由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的鈦酸鋇基復(fù)合氧化物構(gòu)成的反應(yīng)產(chǎn)物，其中，0.995≤k≤1.015，0≤h≤0.03，0≤i≤0.03，0.015≤m≤0.035，0≤y＜0.05，0≤j＜0.05，0≤(y+j)＜0.05，0.015≤n≤0.035，Ba被Gd部分取代，Ti被Mg部分取代。
此外進(jìn)行第二個(gè)步驟準(zhǔn)備Ma(Ma是Ba、Sr和Ca中的至少一種)、Mb(Mb是Mn和Ni中的至少一種)和Mc(Mc是Si或者包括Si和Ti)。
接下來(lái)進(jìn)行第三個(gè)步驟將第一個(gè)步驟中得到的反應(yīng)產(chǎn)物和第二個(gè)步驟中準(zhǔn)備的Ma、Mb和Mc混合，從而使得以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Ma的含量小于1.5摩爾(但是不包括0摩爾)，以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Mb的含量小于1.0摩爾(但是不包括0摩爾)，以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Mc的含量是0.5-2.0摩爾。
然后進(jìn)行第四個(gè)步驟將第三個(gè)步驟中得到的混合物焙燒。
在本發(fā)明的介電陶瓷的生產(chǎn)方法中，在上述第三個(gè)步驟中，優(yōu)選還混合以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)的0.5摩爾或更少的亞組分R2O3(R是除Gd、Y和Sc外的至少一種鑭系元素)。
另外，在本發(fā)明的介電陶瓷的生產(chǎn)方法中，在上述第三個(gè)步驟中，優(yōu)選還混合以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)的1摩爾或更少的Al2O3。
本發(fā)明還涉及一種多層陶瓷電容器，其包括具有相互層疊的介電陶瓷層和內(nèi)電極的迭片，內(nèi)電極沿介電陶瓷層之間的特定界面設(shè)置，并且在層疊方向上相互重疊；和形成在迭片外表面上的外電極，外電極與特定的內(nèi)電極電連接。
在本發(fā)明的多層陶瓷電容器中，上述每一個(gè)介電陶瓷層都包括本發(fā)明的介電陶瓷，每一個(gè)內(nèi)電極都包括作為主要組分的賤金屬。
如上所述，當(dāng)用本發(fā)明的介電陶瓷形成用于形成多層陶瓷電容器的介電陶瓷層時(shí)，因?yàn)闊Y(jié)穩(wěn)定性?xún)?yōu)異，所以抗?jié)裥缘靡愿纳疲琂IS標(biāo)準(zhǔn)中的F性能和EIA標(biāo)準(zhǔn)中的Y5V性能都能夠滿(mǎn)足，相對(duì)介電常數(shù)是9000或更大，可以在很寬的溫度范圍內(nèi)使用這樣的多層陶瓷電容器。
另外，盡管介電陶瓷層的厚度減小，但是因?yàn)榭節(jié)裥院透邷乜煽啃詢(xún)?yōu)異，所以通過(guò)減小厚度可以得到較大容量的小型多層陶瓷電容器，并且還不需要降低額定電壓。因此，即使當(dāng)介電陶瓷層厚度減小至如3μm或更小時(shí)，多層陶瓷電容器也具有充分實(shí)用的性能。
另外，即使在中性或還原性氣氛中進(jìn)行焙燒，本發(fā)明的介電陶瓷也不會(huì)半導(dǎo)體化，還可以具有很高的比電阻。因此，當(dāng)用這種介電陶瓷形成多層陶瓷電容器時(shí)，可以用賤金屬作為內(nèi)電極中含有的導(dǎo)電組分，不會(huì)產(chǎn)生任何問(wèn)題，這樣就可以降低多層陶瓷電容器的成本。
在本發(fā)明的介電陶瓷中，當(dāng)還含有以100摩爾主要組分計(jì)0.5摩爾或更少的亞組分R2O3(R是除Gd、Y和Sc外的至少一種鑭系元素)時(shí)，可以進(jìn)一步改善高溫負(fù)載條件下的壽命和/或燒結(jié)性能。
另外，在本發(fā)明的介電陶瓷中，當(dāng)還含有以100摩爾主要組分計(jì)1摩爾或更少的Al2O3時(shí)，可以進(jìn)一步改善燒結(jié)性能。
根據(jù)本發(fā)明的介電陶瓷的生產(chǎn)方法，因?yàn)樵诘玫降拟佀徜^基復(fù)合氧化物構(gòu)成的反應(yīng)產(chǎn)物中，Ba被Gd部分取代，Ti被Mg部分取代，并且必要的附加組分與作為主要組分的這種反應(yīng)產(chǎn)物混合，因此能夠容易而可靠地得到含鈦酸鋇基復(fù)合氧化物的介電陶瓷，其中，Ba被Gd部分取代，Ti被Mg部分取代。
附圖簡(jiǎn)述

圖1是示出用本發(fā)明的介電陶瓷形成的多層陶瓷電容器1的示意性橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，多層陶瓷電容器1具有整體上是長(zhǎng)方體形式的迭片2。迭片2由相互層疊的多個(gè)介電陶瓷層3和沿介電陶瓷層3之間的多個(gè)特定界面形成的多個(gè)內(nèi)電極4和5形成。形成的內(nèi)電極4和5延伸至迭片2的外表面，延伸至迭片2的一個(gè)端面6的內(nèi)電極4和延伸至另一個(gè)端面7的內(nèi)電極5在迭片2中交替放置。
