專利名稱：Igbt全橋逆變電源的主電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于一種逆變電源，具體是一種改進(jìn)IGBT全橋驅(qū)動(dòng)和相關(guān)變換 電源的主電路。
背景技術(shù)：
IGBT逆變電源作為大功率工業(yè)電源可廣泛應(yīng)用于各種行業(yè)，如電鍍、電解 行業(yè)，焊割行業(yè)等，已成為我們社會(huì)發(fā)展的基礎(chǔ)。傳統(tǒng)的工業(yè)電源多為可控硅整 流，或自耦變壓器調(diào)整輸出。與之比較，IGBT逆變電源具有體積小，重量輕，輸出 效率高以及節(jié)能節(jié)材的優(yōu)勢(shì)，為傳統(tǒng)的工業(yè)電源行業(yè)帶來了革命性的變化，稱 為"明天的電源"。但是，IGBT逆變電源電路復(fù)雜，各元器件參數(shù)設(shè)計(jì)若不合 理，會(huì)導(dǎo)致IGBT易誤觸發(fā)而損壞。因此，工作的可靠性是制約目前IGBT逆變電 源推廣應(yīng)用的一個(gè)重要因素。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是改進(jìn)一種IGBT全橋逆變電源的主電路，并合理配合其 相關(guān)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)參數(shù)，依據(jù)主變壓器的漏感大小，設(shè)計(jì)電容C的參數(shù)。可有 效降低IGBT電應(yīng)力，大大提高了 IGBT觸發(fā)的可靠性，減少了 IGBT在開關(guān)過程 失效的可能。提高了逆變電源的安全性能與使用壽命。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下
IGBT全橋逆變電源的主電路，包括由四個(gè)IGBT管Tl、 T2、 T3、 T4構(gòu)成的 四個(gè)橋臂，低阻驅(qū)動(dòng)源ql、 q2、 q3、 q4，輸出主變壓器，IGBT管T1、 T2、 T3、 T4的柵極分別串聯(lián)有驅(qū)動(dòng)電阻R1、 R2、 R3、 R4，其特征在于所述相鄰或?qū)菢?臂的IGBT驅(qū)動(dòng)電阻不等，且驅(qū)動(dòng)電阻較大的2個(gè)IGBT管源、漏極兩端旁路有同 等容量的電容C，即R一R3:a; R2 = R4=b或Rl=R2=a; R3二R4:b;參數(shù)選取a= (l+e )b或b二(l+e )a，a= 1 Q 500Q，b= 1 Q 500Q, P =20% 400%; 電容0= 200 pF 10000pF。 .所述的驅(qū)動(dòng)電阻較小的一個(gè)或二個(gè)IGBT管源、漏極兩端旁路有電容。
本IGBT全橋逆變電源的主電路的實(shí)用新型適用于IGBT器件，也適用于其他
類型的大功率開關(guān)元器件。
本實(shí)用新型采用改進(jìn)全橋驅(qū)動(dòng)和相關(guān)變換電源的主電路，獨(dú)特的參數(shù)設(shè)計(jì)，
與主輸出主變壓器電氣性能配合最佳，極大地提高了 IGBT開關(guān)器件工作的可靠性。


圖1為本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)之一示意圖。 圖2為本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)之二示意圖。 圖3為本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)之三示意圖。 圖4為本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)之四示意圖。 圖5為本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)之五示意圖。 圖6為本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)之六示意圖。
具體實(shí)施方式
例l:
參見附圖1。
