專(zhuān)利名稱(chēng)：電壓浪涌保護(hù)設(shè)備和包括該設(shè)備的電子電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電壓浪涌保護(hù)設(shè)備，包括至少一個(gè)輸入端，被設(shè)計(jì)為連接 到供電系統(tǒng)；至少一個(gè)輸出端，被設(shè)計(jì)為連接到受保護(hù)的電路；以及，電壓 浪涌限制裝置，連接在輸入端與輸出端之間，使所述電路不受能夠作用在輸 入端上的電壓浪涌影響。
本發(fā)明還涉及包括一個(gè)這種保護(hù)設(shè)備的電子電路。
背景技術(shù)：
已知的電壓浪涌保護(hù)設(shè)備一般包括并聯(lián)連接到受保護(hù)的線(xiàn)路上的元件， 用于通過(guò)吸收干擾電流，限制電壓脈沖。例如，這樣的元件為變阻器，或者 能夠吸收大量電能的充氣式火花隙。
元件也必須受限流保護(hù)，以便能夠在不損壞的情況下通過(guò)有效性測(cè)試。 因此，按照已知方式，變阻器中的限流電阻器串聯(lián)連接在電子電路的電源線(xiàn)
上D
圖l示出了電子電路l，包括在專(zhuān)利申請(qǐng)F(tuán)R2795567中描述的現(xiàn)有技術(shù) 的保護(hù)設(shè)備。在該圖中，第一保護(hù)設(shè)備10具有被設(shè)計(jì)為連接到配電系統(tǒng)的輸 入端11和被i殳計(jì)為連4妻到下行線(xiàn)路電子電^各(down-line electronic circuit)的輸 出端12。在這種情況下，這些電路為整流器13、電壓調(diào)節(jié)器14和變換器15。 在這個(gè)具體圖中，抗電壓浪涌的第二保護(hù)設(shè)備17安裝在整流器的下行線(xiàn)路 上，以加強(qiáng)電壓保護(hù)。按照已知的方式，設(shè)備10和17包括串聯(lián)連接在線(xiàn)路 上的串聯(lián)電阻器以及并聯(lián)連接在電阻器18的下行線(xiàn)路上的變阻器。電阻器 18通過(guò)限制吸收的功率來(lái)保護(hù)變阻器。
現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備在電阻器和變阻器中吸收干擾功率，以保護(hù)電子電路。 與它們保護(hù)的電路相比，它們當(dāng)然是笨重和非常昂貴的。此外，串聯(lián)電阻器 具有可以相對(duì)高的值，并且，迫使正常運(yùn)行中的電壓降也會(huì)非常高。因此， 在正常運(yùn)行中，串聯(lián)電阻器中流動(dòng)的電流產(chǎn)生功耗，使保護(hù)電阻器受熱。如 果減小電阻值，則對(duì)變阻器的保護(hù)不再有效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種保護(hù)設(shè)備，使得現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備的缺點(diǎn)能夠被 克服，提出有效保護(hù)并且減少功耗，并且本發(fā)明還提供了一種包括這種保護(hù) 設(shè)備的電子電路。
在按照本發(fā)明的設(shè)備中，電壓浪涌限制裝置包括
-雙向串聯(lián)限電裝置，包括至少兩個(gè)輸入端/輸出端，與至少一個(gè)所述輸 入端串聯(lián)連接，并且，在環(huán)流低于電流限制值時(shí)，當(dāng)出現(xiàn)低電壓降時(shí)，雙向 串聯(lián)限電裝置導(dǎo)通，通過(guò)使所述輸入端/輸出端之間的電壓降增加，限制所述 環(huán)流，以及
-并聯(lián)限電裝置，連接所述串聯(lián)限電裝置的下行線(xiàn)路，用于限制保護(hù)電壓 中的至少一個(gè)輸出，使得干擾電流的流動(dòng)能夠被所述串聯(lián)限電裝置限制，所 述并聯(lián)限電裝置通過(guò)將干擾電流分流，保護(hù)所述電子電路。
最好是，串聯(lián)限電裝置包括兩個(gè)串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該場(chǎng)效應(yīng)晶 體管的參考極連接到中心部分，輸出極連接在所述輸入端/輸出端之間，和控 制極連接到所述中心部分，所述電流限制值由控制極與各個(gè)參考極之間的控 制電壓的限制值以及晶體管的內(nèi)阻決定。