在作為迭片2外表面的端面6和7上涂布導(dǎo)電膏，然后烘焙，從而形成各個(gè)外電極8和9。只要需要就可以在外電極8和9上形成由鎳、銅、鎳-銅合金等制成的第一鍍層10和11，在如此形成的鍍層上形成由焊料、錫等制成的第二鍍層12和13。
如上所述，在多層陶瓷電容器1中，形成的內(nèi)電極4和5在疊片2的層疊方向上相互重疊，從而在相鄰的內(nèi)電極4和5之間形成靜態(tài)電容。另外，內(nèi)電極4與外電極8電連接，內(nèi)電極5與外電極9電連接；因此，通過(guò)這些外電極8和9得到上述靜態(tài)電容。
介電陶瓷層3是用下述介電陶瓷形成的，這是本發(fā)明的特征。
即，介電陶瓷層3是用一種介電陶瓷形成的，該介電陶瓷包括主要組分和附加組分，主要組分由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的鈦酸鋇基復(fù)合氧化物構(gòu)成，其中，0.995≤k≤1.015，0≤h≤0.03，0≤i≤0.03，0.015≤m≤0.035，0≤y＜0.05，0≤j＜0.05，0≤(y+j)＜0.05，0.015≤n≤0.035，Ba被Gd部分取代，Ti被Mg部分取代；附加組分含有Ma(Ma是Ba、Sr和Ca中的至少一種)、Mb(Mb是Mn和Ni中的至少一種)和Mc(Mc是Si或者包括Si和Ti)，其中，以100摩爾主要組分計(jì)，Ma的含量小于1.5摩爾(但是不包括0摩爾)，以100摩爾主要組分計(jì)，Mb的含量小于1.0摩爾(但是不包括0摩爾)，以100摩爾主要組分計(jì)，Mc的含量是0.5-2.0摩爾。
當(dāng)用上述介電陶瓷形成介電陶瓷層3時(shí)，因?yàn)闊Y(jié)穩(wěn)定性?xún)?yōu)異，所以抗?jié)裥缘靡愿纳疲琂IS標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的F性能和EIA標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的Y5V性能都能夠滿(mǎn)足，相對(duì)介電常數(shù)ε是9000或更大，提高了高溫高電壓條件下的絕緣電阻的加速壽命；因此，即使介電陶瓷層的厚度減小，也可以得到具有優(yōu)異可靠性的大容量的小型多層陶瓷電容器1。另外，因?yàn)檫@種介電陶瓷可以在中性或還原性氣氛中焙燒，所以可以用賤金屬如鎳、鎳合金、銅或銅合金作為內(nèi)電極4和5的材料。還可以向形成內(nèi)電極4和5的金屬材料中加入少量陶瓷粉末。
形成介電陶瓷層3的介電陶瓷優(yōu)選還含有以100摩爾上述主要組分計(jì)0.5摩爾或更少的亞組分R2O3(R是除Gd、Y和Sc外的至少一種鑭系元素)。從而可以進(jìn)一步改善高溫負(fù)載條件下的壽命和/或燒結(jié)性能。
另外，形成介電陶瓷層3的介電陶瓷優(yōu)選還含有以100摩爾主要組分計(jì)1.0摩爾或更少的Al2O3，從而可以進(jìn)一步改善燒結(jié)性能。
對(duì)外電極8和9的組成沒(méi)有特別限制。例如，每一個(gè)外電極8和9都可以用下述物質(zhì)形成使用各種導(dǎo)電金屬粉末如銀、鈀、銀-鈀合金、銅和銅合金中的一種的燒結(jié)體，也可以用由上述導(dǎo)電金屬粉末中的一種和玻璃料如B2O3-Li2O-SiO2-BaO、B2O3-SiO2-BaO、Li2O-SiO2-BaO或B2O3-SiO2-ZnO基材料構(gòu)成的燒結(jié)體形成。另外，除上述導(dǎo)電金屬粉末和玻璃料外，還可以加入少量陶瓷粉末。
下面描述圖1所示的多層陶瓷電容器1的生產(chǎn)方法，并且將描述本發(fā)明的介電陶瓷的生產(chǎn)方法的一個(gè)實(shí)施方案。
首先，準(zhǔn)備用于形成介電陶瓷層3的介電陶瓷的粉末原料。優(yōu)選用下述方法形成粉末原料。
即，首先進(jìn)行的步驟是得到由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的鈦酸鋇基復(fù)合氧化物構(gòu)成的反應(yīng)產(chǎn)物，其中，0.995≤k≤1.015，0≤h≤0.03，0≤i≤0.03，0.015≤m≤0.035，0≤y＜0.05，0≤j＜0.05，0≤(y+j)＜0.05，0.015≤n≤0.035，Ba被Gd部分取代，Ti被Mg部分取代。
更具體地說(shuō)，為了得到該反應(yīng)產(chǎn)物，將含有上述通式中包括的各個(gè)元素的化合物如粉末狀BaCO3、TiO2、CaCO3、SrCO3、ZrO2、HfO2、Gd2O3和MgO按照上述組成比混合在一起，然后在空氣中燒結(jié)，然后粉碎。
在該步驟中，為了得到上述反應(yīng)產(chǎn)物，作為含有上述通式中包括的各個(gè)元素的化合物，還可以使用除上述碳酸鹽或氧化物外的化合物。另外，作為得到該反應(yīng)產(chǎn)物的合成方法，除上述燒結(jié)方法外，還可以使用醇鹽法、共沉積法、水熱合成法等方法。
