專利名稱：逆變器裝置和冷凍循環(huán)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及輸出對(duì)負(fù)載、例如電機(jī)的驅(qū)動(dòng)功率的逆變器裝置和冷凍循環(huán)裝置。
背景技術(shù)：
輸出驅(qū)動(dòng)含電感分量的負(fù)載、例如電機(jī)用的功率的逆變器裝置，配備具有多個(gè)沿電壓施加方向成為上游側(cè)和下游側(cè)的2個(gè)開關(guān)元件的串聯(lián)電路的開關(guān)電路，并將這些串聯(lián)電路中的各開關(guān)元件的相互連接點(diǎn)連接到負(fù)載、例如連接到 無刷直流電機(jī)的各相線圈。作為開關(guān)元件，最近多采用IGBT或MOSFET。在使用IGBT的逆變器裝置的情況下，因?yàn)镮GBT導(dǎo)通時(shí)兩端之間的電壓恒 定，所以高電壓輸出時(shí)的損耗小，與將晶體三極管用于電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)相比，驅(qū)動(dòng) 電路簡(jiǎn)單。在使用MOSFET的逆變器裝置的情況下，因?yàn)镸OSFET的通斷速度快，所 以具有可高頻切換的優(yōu)點(diǎn)，而且由于低電壓輸出時(shí)的損耗小，多數(shù)用于驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇電機(jī)等輸出小的電機(jī)的場(chǎng)合。再者，在使用MOSFET的逆變器裝置的情況下，驅(qū)動(dòng)大負(fù)載時(shí)，反向并聯(lián) 于MOSFET的回流二極管(寄生二極管)流通反向再生電流，存在產(chǎn)生損耗的問 題。為了減小此損耗，考慮一種功率變換裝置，其中設(shè)置反向電壓施加電路， 在規(guī)定的定時(shí)對(duì)回流二極管施加反向電壓，引發(fā)二極管的反向再生，從而減小 損耗。近年，開發(fā)進(jìn)一步改善MOSFET的導(dǎo)通電阻特性的低損耗功率MOSFET， 也開展使用此元件的逆變器裝置的開發(fā)。這樣，將各種元件用作逆變器裝置的開關(guān)元件，但驅(qū)動(dòng)裝在空調(diào)機(jī)等冷凍循環(huán)裝置的壓縮機(jī)時(shí)，需要選擇適應(yīng)其負(fù)載特性的最佳開關(guān)元件。即，空調(diào)機(jī) 等冷凍循環(huán)裝置中，壓縮機(jī)的高旋轉(zhuǎn)(高輸出)限于運(yùn)轉(zhuǎn)啟動(dòng)時(shí)或空調(diào)冷凍負(fù)載 特別重時(shí)；在穩(wěn)定時(shí)或負(fù)載輕的春秋季節(jié)等情況下，壓縮機(jī)以低轉(zhuǎn)速(低輸出)1/ n_U i\=rt 、—二1X口、J IHJ&符。假設(shè)將IGBT用作開關(guān)元件。此情況下，因?yàn)镮GBT的導(dǎo)通時(shí)的電壓恒定， 所以高輸出的大電流時(shí)損耗小，但低輸出、小電流時(shí)的損耗減小效果變小。因 此，驅(qū)動(dòng)裝在空調(diào)機(jī)等冷凍循環(huán)裝置的壓縮機(jī)的情況下，其低輸出時(shí)的損耗減 小效果小的導(dǎo)通特性不好。另一方面，使用MOSFET的情況下，由于電阻特性 的導(dǎo)通通道，電流大時(shí)電壓降增加，存在高負(fù)載時(shí)的損耗變大的問題。發(fā)明內(nèi)容一本發(fā)明方式的逆變器裝置的目的是可通過采用適當(dāng)組合IGBT和 MOSFET的開關(guān)電路，能遍及高負(fù)載至低負(fù)載的大范圍地謀求減小損耗，從而 能謀求效率提高。