IGBT全橋逆變電源的主電路包括由四個(gè)IGBT管Tl、 T2、 T3、 T4構(gòu)成的四 個(gè)橋臂，低阻驅(qū)動(dòng)源ql、 q2、 q3、 q4，輸出主變壓器，IGBT管Tl、 T2、 T3、 T4 的柵極分別串聯(lián)有驅(qū)動(dòng)電阻R1、 R2、 R3、 R4，兩個(gè)IGBT管源漏極旁路電容C。 即Rl二R3二a; R2=R4=b;參數(shù)選取a=l. 2 5b， a=1.2Q 500Q， b= 1 Q 100Q， 2個(gè)IGBT管T1、 T3的源、漏極分別旁路電容C，電容C= 200 pF 10000pF。 例2:
參見圖2。
即Rl=R3=a; R2=R4=b;參數(shù)選取b = l. 2 5 a， a= 1 Q 100Q， b= 1 .2 Q 500Q，2個(gè)IGBT管T2、 T4的源、漏極分別旁路電容C，電容C= 200 pF 10000pF。 例3:參見圖3。
即Rl=R2=a; R3=R4=b;參數(shù)選取a=l. 2 5b， a= 1 .2Q 500Q， b= 1 Q 100 Q， 2個(gè)IGBT管Tl、T2的源、漏極分別旁路電容C，電容C二 200pF 1000.0pF。 例4:
參見圖4。
即Rl=R2=a; R3=R4=b;參數(shù)選取b二1.2 5 a， a= 1 Q 100Q， b= 1 . 2 Q 500Q， 2個(gè)IGBT管T3、 T4的源、漏極分別旁路電容C，電容O 200 pF 10000pF。 例5:
即Rl = R3=a; R2 = R4=b;參數(shù)選取a二1.2 5 b， a=1.2Q 500Q， b = 1 Q 100Q， 2個(gè)IGBT管T1、 T3的源、漏極分別旁路電容C, IGBT管T2的源、 漏極接旁路電容C1，電容0= 200 pF 10000pF。 例6:
即Rl=R2=a; R3=R4=b;參數(shù)選取a=l. 2 5 b， a= 1 . 2Q 500Q ， b= 1 Q 100Q， 2個(gè)IGBT管T1、 T2的源、漏極分別旁路電容C， 2個(gè)IGBT管T3、 T4的源、漏極分別旁路電容C2、 C3，電容〔=200 pF 10000pF。
權(quán)利要求1. IGBT全橋逆變電源的主電路，包括由四個(gè)IGBT管(T1、T2、T3、T4)構(gòu)成的四個(gè)橋臂，低阻驅(qū)動(dòng)源(q1、q2、q3、q4)，輸出主變壓器，IGBT管(T1、T2、T3、T4)的柵極分別串聯(lián)有驅(qū)動(dòng)電阻(R1、R2、R3、R4)，其特征在于所述相鄰或?qū)菢虮鄣腎GBT驅(qū)動(dòng)電阻不等，且驅(qū)動(dòng)電阻較大的2個(gè)IGBT管源、漏極兩端旁路有同等容量的電容C，即R1＝R3＝a；R2＝R4＝b或R1＝R2＝a；R3＝R4＝b；參數(shù)選取a＝(1+β)b或b＝(1+β)a，a＝1Ω～500Ω，b＝1Ω～500Ω，β＝20％～400％；電容C＝200pF～10000pF。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT全橋逆變電源的主電路，其特征在于所述的驅(qū) 動(dòng)電阻較小的一個(gè)或二個(gè)IGBT管源、漏極兩端旁路有電容。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種IGBT全橋逆變電源的主電路，包括由四個(gè)IGBT管T1、T2、T3、T4構(gòu)成的四個(gè)橋臂，低阻驅(qū)動(dòng)源q1、q2、q3、q4，輸出主變壓器，IGBT管T1、T2、T3、T4的柵極分別串聯(lián)有驅(qū)動(dòng)電阻R1、R2、R3、R4，其特征在于所述相鄰或?qū)菢虮鄣腎GBT驅(qū)動(dòng)電阻不等，且驅(qū)動(dòng)電阻較大的2個(gè)IGBT管源、漏極兩端旁路有同等容量的電容C，即R1＝R3＝a；R2＝R4＝b或R1＝R2＝a；R3＝R4＝b；參數(shù)選取a＝(1+β)b或b＝(1+β)a，β＝20％～400％；電容C＝200pF～10000pF。本實(shí)用新型采用全橋逆變電源的主電路結(jié)構(gòu)，獨(dú)特的參數(shù)設(shè)計(jì)，與主輸出主變壓器，電氣性能配合最佳，極大地提高了IGBT開關(guān)器件工作的可靠性。
文檔編號(hào)H02M7/5387GK201122909SQ20072004069
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2007年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月14日
發(fā)明者袁忠杰 申請(qǐng)人:袁忠杰