此外，準(zhǔn)備Ma(Ma是Ba、Sr和Ca中的至少一種)、Mb(Mb是Mn和Ni中的至少一種)和Mc(Mc是Si或者包括Si和Ti)。更具體地說(shuō)，準(zhǔn)備粉末狀BaCO3、SrCO3、CaCO3、MnO、NiO、TiO2和SiO2。
然后將上述Ma、Mb和Mc與上述反應(yīng)產(chǎn)物混合，以形成混合物，其中，以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Ma的含量小于1.5摩爾(但是不包括0摩爾)，以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Mb的含量小于1.0摩爾(但是不包括0摩爾)，以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Mc的含量是0.5-2.0摩爾。將這種混合物用作介電陶瓷的粉末原料。
在上述添加Ma、Mb和Mc的混合步驟中，各種粉末狀化合物可以單獨(dú)加入，也可以在至少兩種單獨(dú)的化合物相互反應(yīng)形成粉末狀復(fù)合氧化物后再進(jìn)行加入。在后一種情況下，為了反應(yīng)，可以使用在空氣中的燒結(jié)法，也可以使用醇鹽法、共沉積法、水熱合成法等方法。
當(dāng)如上所述準(zhǔn)備粉末原料時(shí)，易于得到滿(mǎn)足上述條件的介電陶瓷。
在上述混合步驟中，還可以混合以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)0.5摩爾或更少的亞組分R2O3(R是除Gd、Y和Sc外的至少一種鑭系元素)。另外，在混合步驟中，還可以混合以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)1摩爾或更少的Al2O3。
至于在作為主要組分的粉末狀反應(yīng)產(chǎn)物中可能作為雜質(zhì)存在的堿金屬氧化物如Na2O或K2O，已經(jīng)得到證明的是，其含量對(duì)電學(xué)性能有較大的影響。但是，同樣已經(jīng)得到證明的是，當(dāng)可能作為雜質(zhì)存在的堿金屬氧化物的含量低于(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的主要組分的0.02wt％時(shí)，其電學(xué)性能不會(huì)下降。
然后在上述得到的粉末原料中加入有機(jī)粘結(jié)劑和溶劑，然后通過(guò)混合形成漿液。用如此形成的漿液形成將來(lái)要成為介電陶瓷層3的陶瓷生片。
然后，在規(guī)定的陶瓷生片上例如通過(guò)絲網(wǎng)印刷法形成將來(lái)要成為內(nèi)電極4和5的導(dǎo)電膏膜。這種導(dǎo)電膏膜含有賤金屬如鎳、鎳合金、銅或銅合金作為導(dǎo)電組分。除印刷法如絲網(wǎng)印刷法外，例如還可以用沉積法或鍍覆法形成內(nèi)電極4和5。
然后在其上提供有上述導(dǎo)電膏膜的陶瓷生片相互層疊后，層壓其上沒(méi)有導(dǎo)電膏膜的陶瓷生片，以將上述陶瓷生片夾在其中，然后進(jìn)行壓粘，如果需要再進(jìn)行切割，從而得到將來(lái)要成為迭片2的生迭片。在這種生迭片中，每一個(gè)導(dǎo)電膏膜的一個(gè)端面都暴露出來(lái)。
然后在還原性氣氛中焙燒生迭片。用這個(gè)步驟得到圖1所示的焙燒迭片2，在迭片2中，由介電陶瓷制成的上述各陶瓷生片形成介電陶瓷層3，導(dǎo)電膏膜形成內(nèi)電極4和5。
形成上述介電陶瓷層3的介電陶瓷的平均晶粒直徑優(yōu)選為2.5μm或更小，更優(yōu)選1.5μm或更小，甚至更優(yōu)選1μm或更小。
然后通過(guò)烘焙導(dǎo)電膏在迭片2的端面6和7上形成外電極8和9，使其與內(nèi)電極4和5的各暴露端電連接。
如上所述，外電極8和9一般是用下述方法形成的將導(dǎo)電膏涂布在焙燒后的迭片2的外表面上，然后烘焙；但是，也可以用下述方法形成將導(dǎo)電膏涂布在焙燒前的生迭片外表面上，然后在進(jìn)行烘焙的同時(shí)進(jìn)行焙燒以得到迭片2。
接下來(lái)，如果需要，可以在外電極8和9上鍍覆鎳、銅等，從而形成第一鍍層10和11。然后在第一鍍層10和11上鍍覆焊料、錫等，從而形成第二鍍層12和13。
按照上述方法得到多層陶瓷電容器1。
下面將參考試驗(yàn)例詳細(xì)描述本發(fā)明。試驗(yàn)例還具有演示本發(fā)明的保護(hù)范圍或其優(yōu)選保護(hù)范圍的理由的意義。
(試驗(yàn)例1)作為介電陶瓷的原料，準(zhǔn)備純度均為99.8％或更高的粉末狀BaCO3、CaCO3、SrCO3、TiO2、ZrO2、HfO2、Gd2O3、MgCO3、MnO、NiO和SiO2。
接下來(lái)，為了得到(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的第一反應(yīng)產(chǎn)物，將上述原料中規(guī)定的材料根據(jù)表1和2的“第一反應(yīng)產(chǎn)物”欄中的組成混合在一起，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。