一本發(fā)明實(shí)施方式的逆變器裝置，配備開關(guān)電路，該開關(guān)電路具有多個(gè)沿電壓施加方向成為上游側(cè)的IGBT和成為 下游側(cè)的MOSFET的串聯(lián)電路，并具有分別反向并聯(lián)于所述各IGBT和所述各 FET的回流二極管，而且將所述各串聯(lián)電路中的所述IGBT和所述MOSFET的 相互連接點(diǎn)連接到含電感分量的負(fù)載；以及控制單元，該控制單元依次切換所述各串聯(lián)電路中的至少l個(gè)串聯(lián)電路的 IGBT進(jìn)行通斷，并且另外的至少l個(gè)串聯(lián)電路的MOSFET進(jìn)行導(dǎo)通的多相通 電。


圖1是示出一實(shí)施方式的組成的框圖。圖2是示出一實(shí)施方式中的各調(diào)制信號(hào)、各驅(qū)動(dòng)信號(hào)、各相間電壓的波形 的圖。圖3是示出一實(shí)施方式中的各IGBT和各MOSFET的動(dòng)作模式的圖。圖4是示出一實(shí)施方式中的各相間電壓與相線圈電流的關(guān)系的圖。 圖5是以時(shí)間上放大的方式示出上述一實(shí)施方式中的三角波信號(hào)與各調(diào)制 信號(hào)的關(guān)系的圖。圖6是歸納并示出一實(shí)施方式隨各通電模式中的IGBT通斷動(dòng)作、通斷負(fù)載 率、相線圈電流、電流路徑的關(guān)系的圖。 圖7是具體示出圖6中的電流路徑的圖。 圖8是具體示出圖6中的其它電流路徑的圖。 圖9是具體示出圖6中的別的電流路徑的圖。 圖10是具體示出圖6中的別的電流路徑的圖。
具體實(shí)施方式
下面，參照

以本發(fā)明實(shí)施方式。圖1中，M為當(dāng)作空調(diào)機(jī)的壓縮機(jī)電機(jī)使用的無刷直流電機(jī)(負(fù)載)，由具有 以中性點(diǎn)C為中心作星形連接的3個(gè)相線圈Lu、 Lv、 Lw的定子、以及具有永 久磁鐵的轉(zhuǎn)子構(gòu)成。利用因相線圈Lu、 Lv、 Lw中流通電流而產(chǎn)生的磁場(chǎng)與永 久磁鐵建立的磁場(chǎng)的相互作用，使轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)。由此無刷直流電機(jī)M驅(qū)動(dòng)壓縮機(jī)20。壓縮機(jī)20將冷媒吸入并加以壓縮后 排出。構(gòu)成使此壓縮機(jī)20排出的冷媒通過冷凝器21、減壓器(例如膨脹閥22)、 蒸發(fā)器23，并返回壓縮機(jī)20的冷凍循環(huán)。然后，由此冷凍循環(huán)和逆變器裝置 1，構(gòu)成冷凍循環(huán)裝置。逆變器裝置1配備施加直流電壓Vd的輸入端子P和N;接受此輸入端子P 與N之間的直流電壓Vd并進(jìn)行對(duì)所述相線圈Lu、 Lv、 Lw的通電和該通電的 切換的開關(guān)電路2;對(duì)此開關(guān)電路2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制的控制部10。所述開關(guān)電路2具有U、 V、 W的三相份額的沿直流電壓Vd的施加方向 成為上游側(cè)的IGBT (Integrated Gate Bipolar Transistor:集成門雙極性晶體管) 和下游側(cè)的低損耗功率MOSFET， U相的上游側(cè)配備IGBT3u，下游側(cè)配備 MOSFET4u; V相的上游側(cè)配備IGBT3v，下游側(cè)配備MOSFET4v; W相的上 游側(cè)配備IGBT3w，下游側(cè)配備MOSFET4w。而且，對(duì)IGBT3u、 3v、 3w分別反向并聯(lián)回流二極管Du+、 Dv+、 Dw+，對(duì)MOSFET4u、 4v、 4w分別反向 并聯(lián)回流二極管(也稱為寄生二極管)Du—、 Dv-、 Dw—。