有益的是，串聯(lián)限電裝置包括限制調(diào)節(jié)電阻器，在它們的中心部分與所 述參考極串聯(lián)連接，所述電流限制值也用所述調(diào)節(jié)電阻器的值決定。
有益的是，串聯(lián)限電裝置包括保護(hù)二極管，用于保護(hù)并聯(lián)到所述限制調(diào) 節(jié)電阻器的、所述串聯(lián)連接的限制場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)。
最好是，串聯(lián)限電裝置具有由所述串聯(lián)限制晶體管的輸出極與各個(gè)參考 極之間的雪崩電壓或擊穿電壓決定的串聯(lián)限制電壓。
有益的是，串聯(lián)限電裝置包括第一雪崩二極管，連接在每個(gè)晶體管的參 考極與輸出極之間，使得環(huán)流能夠沿著一個(gè)方向直接流過(guò)，并且在相反方向 上，將晶體管上的電壓限制為雪崩電壓，所述第一雪崩二極管的所述雪崩電 壓低于所述晶體管的擊穿電壓，所述串聯(lián)限制電壓由所述第一雪崩二極管的 雪崩電壓決定。
為了增加保護(hù)電壓，電壓浪涌限制裝置包括至少兩個(gè)串聯(lián)連接的串聯(lián)限 電裝置。
最好是，電壓浪涌限制裝置至少包括與每個(gè)輸入端串聯(lián)連接的串聯(lián)限電 裝置。
有益的是，串聯(lián)限電裝置限制大于1000伏的限制電壓。
有益的是，串聯(lián)限電裝置包括承受大于或等于IOOO伏以上的限制電壓的
電壓的晶體管。
有益的是，串聯(lián)限電裝置包括導(dǎo)通狀態(tài)下的串聯(lián)電阻小于IO歐姆的場(chǎng)效 應(yīng)晶體管。
有益的是，串聯(lián)限電裝置包括由碳化硅制成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 有益的是，并聯(lián)限電裝置包括至少一個(gè)雪崩效應(yīng)二極管，與串聯(lián)限電裝 置的輸出連接。
按照本發(fā)明的、包括連接到到配電系統(tǒng)的連接輸入端以及受保護(hù)電^^的 電路，包括至少一個(gè)如以上定義的電壓浪涌保護(hù)設(shè)備，其中，電壓浪涌保護(hù) 設(shè)備包括連接到所述到配電系統(tǒng)的連接輸入端與所述電路之間的電壓浪涌限 制裝置，用于防止后者受能夠作用在輸入端上的電壓浪涌影響。
在優(yōu)選實(shí)施例中，受保護(hù)電路為電子電源電路，包括整流器、濾波電容 器和變換器，其中，變換器連接在串聯(lián)限電裝置的下行線(xiàn)路，并且與保護(hù)設(shè) 備的并聯(lián)限電裝置并聯(lián)。


根據(jù)以下對(duì)僅作為非限制性例子給出的、并且在附圖中表示的本發(fā)明的
特定實(shí)施例的描述，其他優(yōu)點(diǎn)和特性將變得更加清楚，其中 圖1表示電子電路中的現(xiàn)有技術(shù)的保護(hù)設(shè)備的示意圖3表示按照本發(fā)明第一實(shí)施例的保護(hù)設(shè)備的工作曲線(xiàn)；
圖4表示具有按照本發(fā)明的第二實(shí)施例的保護(hù)設(shè)備的電子電路的示意
圖5表示按照?qǐng)D4的實(shí)施例的電子電路的另一個(gè)實(shí)施例；
圖6和7表示按照本發(fā)明的實(shí)施例的具有三相保護(hù)設(shè)備的電路示意圖13和14示出了按照本發(fā)明的實(shí)施例的設(shè)備的工作曲線(xiàn)。
具體實(shí)施例方式
圖2示出了防電壓浪涌的保護(hù)設(shè)備20。它包括輸入端21，被設(shè)計(jì)為連 接到供電系統(tǒng)；輸出端22，被設(shè)計(jì)為連接到受保護(hù)的電路23;承受電壓浪涌 的限流器25,連接在輸入端21與輸出端22之間，防止所述電路受能夠作用 在輸入端上的電壓浪涌影響。
限流器25包括雙向串聯(lián)電流電壓限制電路26,電路26包括至少兩個(gè)輸 入端/輸出端27，與輸入端21串聯(lián)連接，并且，當(dāng)環(huán)流低于電流限制值Ilim 時(shí)，當(dāng)出現(xiàn)電壓降很低時(shí)，電路26接通，通過(guò)增加所述輸入端/輸出端之間 的電壓降，限制所述環(huán)流。