另外，為了得到含Ma(Ma是Ba、Sr和Ca中的至少一種)、Mb(Mb是Mn和Ni中的至少一種)和Mc(Si，或者，Si和Ti)的第二反應(yīng)產(chǎn)物，將上述原料中規(guī)定的材料根據(jù)表1和2的“第二反應(yīng)產(chǎn)物”欄中的組成混合在一起，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。
在表1和2的“第二反應(yīng)產(chǎn)物”欄中，用作Ma、Mb和Mc的各種元素及其摩爾比表示為“摩爾比/元素”。這種摩爾比示出Ma、Mb和Mc之間的摩爾比，還示出相對(duì)于100摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物的摩爾比。
表1

表2

然后加入第二反應(yīng)產(chǎn)物，使其具有表1和2中所示的相對(duì)于100摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物的摩爾比，用如此得到的混合物作為各個(gè)樣品的粉末介電陶瓷原料。
然后在表1和2中所示的每一種粉末介電陶瓷原料中加入聚乙烯醇縮丁醛基粘結(jié)劑和有機(jī)溶劑如乙醇，然后用球磨機(jī)濕法混合，從而形成陶瓷漿液。
然后用刮涂法使陶瓷漿液形成薄片形狀，使得每一個(gè)得到的矩形陶瓷生片的厚度在焙燒后均為3μm。
然后在每一個(gè)陶瓷生片上涂布主要由鎳構(gòu)成的導(dǎo)電膏，從而形成將來(lái)要成為內(nèi)電極的導(dǎo)電膏膜。
然后使陶瓷生片相互層疊，使上面的導(dǎo)電膏膜延伸到的陶瓷生片端部交替放置，從而得到生迭片。
然后在氮?dú)鈿夥罩袑⑸訜岬?50℃，燒去粘結(jié)劑，然后在氧氣分壓為10-9-10-12MPa、由H2-N2-H2O氣體構(gòu)成的還原性氣氛中在表3和4所示的相應(yīng)溫度下焙燒2小時(shí)，從而得到燒結(jié)迭片。
然后在燒結(jié)迭片的兩個(gè)端面上涂布除B2O3-Li2O-SiO2-BaO基玻璃粉外還含有銀作為導(dǎo)電組分的導(dǎo)電膏，在氮?dú)鈿夥罩性?00℃的溫度下焙燒，從而形成與內(nèi)電極電連接的外電極。
如此形成的多層陶瓷電容器的外部尺寸為寬1.6mm，長(zhǎng)3.2mm，厚1.2mm，存在于內(nèi)電極之間的介電陶瓷層厚度是3μm。另外，有效介電陶瓷層的數(shù)目是100，每一層的反電極面積是2.1mm2。
對(duì)如此得到的樣品進(jìn)行下述評(píng)價(jià)。
首先在25℃的溫度下通過(guò)施加1kHz的1Vrms得到相對(duì)介電常數(shù)(ε)。
另外，通過(guò)用20℃下的靜態(tài)電容作為基準(zhǔn)，在-25℃至+85℃的溫度范圍內(nèi)通過(guò)施加1kHz的交流1Vrms，測(cè)定電容的最小和最大變化率，用于評(píng)價(jià)F性能是否得到了滿(mǎn)足。另外，通過(guò)用25℃下的靜態(tài)電容作為基準(zhǔn)，在-30℃至+85℃的溫度范圍內(nèi)通過(guò)施加1KHz的交流1Vrms，測(cè)定電容的最小和最大變化率，用于評(píng)價(jià)Y5V性能是否得到了滿(mǎn)足。
另外，在1kHz的25Vrms/mm的交流電場(chǎng)中得到的在-25℃至+85℃的溫度范圍內(nèi)的靜態(tài)電容-溫度曲線(xiàn)中，測(cè)定得到峰值電容的溫度。在這種情況下，當(dāng)交流電壓增加時(shí)，在觀察到鐵電現(xiàn)象的溫度范圍內(nèi)的表觀電容增加，結(jié)果，峰值電容的溫度移向低溫側(cè)。因此，在該測(cè)試中，使用足夠低的25Vrms/mm的電場(chǎng)，從而不會(huì)使峰值溫度移動(dòng)。
另外還進(jìn)行高溫負(fù)載壽命試驗(yàn)。高溫負(fù)載壽命試驗(yàn)是在150℃的溫度下用36個(gè)試驗(yàn)片得到絕緣電阻隨時(shí)間的變化規(guī)律的試驗(yàn)，方法是在試驗(yàn)片上施加30伏的電壓，從而具有10kV/mm的電場(chǎng)。作為高溫負(fù)載壽命，將各個(gè)樣品的絕緣電阻達(dá)到200kΩ或更小時(shí)的時(shí)間作為壽命，并由其得到平均壽命。
此外，用掃描電子顯微鏡對(duì)用每一個(gè)樣品形成的多層陶瓷電容器的介電陶瓷層的橫截面進(jìn)行拍照，用拍攝的照片得到晶粒直徑。然后選擇30或更多個(gè)晶體，得到晶粒直徑的平均值。
評(píng)價(jià)結(jié)果示于表3和4。
表3

表4

在表1-4中，帶*號(hào)的樣品是超出本發(fā)明范圍的樣品。