IGBT3u與M0SFET4u的相互連接點(diǎn)為輸出端子Qu，IGBT3v與M0SFET4v 的相互連接點(diǎn)為輸出端子Qv， IGBT3w與M0SFET4w的相互連接點(diǎn)為輸出端 子Qw。而且，輸出端子Qu上連接所述相線圈Lu的非接線端，輸出端子Qv 上連接所述相線圈Lv的非接線端，輸出端子Qw上連接所述相線圈Lw的非接 線端。又，開關(guān)電路2配備反向電壓施加電路5u、 5v、 5w，該反向電壓施加電路 對(duì)回流二極管Du—、 Dv—、 Dw—施加反向電壓，使得因相線圈Lu、 Lv、 Lw 中儲(chǔ)存的能量而在回流二極管Du—、 Dv—、 Dw—流通正向電流時(shí)，隨著 IGBT3u、 3v、 3w各自的導(dǎo)通，回流二極管Du—、 Dv—、 Dw—中不流通反向 電流。所述控制部IO作為主要功能，具有下列(1) (3)的單元。(1) 產(chǎn)生規(guī)定期間作為開關(guān)動(dòng)作休止期具有固定于一定電平的電壓波形，且 相位角不相同的多個(gè)調(diào)制信號(hào)的調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元。(2) 利用所述各調(diào)制信號(hào)與三角波信號(hào)的電壓比較，編制相當(dāng)于所述開關(guān)動(dòng) 作休止期的期間的電位為零電平，且剩下的期間的電位重復(fù)高電平和零電平的 波形的多個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)編制單元。(3) 根據(jù)所述各驅(qū)動(dòng)信號(hào)依次切換開關(guān)電路2的各串聯(lián)電路中至少1個(gè)串聯(lián) 電路的IGBT進(jìn)行通斷，并且另外的至少1個(gè)串聯(lián)電路的MOSFET進(jìn)行導(dǎo)通的 多相通電的控制單元。接著，說明上述組成的作用。如圖2所示，準(zhǔn)備相位角相互錯(cuò)開120度的三相正弦波電壓Eu、 Ev、 Ew。 此三相正弦波電壓Eu、Ev、Ew的頻率與無刷直流電機(jī)M的速度成正比地變化。 并且，將此三相正弦波電壓Eu、 Ev、 Ew中電壓最小的相的波形整形成作為基 準(zhǔn)電壓(0伏)的相對(duì)電壓，從而產(chǎn)生相當(dāng)于三相正弦波電壓Eu、 Ev、 Ew的周期 (=2tt)的1/3(=2兀/3)的期間作為開關(guān)動(dòng)作休止期具有固定于負(fù)的一定電平的 電壓波形，且相互錯(cuò)開120度的多個(gè)調(diào)制信號(hào)Eu，、 Ev，、 Ew，。再者，這是也稱為二相調(diào)制的調(diào)制方式。通過對(duì)此調(diào)制信Eu，、 Ev，、 Ew，和三角波信號(hào)Eo進(jìn)行比較，編制相當(dāng)于所述開關(guān)動(dòng)作休止期的期間的電位為零電平(下底)，且剩下的期間的電位重復(fù)高電平和零點(diǎn)平的下底通電波形的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(脈寬調(diào)制信號(hào)PWM信號(hào))Vu、 Vv、 Vw。根據(jù)此驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vu、 Vv、 Vw，依次切換開關(guān)電路2的至少l個(gè)串聯(lián)電 路的IGBT進(jìn)行通斷，并且另外的至少1個(gè)串聯(lián)電路的MOSFET進(jìn)行導(dǎo)通的多 相通電。