在本實(shí)施例中，雙向串聯(lián)限電電路(electronic limiting circuit) 26包括兩 個(gè)串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管30和31,它們的參考極或源極連接到中心部分 33，它們的輸出極或漏極連接在所述輸入端/輸出端27之間，它們的控制極 或柵極連接到所述中心部分，由控制極與各個(gè)參考極之間的控制電壓的限制 值以及晶體管的內(nèi)阻來(lái)決定所述電流限制值Ilim。
有益的是，電子電路26包括在中心部分33的限制調(diào)節(jié)電阻器34，該電 阻器與所述參考極串聯(lián)，還用所述調(diào)節(jié)電阻器34的阻值來(lái)決定所述電流限制 值Ilim。最好是，保護(hù)所述串聯(lián)限制場(chǎng)效應(yīng)晶體管30和31的結(jié)的保護(hù)二極 管35并聯(lián)連接到所述電流限制調(diào)節(jié)電阻器34。電阻器34的阻值很低，約為 幾歐姆。晶體管的參考電壓對(duì)應(yīng)于直流結(jié)電壓(junction DC voltage),約為 0.5伏，與電源電壓相比，直流結(jié)電壓很低。
在圖2中，電子電路26包括在中心部分33中的第一雪崩二極管36,這 些二極管連接在每個(gè)晶體管30和31的參考極和輸出極之間，使得環(huán)流能夠 沿一個(gè)方向直接流過(guò)，并且，沿相反方向，將晶體管上的串聯(lián)限制電壓Vlim 限制為雪崩電壓。最好是，所述第一雪崩二極管的所述雪崩電壓低于所述晶 體管30和31的擊穿電壓，并且所述串聯(lián)限制電壓Vlim由所述第一雪崩二極 管的雪崩電壓決定。
在圖2中，電子電路23包括整流器、連接到整流器的下行線(xiàn)路的濾波電 容器38和變換器15。因此，這樣的受保護(hù)電路23可以是一個(gè)供電電路，包 括整流器13、濾波電容器38以及連接到串聯(lián)限電裝置(electronic limiting means)的下行線(xiàn)路并且與保護(hù)設(shè)備的并聯(lián)限電裝置并聯(lián)的變換器15。
圖3示出了雙向串聯(lián)限電電路26的工作曲線(xiàn)。如同電壓限制值Vlim — 樣，電流限制值Ilim有正有負(fù)。正常工作電壓VN很低，同時(shí)電流低于限制
值。
按照本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)設(shè)備，正常運(yùn)行時(shí)的電壓降VN很低。因此，
不干擾電子電路的運(yùn)行，并且功耗也很低。當(dāng)出現(xiàn)電壓浪涌干擾時(shí)，電路26 迅速工作在電流限制模式，并且電路的輸入端/輸出端之間的電壓增加，以阻 止干擾電流流過(guò)。例如，電路26作為動(dòng)態(tài)陷波器(trap)工作，防止干擾通 過(guò)。它本身吸收少許電干擾能量。此外，利用電流限制設(shè)計(jì)布局，電路26不 需要并聯(lián)電阻器或其他極化元件(polarization component)。
圖4示出了具有保護(hù)設(shè)備20的電子電路，保護(hù)設(shè)備20具有限制器25, 限制器25包括串聯(lián)在每條電源線(xiàn)上的雙向串聯(lián)限電電路26。在該圖中，保 護(hù)設(shè)備還包括連接在兩個(gè)雙向串聯(lián)限電電路26的下行線(xiàn)路的并聯(lián)限電電路 40。電路40按照保護(hù)電壓來(lái)限制輸出，允許受串聯(lián)限電電路限制的干擾環(huán)流 流過(guò)。因此，即使下行電子電路損耗很小或沒(méi)有，電路40也因此能夠建立電 流。在圖5中，電路40連接到整流器13的下行線(xiàn)路。因此，所述并聯(lián)限電 裝置40、 41通過(guò)直接對(duì)額外的干擾電流進(jìn)行分流，保護(hù)所述電子電路。