根據(jù)本發(fā)明范圍內(nèi)的樣品1-1至1-18，如表1所示，其滿(mǎn)足下述條件0.995≤k≤1.015，0≤h≤0.03，0≤i≤0.03，0≤y＜0.05，0≤j＜0.05，0.015≤m≤0.035，0.015≤n≤0.035，0≤(y+j)＜0.05，以100摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Ma的含量小于1.5摩爾，以100摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Mb的含量小于1.0摩爾，以100摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Mc的含量是0.5-2.0摩爾。
根據(jù)樣品1-1至1-18，結(jié)果如表3所示，可以在1250℃或更低的溫度下進(jìn)行焙燒，可以得到9000或更大的相對(duì)介電常數(shù)，F(xiàn)性能和Y5V性能都在規(guī)定范圍內(nèi)，高溫負(fù)載條件下的平均壽命比較長(zhǎng)。
相反，在超出本發(fā)明范圍的樣品1-101中，如表2所示，因?yàn)閗值小于0.995，所以如表4所示，其在高溫負(fù)載條件下的平均壽命短。另外，在超出本發(fā)明范圍的樣品1-102中，如表2所示，k值大于1.015；所以如表4所示，焙燒溫度高于1250℃，相對(duì)介電常數(shù)小于9000。
在超出本發(fā)明范圍的樣品1-103中，如表2所示，因?yàn)閔值大于0.03，所以如表4所示，相對(duì)介電常數(shù)小于9000。
在超出本發(fā)明范圍的樣品1-104中，如表2所示，因?yàn)閕值大于0.03，所以如表4所示，其在高溫負(fù)載條件下的平均壽命短。
在超出本發(fā)明范圍的樣品1-105和1-106中，如表2所示，因?yàn)閥值和j值分別是0.05或更大，在超出本發(fā)明范圍的樣品1-107中，(y+j)值是0.05或更大。根據(jù)樣品1-105、1-106和1-107，結(jié)果如表4所示，其在高溫負(fù)載條件下的平均壽命短。
在超出本發(fā)明范圍的樣品1-108中，如表2所示，因?yàn)閙值小于0.015，所以如表4所示，其F性能和Y5V性能都超出了規(guī)定范圍。另外，在超出本發(fā)明范圍的樣品1-109中，如表2所示，因?yàn)閙值大于0.035，所以如表4所示，相對(duì)介電常數(shù)小于9000。
在超出本發(fā)明范圍的樣品1-110中，如表2所示，因?yàn)閚值小于0.015，所以如表4所示，其F性能和Y5V性能都超出了規(guī)定范圍。另外，在超出本發(fā)明范圍的樣品1-111中，如表2所示，因?yàn)閚值大于0.035，所以如表4所示，相對(duì)介電常數(shù)小于9000。
在超出本發(fā)明范圍的樣品1-112中，如表2所示，因?yàn)椴缓琈a，所以如表4所示，其F性能和Y5V性能都超出了規(guī)定范圍，其在高溫負(fù)載條件下的平均壽命短。另外，在超出本發(fā)明范圍的樣品1-113中，如表2所示，因?yàn)镸a含量大于1.5摩爾；所以如表4所示，其焙燒溫度高于1250℃，相對(duì)介電常數(shù)小于9000。
在超出本發(fā)明范圍的樣品1-114中，如表2所示，因?yàn)椴缓琈b，所以如表4所示，燒結(jié)體被半導(dǎo)體化。另外，在超出本發(fā)明范圍的樣品1-115中，如表2所示，因?yàn)镸b含量大于1.0摩爾，所以如表4所示，相對(duì)介電常數(shù)小于9000。
在超出本發(fā)明范圍的樣品1-116中，如表2所示，因?yàn)镸c含量只有小于0.5摩爾，所以如表4所示，其焙燒溫度高于1250℃，相對(duì)介電常數(shù)小于9000。另外，在超出本發(fā)明范圍的樣品1-117中，如表2所示，因?yàn)镸c含量大于2.0摩爾；所以如表4所示，其F性能和Y5V性能都超出了規(guī)定范圍，其在高溫負(fù)載條件下的平均壽命短。
(試驗(yàn)例2)作為介電陶瓷的原料，準(zhǔn)備純度均為99.8％或更高的粉末狀BaCO3、TiO2、ZrO2、HfO2、Gd2O3、MgCO3、CaCO3、SrCO3、MnO、NiO和SiO2。另外除了粉末狀R2O3(其中，R是表5中“R2O3”欄中所示的元素)，還準(zhǔn)備粉末狀A(yù)l2O3。
接下來(lái)，為了得到(Ba0.97Ca0.01Gd0.02)0.999(Ti0.95Zr0.02Hf0.01Mg0.02)O3表示的第一反應(yīng)產(chǎn)物，將上述原料中預(yù)定量的BaCO3、TiO2、ZrO2、HfO2、Gd2O3、MgCO3和CaCO3混合在一起，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。
另外，為了得到含Ma、Mb和Mc的第二反應(yīng)產(chǎn)物，將上述原料中的BaCO3、SrCO3、MnO、NiO、SiO2和TiO2混合在一起，使Ba∶Sr∶Mn∶Ni∶Si∶Ti相對(duì)于100摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物的摩爾比是0.6∶0.1∶0.3∶0.1∶0.8∶0.2，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。