圖3示出IGBT3u、 3v、 3w和MOSFET4u、 4v、 4w的動(dòng)作模式。O 表示通斷，A表示導(dǎo)通，X表示阻斷。利用此多相通電的切換，輸出端子Qu、 Qv、 Qw相互之間產(chǎn)生電平對(duì)應(yīng)于 阻斷負(fù)載率的相間電壓Vuv、 Vvw、 Vwu，并將該相間電壓Vuv、 Vvw、 Vwu 施加到相線圈Lu、 Lv、 Lw。因而，Lu、 Lv、 Lw中流通正弦波狀的電流，使 無刷直流電機(jī)M動(dòng)作。圖4示出相間電壓Vuv、 Vvw、 Vwu與相線圈電流的關(guān)系。即，設(shè)定成空 調(diào)負(fù)載大、IGBT導(dǎo)通且阻斷負(fù)載率大的運(yùn)轉(zhuǎn)條件(導(dǎo)通期長(zhǎng)，阻斷期短)下，相 間電壓Vuv、 Vvw、 Vwu的電平和頻率變高，相線圈電流增大。利用調(diào)節(jié)調(diào)制 信號(hào)Eu'、 Ev，、 Ew'的電平，以可變方式設(shè)定IGBT的通斷負(fù)載率、輸出電壓。如上文所述，將IGBT3u、 3v、 3w用作開關(guān)電路2的各串聯(lián)電路的上游側(cè) 開關(guān)元件，將MOSFET4u、 4v、 4w用作各串聯(lián)電路的下游側(cè)開關(guān)元件，并依 次切換利用脈寬調(diào)制使至少1個(gè)串聯(lián)電路的IGBT進(jìn)行通斷，且另外的至少1 個(gè)串聯(lián)電路的MOSFET進(jìn)行導(dǎo)通的多相通電，從而在空調(diào)負(fù)載小、無刷直流電 機(jī)M的轉(zhuǎn)速可以低的低負(fù)載時(shí)，MOSFET的導(dǎo)通期變長(zhǎng)，IGBT的導(dǎo)通期變短。 因此，對(duì)損耗而言，MOSFET的損耗形成支配性的作用，能使IGBT的損耗的 影響小。因此，空調(diào)機(jī)等的運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間比率最高的低能力運(yùn)轉(zhuǎn)中，能有效利用 MOSFET的低損耗運(yùn)轉(zhuǎn)。另一方面，高負(fù)載時(shí)(電流大時(shí))，MOSFET的損耗增加，但上游側(cè)IGBT的 導(dǎo)通時(shí)間比率變大，所以與將全部開關(guān)元件取為MOSFET時(shí)相比，損耗能至少 減小將IGBT用作上游側(cè)開關(guān)元件的份額。又，如果使用MOSFET，則因運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)而一對(duì)開關(guān)元件的一方導(dǎo)通時(shí)，成對(duì)的MOSFET的回流二極管流通大的反向再生電流，損耗增大。為了抑制此現(xiàn) 象，利用反向電壓施加電路5u、 5v、 5w在成對(duì)的開關(guān)元件導(dǎo)通前后對(duì)回流二 極管施加反向電壓。其結(jié)果，MOSFET的回流二極管(寄生二極管)中產(chǎn)生的大 反向再生電流受到抑制，能大幅度減小反向再生電流造成的損耗。尤其是僅在 下游側(cè)使用MOSFET，可僅對(duì)下游側(cè)的MOSFET4u、 4v、 4w設(shè)置反向電壓施 加電路5u、 5v、 5w，所以能謀求電路簡(jiǎn)化和成本降低。這樣，通過采用適當(dāng)組合IGBT和MOSFET的開關(guān)電路2，能遍及高負(fù)載 至低負(fù)載的大范圍謀求減小損耗，從而謀求提高逆變器裝置1的效率。可是，圖2所示的調(diào)制信號(hào)Eu，、 Ev，、 Ew，與三角波信號(hào)Eo的比較中，為 了比較結(jié)果容易理解，采用頻率比實(shí)際低的三角波信號(hào)Eo。