在圖4和圖5中，雙向串聯(lián)限電電路26串聯(lián)在電源系統(tǒng)的相線(xiàn)和中線(xiàn)上。 兩個(gè)電路26承受該線(xiàn)路對(duì)中線(xiàn)的電源電壓的電壓浪涌。兩個(gè)雙向串聯(lián)限電電 路26的晶體管的靜態(tài)特性方面的差異意味著每個(gè)電路26的電流限制值Ilim 可能不同。因此，根據(jù)限制器的靜態(tài)性能，在電壓浪涌的情況下，該線(xiàn)路對(duì) 中線(xiàn)的電源系統(tǒng)電壓的電壓增加會(huì)逐漸作用在整個(gè)部件上，或者，分級(jí)(in cascade on)作用在每個(gè)限制器上。這意味著承受電源系統(tǒng)電壓浪涌的回路中的 電流也總受兩個(gè)電路26中的一個(gè)限制。因此，當(dāng)初始時(shí)必須承受電源系統(tǒng)電 壓浪涌的全部的第一限制電路產(chǎn)生雪崩時(shí)，在電流減小的情況下，另一個(gè)限 制電路接著承受剩余的電源系統(tǒng)電壓浪涌。
圖6和圖7示出了在三相電流供電電路。因此，限制器25包括三個(gè)串聯(lián) 限電電路26。在圖6中，并聯(lián)限制電路40連接到限制器25的輸出端，并且 包括三個(gè)第二雪崩二極管41，對(duì)電流和電壓雙向起作用。在圖7中，在限制 器25的下行線(xiàn)路，在橋式整流器之前，安裝了傳導(dǎo)模式的抗高頻干擾的濾波 器42。在這種配置中，限制器25對(duì)濾波器的部件，尤其是與該線(xiàn)路并聯(lián)的 電容器，進(jìn)行電壓保護(hù)。
在圖6和圖7中，雙向串聯(lián)限電電路26串聯(lián)在每條電源線(xiàn)上。然后，兩 個(gè)電路26承受三相電源線(xiàn)組成的電壓浪涌。按照限制器的靜態(tài)性能，在電壓 浪涌的情況下，組合的電源系統(tǒng)電壓的電壓增加，會(huì)逐漸作用在整個(gè)部件上， 或者分級(jí)作用在每個(gè)限制器上。這意味著承受電源系統(tǒng)電壓浪涌的回路中的
電流也總受兩個(gè)電路26中的一個(gè)限制。
圖8到圖12示出了按照本發(fā)明實(shí)施例的設(shè)備的不同限制器25。有益的 是，在圖8中，所述電流限制值Ilim由控制極與各個(gè)參考極之間的控制電壓 的限制值以及晶體管的內(nèi)阻決定，并且串聯(lián)限制電壓Vlim由所述串聯(lián)限制晶 體管的輸出極與各個(gè)參考極之間的雪崩電壓決定。
在圖9中，與圖8中相同，決定所述電流限制值Ilim,并且由第一雪崩 二極管36的雪崩電壓決定串聯(lián)限制電壓Vlim。這些二極管還防止串聯(lián)限制 晶體管在它們的輸出極與它們的參考極之間出現(xiàn)電壓擊穿。
在圖10中，所述電流限制值Ilim由控制極與各個(gè)參考極之間的控制電 壓的限制值、晶體管的內(nèi)阻的限制值以及與所述參考極串聯(lián)連接的限制調(diào)節(jié) 電阻器34的限制值決定，并且，與圖8的電路相同，決定串聯(lián)限制電壓Vlim。
在圖11中，由控制極與各個(gè)參考極之間的控制電壓的限制值、晶體管的
述電流限制值mm,并且，由第一雪崩二極管36的雪崩電壓決定串聯(lián)限制電 壓Vlim。
在圖12中，兩個(gè)雙向串聯(lián)限電電路26串聯(lián)在每條電源線(xiàn)上。兩條電源 線(xiàn)用四個(gè)電路26。如果每個(gè)電路26的電流限制值Ilim不同，則在電壓浪涌 的情況下，按照晶體管的特性，電壓會(huì)逐漸作用在整個(gè)部件上，或者，分級(jí) 作用在每個(gè)限制器上。
圖13和圖14示出了當(dāng)施加千擾脈沖時(shí)，由按照本發(fā)明的實(shí)施例的設(shè)備 進(jìn)行的電壓限制。由于電壓降很低，電源系統(tǒng)電壓VI和限制器25的下行線(xiàn) 路上的受保護(hù)電壓V2約為相同的值。那么，當(dāng)出現(xiàn)干擾電壓浪涌V1P時(shí)， 輸出電壓V2被限制，并且，限制器25的電路26限制并吸納電壓差。
最好是，雙向串聯(lián)限電電路26限制到1000伏以上的限制電壓。有益的 是，這個(gè)限制電壓大于2500伏，或者最好大于3000伏。電路26的晶體管的 串聯(lián)連接，使得限制電壓增加。因此，電路26中使用的晶體管承受等于或大 于限制電壓Vlim的電壓，其中，限制電壓Vlim分別大于1000、 2500或3000 伏。
有益的是，串聯(lián)限電裝置26包括在導(dǎo)通狀態(tài)下串聯(lián)電阻小于IO歐姆的
場(chǎng)效應(yīng)晶體管。最好是，這些場(chǎng)效應(yīng)晶體管是碳化硅型(silicon carbide type ) 的，使得能夠減小元件尺寸，從而在導(dǎo)通過(guò)狀態(tài)具有較高的工作電壓和較低 的電阻。