然后，相對(duì)于100摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物，除加入具有上述摩爾比的第二反應(yīng)產(chǎn)物外，還加入表5所示摩爾比的包括表5所示元素的R2O3，還加入表5所示摩爾比的Al2O3，從而形成用作粉末介電陶瓷原料的混合物。
然后用與試驗(yàn)例1相同的方法形成多層陶瓷電容器，并且進(jìn)行與上述同樣的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示于表5。
表5

如表5所示，與不含R2O3的樣品2-18相比，可以得到證實(shí)的是在相對(duì)于100摩爾作為主要組分的第一反應(yīng)產(chǎn)物的R2O3的含量為0.5摩爾或更低的樣品2-1至2-16中，高溫負(fù)載條件下的壽命得到改善和/或燒結(jié)性能得到改善。
另外，與不含Al2O3的樣品2-18相比，同樣可以得到證實(shí)的是在相對(duì)于100摩爾作為主要組分的第一反應(yīng)產(chǎn)物的Al2O3的含量為1摩爾或更低的樣品2-17中，燒結(jié)性能得到改善。
(試驗(yàn)例3)作為介電陶瓷的原料，準(zhǔn)備純度均為99.8％或更高的粉末狀BaCO3、SrCO3、TiO2、ZrO2、Gd2O3、MgCO3、MnO和SiO2。
然后用上述原料形成粉末狀介電陶瓷原料如樣品3-1至3-5。在所有樣品3-1至3-5中，Ba∶Sr∶Gd；Ti∶Zr∶Mg∶Mn∶Si的摩爾比設(shè)定為96.4∶2∶2∶96∶2∶2∶0.2∶1.5。
(1)樣品3-.
為了得到(Ba0.96Sr0.02Gd0.02)(Ti0.96Zr0.02Mg0.02)O3表示的第一反應(yīng)產(chǎn)物，將上述原料中預(yù)定量的BaCO3、SrCO3、Gd2O3、TiO2、ZrO2和MgCO3混合在一起，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。
另外，為了得到含Ma、Mb和Mc的第二反應(yīng)產(chǎn)物，將上述原料中的BaCO3、MnO和SiO2混合在一起，使相對(duì)于100摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物的Ba為0.4摩爾，Mn的含量為0.2摩爾，Si的含量為1.5摩爾，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。
然后將第一反應(yīng)產(chǎn)物和第二反應(yīng)產(chǎn)物混合在一起，形成粉末介電陶瓷原料。
(2)樣品3-2用與樣品3-1的第一反應(yīng)產(chǎn)物相同的生產(chǎn)方法得到(Ba0.96Sr0.02Gd0.02)(Ti0.96Zr0.02Mg0.02)O3表示的反應(yīng)產(chǎn)物。
然后將原料BaCO3、MnO和SiO2混合在一起，形成粉末介電陶瓷原料，其中，相對(duì)于100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物來(lái)說(shuō)，Ba的含量為0.4摩爾，Mn的含量為0.2摩爾，Si的含量為1.5摩爾。
(3)樣品3-3將預(yù)定量的各種原料混合在一起，將Ba∶Sr∶Gd∶Ti∶Zr∶Mg∶Mn∶Si的摩爾比設(shè)定為96.4∶2∶2∶96∶2∶2∶0.2∶1.5。然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎；從而得到粉末介電陶瓷原料。
(4)樣品3-4為了得到(Ba0.98Sr0.02)(Ti0.98Zr0.02)O3表示的第一反應(yīng)產(chǎn)物，將上述原料中預(yù)定量的BaCO3、SrCO3、TiO2和ZrO2混合在一起，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。在這種情況下值得注意的是，其中不含Gd和Mg。
另外，為了得到含Ba和Si的第二反應(yīng)產(chǎn)物，將上述原料中的BaCO3和SiO2混合在一起，使相對(duì)于98摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物的Ba為0.4摩爾，Si為1.5摩爾，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。
然后，在將第一反應(yīng)產(chǎn)物和第二反應(yīng)產(chǎn)物混合在一起的同時(shí)，加入上述原料中的Gd2O3、MgCO3和MnO，使相對(duì)于98摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物的Gd的含量為2摩爾，Mg的含量為2摩爾，Mn的含量為0.2摩爾，從而形成粉末介電陶瓷原料。
(5)樣品3-5與樣品3-4的情況一樣，得到(Ba0.98Sr0.02)(Ti0.98Zr0.02)O3表示的第一反應(yīng)產(chǎn)物。