實(shí)際的三角波信號(hào) 的頻率更高。圖5是在相位60度的區(qū)間以時(shí)間上放大的方式示出實(shí)際的三角 波信號(hào)Eo與調(diào)制信號(hào)Eu'、 Ev'、 Ew'的關(guān)系的圖。圖5中，作為相線圈的電流路徑，在60度區(qū)間的前半部分產(chǎn)生基于高電位 調(diào)制信號(hào)Eu'與下底電位(零電位)調(diào)制信號(hào)Ev'的電位差(圖中示為Tl)的通電路 徑和基于中電位調(diào)制信號(hào)Ew'與下底電位(零電位)調(diào)制信號(hào)Ev'的電位差(圖中 示為T2)的通電路徑。在60度區(qū)間的后半部分產(chǎn)生基于高電位調(diào)制信號(hào)Eu'與 中電位調(diào)制信號(hào)Ew'的電位差(圖中示為T3)的通電路徑和基于高電位調(diào)制信號(hào) Eu'與下底電位(零電位)調(diào)制信號(hào)Ev'的電位差(圖中示為T4)的通電路徑。圖6 歸納并示出這些通電路徑中的IGBT的通斷動(dòng)作、通斷負(fù)載率、相線圈電流、 逆變器裝置1的電流路徑的關(guān)系。再者，中電位調(diào)制信號(hào)Ew'的電平在前半部 分示出的定時(shí)T2上為正電壓，在后半部分示出的定時(shí)T3上為負(fù)電壓，電流的 方向和路徑變化。在定時(shí)T1上，由于IGBT3u導(dǎo)通(將通電負(fù)載率的典型值表為A)，如圖7 的實(shí)線那樣，在輸入端子P、 IGBT3u、相線圈Lu禾卩Lv、 MOSFET4v、輸入端 子N的路徑中流通電流。IGBT3u阻斷時(shí)，如圖7的虛線那樣，基于相線圈Lu 和Lv儲(chǔ)存的能量的電流從相線圈Lu、 Lv經(jīng)MOSFET4v正向流過MOSFET4u 側(cè)的回流二極管Du—。在定時(shí)T2上，由于IGBT3w導(dǎo)通(將通電負(fù)載率的典型值表為B)，如圖8的實(shí)線那樣，在輸入端子P、 IGBT3w、相線圈Lu和Lv、 MOSFET4v、輸入端 子N的路徑中流通電流。IGBT3w阻斷時(shí)，如圖8的虛線那樣，基于相線圈Lu 和Lv儲(chǔ)存的能量的電流從相線圈Lw、 Lv經(jīng)MOSFET4v正向流過MOSFET4w 側(cè)的回流二極管Du—。在定時(shí)T3上，IGBT3u、 3w導(dǎo)通時(shí)(將通斷負(fù)載率的典型值表為C)，如圖9 的實(shí)線那樣，基于相線圈Lw、Lv儲(chǔ)存的能量的電流在相線圈Lu、Lw至IGBT3w 的回流二極管DW+、 IGBT3u的路徑中流通。IGBT3u導(dǎo)通且IGBT3w阻斷時(shí) (通斷負(fù)載率的典型值表為A - C)，如圖9的虛線那樣，從輸入端子P經(jīng)IGBT3u 和相線圈Lu、 Lw的電流經(jīng)MOSFET4w流到輸入端子N側(cè)。而且，IGBT3u、 3w阻斷時(shí)，如圖9的點(diǎn)劃線那樣，經(jīng)IGBT3u和相線圈Lu、 Lw的電流經(jīng) MOSFET4w正向流過MOSFET4u側(cè)的回流二極管Du—。在定時(shí)T4上，由于IGBT3u導(dǎo)通，如圖10的實(shí)線那樣，在輸入端子P、 IGBT3u、相線圈Lu和Lv、MOSFET4v、輸入端子N的路徑中流通電流。IGBT3u 阻斷時(shí)，如圖10的虛線那樣，基于相線圈Lu和Lv儲(chǔ)存的能量的電流從相線 圈Lu、 Lv經(jīng)MOSFET4v正向流過MOSFET4u側(cè)的回流二極管Du— ?？赏ㄟ^對(duì)此60度區(qū)間的定時(shí)T1、 T2、 T3、 T4上的4條通電路徑的電流， 分析適應(yīng)IGBT的通斷動(dòng)作的電流路徑和損耗，將該分析的結(jié)果在整個(gè)360度 區(qū)間展開。