有益的是，并聯(lián)限電裝置包括至少一個(gè)連接在串聯(lián)限電裝置的輸出上的 雪崩效應(yīng)二極管41。這些雪崩二極管使得能夠直接從被保護(hù)的電路的上游對(duì) 干才尤電5充進(jìn)4亍分流。
最好是，晶體管30或31為柵結(jié)(gate如nction)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，使得能 夠在轉(zhuǎn)為導(dǎo)通(turn on)時(shí)有負(fù)的控制電壓，而導(dǎo)通狀態(tài)(on state )時(shí)相反。 但是，通過(guò)使線(xiàn)路圖適合于其他類(lèi)型的功率晶體管或半導(dǎo)體的功能特性，也 可以使用其他類(lèi)型的功率晶體管或半導(dǎo)體。
權(quán)利要求
1.一種電壓浪涌保護(hù)設(shè)備，包括至少一個(gè)輸入端(21)，被設(shè)計(jì)為連接到供電系統(tǒng)；至少一個(gè)輸出端(22)，被設(shè)計(jì)為連接到受保護(hù)的電路；以及，電壓浪涌限制裝置(10，25)，連接在所述輸入端與所述輸出端之間，以防止所述電路受能夠作用在所述輸入端上的電壓浪涌的影響，其特征在于，所述電壓浪涌限制裝置包括-雙向串聯(lián)限電裝置(26)，其包括至少兩個(gè)輸入端/輸出端(27)，與至少一個(gè)所述輸入端(21)串聯(lián)連接，并且，當(dāng)環(huán)流低于電流限制值(Ilim)時(shí)，當(dāng)出現(xiàn)低電壓降(VN)時(shí)，所述雙向串聯(lián)限電裝置(26)導(dǎo)通，并且通過(guò)使所述輸入端/輸出端(27)之間的電壓降增加限制所述環(huán)流，以及-并聯(lián)限電裝置(40，41)，連接所述串聯(lián)限電裝置(26)的下行線(xiàn)路，用于限制保護(hù)電壓中的至少一個(gè)輸出，使得干擾電流的流動(dòng)能夠被所述串聯(lián)限電裝置限制，所述并聯(lián)限電裝置(40，41)通過(guò)將干擾電流分流來(lái)保護(hù)所述電子電路。
2. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其特征在于，所述串聯(lián)限電裝置包括兩個(gè) 串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(30， 31)，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參考極連接到中心部 分(33),它們的輸出極連接在所述輸入端/輸出端(27)之間，和控制極連接到所 述中心部分(33),所述電流限制值(Ilim)由所述控制極與各個(gè)參考極之間的控 制電壓的限制值以及所述晶體管的內(nèi)阻決定。
3. 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述串聯(lián)限電裝置包括限制 調(diào)節(jié)電阻器(34)，在它們的中心部分與所述參考極串聯(lián)連接，所述電流限制值 (Ilim)也用所述調(diào)節(jié)電阻器的值決定。
4. 如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，所述串聯(lián)限電裝置包括保護(hù) 二極管(35),用于保護(hù)并聯(lián)到所述限制調(diào)節(jié)電阻器的所述串聯(lián)連接的限制場(chǎng)效 應(yīng)晶體管(30， 31)的各個(gè)結(jié)。
5. 如權(quán)利要求2到4中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于， 所述串聯(lián)限電裝置具有由所述串聯(lián)限制晶體管(30，31)的輸出極與各個(gè)參考極 之間的雪崩電壓或擊穿電壓決定的串聯(lián)限制電壓(Vlim)。
6. 如權(quán)利要求2到4中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于， 所述串聯(lián)限電裝置包括第一雪崩二極管(35, 36),連接在每個(gè)晶體管(30, 31)的參考極與輸出極之間，使得所述環(huán)流能夠沿著一個(gè)方向直接流過(guò)，并且在 相反方向上，將所述晶體管上的電壓限制為雪崩電壓，所述第一雪崩二極管的所述雪崩電壓低于所述晶體管的擊穿電壓，所述串聯(lián)限制電壓(Vlim)由所 述第一雪崩二極管的雪崩電壓決定。