另外，為了得到含Ba、Gd和Si的第二反應(yīng)產(chǎn)物，將上述原料中的BaCO3、Gd2O3和SiO2混合在一起，使相對(duì)于98摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物的Ba為0.4摩爾，Gd為2摩爾，Si為1.5摩爾，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。
然后，在將第一反應(yīng)產(chǎn)物和第二反應(yīng)產(chǎn)物混合在一起的同時(shí)，加入上述原料中的MgCO3和MnO，使相對(duì)于98摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物的Mg的含量為2摩爾，Mn的含量為0.2摩爾，從而形成粉末介電陶瓷原料。
下面同試驗(yàn)例1的情況相同，形成多層陶瓷電容器，進(jìn)行與上面同樣的評(píng)價(jià)。另外在試驗(yàn)例3中進(jìn)行抗?jié)駢勖囼?yàn)。
在抗?jié)駢勖囼?yàn)中，使用36個(gè)樣品，在85℃的溫度和85％的濕度條件下對(duì)每一個(gè)樣品施加15V電壓，得到5kV/mm的電場(chǎng)，用于測(cè)試絕緣電阻隨時(shí)間的變化。在這種評(píng)價(jià)中，作為抗?jié)駢勖瑢⒏鱾€(gè)樣品的絕緣電阻達(dá)到200kΩ或更小時(shí)的時(shí)間作為壽命，并由其得到平均壽命。
上述評(píng)價(jià)結(jié)果示于表6。
表6

在表6中，帶*號(hào)的樣品是超出本發(fā)明范圍的樣品。
根據(jù)本發(fā)明范圍內(nèi)的樣品3-1和3-2，如表6所示，因?yàn)樵谟米鞣勰┙殡娞沾稍现饕M分的第一反應(yīng)產(chǎn)物中含有固溶體形式的Gd和Mg，所以能夠得到優(yōu)異的性能。特別值得注意的是，得到的相對(duì)介電常數(shù)是9000或更大，高溫負(fù)載壽命試驗(yàn)和濕度壽命試驗(yàn)都顯示出優(yōu)異的結(jié)果。
相反，在超出本發(fā)明范圍的樣品3-3中，因?yàn)楹铣傻漠a(chǎn)品中，Ma、Mb和Mc包含在主要組分中，因此，與樣品3-1和3-2相比，得到的介電陶瓷的平均晶粒直徑大，另外，高溫負(fù)載條件下的壽命和抗?jié)駢勖枷陆怠?br> 另外，在超出本發(fā)明范圍的樣品3-4和3-5中，在用作粉末介電陶瓷原料主要組分的BaTiO3基復(fù)合氧化物中，因?yàn)锽a和Ti沒(méi)有分別被Gd和Mg部分取代，所以與樣品3-1和3-2相比，相對(duì)介電常數(shù)低，例如小于9000。
(試驗(yàn)例4)作為介電陶瓷的原料，準(zhǔn)備純度均為99.8％或更高的粉末狀BaCO3、TiO2、ZrO2、HfO2、MgCO3、CaCO3、MnO、NiO和SiO2。另外還準(zhǔn)備作為Re2O3的粉末狀Gd2O3、Nd2O3、Dy2O3。
接下來(lái)，為了得到(Ba0.965Ca0.01Re0.025)(Ti0.955Zr0.01Hg0.01Mg0.025)O3表示的第一反應(yīng)產(chǎn)物，將上述原料中預(yù)定量的規(guī)定粉末化合物混合在一起，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。在該步驟中，如表7所示，作為原料之一的Re2O3，樣品4-1中使用Gd2O3，樣品4-2中使用Nd2O3，樣品4-3中使用Dy2O3。
另外，為了得到含Ma、Mb和Mc的第二反應(yīng)產(chǎn)物，使用上述原料中的BaCO3、CaCO3、MnO、NiO、SiO2和TiO2，將預(yù)定量的上述原料混合在一起，使Ba∶Ca∶Mn∶Ni∶Si∶Ti相對(duì)于100摩爾第一反應(yīng)產(chǎn)物的摩爾比是0.5∶0.2∶0.2∶0.4∶1.2∶0.2，然后在空氣中燒結(jié)，然后進(jìn)行粉碎。
然后，將第一反應(yīng)產(chǎn)物和第二反應(yīng)產(chǎn)物混合在一起，從而形成粉末介電陶瓷原料。
然后用與試驗(yàn)例1相同的方法形成多層陶瓷電容器，并且進(jìn)行與上述同樣的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示于表7。
表7

在表7中，帶*號(hào)的樣品是超出本發(fā)明范圍的樣品。
根據(jù)本發(fā)明范圍內(nèi)的樣品4-1，如表7所示，因?yàn)檫x擇Gd作為取代形成作為用作主要組分的第一反應(yīng)產(chǎn)物的BaTiO3基復(fù)合氧化物的一部分Ba的元素，所以能夠得到優(yōu)異的性能。特別值得注意的是，得到的相對(duì)介電常數(shù)是9000或更大，高溫負(fù)載壽命試驗(yàn)顯示出優(yōu)異的結(jié)果。
相反，在超出本發(fā)明范圍的樣品4-2中，如表7所示，因?yàn)檫x擇Nd作為取代形成作為用作主要組分的第一反應(yīng)產(chǎn)物的BaTiO3基復(fù)合氧化物的一部分Ba的元素，所以與樣品4-1相比，抗?jié)駢勖獭?br> 另外，在超出本發(fā)明范圍的樣品4-3中，如表7所示，因?yàn)檫x擇Dy作為取代形成作為用作主要組分的第一反應(yīng)產(chǎn)物的BaTiO3基復(fù)合氧化物的一部分Ba的元素，所以相對(duì)介電常數(shù)小于9000。