艮P，在定時(shí)T1、 T2、 T3、 T4上的4條通電路徑中，忽略隨電流變化的損 耗因素，并假設(shè)IGBT和MOSFET各自的正向電流、反向電流的損耗相等，將 IGBT的損耗表為IR， MOSFET的損耗表為MR，而且將調(diào)制率表為a，加上通 電時(shí)間后，算出60度區(qū)間的損耗。定時(shí)T1上，IGBT3u導(dǎo)通時(shí)為A* a* (IR + MR) ， IGBT3u阻斷時(shí)為(l一 A) a (IR + MR) = 2 (1—A) a MR。定時(shí)T2上，IGBT3w導(dǎo)通時(shí)為B a (IR + MR) ， IGBT3w阻斷時(shí)為2 (1—B)*a*MR。定時(shí)T3上，IGBT3u導(dǎo)通 且3w導(dǎo)通時(shí)為2 C a IR， IGBT3u導(dǎo)通且3w阻斷時(shí)為(A - C) a (IR + MR) ， IGBT3u和3w都阻斷時(shí)為2*(1—A)*a*MR。定時(shí)T4上，與定時(shí)T1 相同，也為A a (IR + MR)和2 (1 — A) a MR。求它們的總和，則取得下式。3 A*aIR + B*IR+OIR+(8 —3A —B —C) MR這里，將當(dāng)作通斷典型值使用的A(0度至30度的區(qū)間)、B(30度至60度的 區(qū)間)、C(60度至卯度的區(qū)間)作為平均值并使用各區(qū)間的中間角的值，則A 為15度的負(fù)載率(導(dǎo)通時(shí)間)，B為45度的負(fù)載率，C為75度的負(fù)載率。這樣 做，則A + B二C，所以將此關(guān)系代入上式時(shí)，得到下面的公式。"A a,IR + (8 — 4 A a) MR=4 MR + 4*[A a*IR + (l—A*a)* MR]由此式判明，調(diào)制率a小的低輸出電壓區(qū)(小電流區(qū))中，MOSFET流通大部 分的電流，損耗的大小受MOSFET的損耗支配。因而，即使上游側(cè)開關(guān)元件使 用IGBT，此區(qū)域中也取得接近全部開關(guān)元件為MOSFET時(shí)的損耗減小效果。又，如圖4所說明，設(shè)定成負(fù)載大且IGBT的通斷負(fù)載率大的運(yùn)轉(zhuǎn)條件下， 相間電壓Vuv、 Vvw、 Vwu的電平和頻率變高，相線圈電流增大，但這時(shí)IGBT 的損耗比率變大，此區(qū)域中與全部開關(guān)元件為MOSFET時(shí)相比，損耗能減小。 實(shí)際使用條件中，冷凍循環(huán)裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間大半為小電流的穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)條件，此 穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)條件下的損耗減小效果大。反之，MOSFET因?qū)殡娮杼匦远娏?變大時(shí)，與IGBT相比，損耗增加。此情況下，電流路徑的一方為IGBT，所以 能減輕其不良影響。艮P，通過作為開關(guān)電路在上游側(cè)使用IGBT、在下游側(cè)使用MOSFET并進(jìn) 行下底通電(二相調(diào)制)，能在高負(fù)載至低負(fù)載的大范圍謀求減小損耗，從而能 謀求效率提高。又，通過設(shè)置反向電壓施加電路，即使使用MOSFET，也抑制 回流二極管(寄生二極管)中產(chǎn)生的大反向再生電流，能大幅度減小損耗。工業(yè)上的實(shí)用性本發(fā)明的逆變器裝置，能用于裝載壓縮機(jī)的冷凍循環(huán)裝置。
權(quán)利要求