7. 如權(quán)利要求1到6中的任何一個(gè)所述的設(shè)備，其特征在于，所述電壓 浪涌限制裝置包括至少兩個(gè)串聯(lián)連接的串聯(lián)限電裝置(26)。
8. 如權(quán)利要求1到7中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于， 所述電壓浪涌限制裝置至少包括與每個(gè)所述輸入端(21)串聯(lián)連接的串聯(lián)限電 裝置(26)。
9. 如權(quán)利要求1到8中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于， 所述串聯(lián)限電裝置限制到1000伏的限制電壓(Vlim)。
10. 如權(quán)利要求1到9中的任何一個(gè)所述的設(shè)備，其特征在于，所述串 聯(lián)限電裝置包括承受大于或等于1000伏以上的限制電壓(Vlim)的電壓的晶體官。
11. 如權(quán)利要求1到10中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于， 所述串聯(lián)限電裝置包括導(dǎo)通狀態(tài)下的串聯(lián)電阻小于10歐姆的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
12. 如權(quán)利要求1到11中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于， 所述串聯(lián)限電裝置包括由碳化硅制成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
13. 如權(quán)利要求1到12中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于， 所述并聯(lián)限電裝置包括至少一個(gè)雪崩效應(yīng)二極管(41),連接在所述串聯(lián)限電裝 置的輸出端上。
14. 一種電子電路，包括連接到到配電系統(tǒng)的連接輸入端；以及受保 護(hù)的電路(23),其特征在于，它包括至少一個(gè)如權(quán)利要求1到13中的任何一 個(gè)權(quán)利要求所述的電壓浪涌保護(hù)設(shè)備(20),其中，所述電壓浪涌保護(hù)設(shè)備(20) 包括連接在所述到配電系統(tǒng)的連接輸入端與所述電路之間的電壓浪涌限制裝 置(25),用于防止后者受能夠作用在所述輸入端上的電壓浪涌(V1P)的影響。
15. 如權(quán)利要求14所述的電子電路，其特征在于，所述受保護(hù)電路(23) 為供電電路，包括整流器(13)、濾波電容器(38)和變換器(15)，其中，所述變 換器(15)連接到所述串聯(lián)限電裝置的下行線(xiàn)路，并且與所述保護(hù)設(shè)備的并聯(lián)限 電裝置并聯(lián)。
全文摘要
本發(fā)明涉及過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備，包括至少一個(gè)輸入端(21)，連接到供電網(wǎng)絡(luò)；至少一個(gè)輸出端(22)，連接到受保護(hù)電路；過(guò)電壓限制裝置(10，25)，位于輸入端與輸出端之間，用于保護(hù)所述電子電路不受可以作用到輸入端上的過(guò)電壓的影響。過(guò)電壓限制裝置包括雙向串聯(lián)限電裝置(26)，雙向串聯(lián)限電裝置(26)包括至少兩個(gè)輸入端/輸出端(27)，串聯(lián)連接到至少一個(gè)所述輸入端(21)，并且，當(dāng)環(huán)流小于限制電流值(Ilm)時(shí)，對(duì)較低的電壓降(VN)進(jìn)行控制，并且限制所述環(huán)流，并且使所述輸入端/輸出端(27)之間的電壓降增加。
文檔編號(hào)H02H9/04GK101189778SQ200680019733
公開(kāi)日2008年5月28日 申請(qǐng)日期2006年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月3日
發(fā)明者塞巴斯蒂安·卡庫(kù)特, 菲利普·鮑德森, 迪迪爾·倫納德 申請(qǐng)人:施耐德電器工業(yè)公司