工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的介電陶瓷適用作形成介電陶瓷層的材料，該介電陶瓷層可以用于在高溫下要求具有優(yōu)異可靠性的多層陶瓷電容器。
權(quán)利要求
1.一種介電陶瓷，其包含由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的鈦酸鋇基復(fù)合氧化物構(gòu)成的主要組分，其中，0.995≤k≤1.015，0≤h≤0.03，0≤i≤0.03，0.015≤m≤0.035，0≤y＜0.05，0≤j＜0.05，0≤(y+j)＜0.05，0.015≤n≤0.035，Ba被Gd部分取代，Ti被Mg部分取代；和含有Ma(Ma是Ba、Sr和Ca中的至少一種)、Mb(Mb是Mn和Ni中的至少一種)和Mc(Mc是Si或者包含Si和Ti)的附加組分，其中，以100摩爾主要組分計(jì)，Ma的含量小于1.5摩爾(但是不包含0摩爾)，以100摩爾主要組分計(jì)，Mb的含量小于1.0摩爾(但是不包含0摩爾)，以100摩爾主要組分計(jì)，Mc的含量是0.5-2.0摩爾。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的介電陶瓷，其中還包含以100摩爾主要組分計(jì)的0.5摩爾或更少的亞組分R2O3(R是除Gd、Y和Sc外的至少一種鑭系元素)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的介電陶瓷，其中還包含以100摩爾主要組分計(jì)的1摩爾或更少的Al2O3。
4.一種生產(chǎn)介電陶瓷的方法，其包含第一個(gè)步驟，得到由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的鈦酸鋇基復(fù)合氧化物構(gòu)成的反應(yīng)產(chǎn)物，其中，0.995≤k≤1.015，0≤h≤0.03，0≤i≤0.03，0.015≤m≤0.035，0≤y＜0.05，0≤j＜0.05，0≤(y+j)＜0.05，0.015≤n≤0.035，Ba被Gd部分取代，Ti被Mg部分取代；第二個(gè)步驟，準(zhǔn)備Ma(Ma是Ba、Sr和Ca中的至少一種)、Mb(Mb是Mn和Ni中的至少一種)和Mc(Mc是Si或者包含Si和Ti)；第三個(gè)步驟，將第一個(gè)步驟中得到的反應(yīng)產(chǎn)物和第二個(gè)步驟中準(zhǔn)備的Ma、Mb和Mc混合，從而使得以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Ma的含量小于1.5摩爾(但是不包含0摩爾)，以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Mb的含量小于1.0摩爾(但是不包含0摩爾)，以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)，Mc的含量是0.5-2.0摩爾；和第四個(gè)步驟，將第三個(gè)步驟中得到的混合物焙燒。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的生產(chǎn)介電陶瓷的方法，其中，在第三個(gè)步驟中，還混合以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)的0.5摩爾或更少的亞組分R2O3(R是除Gd、Y和Sc外的至少一種鑭系元素)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5的生產(chǎn)介電陶瓷的方法，其中，在第三個(gè)步驟中，還混合以100摩爾反應(yīng)產(chǎn)物計(jì)的1摩爾或更少的Al2O3。
7.一種多層陶瓷電容器，其包含具有相互層疊的介電陶瓷層和內(nèi)電極的迭片，所述內(nèi)電極沿介電陶瓷層之間的特定界面設(shè)置，并且在層疊方向上相互重疊；以及形成在迭片外表面上的外電極，所述外電極與特定的內(nèi)電極電連接，其中，每一個(gè)介電陶瓷層都包含權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的介電陶瓷，每一個(gè)內(nèi)電極都包含作為主要組分的賤金屬。
全文摘要
一種用下述步驟得到的介電陶瓷得到由通式(Ba
文檔編號(hào)H02H7/00GK1697789SQ200480000059
公開(kāi)日2005年11月16日 申請(qǐng)日期2004年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月31日
發(fā)明者岡松俊宏, 佐野晴信 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所