1、一種逆變器裝置，其特征在于，配備開關(guān)電路，該開關(guān)電路具有多個(gè)沿電壓施加方向成為上游側(cè)的IGBT和成為下游側(cè)的MOSFET的串聯(lián)電路，并具有與各所述IGBT和各所述MOSFET分別反向并聯(lián)的回流二極管，而且將各所述串聯(lián)電路中的所述IGBT和所述MOSFET的相互連接點(diǎn)連接到含電感分量的負(fù)載；以及控制單元，該控制單元依次切換多相通電，所述多相通電對(duì)各所述串聯(lián)電路中的至少1個(gè)串聯(lián)電路的IGBT進(jìn)行通斷，并且對(duì)另外的至少1個(gè)串聯(lián)電路的MOSFET進(jìn)行導(dǎo)通。
2、 如權(quán)利要求1中所述的逆變器裝置，其特征在于，還配備反向電壓施加電路，該反向電壓施加電路在各所述IGBT導(dǎo)通前，對(duì) 各所述回流二極管施加反向電壓，以便因所述負(fù)載儲(chǔ)存的能量而使各所述 MOSFET的回流二極管流通正向電流時(shí)，抑制隨各所述IGBT的導(dǎo)通而流通于 各所述回流二極管的反向電流。
3、 如權(quán)利要求1中所述的逆變器裝置，其特征在于， 所述負(fù)載是無刷直流電機(jī)的各相線圈。
4、 如權(quán)利要求1中所述的逆變器裝置，其特征在于， 所述負(fù)載是無刷直流電機(jī)的3個(gè)相線圈， 各所述串聯(lián)電路是與所述各相線圈對(duì)應(yīng)的3個(gè)串聯(lián)電路。
5、 如權(quán)利要求3中所述的逆變器裝置，其特征在于，所述無刷直流電機(jī)用于驅(qū)動(dòng)壓縮機(jī)，所述壓縮機(jī)將冷媒吸入并加以壓縮后 排出。
6、 一種冷凍循環(huán)裝置，其特征在于，配備 將冷媒吸入并加以壓縮后排出的壓縮機(jī)；使所述壓縮機(jī)排出的冷媒通過冷凝器、減壓器、蒸發(fā)器，并返回所述壓縮 機(jī)的冷凍循環(huán)；具有多個(gè)相線圈，并驅(qū)動(dòng)所述壓縮機(jī)的無刷直流電機(jī)；具有開關(guān)電路，該開關(guān)電路多個(gè)沿電壓施加方向成為上游側(cè)的IGBT和成 為下游側(cè)的MOSFET的串聯(lián)電路，并具有與各所述IGBT和各所述MOSFET 分別反向并聯(lián)的回流二極管，而且將各所述串聯(lián)電路中的所述IGBT和所述 MOSFET的相互連接點(diǎn)連接到所述無刷直流電機(jī)的各相線圈；以及控制單元，該控制單元依次切換多相通電，所述多相通電對(duì)各所述串聯(lián)電 路中的至少1個(gè)串聯(lián)電路的IGBT進(jìn)行通斷，并且對(duì)另外的至少l個(gè)串聯(lián)電路 的MOSFET進(jìn)行導(dǎo)通。
全文摘要
配備開關(guān)電路，該開關(guān)電路具有多個(gè)沿電壓施加方向成為上游側(cè)的IGBT和成為下游側(cè)的MOSFET的串聯(lián)電路，并且將這些串聯(lián)電路中的IGBT和MOSFET的相互連接點(diǎn)連接到負(fù)載。而且，依次切換各串聯(lián)電路中的至少1個(gè)串聯(lián)電路的IGBT進(jìn)行通斷，并且另外的至少1個(gè)串聯(lián)電路的MOSFET進(jìn)行導(dǎo)通的多相通電。
文檔編號(hào)H02M7/5387GK101233675SQ20068002784
公開日2008年7月30日 申請(qǐng)日期2006年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月8日
發(fā)明者植杉通可, 遠(yuǎn)藤隆久, 野田浩二, 餅川宏 申請(qǐng)人:東芝開利株式會(huì)社